本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，開關(guān)晶體管-液晶顯示器)顯示裝置中，數(shù)據(jù)線上的信號(hào)由驅(qū)動(dòng)芯片輸出到數(shù)據(jù)線上，通過開關(guān)晶體管給每個(gè)像素單元充電。傳統(tǒng)的陣列基板設(shè)計(jì)中，一個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線提供信號(hào)充電，由于數(shù)據(jù)線上的電容負(fù)載和電阻負(fù)載無可避免，會(huì)讓數(shù)據(jù)線上的信號(hào)到達(dá)預(yù)期電壓的時(shí)間有延遲，延遲的大小由電容負(fù)載和電阻負(fù)載的大小決定，因此，通常像素單元的實(shí)際充電時(shí)間要小于理想的充電時(shí)間。

同時(shí)，為了防止液晶極化，每個(gè)像素單元上的電壓需要極性反轉(zhuǎn)，所以數(shù)據(jù)線上的信號(hào)也需要進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)。例如，數(shù)據(jù)線上的信號(hào)正負(fù)電壓為±5v，在極性反轉(zhuǎn)的時(shí)候，充電電壓需要變化10v，數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲會(huì)減小充電的時(shí)間。隨著顯示裝置的分辨率越來越高，每個(gè)像素單元充電的時(shí)間也越來越短，對(duì)充電時(shí)間的要求也越來越高。數(shù)據(jù)線上的信號(hào)延遲太大，會(huì)造成充電不足，像素單元不能達(dá)到預(yù)期的電壓，顯示裝置顯示的圖像顏色異常。

綜上所述，現(xiàn)有的tft-lcd顯示裝置中，一個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線提供信號(hào)充電，充電時(shí)需要進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)線上的延遲時(shí)間較長(zhǎng)，影響像素單元的充電時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的tft-lcd顯示裝置中，一個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線提供信號(hào)充電，充電時(shí)需要進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)線上的延遲時(shí)間較長(zhǎng)，影響像素單元的充電時(shí)間的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括：呈陣列排布的若干個(gè)像素單元，每一列像素單元中的所有像素單元均連接到兩條數(shù)據(jù)線上，且每一行像素單元中的所有像素單元均連接到兩條柵極線上；其中，

每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均分別通過一個(gè)第一開關(guān)晶體管與第一數(shù)據(jù)線電連接，且每一列像素單元中每個(gè)像素單元均分別通過一個(gè)第二開關(guān)晶體管與第二數(shù)據(jù)線電連接；

每一行像素單元中的每個(gè)像素單元連接的所述第一開關(guān)晶體管的柵極均連接到第一柵極線上，且每一行像素單元中每個(gè)像素單元連接的所述第二開關(guān)晶體管的柵極均連接到第二柵極線上；

所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線分別位于所述每列像素單元的兩側(cè)，且所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反、且所述驅(qū)動(dòng)電壓的幅值相等。

較佳的，每一行像素單元連接的所述第一柵極線和所述第二柵極線均位于所述像素單元的同一側(cè)。

較佳的，位于相鄰兩列像素單元之間的兩條數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相同。

較佳的，每條所述第一數(shù)據(jù)線均通過一個(gè)第三開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，且所有所述第一數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述第三開關(guān)晶體管的柵極均電連接到第一信號(hào)線上；

其中，所述第一信號(hào)線用于為所述第三開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)。

較佳的，每條所述第二數(shù)據(jù)線均通過一個(gè)第四開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，且所有所述第二數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的所述第四開關(guān)晶體管的柵極均電連接到第二信號(hào)線上；

其中，所述第二信號(hào)線用于為所述第四開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)。

較佳的，所述驅(qū)動(dòng)芯片能夠分別為所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線提供極性相反、且幅值相等的驅(qū)動(dòng)電壓。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，該方法包括：

向所有第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)，以及向至少一行像素單元所連接的第一柵極線輸出第一時(shí)間長(zhǎng)度的開啟信號(hào)，當(dāng)與所述第一柵極線電連接的第一開關(guān)晶體管開啟時(shí)，通過所述第一開關(guān)晶體管對(duì)所述一行像素單元進(jìn)行第一次充電；

在所述第一次充電完成后，向所有第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)，以及向所述一行像素單元所連接的第二柵極線輸出第二時(shí)間長(zhǎng)度的開啟信號(hào)，當(dāng)與所述第二柵極線電連接的第二開關(guān)晶體管開啟時(shí)，通過所述第二開關(guān)晶體管對(duì)所述一行像素單元進(jìn)行第二次充電；

其中，所述第一周期脈沖信號(hào)和所述第二周期脈沖信號(hào)的脈沖周期和脈沖幅值均相等；所述第一周期脈沖信號(hào)和所述第二周期脈沖信號(hào)中一個(gè)為正脈沖信號(hào)，另一個(gè)為負(fù)脈沖信號(hào)；所述第一時(shí)間長(zhǎng)度和所述第二時(shí)間長(zhǎng)度相等、且均等于半個(gè)所述脈沖周期。

較佳的，所述向所有第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)，包括：

向第一信號(hào)線輸出第三周期脈沖信號(hào)，當(dāng)與所述第一信號(hào)線電連接的第三開關(guān)晶體管開啟時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片通過每個(gè)所述第三開關(guān)晶體管向?qū)?yīng)的第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)。

較佳的，所述向所有第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)，包括：

向第二信號(hào)線輸出第四周期脈沖信號(hào)，當(dāng)與所述第二信號(hào)線電連接的第四開關(guān)晶體管開啟時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片通過每個(gè)所述第四開關(guān)晶體管向?qū)?yīng)的第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)；

其中，所述第三周期脈沖信號(hào)和所述第四周期脈沖信號(hào)的脈沖周期和脈沖幅值均相等；所述第三周期脈沖信號(hào)和所述第四周期脈沖信號(hào)均為高低電平的脈沖信號(hào)，且在相同的半個(gè)脈沖周期內(nèi)的高低電平相反。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置，每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均通過兩個(gè)開關(guān)晶體管分別電連接兩條數(shù)據(jù)線，這兩條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反、幅值相等，因此，可以分別對(duì)每個(gè)像素單元充不同極性的電；同時(shí)，由于每一行像素單元中的所有像素單元也均連接到兩條柵極線上，而且兩條柵極線分別連接每個(gè)像素單元上的兩個(gè)開關(guān)晶體管，因此，可以通過兩條柵極線實(shí)現(xiàn)對(duì)兩條數(shù)據(jù)線的分別控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供正極性的電，而另一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供負(fù)極性的電。由于本發(fā)明中單條數(shù)據(jù)線上的電壓極性可以始終不變，不需要再進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，因而相比于現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線充電的情況，單條數(shù)據(jù)線上的延遲時(shí)間可以減小一半，進(jìn)而增加了每個(gè)像素單元的實(shí)際充電時(shí)間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的基本結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法的步驟流程圖；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的兩條數(shù)據(jù)線和像素單元的電壓信號(hào)示意圖；

圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上的電壓信號(hào)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

其中，附圖中結(jié)構(gòu)大小和區(qū)域形狀不反映其真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明的內(nèi)容。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的基本結(jié)構(gòu)示意圖；該陣列基板，包括：呈陣列排布的若干個(gè)像素單元，每一列像素單元中的所有像素單元均連接到兩條數(shù)據(jù)線上，且每一行像素單元中的所有像素單元均連接到兩條柵極線上；其中，

每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均分別通過一個(gè)第一開關(guān)晶體管與第一數(shù)據(jù)線電連接，且每一列像素單元中每個(gè)像素單元均分別通過一個(gè)第二開關(guān)晶體管與第二數(shù)據(jù)線電連接；

每一行像素單元中的每個(gè)像素單元連接的第一開關(guān)晶體管的柵極均連接到第一柵極線上，且每一行像素單元中每個(gè)像素單元連接的第二開關(guān)晶體管的柵極均連接到第二柵極線上；

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線分別位于每列像素單元的兩側(cè)，且第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反、且驅(qū)動(dòng)電壓的幅值相等。

在具體實(shí)施時(shí)，如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的整體結(jié)構(gòu)俯視圖，為了方便說明，本發(fā)明實(shí)施例中僅畫了3×4個(gè)呈陣列排布的像素單元，實(shí)際制作中并不僅限于3×4個(gè)像素單元。由于每個(gè)像素單元的連接方式類似，為了方便說明，本發(fā)明主要以像素單元x11為例進(jìn)行詳細(xì)說明，其它的像素單元可以參考像素單元x11。

具體的，每一列像素單元中的所有像素單元均連接到兩條數(shù)據(jù)線上；例如，圖1中第一列像素單元中的像素單元x11，x21，x31，x41均連接到第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2上。而每一行像素單元的所有像素單元均連接到兩條柵極線上；例如，圖1中第一行像素單元中的像素單元x11，x12，x13均連接到第一柵極線g1和第二柵極線g2上。

每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均分別通過一個(gè)第一開關(guān)晶體管與第一數(shù)據(jù)線電連接；例如，圖1中第一列像素單元中的像素單元x11通過一個(gè)第一開關(guān)晶體管t1與第一數(shù)據(jù)線d1電連接。相應(yīng)的，每一列像素單元中每個(gè)像素單元也均分別通過一個(gè)第二開關(guān)晶體管與第二數(shù)據(jù)線電連接；例如，圖1中第一列像素單元中的像素單元x11通過一個(gè)第二開關(guān)晶體管t2與第二數(shù)據(jù)線d2電連接。而由于兩條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反，為了減少耦合，第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線可以分別設(shè)置在每列像素單元的兩側(cè)。

由于每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均通過兩個(gè)開關(guān)晶體管(第一開關(guān)晶體管t1和第二開關(guān)晶體管t2)分別電連接兩條數(shù)據(jù)線(第一數(shù)據(jù)線d1和第二數(shù)據(jù)線d2)，這兩條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反、幅值相等，因此，可以分別對(duì)每個(gè)像素單元充不同極性的電，即兩條數(shù)據(jù)線上一個(gè)提供正電壓，另一個(gè)提供負(fù)電壓。

另外，每一行像素單元中的每個(gè)像素單元連接的第一開關(guān)晶體管的柵極均連接到第一柵極線上；例如，圖1中第一行像素單元中的像素單元x11的第一開關(guān)晶體管t1的柵極g1均電連接到第一柵極線g1上。相應(yīng)的，每一行像素單元中每個(gè)像素單元連接的第二開關(guān)晶體管的柵極均連接到第二柵極線上；例如，圖1中第一行像素單元中的像素單元x11的第二開關(guān)晶體管t2的柵極g2均電連接到第二柵極線g2上。

由于每一行像素單元中的所有像素單元均連接到兩條柵極線(第一柵極線g1和第二柵極線g2)上，而且兩條柵極線分別連接每個(gè)像素單元上的兩個(gè)開關(guān)晶體管(第一開關(guān)晶體管t1和第二開關(guān)晶體管t2)，因此，可以通過兩條柵極線實(shí)現(xiàn)對(duì)兩條數(shù)據(jù)線的分別控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供正極性的電，而另一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供負(fù)極性的電。

綜上，由于本發(fā)明中單條數(shù)據(jù)線上的電壓極性可以始終不變，不需要再進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，因而，相比于現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線充電的情況，單條數(shù)據(jù)線上的延遲時(shí)間可以減小一半，進(jìn)而增加了每個(gè)像素單元的實(shí)際充電時(shí)間。

例如，現(xiàn)有技術(shù)中每個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線充電的情況，每條數(shù)據(jù)線上的電壓需要反轉(zhuǎn)，變化幅值為10v，而本發(fā)明中由于可以實(shí)現(xiàn)一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供正極性的電，而另一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供負(fù)極性的電，因此單條數(shù)據(jù)線上的電壓可以始終保持極性不變，其變化幅值僅為5v，因此相應(yīng)的每條數(shù)據(jù)線上的延遲也縮短一半，進(jìn)而增加了每個(gè)像素單元的實(shí)際充電時(shí)間。

在具體實(shí)施時(shí)，每一行像素單元所共有的兩條柵極線，其具體位置可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，可以設(shè)置在這一行像素單元的同側(cè)，也可以像數(shù)據(jù)線一樣設(shè)置在這一行像素單元的兩側(cè)，較佳的，每一行像素單元連接的第一柵極線和第二柵極線均位于像素單元的同一側(cè)。

針對(duì)每一列像素單元來說，所有像素單元連接的兩條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置在這一列像素單元的兩側(cè)，而針對(duì)整個(gè)陣列基板來說，相鄰兩列像素單元之間設(shè)置有兩條數(shù)據(jù)線，分別數(shù)據(jù)這兩列像素單元，而為了減少這兩條數(shù)據(jù)線之間的耦合，較佳的，位于相鄰兩列像素單元之間的兩條數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相同。

在具體實(shí)施時(shí)，為了更好的控制對(duì)像素單元的充電情況，可以在每條數(shù)據(jù)線上設(shè)置一個(gè)開關(guān)晶體管。

較佳的，每條第一數(shù)據(jù)線均通過一個(gè)第三開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，且所有第一數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的第三開關(guān)晶體管的柵極均電連接到第一信號(hào)線上；其中，第一信號(hào)線用于為第三開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)。

例如，圖1中的第一數(shù)據(jù)線d1通過一個(gè)第三開關(guān)晶體管t3與驅(qū)動(dòng)芯片10電連接。而且圖1中的第一數(shù)據(jù)線d1對(duì)應(yīng)的第三開關(guān)晶體管t3的柵極g3電連接到第一信號(hào)線m1上；而第一信號(hào)線m1則用于為與其連接的所有開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)，該開啟信號(hào)可以為一個(gè)高低電平的周期脈沖信號(hào)，而高低電平的周期脈沖信號(hào)的大小則一般由開關(guān)晶體管的特性設(shè)定，例如，在lcd中，低電壓為vgl，一般為-8v。高電壓為vgh，一般為10v～33v。

相應(yīng)的，每條第二數(shù)據(jù)線均通過一個(gè)第四開關(guān)晶體管與驅(qū)動(dòng)芯片電連接，且所有第二數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的第四開關(guān)晶體管的柵極均電連接到第二信號(hào)線上；其中，第二信號(hào)線用于為第四開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)。

例如，圖1中的第二數(shù)據(jù)線d2通過一個(gè)第四開關(guān)晶體管t4與驅(qū)動(dòng)芯片10電連接。而且圖1中的第一數(shù)據(jù)線d2對(duì)應(yīng)的第三開關(guān)晶體管t4的柵極g4電連接到第二信號(hào)線m2上；而第二信號(hào)線m2則用于為與其連接的所有開關(guān)晶體管提供開啟信號(hào)，該開啟信號(hào)可以為一個(gè)高低電平的周期脈沖信號(hào)，而高低電平的周期脈沖信號(hào)的大小則一般由開關(guān)晶體管的特性設(shè)定，例如，在lcd中，低電壓為vgl，一般為-8v。高電壓為vgh，一般為10v～33v。

具體的，上述驅(qū)動(dòng)芯片也可以根據(jù)需要進(jìn)行選取，較佳的，驅(qū)動(dòng)芯片能夠分別為第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線提供極性相反、且幅值相等的驅(qū)動(dòng)電壓。例如，可以使用驅(qū)動(dòng)芯片輸出矩形脈沖信號(hào)，也可以通過調(diào)整模式，實(shí)現(xiàn)正負(fù)電壓的驅(qū)動(dòng)。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一陣列基板。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述任一陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的方法，如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法的步驟流程圖，該方法具體包括如下步驟：

步驟201，向所有第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)，以及向至少一行像素單元所連接的第一柵極線輸出第一時(shí)間長(zhǎng)度的開啟信號(hào)，當(dāng)與第一柵極線電連接的第一開關(guān)晶體管開啟時(shí)，通過第一開關(guān)晶體管對(duì)一行像素單元進(jìn)行第一次充電；

步驟202，在第一次充電完成后，向所有第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)，以及向一行像素單元所連接的第二柵極線輸出第二時(shí)間長(zhǎng)度的開啟信號(hào)，當(dāng)與第二柵極線電連接的第二開關(guān)晶體管開啟時(shí)，通過第二開關(guān)晶體管對(duì)一行像素單元進(jìn)行第二次充電；

其中，第一周期脈沖信號(hào)和第二周期脈沖信號(hào)的脈沖周期和脈沖幅值均相等；第一周期脈沖信號(hào)和第二周期脈沖信號(hào)中一個(gè)為正脈沖信號(hào)，另一個(gè)為負(fù)脈沖信號(hào)；第一時(shí)間長(zhǎng)度和第二時(shí)間長(zhǎng)度相等、且均等于半個(gè)脈沖周期。

在具體實(shí)施時(shí)，每個(gè)像素單元的充電過程類似，在此僅以像素單元x11為例進(jìn)行介紹，其它的像素單元可以參考像素單元x11。

假設(shè)像素單元x11需要先充正電，再充負(fù)電，且兩個(gè)充電過程持續(xù)時(shí)間相同。因此，可以先向第一數(shù)據(jù)線d1輸出周期的正脈沖信號(hào)data1，同時(shí)，向第一柵極線g1輸出第一時(shí)間長(zhǎng)度的高電平信號(hào)，當(dāng)與第一柵極線g1電連接的第一開關(guān)晶體管t1開啟時(shí)，就可以通過第一開關(guān)晶體管t1對(duì)像素單元x11充正電。

而當(dāng)正電充完之后，則向第二數(shù)據(jù)線d2輸出周期的正脈沖信號(hào)data2，同時(shí)，向第二柵極線g2輸出第二時(shí)間長(zhǎng)度的高電平信號(hào)，當(dāng)與第二柵極線g2電連接的第二開關(guān)晶體管t2開啟時(shí)，就可以通過第二開關(guān)晶體管t2對(duì)像素單元x11充正電。

具體的，向所有第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)，包括：向第一信號(hào)線輸出第三周期脈沖信號(hào)，當(dāng)與第一信號(hào)線電連接的第三開關(guān)晶體管開啟時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片通過每個(gè)第三開關(guān)晶體管向?qū)?yīng)的第一數(shù)據(jù)線輸出第一周期脈沖信號(hào)。

在具體實(shí)施時(shí)，可以向第一信號(hào)線m1輸出高低電平的脈沖信號(hào)v1，v1也是周期脈沖信號(hào)，一個(gè)脈沖周期內(nèi)，有半個(gè)脈沖周期為高電平，半個(gè)脈沖周期為低電平，當(dāng)高電平時(shí)第三開關(guān)晶體管t3開啟，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片10可以通過第三開關(guān)晶體管t3向第一數(shù)據(jù)線d1輸出正脈沖信號(hào)data1。

相應(yīng)的，向所有第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)，包括：向第二信號(hào)線輸出第四周期脈沖信號(hào)，當(dāng)與第二信號(hào)線電連接的第四開關(guān)晶體管開啟時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片通過每個(gè)第四開關(guān)晶體管向?qū)?yīng)的第二數(shù)據(jù)線輸出第二周期脈沖信號(hào)；其中，第三周期脈沖信號(hào)和第四周期脈沖信號(hào)的脈沖周期和脈沖幅值均相等；第三周期脈沖信號(hào)和第四周期脈沖信號(hào)均為高低電平的脈沖信號(hào)，且在相同的半個(gè)脈沖周期內(nèi)的高低電平相反。

在具體實(shí)施時(shí)，可以向第二信號(hào)線m2輸出高低電平的脈沖信號(hào)v2，v2也是周期脈沖信號(hào)，一個(gè)脈沖周期內(nèi)，有半個(gè)脈沖周期為高電平，半個(gè)脈沖周期為低電平，當(dāng)高電平時(shí)第四開關(guān)晶體管t4開啟，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片10可以通過第三開關(guān)晶體管t4向第二數(shù)據(jù)線d2輸出負(fù)脈沖信號(hào)data2。

如圖3a-圖3b所示，其中，圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的兩條數(shù)據(jù)線和像素單元的電壓信號(hào)示意圖；圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上的電壓信號(hào)示意圖。其中，正脈沖信號(hào)data1和負(fù)脈沖信號(hào)data2的脈沖周期和脈沖幅值均相等；脈沖信號(hào)v1和脈沖信號(hào)v2的脈沖周期和脈沖幅值也均相等。

具體的，在第n幀顯示時(shí)間內(nèi)，向第一信號(hào)線m1輸出高低電平的脈沖信號(hào)v1為高電平，第三開關(guān)晶體管t3開啟，驅(qū)動(dòng)芯片10可以通過第三開關(guān)晶體管t3向第一數(shù)據(jù)線d1輸出正脈沖信號(hào)data1，為像素單元x11充正電。

在第n+1幀顯示時(shí)間時(shí)，向第二信號(hào)線m2輸出高低電平的脈沖信號(hào)v2為高電平，第四開關(guān)晶體管t4開啟，驅(qū)動(dòng)芯片10可以通過第四開關(guān)晶體管t4向第二數(shù)據(jù)線d2輸出正脈沖信號(hào)data2，為像素單元x11充負(fù)電。

在具體實(shí)施時(shí)，為了保證對(duì)每一個(gè)像素單元充正電和充負(fù)電為分開進(jìn)行的兩個(gè)過程，脈沖信號(hào)v1和脈沖信號(hào)v2均為高低電平的脈沖信號(hào)，且在相同的半個(gè)脈沖周期內(nèi)的高低電平相反，進(jìn)而使第三開關(guān)晶體管t3和第四開關(guān)晶體管t4可以周期性的開啟和關(guān)閉。同時(shí)，為了保證對(duì)每一個(gè)像素單元充正電和充負(fù)電的時(shí)長(zhǎng)相等，需要設(shè)置上述進(jìn)行第一次充電的第一時(shí)間長(zhǎng)度和進(jìn)行第二次充電的第二時(shí)間長(zhǎng)度相等、且均等于脈沖信號(hào)(data1、data2、v1或v2)對(duì)應(yīng)的半個(gè)脈沖周期。

另外，針對(duì)整個(gè)陣列基板，由于每一行像素單元均可以單獨(dú)控制，因此先對(duì)哪一行像素單元充電，以及同時(shí)對(duì)一行還是多行像素單元充電，都可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，在此不做限定。

其中，本發(fā)明實(shí)施例中是以各個(gè)開關(guān)晶體管均為n型晶體管為例進(jìn)行的說明，但實(shí)際上本發(fā)明并不限定各個(gè)開關(guān)晶體管的驅(qū)動(dòng)類型，也可以全部設(shè)置為p型晶體管、或者部分n型部分p型，只是此時(shí)需要根據(jù)晶體管的特性改變開啟信號(hào)。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置，每一列像素單元中的每個(gè)像素單元均通過兩個(gè)開關(guān)晶體管分別電連接兩條數(shù)據(jù)線，這兩條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電壓的極性相反、幅值相等，因此，可以分別對(duì)每個(gè)像素單元充不同極性的電；同時(shí)，由于每一行像素單元中的所有像素單元也均連接到兩條柵極線上，而且兩條柵極線分別連接每個(gè)像素單元上的兩個(gè)開關(guān)晶體管，因此，可以通過兩條柵極線實(shí)現(xiàn)對(duì)兩條數(shù)據(jù)線的分別控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供正極性的電，而另一條數(shù)據(jù)線始終為像素單元提供負(fù)極性的電。由于本發(fā)明中單條數(shù)據(jù)線上的電壓極性可以始終不變，不需要再進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)，因而相比于每個(gè)像素單元由一條數(shù)據(jù)線充電的情況，單條數(shù)據(jù)線上的延遲時(shí)間可以減小一半，進(jìn)而增加了每個(gè)像素單元的實(shí)際充電時(shí)間。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。