本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法。

背景技術(shù)：

作為新一代顯示技術(shù)，有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角、高響應(yīng)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此備受市場(chǎng)的青睞。

oled顯示裝置按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源矩陣型oled(passivematrixoled，pmoled)和有源矩陣型oled(activematrixoled，amoled)兩大類。其中，amoled具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。oled按照光出射方向的不同，可以分為兩種結(jié)構(gòu)：一種是底發(fā)射型，另一種是頂發(fā)射型。oled器件結(jié)構(gòu)一般包括由下至上層疊的陽(yáng)極，平坦層，有機(jī)發(fā)光材料層，以及透明陰極。頂發(fā)射型oled所發(fā)出的光是從器件的頂部出射，能有效的提高開(kāi)口率。

大尺寸高解析度amoled面板的開(kāi)發(fā)是未來(lái)的發(fā)展方向，隨著解析度的增加，會(huì)極大的壓縮底發(fā)射amoled的開(kāi)口區(qū)，故急需開(kāi)發(fā)頂發(fā)射架構(gòu)，而目前透明陰極阻抗非常大，引起嚴(yán)重的ir壓降(drop)問(wèn)題。

參見(jiàn)圖1，其為傳統(tǒng)頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)示意圖。傳統(tǒng)amoled電源配置結(jié)構(gòu)中，透明陰極1為整面蒸鍍工藝制備，透明陰極1上下邊引出vss電源輸入點(diǎn)2，通過(guò)vss電源輸入點(diǎn)2統(tǒng)一輸入vss電壓，vdd電極3為縱向分布，上下邊引出vdd電源輸入點(diǎn)4，通過(guò)vdd電源輸入點(diǎn)4統(tǒng)一輸入vdd電壓。該電源配置方式由于透明陰極1阻抗大，通常透明陰極1方阻＞10ω/□，面板上下邊和中心會(huì)有明顯的由于透明陰極1的ir壓降引起的亮度差異，影響顯示品質(zhì)。

參見(jiàn)圖2，其為傳統(tǒng)amoled的3t1c像素電路示意圖，主要包括3個(gè)薄膜晶體管t1～t3，一個(gè)電容cst，該像素電路驅(qū)動(dòng)過(guò)程主要由信號(hào)scan的時(shí)序控制，薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)tft，用于驅(qū)動(dòng)oled，控制通過(guò)oled的電流；為配合該像素電路工作，需要提供電源高電壓vdd和電源低電壓vss，電源低電壓vss從oled器件的陰極側(cè)輸入，電源高電壓vdd則通過(guò)驅(qū)動(dòng)tftt1從oled器件的陽(yáng)極側(cè)輸入。

該傳統(tǒng)amoled的3t1c像素電路工作過(guò)程如下：當(dāng)scan給高電位時(shí)，t2，t3打開(kāi)，節(jié)點(diǎn)g寫入數(shù)據(jù)信號(hào)data，節(jié)點(diǎn)s寫入?yún)⒖茧妷簉ef(＜o(jì)led開(kāi)啟電壓)，vgs＝data－ref，此時(shí)oled不發(fā)光；當(dāng)scan給低電位時(shí)，t2，t3關(guān)閉，節(jié)點(diǎn)s被電源高電壓vdd充電至vanode，節(jié)點(diǎn)g被耦合(couple)至data+vanode－ref，此時(shí)vgs＝data－ref，oled開(kāi)始發(fā)光。t1作為驅(qū)動(dòng)tft，需工作在飽和區(qū)，即需要滿足vgs－vth＜vdd－vanode，其中vth為t1的閾值電壓。如電源低電壓vss受限于透明陰極高阻抗影響，出現(xiàn)較大的ir壓降，則vss上升導(dǎo)致vanode上升，t1工作在線性區(qū)，或者vanode＞vdd，現(xiàn)有像素電路失效。由于電路失效，一般需要提升vdd電壓，使得t1重新回到飽和區(qū)，但如整體vdd抬升則會(huì)帶來(lái)功耗的增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)，緩解透明陰極阻抗增大引起的ir壓降。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)的配置方法，緩解透明陰極阻抗增大引起的ir壓降。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)，包括：用于給amoled面板像素驅(qū)動(dòng)電路輸入電源高電壓的多個(gè)vdd電極，以及用于給amoled面板驅(qū)動(dòng)電路輸入電源低電壓的透明陰極；該透明陰極為通過(guò)整面蒸鍍工藝制備而成，該透明陰極的相對(duì)兩側(cè)邊設(shè)有vss電源輸入點(diǎn)；該多個(gè)vdd電極垂直于vss電源輸入的方向呈平行分布，每個(gè)vdd電極兩端分別設(shè)有vdd電源輸入點(diǎn)。

其中，該vss電源輸入點(diǎn)設(shè)置于該透明陰極的上下兩側(cè)邊，該多個(gè)vdd電極呈橫向平行分布。

其中，該vss電源輸入點(diǎn)設(shè)置于該透明陰極的左右兩側(cè)邊，該多個(gè)vdd電極呈縱向平行分布。

其中，每個(gè)vdd電極根據(jù)自身所處位置對(duì)應(yīng)的透明陰極的電壓輸入不同的vdd電源電壓。

其中，通過(guò)配置各vdd電極所輸入的vdd電源電壓，使amoled面板各區(qū)域的電源高電壓與電源低電壓的差值保持一致。

其中，該amoled面板像素驅(qū)動(dòng)電路包括：

第一薄膜晶體管，其柵極連接第一節(jié)點(diǎn)，源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和電源高電壓；

第二薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號(hào)，源極和漏極分別連接第一節(jié)點(diǎn)和數(shù)據(jù)信號(hào)；

第三薄膜晶體管，其柵極連接掃描信號(hào)，源極和漏極分別連接第二節(jié)點(diǎn)和參考電壓；

電容，其兩端分別連接第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)；

oled，其陽(yáng)極連接第二節(jié)點(diǎn)，陰極連接電源低電壓；

其中，該參考電壓小于oled的開(kāi)啟電壓。

其中，該掃描信號(hào)的時(shí)序配置為包括補(bǔ)償階段，以及發(fā)光階段。

其中，在補(bǔ)償階段，該掃描信號(hào)為高電位。

其中，在發(fā)光階段，該掃描信號(hào)為低電位。

本發(fā)明還提供了一種上述頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)的配置方法，每個(gè)vdd電極根據(jù)自身所處位置對(duì)應(yīng)的透明陰極的電壓輸入不同的vdd電源電壓；通過(guò)配置各vdd電極所輸入的vdd電源電壓，使amoled面板各區(qū)域的電源高電壓與電源低電壓的差值保持一致。

綜上，本發(fā)明頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法，結(jié)合常見(jiàn)的3t1c驅(qū)動(dòng)電路就可以有效的緩解透明陰極阻抗增大引起的ir壓降，提升顯示品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見(jiàn)。

附圖中，

圖1為傳統(tǒng)頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為傳統(tǒng)amoled的3t1c像素電路示意圖；

圖3為本發(fā)明頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為該較佳實(shí)施例的vss電壓分布示意圖；

圖5為該較佳實(shí)施例的vdd電壓配置示意圖。

具體實(shí)施方式

參見(jiàn)圖3，其為本發(fā)明頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)主要包括：用于給amoled面板像素驅(qū)動(dòng)電路輸入電源高電壓的多個(gè)vdd電極30，以及用于給amoled面板驅(qū)動(dòng)電路輸入電源低電壓的透明陰極10；該透明陰極10為通過(guò)整面蒸鍍工藝制備而成，該透明陰極10的相對(duì)兩側(cè)邊設(shè)有vss電源輸入點(diǎn)20；該多個(gè)vdd電極30垂直于vss電源輸入的方向呈平行分布，每個(gè)vdd電極30兩端分別設(shè)有vdd電源輸入點(diǎn)40。在此較佳實(shí)施例中，vss電源輸入點(diǎn)20設(shè)置于該透明陰極10的上下兩側(cè)邊，多個(gè)vdd電極30(vdd1～vdd5)呈橫向平行分布。在其他實(shí)施方式中，也可以將vss電源輸入點(diǎn)40設(shè)置于該透明陰極10的左右兩側(cè)邊，將多個(gè)vdd電極30呈縱向平行分布。

每個(gè)vdd電極30根據(jù)自身所處位置對(duì)應(yīng)的透明陰極10的電壓輸入不同的vdd電源電壓，此較佳實(shí)施例中使vdd電源電壓按照vdd1～vdd5五個(gè)橫向分區(qū)進(jìn)行分布，橫向分布的各vdd電極30的電壓取決于其所對(duì)應(yīng)區(qū)域的vss壓降情況。通過(guò)配置各vdd電極30所輸入的vdd電源電壓，可以使amoled面板各區(qū)域的電源高電壓與電源低電壓的差值保持一致。

參見(jiàn)圖4及圖5，圖4為該較佳實(shí)施例的vss電壓分布示意圖，展示vss電源通過(guò)vss電源輸入點(diǎn)20輸入透明陰極10后的電壓分布，圖5為該較佳實(shí)施例的vdd電壓配置示意圖，展示通過(guò)vdd電源輸入點(diǎn)40向不同的vdd電極30輸入不同的vdd電壓以配合圖4中的vss電壓分布。假設(shè)vdd初始電壓20v，vss初始電壓0v，透明陰極10引起的vssir壓降如圖4所示，則相應(yīng)的vdd電極30的vdd電壓分配可以如圖5所示，從而使各區(qū)域驅(qū)動(dòng)電路的vdd－vss電壓一致，未增加驅(qū)動(dòng)功耗，很好的解決了透明陰極阻抗高帶來(lái)的ir壓降問(wèn)題。理論上vdd分區(qū)數(shù)量，也就是vdd電極30的數(shù)量越多越好，可視實(shí)際情況而定。本發(fā)明實(shí)施例僅給出最基本的方式，任何基于本發(fā)明思想的變形設(shè)計(jì)均屬于本發(fā)明的保護(hù)范疇，例如vdd電極30縱向分區(qū)配置，vss橫向配置等。

本發(fā)明的頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法可以結(jié)合現(xiàn)有的像素電路，例如圖1所示的3t1c電路來(lái)使用。t1柵極連接節(jié)點(diǎn)g，源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)s和電源高電壓vdd；t2柵極連接掃描信號(hào)scan，源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)s和數(shù)據(jù)信號(hào)data；t3柵極連接掃描信號(hào)scan，源極和漏極分別連接節(jié)點(diǎn)s和參考電壓ref；電容cst兩端分別連接節(jié)點(diǎn)g和s；oled陽(yáng)極連接節(jié)點(diǎn)s，陰極連接電源低電壓vss；參考電壓ref小于oled的開(kāi)啟電壓。工作時(shí)，掃描信號(hào)scan的時(shí)序配置為包括補(bǔ)償階段，以及發(fā)光階段；在補(bǔ)償階段，掃描信號(hào)scan為高電位；在發(fā)光階段，掃描信號(hào)scan為低電位。具體工作過(guò)程可參照背景技術(shù)中的敘述，由于本發(fā)明采用了特殊的適用于頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法，結(jié)合現(xiàn)有常見(jiàn)的3t1c驅(qū)動(dòng)電路，也可以有效的緩解透明陰極阻抗增大引起的ir壓降，提升顯示品質(zhì)。驅(qū)動(dòng)架構(gòu)簡(jiǎn)單易行，尤其適合大尺寸頂發(fā)射amoled面板。通過(guò)將本發(fā)明的頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法與現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路相結(jié)合，一方面可以使t1重新回到飽和區(qū)，確保電路正常工作，另一方面未增加電源功耗，很好的解決了透明陰極阻抗高帶來(lái)的ir壓降。

綜上，本發(fā)明頂發(fā)射amoled面板的電源配置結(jié)構(gòu)及配置方法，結(jié)合常見(jiàn)的3t1c驅(qū)動(dòng)電路就可以有效的緩解透明陰極阻抗增大引起的ir壓降，提升顯示品質(zhì)。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。