本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路、顯示裝置、像素電路驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(activematrixorganiclightemittingdiode,簡(jiǎn)稱：amoled)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。amoled的像素顯示器件為有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,簡(jiǎn)稱oled)，amoled能夠發(fā)光是通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)oled發(fā)光。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中基本的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有的基本的像素電路采用2t1c電路，該2t1c電路包括兩個(gè)薄膜晶體管(開(kāi)關(guān)管t1和驅(qū)動(dòng)晶體管t2)和1個(gè)存儲(chǔ)電容c。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：由于tft的磁滯效應(yīng)，不同灰階畫面切換時(shí)，會(huì)出現(xiàn)短期殘像現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的像素電路不同灰階畫面切換時(shí)，會(huì)出現(xiàn)短期殘像現(xiàn)象的問(wèn)題，提供一種像素電路、顯示裝置、像素電路驅(qū)動(dòng)方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種像素電路，包括多個(gè)像素單元和偏壓調(diào)整模塊；

每個(gè)像素單元包括：發(fā)光器件，驅(qū)動(dòng)模塊，發(fā)光控制模塊，數(shù)據(jù)寫入模塊，以及復(fù)位模塊；

所述驅(qū)動(dòng)模塊，用于在發(fā)光階段根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；

所述發(fā)光控制模塊，用于在發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光；

所述數(shù)據(jù)寫入模塊，用于將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊；

所述復(fù)位模塊，用于在重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行復(fù)位；在柵線控制下對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位；

所述偏壓調(diào)整模塊用于在數(shù)據(jù)寫入模塊將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊之前對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行偏壓調(diào)整，以控制每個(gè)像素單元處于相同的偏壓狀態(tài)。

優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)寫入模塊包括第一電容、第二晶體管和第三晶體管；

所述第一電容第一端與第一電源端、發(fā)光控制模塊連接，第一電容第二端與第一節(jié)點(diǎn)連接；

所述第二晶體管的控制極連接?xùn)啪€，第二晶體管的第一極與第一節(jié)點(diǎn)連接，第二晶體管的第二極連接發(fā)光控制模塊和驅(qū)動(dòng)模塊；

第三晶體管的控制極連接?xùn)啪€，第三晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)線，第三晶體管的第二極連接發(fā)光控制模塊和驅(qū)動(dòng)模塊。

優(yōu)選的是，所述復(fù)位模塊包括第一復(fù)位模塊、第二復(fù)位模塊；所述第一復(fù)位模塊包括第一晶體管，第二復(fù)位模塊包括第六晶體管；

第一復(fù)位模塊用于在重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行復(fù)位；

第二復(fù)位模塊用于在柵線的控制下，對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位；

所述第一晶體管的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)，第一晶體管的控制極連接重置電壓信號(hào)線，第一晶體管的第二極連接第一低電平輸入端；

第六晶體管的控制極連接?xùn)啪€，第六晶體管的第一極連接第二低電平輸入端，第六晶體管的第二極連接發(fā)光控制模塊和發(fā)光器件。

優(yōu)選的是，所述偏壓調(diào)整模塊包括第八晶體管，所述第八晶體管的控制極連接偏壓信號(hào)線，第八晶體管的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)，第八晶體管的第二極連接第一低電平輸入端。

優(yōu)選的是，所述發(fā)光控制模塊包括第四晶體管，第五晶體管；

所述第四晶體管的控制極連接第三低電平輸入端，所述第四晶體管的第一極連接第一電源端和第一電容的第一端，所述第四晶體管的第二極連接第三晶體管的第二極和驅(qū)動(dòng)模塊；

第五晶體管的控制極連接第四電平輸入端，第五晶體管的第一極連接第六晶體管的第二極和發(fā)光器件，第五晶體管的第二極連接第二晶體管的第二極和驅(qū)動(dòng)模塊。

優(yōu)選的是，所述第五晶體管為n型晶體管，所述第四晶體管為p型晶體管，所述第四電平輸入端為高電平輸入端；或者

所述第五晶體管、第四晶體管均為p型晶體管，所述第四電平輸入端為低電平輸入端。

優(yōu)選的是，所述驅(qū)動(dòng)模塊包括驅(qū)動(dòng)晶體管；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接第一節(jié)點(diǎn)；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接第四晶體管的第二極和第三晶體管的第二極；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接第五晶體管的第二極和第二晶體管的第二極。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的像素電路。

本發(fā)明還提供一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法，采用上述的像素電路，所述方法包括：

在偏壓調(diào)整階段，偏壓調(diào)整模塊對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行偏壓調(diào)整以控制每個(gè)像素單元處于相同的偏壓狀態(tài)；

在數(shù)據(jù)寫入階段，在重置電壓的控制下，復(fù)位模塊對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行復(fù)位；然后將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊，同時(shí)在柵線控制下對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位；

在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，發(fā)光控制模塊將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

優(yōu)選的是，第八晶體管在偏壓信號(hào)線的控制下對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管進(jìn)行偏壓調(diào)整以控制每個(gè)像素單元處于相同的偏壓狀態(tài)。

優(yōu)選的是，第四晶體管、第五晶體管在第三低電平輸入端和第四電平輸入端的控制下，驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

優(yōu)選的是，在重置電壓信號(hào)線的控制下，第一低電平輸入端通過(guò)第一晶體管對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極進(jìn)行復(fù)位，并對(duì)第一電容進(jìn)行充電。

優(yōu)選的是，在柵線控制下，驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極通過(guò)第一電容充電至數(shù)據(jù)電壓與閾值電壓之和，同時(shí)第六晶體管在柵線的控制下對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位。

本發(fā)明的像素電路在像素單元處于黑色一幀的期間時(shí)，通過(guò)向像素單元內(nèi)的復(fù)位模塊輸入低電壓，同時(shí)配合發(fā)光控制模塊，將驅(qū)動(dòng)模塊的vgs電壓進(jìn)行復(fù)位，使驅(qū)動(dòng)模塊處于偏壓狀態(tài)，因此不論前一個(gè)階段的數(shù)據(jù)電壓為黑或是白，驅(qū)動(dòng)模塊皆由相同的偏壓狀態(tài)開(kāi)始進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入與補(bǔ)償，故可改善因磁滯效應(yīng)產(chǎn)生的短期殘像問(wèn)題。本發(fā)明的像素電路適用于各種oled顯示裝置。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的oled的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2、圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-7為本發(fā)明的實(shí)施例2的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例3的像素電路驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖；

圖9-12本發(fā)明的實(shí)施例3方法中的等效電路示意圖；

其中，附圖標(biāo)記為：100、像素單元；1、驅(qū)動(dòng)模塊；2、偏壓調(diào)整模塊；3、發(fā)光控制模塊；4、發(fā)光器件；5、數(shù)據(jù)寫入模塊；6、復(fù)位模塊；61、第一復(fù)位模塊；62、第二復(fù)位模塊。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供一種像素電路，如圖2所示，包括多個(gè)像素單元100和偏壓調(diào)整模塊2；所述偏壓調(diào)整模塊2用于在數(shù)據(jù)寫入之前對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊1進(jìn)行偏壓調(diào)整以控制每個(gè)像素單元100處于相同的偏壓狀態(tài)；如圖3所示，每個(gè)像素單元100包括：驅(qū)動(dòng)模塊1，發(fā)光控制模塊3，發(fā)光器件4，數(shù)據(jù)寫入模塊5，以及復(fù)位模塊6；所述驅(qū)動(dòng)模塊1用于在發(fā)光階段根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；所述發(fā)光控制模塊3用于在發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件4，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件4發(fā)光；所述數(shù)據(jù)寫入模塊5用于將數(shù)據(jù)電壓、閾值電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊1；所述復(fù)位模塊6用于在重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊1進(jìn)行復(fù)位；在柵線控制下對(duì)發(fā)光器件4進(jìn)行復(fù)位；

具體的，驅(qū)動(dòng)模塊1、偏壓調(diào)整模塊2、數(shù)據(jù)寫入模塊5、復(fù)位模塊6連接至第一節(jié)點(diǎn)p1；發(fā)光控制模塊3與第一電源端vdd、驅(qū)動(dòng)模塊1、發(fā)光器件4、數(shù)據(jù)寫入模塊5連接；發(fā)光器件4與發(fā)光控制模塊3、復(fù)位模塊6、第二電源端vss連接。

在本實(shí)施例中，第一電源端vdd用于提供工作電壓，第二電源端vss用于提供參考電壓。其中，通常，第一電源端vdd的電平較高，即其可作為陽(yáng)極，第二電源端vss的電平較低，即其可作為陰極。

本實(shí)施例的像素電路在像素單元100處于黑色一幀的期間時(shí)，通過(guò)向像素單元100內(nèi)的復(fù)位模塊6輸入低電壓，同時(shí)配合發(fā)光控制模塊3，將驅(qū)動(dòng)模塊1的vgs電壓進(jìn)行復(fù)位，使驅(qū)動(dòng)模塊1處于偏壓狀態(tài)，因此不論前一個(gè)階段的數(shù)據(jù)電壓為黑或是白，驅(qū)動(dòng)模塊1皆由相同的偏壓狀態(tài)開(kāi)始進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入與補(bǔ)償，故可改善因磁滯效應(yīng)產(chǎn)生的短期殘像問(wèn)題。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種像素電路，如圖2-5所示，與實(shí)施例1的像素電路類似，其包括多個(gè)像素單元100和偏壓調(diào)整模塊2；所述偏壓調(diào)整模塊2用于在數(shù)據(jù)寫入之前對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊1進(jìn)行偏壓調(diào)整以控制每個(gè)像素單元100處于相同的偏壓狀態(tài)；每個(gè)像素單元100包括：驅(qū)動(dòng)模塊1，發(fā)光控制模塊3，發(fā)光器件4，數(shù)據(jù)寫入模塊5，以及復(fù)位模塊6；所述驅(qū)動(dòng)模塊1用于在發(fā)光階段根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流；所述發(fā)光控制模塊3用于在發(fā)光階段將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件4，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件4發(fā)光；所述數(shù)據(jù)寫入模塊5用于將數(shù)據(jù)電壓、閾值電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊1；所述復(fù)位模塊6用于在重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊1進(jìn)行復(fù)位；在柵線控制下對(duì)發(fā)光器件4進(jìn)行復(fù)位；驅(qū)動(dòng)模塊1、偏壓調(diào)整模塊2、數(shù)據(jù)寫入模塊5、復(fù)位模塊6連接至第一節(jié)點(diǎn)p1；發(fā)光控制模塊3與第一電源端、驅(qū)動(dòng)模塊1、發(fā)光器件4、數(shù)據(jù)寫入模塊5連接；發(fā)光器件4與發(fā)光控制模塊3、復(fù)位模塊6、第二電源端vss連接；驅(qū)動(dòng)模塊1包括驅(qū)動(dòng)晶體管t7；所述偏壓調(diào)整模塊2包括第八晶體管t8；發(fā)光控制模塊3包括第四晶體管t4，第五晶體管t5；所述數(shù)據(jù)寫入模塊5包括第一電容c1、第二晶體管t2和第三晶體管t3；所述復(fù)位模塊6包括第一復(fù)位模塊61、第二復(fù)位模塊62，所述第一復(fù)位模塊61包括第一晶體管t1，第二復(fù)位模塊62包括第六晶體管t6。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的發(fā)光器件4可以是現(xiàn)有技術(shù)中的包括led(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)或oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)在內(nèi)的電流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件4，在本實(shí)施例中是以oled為例進(jìn)行的說(shuō)明。

作為本實(shí)施例中的第一種可選實(shí)施方案，如圖4、圖5所示，所述第五晶體管為n型晶體管，所述第四晶體管為p型晶體管，所述第四電平輸入端en為高電平輸入端。此外，第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3、第六晶體管t6、驅(qū)動(dòng)晶體管t7、第八晶體管t8均為p型晶體管。

具體的，第四晶體管t4的控制極連接第三低電平輸入端em，所述第四晶體管t4的第一極連接第一電源端vdd和第一電容c1的第一端，所述第四晶體管t4的第二極連接第三晶體管t3的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極。第五晶體管t5的控制極連接第四電平輸入端en，第五晶體管t5的第一極連接第六晶體管t6的第二極和發(fā)光器件4，第五晶體管t5的第二極連接第二晶體管t2的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極。

具體的，第八晶體管t8的控制極連接偏壓信號(hào)線totalrst，第八晶體管t8的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)p1，第八晶體管t8的第二極連接第一低電平輸入端vint1。

具體的，驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極連接第一節(jié)點(diǎn)p1；所述驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極連接第四晶體管t4的第二極和第三晶體管t3的第二極；所述驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第二極連接第五晶體管t5的第二極和第二晶體管t2的第二極。

具體的，第一電容c1第一端與第一電源端vdd、第四晶體管t4的第一極連接，第一電容c1的第二端與第一節(jié)點(diǎn)p1連接；所述第二晶體管t2的控制極連接?xùn)啪€gate，第二晶體管t2的第一極與第一節(jié)點(diǎn)p1連接，第二晶體管t2的第二極連接第五晶體管t5的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第二極；第三晶體管t3的控制極連接?xùn)啪€gate，第三晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)線data，第三晶體管t3的第二極連接第四晶體管t4的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極。

具體的，第一晶體管t1的控制極連接重置電壓信號(hào)線rst，第一晶體管t1的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)p1，第一晶體管t1的第二極連接第一低電平輸入端vint1；第六晶體管t6的控制極連接?xùn)啪€gate，第六晶體管t6的第一極連接第二低電平輸入端vint2，第六晶體管t6的第二極連接第五晶體管的第一極和發(fā)光器件4。其中，第一晶體管t1用于在重置電壓信號(hào)線rst輸入的重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管t7進(jìn)行復(fù)位；第六晶體管t6用于在柵線gate的控制下，對(duì)發(fā)光器件4進(jìn)行復(fù)位。

其中，第一低電平輸入端vint1與第二低電平輸入端vint2可以如圖5中所示連接至同一低電平輸入端vint。

作為本實(shí)施例中的第二種可選實(shí)施方案，如圖6所示，所述第五晶體管、第四晶體管均為p型晶體管，所述第四電平輸入端em1為低電平輸入端。此外第一晶體管t1、第二晶體管t2、第三晶體管t3、第六晶體管t6、驅(qū)動(dòng)晶體管t7、第八晶體管t8均為p型晶體管。

具體的，第四晶體管t4的控制極連接第三低電平輸入端em，所述第四晶體管t4的第一極連接第一電源端vdd和第一電容c1的第一端，所述第四晶體管t4的第二極連接第三晶體管t3的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極；第五晶體管t5的控制極連接第四電平輸入端en，第五晶體管t5的第一極連接第二晶體管t2的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極，第五晶體管t5的第二極連接第六晶體管t6的第二極和發(fā)光器件4。

具體的，第八晶體管t8的控制極連接偏壓信號(hào)線totalrst，第八晶體管t8的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)p1，第八晶體管t8的第二極連接第一低電平輸入端vint1。

具體的，驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極連接第一節(jié)點(diǎn)p1；所述驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極連接第四晶體管t4的第二極和第三晶體管t3的第二極；所述驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第二極連接第五晶體管t5的第一極和第二晶體管t2的第二極。

具體的，第一電容c1第一端與第一電源端vdd、第四晶體管t4的第一極連接，第一電容c1的第二端與第一節(jié)點(diǎn)p1連接；所述第二晶體管t2的控制極連接?xùn)啪€gate，第二晶體管t2的第一極與第一節(jié)點(diǎn)p1連接，第二晶體管t2的第二極連接第五晶體管t5的第一極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第二極；第三晶體管t3的控制極連接?xùn)啪€gate，第三晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)線data，第三晶體管t3的第二極連接第四晶體管t4的第二極和驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極。

具體的，第一晶體管t1的控制極連接重置電壓信號(hào)線rst，第一晶體管t1的第一極連接第一節(jié)點(diǎn)p1，第一晶體管t1的第二極連接第一低電平輸入端vint1；第六晶體管t6的控制極連接?xùn)啪€gate，第六晶體管t6的第一極連接第二低電平輸入端vint2，第六晶體管t6的第二極連接第五晶體管的第二極和發(fā)光器件4。其中，第一晶體管t1用于在重置電壓信號(hào)線rst輸入的重置電壓的控制下，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管t7進(jìn)行復(fù)位；第六晶體管t6用于在柵線gate的控制下，對(duì)發(fā)光器件4進(jìn)行復(fù)位。

其中，第一低電平輸入端vint1與第二低電平輸入端vint2可以如圖7中所示連接至同一低電平輸入端vint。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中第一晶體管q1、第二晶體管q2、第三晶體管q3、第四晶體管q4、第五晶體管q5第六晶體管q6、第七晶體管q7、第八晶體管q8分別獨(dú)立選自多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管以及有機(jī)薄膜晶體管中的一種。每個(gè)晶體管包括柵極、源極、漏極共三個(gè)極，其中柵極為控制極；源極和漏極通常是通過(guò)電流方向限定的，而在結(jié)構(gòu)上二者并無(wú)區(qū)別。因此本實(shí)施例中第一極、第二極分別指晶體管的源極和漏極，并不限定其中哪個(gè)為源極，哪個(gè)為漏極，只要它們分別連接至所需位置即可。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法，采用上述實(shí)施例2的第一種的像素電路，如圖8所示，所述方法包括：

s01、在f1偏壓調(diào)整階段，偏壓調(diào)整模塊對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行偏壓調(diào)整以控制每個(gè)像素單元處于相同的偏壓狀態(tài)；

參見(jiàn)圖4、圖5，當(dāng)偏壓信號(hào)線totalrst輸出低電平時(shí)與偏壓信號(hào)線totalrst相連的第八晶體管t8打開(kāi)，此時(shí)第一低電平輸入端vint1入至驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極，同時(shí)第三低電平輸入端em輸入低電平，第四晶體管t4打開(kāi)，第一電源端vdd流入驅(qū)動(dòng)晶體管t7的第一極，確保驅(qū)動(dòng)晶體管t7都處于相同的偏壓(vgs＝vint-vdd)狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管t7皆由相同的偏壓狀態(tài)下進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入與vth補(bǔ)償，故驅(qū)動(dòng)晶體管t7的狀態(tài)相同，因此可以達(dá)到改善短期殘像目的。此時(shí)等效電路圖見(jiàn)圖9。

s02、在f2數(shù)據(jù)寫入階段，在重置電壓的控制下，復(fù)位模塊對(duì)驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行復(fù)位；然后將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動(dòng)模塊，同時(shí)在柵線控制下對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位；

當(dāng)重置電壓信號(hào)線rst輸出低電平時(shí)，第一晶體管t1打開(kāi)，此時(shí)第一低電平輸入端vint1通過(guò)第一晶體管t1對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極進(jìn)行復(fù)位，并對(duì)第一電容c1進(jìn)行充電，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管t7的vgate＝vint1；此時(shí)等效電路圖見(jiàn)圖10。

當(dāng)柵線gate輸入低電平時(shí)，第三晶體管t3、驅(qū)動(dòng)晶體管t7、第二晶體管t2打開(kāi)，驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極通過(guò)第一電容c1繼續(xù)進(jìn)行充電，直到充電至，vdata-vth(dtft)，停止充電，因?yàn)榈谒木w管為p型晶體管，p型晶體管的vgs＜vth時(shí)，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管t7的控制極的vgate＝vdata-vth；同時(shí)oled陽(yáng)極通過(guò)第六晶體管t6進(jìn)行復(fù)位，通過(guò)第二低電平輸入端vint2輸入低電壓，保護(hù)器件。此時(shí)等效電路圖見(jiàn)圖11。

s03、在f3發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)控制電壓產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，發(fā)光控制模塊將所述驅(qū)動(dòng)電流輸出至所述發(fā)光器件，以驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

當(dāng)?shù)谌碗娖捷斎攵薳m輸出低電平，第四電平輸入端en輸入高電平時(shí)，第四晶體管t4、第五晶體管t5打開(kāi)，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管t7的vgs＝vdata-vth-vdd＜vth，驅(qū)動(dòng)晶體管t7打開(kāi)，電路進(jìn)入數(shù)據(jù)狀態(tài)，oled開(kāi)始發(fā)光；此時(shí)流經(jīng)oled器件的is＝1/2uncox(w/l)(vgs-vth)^2＝1/2uncox(w/l)(vdata-|vth|-elvdd-(-|vth|))^2＝1/2uncox(w/l)(elvdd-vdata)^2，此時(shí)oled器件流過(guò)穩(wěn)定電流，器件發(fā)光穩(wěn)定。此時(shí)等效電路圖見(jiàn)圖12。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供一種像素電路驅(qū)動(dòng)方法，采用上述實(shí)施例2的第二種的像素電路，所述方法與實(shí)施例3的方法類似，其與實(shí)施例3不同之處僅在于：

s03在發(fā)光階段，當(dāng)?shù)谌碗娖捷斎攵薳m輸出低電平，第四電平輸入端em1也輸入低電平，此時(shí)第四晶體管t4、第五晶體管t5打開(kāi)。

實(shí)施例5：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例的像素電路。

所述顯示裝置可以為：電子紙、oled面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。