本發(fā)明屬于集成電路，特別涉及一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路。

背景技術(shù)：

1、led作為一種常見的照明、顯示器件被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。常見的led驅(qū)動(dòng)方式為行掃描驅(qū)動(dòng)方式，但是由于行線上的寄生電容原因，很容易出現(xiàn)顯示拖影問題，影響顯示效果。此時(shí)就需要在行驅(qū)動(dòng)芯片中設(shè)計(jì)消隱電路。如專利公開號為cn105810146a的消影電路及其控制方法、行驅(qū)動(dòng)電路和顯示屏；為了提高消隱電壓的精度，該技術(shù)方案設(shè)計(jì)中使用運(yùn)放進(jìn)行誤差放大的設(shè)計(jì)，使得消隱電壓得到控制。但由于每個(gè)端口都需要設(shè)計(jì)運(yùn)放，因此引入了較大的靜態(tài)功耗。而由于led本身的電流驅(qū)動(dòng)特性，led顯示系統(tǒng)整體有較大功耗，因此作為驅(qū)動(dòng)電路本身的低功耗設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。同時(shí)運(yùn)放的設(shè)計(jì)在ic設(shè)計(jì)中需要占用較大的版圖面積，影響整體的設(shè)計(jì)成本。而且由于上述設(shè)計(jì)中，消隱電路的開關(guān)完全由dn信號控制，在dn有效期間led的陽極會(huì)始終存在一個(gè)固定電位。如果整體方案設(shè)計(jì)不當(dāng)，會(huì)在led兩端產(chǎn)生長時(shí)間的反向電動(dòng)勢，影響led的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，該電路結(jié)構(gòu)達(dá)到低功耗、設(shè)計(jì)生產(chǎn)成本低、消隱電壓控制精度高和消隱時(shí)間可控的優(yōu)點(diǎn)。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，包括：

3、行驅(qū)動(dòng)模塊；

4、消隱電壓控制模塊，由pmos管p1構(gòu)成；所述pmos管p1的柵端接入偏置電壓vbias1，所述pmos管p1的源端接入所述行驅(qū)動(dòng)模塊的電阻端；

5、與門模塊；

6、消隱時(shí)間控制模塊，輸入端d接入所述行驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端、所述消隱時(shí)間控制模塊的輸入端和所述與門模塊的輸入端一，所述消隱時(shí)間控制模塊的輸出端接入所述與門模塊的輸入端二，所述與門模塊的輸出端接入所述pmos管p1的漏端；其中，所述消隱時(shí)間控制模塊由pmos管p2、nmos管n2、buffer電路和電容cap構(gòu)成；所述pmos管p2的柵端接入輸入端d，pmos管p2的源端接入電源vdd，pmos管p2的漏端接入buffer電路的輸入端、電容cap的上端和nmos管n2的漏端；所述nmos管n2的柵端接入偏置電壓vbias2，所述nmos管n2的源端接入電容cap的下端并接地；所述buffer電路的輸出端接入所述與門模塊的輸入端二。

7、優(yōu)選的，所述行驅(qū)動(dòng)模塊由反相器inv1~inv2、行驅(qū)動(dòng)管q和電阻r構(gòu)成；所述反相器inv1的輸入端接入輸入端d，所述反相器inv1的輸出端接入所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端接入所述行驅(qū)動(dòng)管q的柵端，所述行驅(qū)動(dòng)管q的源端接入電源vdd，所述行驅(qū)動(dòng)管q的漏端接入行驅(qū)動(dòng)端口r_out和電阻r的上端，所述電阻r的下端接入所述pmos管p1的源端。

8、優(yōu)選的，所述與門模塊由與門and和nmos管n1構(gòu)成；所述與門and的兩個(gè)輸入端分別接入輸入端d和buffer電路的輸出端，所述與門and的輸出端接入nmos管n1的柵端，所述nmos管n1的源端接地，所述nmos管n1的漏端接入所述pmos管p1的漏端。

9、優(yōu)選的，還包括偏置產(chǎn)生電路一，用于產(chǎn)生所述偏置電壓vbias1；所述偏置產(chǎn)生電路一包括：在電源vdd與地之間串聯(lián)的n+1個(gè)分壓電阻、并聯(lián)的n個(gè)cmos傳輸門和控制信號c1~cn；n個(gè)所述cmos傳輸門的輸入端依次接入每相鄰兩個(gè)所述分壓電阻之間，n個(gè)所述cmos傳輸門的輸出端輸出所述偏置電壓vbias1，n個(gè)所述cmos傳輸門的控制端依次接入控制信號c1~cn。

10、優(yōu)選的，還包括偏置產(chǎn)生電路二，用于產(chǎn)生所述偏置電壓vbias2；所述偏置產(chǎn)生電路二包括：pmos管q1~q2、pmos管m1~mn、開關(guān)管t1~tn、電流源i和控制信號d1~dn；所述pmos管q1和pmos管m1~mn的源端均接入電源vdd，所述pmos管q1的漏端和柵端、以及pmos管m1~mn的柵端和接地的電流源i相連，所述pmos管m1~mn的漏端依次接入開關(guān)管t1~tn的源端，所述開關(guān)管t1~tn的柵端依次接入控制信號d1~dn，所述開關(guān)管t1~tn的漏端接入pmos管q2的漏端和柵端，所述pmos管q2的源端接地，且所述pmos管q2的柵端輸出偏置電壓vbias2。

11、優(yōu)選的，所述pmos管q1與pmos管m1~mn構(gòu)成n個(gè)共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)。

12、優(yōu)選的，所述buffer電路由兩級級聯(lián)的反相器構(gòu)成，每級所述反相器由一個(gè)pmos管和一個(gè)nmos管構(gòu)成。

13、優(yōu)選的，所述反相器inv1和反相器inv2的結(jié)構(gòu)相同，均由一個(gè)pmos管和一個(gè)nmos管構(gòu)成。

14、優(yōu)選的，所述pmos管和nmos管的柵端為輸入端，所述pmos管的源端接入電源vdd，所述nmos管的源端接地，所述pmos管和nmos管的漏端為輸出端。

15、本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果：

16、1、本發(fā)明利用pmos管p1源極跟隨原理控制輸出端口消隱電壓，pmos管p1的柵極電壓vbias1可配置，以實(shí)現(xiàn)消隱電壓控制部分對不同led的適配，達(dá)到在保證高精度的同時(shí)不需要大量器件設(shè)計(jì)運(yùn)放，僅需少量mos器件，可降低設(shè)計(jì)生產(chǎn)成本，實(shí)現(xiàn)靜態(tài)低功耗的優(yōu)點(diǎn)，即pmos行驅(qū)動(dòng)管q關(guān)閉狀態(tài)下，消隱邏輯沒有靜態(tài)電流，做到了靜態(tài)低功耗。

17、2、本發(fā)明利用nmos管n2的電流源與電容cap組成的延時(shí)單元控制消隱時(shí)間，nmos管n2的柵極電壓vbias2可配置，可控制消隱過程的有效時(shí)間，避免反向電動(dòng)勢，保護(hù)led，在整體方案設(shè)計(jì)中容錯(cuò)率更大。

技術(shù)特征：

1.一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述行驅(qū)動(dòng)模塊由反相器inv1、反相器inv2、行驅(qū)動(dòng)管q和電阻r構(gòu)成；所述反相器inv1的輸入端接入輸入端d，所述反相器inv1的輸出端接入所述反相器inv2的輸入端，所述反相器inv2的輸出端接入所述行驅(qū)動(dòng)管q的柵端，所述行驅(qū)動(dòng)管q的源端接入電源vdd，所述行驅(qū)動(dòng)管q的漏端接入行驅(qū)動(dòng)端口r_out和電阻r的上端，所述電阻r的下端接入所述pmos管p1的源端。

3.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述與門模塊由與門and和nmos管n1構(gòu)成；所述與門and的兩個(gè)輸入端分別接入輸入端d和buffer電路的輸出端，所述與門and的輸出端接入nmos管n1的柵端，所述nmos管n1的源端接地，所述nmos管n1的漏端接入所述pmos管p1的漏端。

4.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，還包括偏置產(chǎn)生電路一，用于產(chǎn)生所述偏置電壓vbias1；所述偏置產(chǎn)生電路一包括：在電源vdd與地之間串聯(lián)的n+1個(gè)分壓電阻、并聯(lián)的n個(gè)cmos傳輸門和控制信號c1~cn；n個(gè)所述cmos傳輸門的輸入端依次接入每相鄰兩個(gè)所述分壓電阻之間，n個(gè)所述cmos傳輸門的輸出端輸出所述偏置電壓vbias1，n個(gè)所述cmos傳輸門的控制端依次接入控制信號c1~cn。

5.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，還包括偏置產(chǎn)生電路二，用于產(chǎn)生所述偏置電壓vbias2；所述偏置產(chǎn)生電路二包括：pmos管q1~q2、pmos管m1~mn、開關(guān)管t1~tn、電流源i和控制信號d1~dn；所述pmos管q1和pmos管m1~mn的源端均接入電源vdd，所述pmos管q1的漏端和柵端、以及pmos管m1~mn的柵端和接地的電流源i相連，所述pmos管m1~mn的漏端依次接入開關(guān)管t1~tn的源端，所述開關(guān)管t1~tn的柵端依次接入控制信號d1~dn，所述開關(guān)管t1~tn的漏端接入pmos管q2的漏端和柵端，所述pmos管q2的源端接地，且所述pmos管q2的柵端輸出偏置電壓vbias2。

6.如權(quán)利要求5所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述pmos管q1與pmos管m1~mn構(gòu)成n個(gè)共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述buffer電路由兩級級聯(lián)的反相器構(gòu)成，每級所述反相器由一個(gè)pmos管和一個(gè)nmos管構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述反相器inv1和反相器inv2的結(jié)構(gòu)相同，均由一個(gè)pmos管和一個(gè)nmos管構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求7或8所述的一種低功耗的高精度led行驅(qū)動(dòng)消隱電路，其特征在于，所述pmos管和nmos管的柵端為輸入端，所述pmos管的源端接入電源vdd，所述nmos管的源端接地，所述pmos管和nmos管的漏端為輸出端。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低功耗的高精度LED行驅(qū)動(dòng)消隱電路。包括：行驅(qū)動(dòng)模塊；消隱電壓控制模塊，由PMOS管P1構(gòu)成；所述PMOS管P1的柵端接入偏置電壓Vbias1，所述PMOS管P1的源端接入所述行驅(qū)動(dòng)模塊的電阻端；與門模塊；消隱時(shí)間控制模塊，輸入端D接入所述行驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端、所述消隱時(shí)間控制模塊的輸入端和所述與門模塊的輸入端一，所述消隱時(shí)間控制模塊的輸出端接入所述與門模塊的輸入端二，該電路結(jié)構(gòu)達(dá)到靜態(tài)低功耗、設(shè)計(jì)生產(chǎn)成本低、消隱電壓控制精度高和消隱時(shí)間可控的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：徐晟陽,羅智遠(yuǎn),任羅偉,劉明峰,陳峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫中微愛芯電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2