專利名稱:光放大低內(nèi)阻檢流計的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種教學(xué)演示用的普通磁電系電表的檢流計,其特點是由于利用了凹面鏡反射和具有很低的內(nèi)阻,從而可用于中學(xué)物理教學(xué)中單根導(dǎo)線切割磁力線等微弱電動勢的實驗,效果明顯且便于普及。
在中學(xué)物理電磁感應(yīng)教學(xué)實驗中進(jìn)行導(dǎo)線切割磁力線產(chǎn)生感生電動勢的實驗時,由于單根導(dǎo)線切割磁力線產(chǎn)生的感生電動勢太小(約只有10-3V數(shù)量級),故無法用普通檢流計直接顯示。一般解決的方法有二種1.采用多匝導(dǎo)線線圈的一邊,可直接用普通檢流計顯示。
2.采用單根導(dǎo)線并加微電流放大器。
但以上兩種方法存在的問題均為教學(xué)直觀性不好。
本發(fā)明的目的是要解決傳統(tǒng)的二種方法所不能實現(xiàn)的用單根導(dǎo)線切割磁力線并不加微電流放大器而直接用檢流計顯示,從而使這部分教學(xué)有較好的直觀性,有利于解決教學(xué)中的重點和難點。
眾所周知,單根導(dǎo)線切割磁力線產(chǎn)生的感生電動勢的特點如下1.感生電動勢低。根據(jù)電磁感應(yīng)定律,E=B1vsinθ,設(shè)sinθ=1,由于B和v均是有限值且數(shù)值不大,因此主要決定于切割磁力線的導(dǎo)線長度1。顯然,1是不長的。
2.電源內(nèi)阻低。感生電動勢的電源只是切割磁力線的一段導(dǎo)線,其直流電阻約在10-2~10-1Ω數(shù)量級。
所以通過檢流計的實際電流為
Ig= (E)/(Rg+r)式中Ig-流過檢流計的電流;E-感生電動勢;Rg-電表內(nèi)阻;r-電源內(nèi)阻。
當(dāng)Rg》r時,Ig≈E/Rg。
由于一般檢流計均是電流靈敏度高而內(nèi)阻較大,所以實際流過電表的電流極小。要增大Ig,唯一可能的途徑是減小Rg。
以上減小內(nèi)阻可以用于顯示微弱電動勢的方案,早在80年四川人民出版社的《中學(xué)物理實驗》一書中已經(jīng)提出。但十多年來,在全國教學(xué)儀器產(chǎn)品中從未見到。根據(jù)本人試驗,改制后的低內(nèi)阻檢流計用于單根導(dǎo)線切割磁力線(磁場磁感應(yīng)強度0.015T。導(dǎo)線在磁場中長度200mm)時,偏轉(zhuǎn)可達(dá)±15格(滿度值為±100格),效果并不理想。
另外,浙江加興有一中學(xué)曾做過靈敏度很高的電表,用一個大的多匝線圈切割地磁場可以使表針顯示,但后來也未形成產(chǎn)品,據(jù)講因涉及專用磁鋼而難以批量生產(chǎn)。但未做過單根導(dǎo)線切割磁力線的實驗。
還有,日本有一種檢流計,線圈在外且線很粗,表針上連的是一塊磁鐵,標(biāo)的參數(shù)是線圈直流電阻2Ω,電流靈敏度為1.5mA,電壓靈敏度為3mV。但經(jīng)試用,外界磁場對表針影響很大,在電磁感應(yīng)實驗中因存在較強磁場,所以不適用。
在高靈敏度檢流計中有采用光點反射的,一般采用的結(jié)構(gòu)如附
圖1,并且采用張絲,是精密的電表。圖中1為動鏡,2和4為反射鏡,3為標(biāo)度尺,5為光源。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的1.采用低內(nèi)阻的普通磁電系檢流計,滿偏電流±2.5mA,內(nèi)阻1.0Ω(包括動圈及游絲),指針零點在中間。
2.采用凹面鏡一次反射來放大指針的偏轉(zhuǎn)角度,這是本發(fā)明的關(guān)鍵所在,原理見附圖2。圖中OA為指針,O為轉(zhuǎn)軸。指針上安裝凹面鏡1。當(dāng)OA向左偏轉(zhuǎn)∠α至OA’時,1移到1’(虛線)處。凹面鏡與指針交點C移到C’。此時C″N為C″處的法線。(C″為此時1″與AO的交點)。使光線延AO方向射下,根據(jù)反射定律,知有∠AC″N=∠NC″D,即光在C″點反射后延C″D射去。
設(shè)t為凹面鏡C點處切線,移至t’時,t與t’夾角為ψ,∠AC″D=2ψ。因為∠α較小,因此C’C″也較短。
∠θ≈C’C″/r(r為凹面鏡半徑)。(弧C’C″近似等于線段C’C″)。
因為∠AC″N=ψ,根據(jù)幾何知,ψ=θ+α=C’C″/r+α。放大后光偏向為2ψ=2α+2·C’C″/r。
2(α+C’C″/r)/α為放大率。
實際樣機如附圖3及附圖4。以下結(jié)合附圖作詳細(xì)說明。
附圖3為檢流計正面,只是一般內(nèi)磁式磁電系檢流計。6為狹縫,7為整流及穩(wěn)壓部分。附圖4為檢流計背面,8為凹面反射鏡。9為光源。8與面板約有2mm距離,可自由隨表針擺動。并且在垂直于面板方向有約5°的偏角。8的質(zhì)量很小,約0.2g,對表針及測量機構(gòu)無明顯的影響。8的凹面為反光面。8的曲率半徑約20mm。8在表針上的結(jié)構(gòu)如附圖5。8位于指針上二分之一(75mm)處。9的結(jié)構(gòu)如附圖6,由6V5W白熾燈泡12和紅濾色片13發(fā)出紅光,前加直徑40mm、焦距據(jù)f=45mm的雙凸透鏡14產(chǎn)生平行光。透鏡光心距燈絲距離為55mm。10為檢流計輸入端,直接與動圈相連。11為光源用低壓電源輸入端。為了保證光源的亮度及燈泡壽命,光源用電通過如附圖7的普通穩(wěn)壓電源。圖中15為輸入端,可用交、直流10V。
使用的光源也可是He-Ne激光器。如附圖8,a為激光通過擴束鏡,16為擴束鏡,17為激光束。b為括束后的激光束在凹面鏡上的反射,8為凹面鏡,18為45°平面鏡。(不附激光器)。
實施例1.在磁場磁感應(yīng)強度B=0.015T、切割磁力線的導(dǎo)線長度為200mm且垂直地切割磁力線時,附圖3中指針偏轉(zhuǎn)±15格,附圖4中光反射后指示為±75格。
2.本發(fā)明的檢流計也可用于中學(xué)物理教學(xué)的阻尼振蕩實驗中。按附圖9的線路,當(dāng)電感19約159H,電感的直流電阻約16Ω,電容器20的容量分別為470μF、1000μF及3300μF時,電源21的電壓為10V,檢流計22的指針擺動在6~7次以上,衰減現(xiàn)象明顯,并且振蕩頻率改變明顯。
權(quán)利要求
1.一種不加微電流放大器而直接顯示的用于中學(xué)物理電磁感應(yīng)中單根導(dǎo)線切割磁力線實驗的高靈敏度普通磁電系檢流計,其特征在于使用光放大方式并輔助以低內(nèi)阻實現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所規(guī)定的光放大方式,其特征在于使用固定在表針上的凹面反射鏡,當(dāng)凹面反射鏡隨表針擺動而偏離方向后使反射光線偏向角增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所規(guī)定的光放大方式,其特征在于光源沿表盤零位方向射在凹面鏡上,當(dāng)凹面鏡偏離后由于光入射點的偏離,使光的反射角等于這時對入射點的入射角和指針偏角之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所規(guī)定的光放大方式,其特征在于適當(dāng)選擇凹面鏡的半徑,可以使反射光偏角增大到所需的程度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種教學(xué)演示實驗用的光放大式低內(nèi)阻檢流計,其特點是通過凹面鏡的反射使反光點指示的偏角增大,同時檢流計具有很低的內(nèi)阻,從而使普通磁電系電表能夠用于物理教學(xué)中單根導(dǎo)線切割磁力線等微弱電動勢的指示,效果明顯。
文檔編號G09B23/18GK1077812SQ9210299
公開日1993年10月27日 申請日期1992年4月20日 優(yōu)先權(quán)日1992年4月20日
發(fā)明者任偉德 申請人:任偉德