專利名稱：用于場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用冷陰極和電場(chǎng)的場(chǎng)發(fā)射元件，尤其涉及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器(以下，叫做“FED”)的元件驅(qū)動(dòng)裝置，該裝置能通過(guò)調(diào)節(jié)供給陰極的電流量來(lái)給像素提供預(yù)定級(jí)別的灰度。
背景技術(shù)：
陰極射線管(CRT)是一種特殊結(jié)構(gòu)的真空管，它適用于叫做普通顯示器的各種電子設(shè)備，諸如電視接收機(jī)、示波器和計(jì)算機(jī)監(jiān)視器。CRT原來(lái)的功能是把包含在電輸入信號(hào)中的信息轉(zhuǎn)換成光束能量，然后目視顯示此電輸入信號(hào)。
在CRT中，從熱電子陰極發(fā)射的電子通過(guò)聚焦和加速電極聚焦和加速。此外，電子束由偏轉(zhuǎn)線圈在垂直或水平方向的軸上偏轉(zhuǎn)，并碰撞涂敷在陰極射線管面板上的熒光膜，從而顯示預(yù)定的圖形。
具有要顯示的信息的輸入信號(hào)被提供給多個(gè)柵極和陰極。然而，由于叫做伽瑪特性的電子束電流是控制電壓的非線性函數(shù)，所以要在輸入信號(hào)和多個(gè)柵極之間設(shè)置較復(fù)雜的補(bǔ)償電路，以提供線性顯示強(qiáng)度。
在近幾年，傾向于從平面顯示器向非熱電子的陰極即場(chǎng)發(fā)射陣列發(fā)展。
在CRT中使用場(chǎng)發(fā)射陰極陣列代替常規(guī)的熱電子陰極提供了一些優(yōu)點(diǎn)。尤其是，使用場(chǎng)發(fā)射陰極使電流密度變得非常高，并通過(guò)排除發(fā)熱元件而延長(zhǎng)了CRT的壽命。
然而，依據(jù)場(chǎng)發(fā)射陰極，與熱電子陰極相比，用于輸入信號(hào)的電子發(fā)射數(shù)量可能會(huì)更加非線性地變化，從而在場(chǎng)發(fā)射陰極中要有一個(gè)較復(fù)雜的補(bǔ)償電路。
為了解決此問(wèn)題，這里有兩種FED的元件驅(qū)動(dòng)裝置，其中的一種是基于Doran提出的5,103,145號(hào)美國(guó)公開(kāi)專利中揭示的無(wú)源矩陣尋址方法。另一種是基于Parker提出的5,300,862號(hào)美國(guó)公開(kāi)專利中揭示的有源矩陣尋址方法。
依據(jù)5,103,145號(hào)美國(guó)公開(kāi)專利，依據(jù)無(wú)源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置把輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并通過(guò)增加依據(jù)數(shù)字信號(hào)的邏輯值驅(qū)動(dòng)的陰極數(shù)目來(lái)線性地增加電子的發(fā)射數(shù)量。在此情況下，由陰極數(shù)目實(shí)現(xiàn)更多的灰度。于是，由于在元件的占用區(qū)域中只能安裝限定數(shù)目的陰極，所以很難實(shí)現(xiàn)預(yù)定限度的灰度。
此外，依據(jù)無(wú)源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置使用由陰極和柵極(gate)之間的電壓差來(lái)發(fā)射電子的電壓驅(qū)動(dòng)方法。然而，在此情況下，電流對(duì)電壓是非線性變化的。因此，可能產(chǎn)生的問(wèn)題是很難準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)陰極發(fā)射的電子數(shù)量。
相反，依據(jù)5,300,862號(hào)美國(guó)公開(kāi)專利中揭示的有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置試圖使用CMOS或NMOS晶體管構(gòu)成的集成電路以及低電壓輸入信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高電場(chǎng)像素。此外，依據(jù)有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置使用高電壓的MOS晶體管作為掃描和數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)，以驅(qū)動(dòng)以9行8列排列的陰極。此外，依據(jù)有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置包括連在列驅(qū)動(dòng)器和陰極之間的熔線，以及耦合在陰極和柵極之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。熔線限制了電流，從而過(guò)電流不會(huì)加到陰極上。用作電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)調(diào)節(jié)其本身的電阻值來(lái)調(diào)節(jié)陰極和柵極端之間的電壓差，從而調(diào)節(jié)從陰極發(fā)射的電子數(shù)量。從而，調(diào)節(jié)了屏幕的亮度。列驅(qū)動(dòng)器通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)縱列陰極所需的時(shí)間即占空度來(lái)實(shí)現(xiàn)更多的灰度。
然而，為了切換提供給掃描線和數(shù)據(jù)線的高電壓，依據(jù)有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置要使用高電壓的MOS晶體管。此外，依據(jù)有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置要形成耦合在柵極端和陰極之間的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的厚柵極端。從而，與依據(jù)無(wú)源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置相比，依據(jù)有源矩陣尋址方法的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置需要更多的晶體管，其制造工藝也更復(fù)雜。
此外，對(duì)于實(shí)現(xiàn)更多的灰度，可調(diào)占空度的數(shù)量有限，從而不可能實(shí)現(xiàn)預(yù)定限度的灰度。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明旨在一種場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，該裝置能在依據(jù)有源矩陣尋址方法的工藝條件下通過(guò)簡(jiǎn)化電路并使用無(wú)源矩陣尋址方法通過(guò)調(diào)節(jié)提供給陰極的電流量來(lái)實(shí)現(xiàn)預(yù)定限度的灰度。
將在以下的描述中提出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，從此描述可使其中的一些特征和優(yōu)點(diǎn)變得明顯起來(lái)或可通過(guò)實(shí)行本發(fā)明學(xué)習(xí)這些特征和優(yōu)點(diǎn)。由所寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)和這里的權(quán)利要求書(shū)以及附圖特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)依據(jù)本發(fā)明的以上目的，如上具體表達(dá)和廣泛所述，場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置包括給陰極提供電流信號(hào)的至少兩個(gè)電流源；以及控制部分，用于依據(jù)視頻信號(hào)的大小選擇性地驅(qū)動(dòng)至少兩個(gè)電流源。
應(yīng)理解上述概述和以下的詳細(xì)描述只是舉例和說(shuō)明性的，將按權(quán)利要求對(duì)本發(fā)明提供進(jìn)一步的說(shuō)明。
附圖概述本發(fā)明中包括的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出的的本發(fā)明實(shí)施例以及描述用于說(shuō)明本發(fā)明的原理

圖1是依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置的第一電路圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置的第二電路圖；圖3是提供給圖1所示驅(qū)動(dòng)裝置的控制信號(hào)的時(shí)序圖；圖4是提供給圖2所示驅(qū)動(dòng)裝置的控制信號(hào)的時(shí)序圖；圖5示出SPICE模擬的結(jié)果，用于說(shuō)明依據(jù)圖1所示一個(gè)電流鏡中電流路徑開(kāi)口的發(fā)射電流量的特性；以及圖6示出SPICE模擬的結(jié)果，用于說(shuō)明依據(jù)圖2所示另一個(gè)電流鏡中電流路徑開(kāi)口的發(fā)射電流量的特性。
本發(fā)明較佳實(shí)施方式現(xiàn)在將參考附圖中示出的例子來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
對(duì)本領(lǐng)域內(nèi)的那些熟練技術(shù)人員很明顯的是可對(duì)本發(fā)明的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置作各種改變和變化，而不背離本發(fā)明的精神和范圍。于是，本發(fā)明試圖覆蓋附加的權(quán)利要求書(shū)范圍中出現(xiàn)的改變和變化及其等價(jià)物。
參考圖1，在場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置中提供了陰極10、用于從陰極發(fā)射電子的柵電極12、用于從柵電極12切換高壓源HVdd和接地電壓GND的高壓切換部分14，以及切換要提供給陰極10的低壓Vdd的第七NMOS晶體管16。
如圖3所示，在主掃描信號(hào)SS的邏輯低電平期間，高壓切換部分14利用主輔掃描信號(hào)SS和ASS通過(guò)第一結(jié)點(diǎn)NODE1把高壓HVdd提供給柵電極12。于是，高壓切換部分14應(yīng)具有連在高壓HVdd和第一結(jié)點(diǎn)NODE1之間的第六PMOS晶體管14a以及耦合在第一結(jié)點(diǎn)NODE1和接地電壓GND之間的第六NMOS晶體管14b。
在要把主掃描信號(hào)SS的邏輯低電平加到其柵極期間接通第六PMOS晶體管14a，然后通過(guò)第一結(jié)點(diǎn)NODE1把高壓HVdd提供給柵電極12。此時(shí)，加到第六NMOS晶體管14b的柵極端的電壓應(yīng)處于邏輯“低”，且這樣就斷開(kāi)第六NMOS晶體管14b。
同時(shí)，應(yīng)斷開(kāi)第六PMOS晶體管14a并接通第六NMOS晶體管14b以把接地電壓GND提供給柵電極12。此外，加到第六PMOS晶體管14a柵極端的電壓和加到第六NMOS晶體管14b柵極端的另一個(gè)電壓均應(yīng)處于邏輯“高”電平，從而可分別斷開(kāi)和接通第六PMOS和NMOS晶體管14a和14b。從而，在高壓從第一結(jié)點(diǎn)NODE1加到柵電極12時(shí)，從陰極10發(fā)射出電子。
主掃描信號(hào)SS的高電平保持在高壓HVdd，其低電平保持在比高壓HVdd低0.7到0.5伏的低壓HVL。此外，應(yīng)把輔掃描信號(hào)ASS的低電平保持在接地電壓GND，另一方面，其高電平應(yīng)保持在比接地電壓高0.7到0.5伏的電壓上。這樣，通過(guò)限制第六PMOS和NMOS晶體管14a和14b的源極端和柵極端之間的電壓差來(lái)防止第六PMOS和NMOS晶體管14a和14b柵極的氧化物薄膜受損。此外，這也將穩(wěn)定地切換通過(guò)第一結(jié)點(diǎn)NODE1加到柵電極12的高壓HVdd和接地電壓GND。
同時(shí)，依據(jù)電荷控制信號(hào)CCS的邏輯狀態(tài)選擇性地驅(qū)動(dòng)第七NMOS晶體管16。在電荷控制信號(hào)CCS保持在邏輯高電平時(shí)，接通第七NMOS晶體管16，于是把低電壓加到陰極10。在如圖3所示把高壓HVdd提供給柵電極12時(shí)，電荷控制信號(hào)CCS暫時(shí)保持在邏輯高電平，然后再保持在邏輯低電平。此外，與加到柵電極12的高壓HVdd的脈寬不同，邏輯高電平處的脈寬非常短。同時(shí)，暫時(shí)把低電壓加到陰極10，從而由圖1中第二結(jié)點(diǎn)NODE2的電壓浮動(dòng)來(lái)操作第二結(jié)點(diǎn)NODE2和接地電壓GND之間的電流源18和20。這與FED芯片的制造有關(guān)。即，即使把高壓加到柵極12，也將沒(méi)有電壓提供給第二結(jié)點(diǎn)NODE2。然而，如果由柵電極12和陰極10之間的電容把預(yù)定電壓加到第二結(jié)點(diǎn)NODE2，則可提出類似于圖2的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置。
圖1的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置還包括連在陰極10和接地電壓GND之間的電流鏡18，以及用于控制電流鏡18操作的第五NMOS晶體管20e。
電流鏡18具有能把不同的電流信號(hào)提供給陰極10的四個(gè)電流源。因此，電流鏡18還具有其源極端都連到陰極10的第一到第四PMOS晶體管18a到18d，以及其源極端通過(guò)第七NMOS晶體管16耦合到低電壓Vdd的第五PMOS晶體管18e。
第五PMOS晶體管18e的柵極端通常連到第一到第四PMOS晶體管18a到18d的柵極端，也耦合到第五NMOS晶體管20e的漏極端。當(dāng)由第五NMOS晶體管20e形成電流路徑時(shí)，第五PMOS晶體管18e允許把一類似于接地電壓GND的電壓加到第一到第四PMOS晶體管18a到18d的柵極端，從而以同一電壓驅(qū)動(dòng)第一到第四PMOS晶體管18a到18d。
響應(yīng)于顯示控制信號(hào)DCS，第五NMOS晶體管20e形成第五PMOS晶體管18e的電流路徑。在顯示控制信號(hào)保持在邏輯高電平的情況下，接通第五NMOS晶體管20e，且有電流從第五PMOS晶體管18e的漏極端流入接地電壓GND。顯示控制信號(hào)DCS與數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3或提供給控制部分22中FED元件的D10到D13同步，于是類似于第五NMOS晶體管20e，DCS被加到每個(gè)晶體管的柵極端。圖3是顯示控制信號(hào)DCS以及如圖1所示數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3的時(shí)序圖。
此外，當(dāng)從第五PMOS晶體管18e的漏極端把接地電壓GND加到第一到第四PMOS晶體管18a到18d的柵極端時(shí)，第一到第四PMOS晶體管18a到18d以自己的漏極端形成自陰極10開(kāi)始的電氣路徑。在該處，每一個(gè)與第一到第四PMOS晶體管18a到18d的漏極端串聯(lián)的第一到第四NMOS晶體管20a到20d分別控制第一到第四PMOS晶體管的漏極端與接地電壓GND之間的電流路徑。此外，第一到第四NMOS晶體管20a到20d也響應(yīng)于來(lái)自控制部分22的4位數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3。即，第一到第四PMOS晶體管18a到18d產(chǎn)生大小恒定的電流信號(hào)，然后把這些信號(hào)提供給陰極10。然而，此時(shí)，即使從第一到第四PMOS晶體管18a到18d產(chǎn)生的所有電流信號(hào)都能具有相同的大小，但希望從PMOS晶體管18a產(chǎn)生的一個(gè)電流信號(hào)的最低位到PMOS晶體管18d產(chǎn)生的另一個(gè)電流信號(hào)的最高位，電流量增加2n(n＝1，2，3，....)。因此，也希望第二到第四PMOS晶體管18b到18d的溝道寬度應(yīng)是第一PMOS晶體管18a溝道寬度的兩倍、四倍和八倍。例如，如果第一PMOS晶體管18a漏極端中的電流量是100μA，則流入第二到第四PMOS晶體管18b到18d漏極端中的電流量分別是200μA、400μA和800μA。
同時(shí)，F(xiàn)ED的元件驅(qū)動(dòng)裝置還包括耦合在電流鏡18和接地電壓GND之間的電流閥20，以及用于控制電流閥20的控制部分22。
輸入控制部分22的視頻信號(hào)VS在控制部分22中被轉(zhuǎn)換成4位的數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3，然后分別加到第一到第四NMOS晶體管20a到20d的柵極端。控制部分22可以由模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器或編碼器來(lái)實(shí)現(xiàn)。
電流閥20開(kāi)啟或關(guān)閉包含在電流鏡18內(nèi)四個(gè)電流源的每一個(gè)電流路徑。相應(yīng)地，電流閥20應(yīng)具有第一到第四NMOS晶體管20a到20d，每一個(gè)晶體管連到第一到第四PMOS晶體管18a到18d的漏極端和接地電壓GND。
依據(jù)加到其柵極端的每一個(gè)數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3，選擇性地驅(qū)動(dòng)第一到第四NMOS晶體管20a到20d，從而選擇性地形成陰極10和接地電壓GND之間的電流路徑。
例如，如果給出的4位數(shù)字邏輯信號(hào)為“D0＝1，D1＝0，D2＝0，D3＝0”，則只接通第一NMOS晶體管20a，在陰極10和接地電壓GND之間只形成通過(guò)第一PMOS晶體管18a和第一NMOS晶體管20a的電流路徑。從而，加到陰極10的電流信號(hào)是100μA，從陰極發(fā)射出的電流量如圖5的曲線51所示。
此外，如果給出的4位數(shù)字邏輯信號(hào)為“D0＝0，D1＝1，D2＝0，D3＝0”，則只接通第二NMOS晶體管20b，在陰極10和接地電壓GND之間只形成通過(guò)第二PMOS晶體管18b和第二NMOS晶體管20b的電流路徑。從而，加到陰極10的電流信號(hào)是200μA，從陰極發(fā)射出的電流量如圖5的曲線52所示。
此外，如果給出的4位數(shù)字邏輯信號(hào)為“D0＝0，D1＝0，D2＝1，D3＝0”，則只接通第三NMOS晶體管20c，在陰極10和接地電壓GND之間只形成通過(guò)第三PMOS晶體管18c和第三NMOS晶體管20c的電流路徑。從而，加到陰極10的電流信號(hào)是400μA，從陰極發(fā)射出的電流量如圖5的曲線54所示。
此外，如果給出的4位數(shù)字邏輯信號(hào)為“D0＝0，D1＝0，D2＝0，D3＝1”，則只接通第四NMOS晶體管20d，在陰極10和接地電壓GND之間只形成通過(guò)第四PMOS晶體管18d和第四NMOS晶體管20d的電流路徑。從而，加到陰極10的電流信號(hào)是800μA，從陰極發(fā)射出的電流量如圖5的曲線58所示。
最后，如果給出的4位數(shù)字邏輯信號(hào)為“D0＝1，D1＝1，D2＝1，D3＝1”，則第一到第四NMOS晶體管20a到20d都接通，在陰極10和接地電壓GND之間形成通過(guò)第一到第四PMOS晶體管18a到18d和第一到第四NMOS晶體管20a到20d的全部電流路徑。從而，加到陰極10的電流信號(hào)是1.5mA，從陰極發(fā)射出的電流量如圖5的曲線515所示。相應(yīng)地，可依據(jù)4位數(shù)字邏輯信號(hào)D0到D3的組合把100μA到1.5mA的電流加到陰極10。此外，第一到第四NMOS晶體管20a到20d的溝道寬度足以依據(jù)第一到第四PMOS晶體管18a到18d的溝道寬度來(lái)開(kāi)啟或關(guān)閉電流量，其溝道寬度分別是第一到第四PMOS晶體管溝道寬度的一倍、兩倍、四倍和八倍。
第五PMOS和NMOS晶體管18a和20e的溝道寬度被設(shè)計(jì)得非常小，從而它們幾乎不影響總電流。
同時(shí)，第一到第六PMOS晶體管18a到18e和14a以及第一到第六NMOS晶體管20a到20e和14b都是高壓晶體管。
如上所述，即使把高壓HVdd加到柵電極12，也不清楚有多少電壓加到了陰極10。因此，如此設(shè)計(jì)圖1的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置，從而把預(yù)定電壓加到陰極10。
在實(shí)際制造FED的面板時(shí)，如果柵電極12和陰極10之間的電容具有利用加到柵電極12的高壓把預(yù)定電壓提供給陰極10的效果，則可提出類似于圖2的元件驅(qū)動(dòng)裝置。
圖2是依據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置的第二電路圖。
圖2與圖1的不同之處在于用四個(gè)NMOS晶體管21a到21d來(lái)替代電流鏡18、電流閥20、第七NMOS晶體管1 6和第五NMOS晶體管20e。
然而，用于切換加到柵電極12的高壓的高壓切換部分與圖1中的切換部分相同。
在圖2中用作電流源21的第九到第十一NMOS晶體管21b到21d的溝道寬度是第八NMOS晶體管21a的兩倍、四倍和八倍，從控制部分22提供的數(shù)字視頻信號(hào)E0到E3加到它們的柵極端。
依據(jù)圖1所示數(shù)字視頻信號(hào)邏輯值的組合，控制提供給陰極10的電流量。
圖4是每個(gè)數(shù)字信號(hào)的時(shí)序圖，圖6示出一電路SPICE模擬的結(jié)果，在該電路中進(jìn)行圖2FED元件的驅(qū)動(dòng)操作。
參考圖6，如果給出4位數(shù)字邏輯信號(hào)E0到E3的值為“E0＝1，E1＝0，E2＝0，E3＝0”，則只接通第八NMOS晶體管21a，在陰極10和接地電壓GND之間只能形成第八NMOS晶體管21a中的電流路徑。
同時(shí)，加到陰極10的電流信號(hào)大約是100μA，從陰極10發(fā)射出的電流量如圖6的曲線61所示。
此外，如果給出4位數(shù)字邏輯信號(hào)E0到E3的值為“E0＝0，E1＝1，E2＝0，E3＝0”，則只接通第九NMOS晶體管21b，在陰極10和接地電壓GND之間只能形成第九NMOS晶體管21b中的電流路徑。
同時(shí)，加到陰極10的電流信號(hào)大約是200μA，從陰極10發(fā)射出的電流量如圖6的曲線62所示。
此外，如果給出4位數(shù)字邏輯信號(hào)E0到E3的值為“E0＝0，E1＝0，E2＝1，E3＝0”，則只接通第十NMOS晶體管21c，在陰極10和接地電壓GND之間只能形成第十NMOS晶體管21c中的電流路徑。
同時(shí)，加到陰極10的電流信號(hào)大約是400μA，從陰極10發(fā)射出的電流量如圖6的曲線64所示。
此外，如果給出4位數(shù)字邏輯信號(hào)E0到E3的值為“E0＝0，E1＝0，E2＝0，E3＝1”，則只接通第十一NMOS晶體管21d，在陰極10和接地電壓GND之間只能形成第十一NMOS晶體管21d中的電流路徑。
同時(shí)，加到陰極10的電流信號(hào)大約是800μA，從陰極10發(fā)射出的電流量如圖6的曲線68所示。
此外，如果給出4位數(shù)字邏輯信號(hào)E0到E3的值為“E0＝1，E1＝1，E2＝1，E3＝1”，則NMOS晶體管21a到21d都接通，在陰極10和接地電壓GND之間形成所有的電流路徑。
同時(shí)，加到陰極10的電流信號(hào)大約是1.5mA，從陰極10發(fā)射出的電流量如圖6的曲線615所示。
在把圖6中的發(fā)射電流特性與圖5相比的情況下，可理解圖6中發(fā)射的電流量隨著時(shí)間的推移有些減小。這是由于柵電極12和陰極10之間的電容造成的。
如上所述，本發(fā)明的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置選擇性地驅(qū)動(dòng)至少兩個(gè)電流源，依據(jù)視頻信號(hào)的大小把不同數(shù)量的電流信號(hào)提供給陰極，從而從陰極發(fā)射出的電流量可相應(yīng)于視頻信號(hào)作線性變化。因此，依據(jù)本發(fā)明，它的某些優(yōu)點(diǎn)在于即使灰度上升，也可增加包含在像素中的陰極數(shù)目，而且不限制由像素所占據(jù)的區(qū)域。此外，依據(jù)本發(fā)明的FED元件驅(qū)動(dòng)裝置可把預(yù)定灰度的色調(diào)(shade)提供給像素，而與像素所占據(jù)的區(qū)域無(wú)關(guān)。
同時(shí)，在以上的描述中，即使在圖1中只構(gòu)成一個(gè)陰極，但本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員也應(yīng)知道在一個(gè)像素中可安裝幾百到幾千個(gè)陰極。此外，可理解在本發(fā)明的實(shí)施例中只說(shuō)明的一個(gè)陰極意味著幾百到幾千個(gè)陰極共同相互連接。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，即使把16個(gè)灰度提供給像素，本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員也知道可把32個(gè)灰度、64個(gè)灰度和124個(gè)灰度提供給像素。
相應(yīng)地，應(yīng)理解本發(fā)明不限于這里所揭示作為實(shí)施本發(fā)明而設(shè)計(jì)的最佳方式的特殊實(shí)施例，除了附加的權(quán)利要求書(shū)以外，本發(fā)明更不限于此說(shuō)明書(shū)中所述的特殊實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，它依據(jù)具有場(chǎng)發(fā)射像素元件的無(wú)源矩陣尋址方法，所述場(chǎng)發(fā)射像素元件具有陰極和用于從所述陰極發(fā)射電子的柵電極，其特征在于所述元件驅(qū)動(dòng)裝置包括至少兩個(gè)電流源，用于對(duì)所述陰極提供電流信號(hào)；以及控制部分，用于依據(jù)視頻信號(hào)的大小選擇性地驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)電流源。
2.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述至少兩個(gè)電流源中產(chǎn)生的所述電流信號(hào)，從一個(gè)最低位電流電平到另一個(gè)最高位電流電平的最大增加為2N(N＝1，2，3…)。
3.如權(quán)利要求2所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述控制部分依據(jù)所述視頻信號(hào)的大小選擇性地驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)電流源的一部分或所有部分。
4.如權(quán)利要求2所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述控制部分包括用于產(chǎn)生至少兩位邏輯信號(hào)的編碼器，這里邏輯值“1”依據(jù)所述視頻信號(hào)的大小逐步增加。
5.如權(quán)利要求3所述的場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述控制部分包括用于把所述視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成至少兩位的數(shù)字邏輯信號(hào)的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器。
全文摘要
一種場(chǎng)發(fā)射顯示器的元件驅(qū)動(dòng)裝置,它依據(jù)具有場(chǎng)發(fā)射像素元件的無(wú)源矩陣尋址方法,所述場(chǎng)發(fā)射像素元件具有陰極(10)和用于從所述陰極發(fā)射電子的柵電極(12)。此元件驅(qū)動(dòng)裝置包括至少兩個(gè)電流源(18,20),用于對(duì)所述陰極提供電流信號(hào);以及控制部分(22),用于依據(jù)視頻信號(hào)的大小選擇性地驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)電流源(18,20)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1169793SQ96191645
公開(kāi)日1998年1月7日 申請(qǐng)日期1996年11月30日 優(yōu)先權(quán)日1995年11月30日
發(fā)明者權(quán)五敬, 羅永宣, 玄昌鎬, 許根茂 申請(qǐng)人:奧利翁電氣株式會(huì)社