[0048] 如圖6中所示，遷移率感測時段可屬于圖像顯示時段XO中的垂直消隱時段VB、布 置在圖像顯示時段XO之前的第一非顯示時段XI、布置在圖像顯示時段XO之后的第二非顯 示時段Χ2中的至少一個。垂直消隱時段VB可被定義為相鄰顯示幀DF之間的時段。第一 非顯示時段Xl可被定義為從驅(qū)動電力使能信號PEN的施加時間點經(jīng)過數(shù)十幀至數(shù)百幀的 時段。第二非顯示時段X2可被定義為從驅(qū)動電力禁用信號rois的施加時間點經(jīng)過數(shù)十幀 至數(shù)百幀的時段。
[0049] 閾值電壓感測時段可被包括在第一非顯示時段XI、垂直消隱時段VB和第二非顯 示時段X2中。因為感測閾值電壓Vth所需的時間相對長，所以優(yōu)選地在第一非顯示時段Xl 和/或第二非顯示時段X2中測量所有像素的驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth。另外，在相對短的 時間量內(nèi)感測遷移率μ的補償能力是有利的。因此，優(yōu)選地，在各垂直消隱時段VB中感測 預定數(shù)量的像素的遷移率μ。
[0050] 圖7和圖8示出用于改善另外的補償能力及其結(jié)果的方法。
[0051] 更具體地，圖7和圖8示出表明遷移率μ和感測電壓Vsen之間的關(guān)系的曲線圖。 遷移率μ的補償能力指示補償?shù)臏蚀_性。如圖7和圖8的曲線B所指示的，當遷移率μ 和感測電壓Vsen彼此成正比時，對遷移率μ的補償能力是最佳的。當在整個感測時段內(nèi) 保持驅(qū)動TFT DT的柵-源電壓Vgs恒定時，得到曲線B所指示的正比關(guān)系。
[0052] 因為本發(fā)明的實施方式針對具有簡單電路結(jié)構(gòu)的像素使用源跟隨方式，所以驅(qū)動 TFT DT的柵-源電壓Vgs在感測時段期間連續(xù)地變化。因此，如上所述，即使遷移率μ的 感測時間被設置成比閾值電壓Vth的感測時間短得多，遷移率μ和感測電壓Vsen之間的 關(guān)系也具有圖7和圖8中的曲線A所指示的拋物線形狀。結(jié)果，提高補償能力受到一點限 制。
[0053] 在一實施方式中，遷移率μ和感測電壓Vsen之間的關(guān)系被從曲線A校正成曲線 Β，以進一步提高對遷移率μ的補償能力。為此，定時控制器11可線性校正指示感測電壓 Vsen變化與遷移率μ的變化之比的斜率并且還通過查找表或補償函數(shù)校正感測電壓Vsen 以增大斜率。
[0054] 可用下面的等式1表達補償函數(shù)。
[0055] [等式 1]
[0056]
【主權(quán)項】
1. 一種有機發(fā)光顯不器，該有機發(fā)光顯不器包括： 顯示面板，其包括多個像素，每個像素使用源跟隨方式，在所述源跟隨方式中，驅(qū)動薄 膜晶體管的源電壓根據(jù)在所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極和源極之間流動的電流而改變； 選通驅(qū)動電路，其被構(gòu)造成產(chǎn)生以所述源跟隨方式操作所述像素的遷移率感測選通脈 沖； 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其被構(gòu)造成響應于所述遷移率感測選通脈沖在所述像素中檢測與所述 驅(qū)動薄膜晶體管的遷移率對應的感測電壓；以及 定時控制器，其被構(gòu)造成在所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵-源電壓大于所述驅(qū)動薄膜晶體 管的閾值電壓的時段中，設置用于檢測所述感測電壓的遷移率感測時段， 其中，所述遷移率感測時段被包括在產(chǎn)生處于導通電平的所述遷移率感測選通脈沖的 時段中， 其中，在范圍從所述遷移率感測選通脈沖的所述導通電平的起始時間點至與一幀時段 的一部分對應的時間點的預定時段中，檢測所述感測電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，各像素包括： 所述驅(qū)動薄膜晶體管，其包括與第一節(jié)點連接的柵極、與第二節(jié)點連接的源極、與高電 勢驅(qū)動電壓的輸入端連接的漏極； 有機發(fā)光二極管，其連接在所述第二節(jié)點和低電勢驅(qū)動電壓的輸入端之間； 存儲電容器，其連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間； 第一開關(guān)薄膜晶體管，其連接在被充至閾值電壓補償數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線和所述第一節(jié) 點之間；以及 第二開關(guān)薄膜晶體管，其連接在被充至所述感測電壓的感測線和所述第二節(jié)點之間， 其中，所述第一開關(guān)薄膜晶體管和所述第二開關(guān)薄膜晶體管響應于所述遷移率感測選 通脈沖同時導通。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述遷移率感測時段屬于圖像顯示 時段期間的多個垂直消隱時段、布置在所述圖像顯示時段之前的第一非顯示時段、布置在 所述圖像顯示時段之后的第二非顯示時段中的至少一個。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述定時控制器線性校正指示所述 感測電壓的變化量與所述遷移率的變化量之比的斜率并且使用查找表或補償函數(shù)校正所 述感測電壓以增大所述斜率。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示器，其中，用下面的等式表達所述補償函數(shù)：
其中，所述定時控制器使用所述等式計算增益值G，其中，從所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路接收感 測電壓Vsen并且將平均感測電壓Vsen_aVe和所述驅(qū)動薄膜晶體管的物理比例常數(shù)K應用 于所述等式，將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)乘以所述增益值G，以被輸入到所述像素，并且產(chǎn)生用于補償 所述驅(qū)動薄膜晶體管的遷移率之間的偏差的數(shù)字補償數(shù)據(jù)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯不器，其中，一幀時段的所述一部分對應于一中貞 時段的2%。
7. -種用于補償有機發(fā)光顯示器的遷移率的方法，所述有機發(fā)光顯示器包括具有源跟 隨方式的多個像素的顯示面板，其中，驅(qū)動薄膜晶體管的源電壓根據(jù)所述驅(qū)動薄膜晶體管 的漏極和源極之間流動的電流而改變，所述方法包括以下步驟： 產(chǎn)生用于以所述源跟隨方式操作像素的遷移率感測選通脈沖； 響應于所述遷移率感測選通脈沖，在所述像素中檢測與所述驅(qū)動薄膜晶體管的遷移率 對應的感測電壓； 在所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵-源電壓大于所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的時段中， 設置用于檢測所述感測電壓的遷移率感測時段， 其中，所述遷移率感測時段被包括在產(chǎn)生處于導通電平的所述遷移率感測選通脈沖的 時段中， 其中，在范圍從所述遷移率感測選通脈沖的導通電平的起始時間點至與一幀時段的一 部分對應的時間點的預定時段中，檢測所述感測電壓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述遷移率感測時段屬于圖像顯示時段期間的 多個垂直消隱時段、布置在所述圖像顯示時段之前的第一非顯示時段、布置在所述圖像顯 示時段之后的第二非顯示時段中的至少一個。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括以下步驟：線性校正指示所述感測電 壓的變化量與所述遷移率的變化量之比的斜率并且使用查找表或補償函數(shù)校正所述感測 電壓以增大所述斜率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，用下面的等式表達所述補償函數(shù)：
其中，所述方法還包括使用所述等式計算增益值G，其中，將感測電壓Vsen、平均感測 電壓Vsen_aVe和所述驅(qū)動薄膜晶體管的物理比例常數(shù)K應用于所述等式，將數(shù)字視頻數(shù)據(jù) 乘以所述增益值G，以被輸入到所述像素，并且產(chǎn)生用于補償所述驅(qū)動薄膜晶體管的遷移率 之間的偏差的數(shù)字補償數(shù)據(jù)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，一幀時段的所述一部分對應于一幀時段的2%。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光顯示器和補償其遷移率的方法。該有機發(fā)光顯示器可包括：顯示面板，其包括源跟隨方式的多個像素，在所述源跟隨方式中，驅(qū)動薄膜晶體管TFT的源電壓根據(jù)在驅(qū)動TFT的漏極和源極之間流動的電流而改變；選通驅(qū)動電路，其用于產(chǎn)生以所述源跟隨方式操作像素的遷移率感測選通脈沖；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其用于響應于所述遷移率感測選通脈沖在像素中檢測與所述驅(qū)動TFT的遷移率對應的感測電壓；定時控制器，其用于在所述驅(qū)動TFT的柵-源電壓大于所述驅(qū)動TFT的閾值電壓的時段中，設置遷移率感測時段。
【IPC分類】G09G3-32
【公開號】CN104637440
【申請?zhí)枴緾N201410617332
【發(fā)明人】沈鐘植, 慎弘縡, 裵娜榮
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2014年11月5日
【公告號】US20150123953