一種源極驅(qū)動(dòng)器及液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種源極驅(qū)動(dòng)器及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]使用Dual Gate+Pre-charge (雙柵線+預(yù)充電)技術(shù)，是針對(duì)現(xiàn)有TFT-LCD (ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管-液晶顯示器)的制作上新開(kāi)發(fā)的降低制作TFT-LCD成本的同時(shí)不降低TFT-LCD顯示質(zhì)量的技術(shù)。這是因?yàn)?使用DualGate技術(shù)，可以減少價(jià)格較高的Source Driver IC(源極驅(qū)動(dòng)集成電路)的使用量，降低成本，但這會(huì)導(dǎo)致柵線數(shù)量增多，在一幀畫(huà)面的掃描時(shí)間通常為固定的情況下，每個(gè)柵線的充電時(shí)間縮短，這就使得像素的充電不足。在此種情況下，提出了 Pre-charge(預(yù)充電)技術(shù)，預(yù)先給柵線進(jìn)行充電，進(jìn)而增加了每條柵線的充電時(shí)間，可以解決大尺寸TFT-LCD柵線數(shù)量增多時(shí)，按照原有的逐行掃描方式，每一條柵線的充電時(shí)間相應(yīng)縮短而會(huì)造成充電不足的問(wèn)題。
[0003]但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，同時(shí)使用Dual Gate+Pre-charge技術(shù)，由于不同柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓不同，其中，所述跳變電壓是指由于柵線電壓變化造成的像素電位的變化量，因此會(huì)帶來(lái)TFT-1XD的顯示出現(xiàn)閃爍、色偏、殘像等不良現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種源極驅(qū)動(dòng)器及液晶顯示裝置，用以解決TFT-1XD的顯示質(zhì)量因不同柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓不同而降低的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供的源極驅(qū)動(dòng)器及液晶顯示裝置具體如下:
[0006]一種源極驅(qū)動(dòng)器，包括:控制器、信號(hào)處理器、補(bǔ)償器、第一開(kāi)關(guān)和電源；
[0007]所述信號(hào)處理器，用于接收解碼后的數(shù)字視頻信號(hào)，將數(shù)字視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬視頻信號(hào)，以及將該模擬視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為伽馬電壓值；
[0008]所述控制器，用于根據(jù)柵線的掃描方式和補(bǔ)償器的補(bǔ)償方式，控制補(bǔ)償器所處的工作狀態(tài)以及通過(guò)控制第一開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)來(lái)相應(yīng)控制信號(hào)處理器與外接的數(shù)據(jù)線導(dǎo)通與斷開(kāi)，使得所述液晶顯示裝置中偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓與奇數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓相同，其中，掃描方式包括正向掃描和反向掃描，補(bǔ)償方式包括:相加補(bǔ)償和相減補(bǔ)償，所處的工作狀態(tài)包括處于工作狀態(tài)和處于不工作狀態(tài)；
[0009]所述補(bǔ)償器，用于按照設(shè)定的補(bǔ)償方式將輸入自身的補(bǔ)償電壓值與所述伽馬電壓值進(jìn)行運(yùn)算，所述補(bǔ)償電壓值為奇數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓和偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓之差的絕對(duì)值，所述奇數(shù)行柵線和所述偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素位于同一行；
[0010]所述電源，用于為控制器、信號(hào)處理器和補(bǔ)償器提供工作電壓。
[0011]一種液晶顯示裝置，包括上述的源極驅(qū)動(dòng)器。
[0012]考慮到不同的柵線掃描方向，驅(qū)動(dòng)同一行的像素的一對(duì)柵線的跳變電壓不同，并且可以采用不同的補(bǔ)償方式進(jìn)行補(bǔ)償，因此，在本發(fā)明實(shí)施例的方案中，采用控制器結(jié)合柵線的掃描方式和補(bǔ)償器的補(bǔ)償方式的不同，對(duì)補(bǔ)償器的工作狀態(tài)和數(shù)據(jù)信號(hào)處理的與外接的數(shù)據(jù)線的導(dǎo)通與否，并且通過(guò)補(bǔ)償器使用補(bǔ)償電壓值對(duì)輸入數(shù)據(jù)線的伽馬電壓值的補(bǔ)償，該補(bǔ)償電壓值為奇數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓和偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓之差的絕對(duì)值，這就使得奇數(shù)柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓與補(bǔ)償后的偶數(shù)柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓相同，或者偶數(shù)柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓相同與補(bǔ)償后的奇數(shù)柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓相同，減少了使用多柵線技術(shù)和預(yù)充電技術(shù)TFT-LCD閃爍和色偏以及成殘像等不良現(xiàn)象，提高了的液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT處于打開(kāi)狀態(tài)時(shí)的電路不意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的電路不意圖；
[0015]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的單純使用雙柵線技術(shù)時(shí)的陣列基板示意圖；
[0016]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的奇數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的電容示意圖；
[0017]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的奇數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的電壓變化波形示意圖；
[0018]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的電容示意圖；
[0019]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的偶數(shù)行柵線驅(qū)動(dòng)的像素的電壓變化波形示意圖；
[0020]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的源極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的源極驅(qū)動(dòng)器的電路示意圖；
[0022]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的正常彩色顯示時(shí)輸出給數(shù)據(jù)線上的電壓信號(hào)示意圖；
[0023]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的正常灰階顯示時(shí)輸出給數(shù)據(jù)線上的電壓信號(hào)示意圖；
[0024]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的源極驅(qū)動(dòng)增加補(bǔ)償電壓后輸出給數(shù)據(jù)線上的電壓信號(hào)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的源極驅(qū)動(dòng)器及液晶顯示裝置，用以解決TFT-1XD的顯示質(zhì)量因不同柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓不同而降低的技術(shù)問(wèn)題。
[0026]為了清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的方案，下面首先對(duì)跳變電壓的具體產(chǎn)生原因、跳變電壓的計(jì)算、使用Dual Gate+Pre-charge技術(shù)時(shí)不同柵線驅(qū)動(dòng)的像素的跳變電壓不同的原因進(jìn)行說(shuō)明。
[0027]跳變電壓的具體產(chǎn)生原因:
[0028]TFT及其所連接的柵線(Gate Line)、數(shù)據(jù)線(Data Line)和像素(Pixel)、公共電壓(Vcom)如圖1、圖2所示，圖1為T(mén)FT處于打開(kāi)狀態(tài)時(shí)的電路示意圖，圖2為T(mén)FT由處于打開(kāi)狀態(tài)轉(zhuǎn)為處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的電路示意圖，圖1中的P或圖2中的p’點(diǎn)代表了像素(一般是ITO材料)，其電位是Vp，像素和TFT基板上的柵線形成了電容Cgd (這個(gè)電容最主要是來(lái)自TFT內(nèi)的漏極和柵極的上下疊加，也包含像素和柵線間的寄生電容，實(shí)際應(yīng)是兩個(gè)電容的代數(shù)和，只不過(guò)后者遠(yuǎn)小于前者，因此一般忽略不計(jì))，像素和TFT基板上的Vcom線通過(guò)絕緣層介質(zhì)形成了 Cs，像素還通過(guò)液晶介質(zhì)形成了 Clc(該電容的一個(gè)電極就是像素ITO，另一個(gè)電極的位置隨顯示模式不同而異，對(duì)于VA和TN等模式，Clc的另一側(cè)電極在CF表面，該電極最終會(huì)在顯示區(qū)外連接到Vcom上，對(duì)于FFS(Fringe Field Switching FFS，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān))、IPS (In-Plane Switching，平面轉(zhuǎn)換)模式，Clc的另一側(cè)電極與Cs相同，就是Vcom Line)，也就是說(shuō)，Cs和Clc可以看作是兩個(gè)并聯(lián)電容，都是一側(cè)電極為像素IT0，另一側(cè)電極為Vcom線。
[0029]當(dāng)柵線是高電壓(Vgh)狀態(tài)時(shí)，TFT為打開(kāi)(ON)，數(shù)據(jù)線在ON的時(shí)間范圍內(nèi)給像素充電，使得像素的電位與外加的數(shù)據(jù)線電位盡可能一致，此時(shí)P點(diǎn)的電位值為Vpl ;當(dāng)柵線轉(zhuǎn)為低電壓(Vgl)時(shí)，TFT為關(guān)閉(Off)，數(shù)據(jù)線不能為像素充電，像素上的電荷也不能泄露，全部保持在像素的各個(gè)電容上。但由于柵線電壓從Vgh變?yōu)閂gl，這樣Cgs上存儲(chǔ)的電荷量要發(fā)生變化；像素各電容上的總電荷量是不變的，柵線電壓的變化帶來(lái)的是總電荷在各個(gè)電容上的重新分配，分配的結(jié)果是P點(diǎn)的電位發(fā)生了變化，從Vpl變成了 Vp2。也即像素電容上的電壓從Vpl跳變到了 Vp2，AVp = Vpl-Vp2o
[0030]實(shí)際驅(qū)動(dòng)液晶動(dòng)作從而達(dá)到顯示的有效電壓是像素電位與Vcom電位的差，由于Vcom—旦設(shè)定后就不再變動(dòng)成為定值，因此像素電位的高低就決定了像素電壓的大小。
[0031]由在柵線驅(qū)動(dòng)下，TFT在打開(kāi)狀態(tài)各電容上的總電荷量Ql和關(guān)閉狀態(tài)下的像素的各電容上的總電荷量Q2不變，可以計(jì)算像素的跳變電壓，具體計(jì)算如下:
[0032]Ql = Cgd(Vgh-Vpl)+(Cs+Clc)(Vcom-Vpl)(I)
[0033]Q2 = Cgd (Vgl-Vp2) +(Cs+Clc) (Vcom-Vp2)(2)