第三開關(guān)晶體管T3，其柵極為發(fā)光控制模塊2的控制端2b，源極為發(fā)光控制模塊2的第一輸入端2a，漏極為發(fā)光控制模塊2的第一輸出端2d ；
[0066]第四開關(guān)晶體管T4，其柵極為發(fā)光控制模塊2的控制端2b，源極為發(fā)光控制模塊2的第二輸入端2c，漏極為發(fā)光控制模塊的第二輸出端2e。
[0067]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，如圖3a所不，第二開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4可以為P型晶體管，此時(shí)，當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)EM為低電平時(shí)第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)EM為高電平時(shí)第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)；或者，如圖3b所示，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4也可以為N型晶體管，此時(shí)，當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)EM為高電平時(shí)第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)，當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)EM為低電平時(shí)第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)；在此不作限定。
[0068]具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路，當(dāng)?shù)谌_關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4在發(fā)光控制信號(hào)的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，第一參考電壓線VDD的電壓通過(guò)導(dǎo)通的第三開關(guān)晶體管T3傳輸?shù)津?qū)動(dòng)控制模塊的第二輸入端lb，驅(qū)動(dòng)控制模塊I將數(shù)據(jù)信號(hào)Data和預(yù)設(shè)閾值電壓Vth2存儲(chǔ)在第一輸入端la，導(dǎo)通的第四開關(guān)晶體管T4將驅(qū)動(dòng)控制模塊I輸出的驅(qū)動(dòng)電流輸出給發(fā)光器件D1，從而驅(qū)動(dòng)該發(fā)光器件Dl發(fā)光。
[0069]以上僅是舉例說(shuō)明像素電路中發(fā)光控制模塊的具體結(jié)構(gòu)，在具體實(shí)施時(shí)，發(fā)光控制模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu)，還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu)，在此不做限定。
[0070]需要說(shuō)明的是本發(fā)明上述實(shí)施例中提到的驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管可以是薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS，MetalOxide Semiconductor)，在此不做限定。
[0071]較佳地，為了簡(jiǎn)化制作工藝，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，所有的開關(guān)晶體管都為P型晶體管或都為N型晶體管，在此不作限定。
[0072]最佳地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中提到的驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管可以全部采用P型晶體管設(shè)計(jì)，這樣可以簡(jiǎn)化像素電路的制作工藝流程。
[0073]下面分別以圖3a和圖3b所示的像素電路為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的工作過(guò)程作以描述。為了便于描述，規(guī)定驅(qū)動(dòng)控制模塊I的第一輸入端Ia為第一節(jié)點(diǎn)A，驅(qū)動(dòng)控制模塊I的第二輸入端Ib為第二節(jié)點(diǎn)B。且下述描述中以I表示高電平信號(hào)，O表示低電平信號(hào)。
[0074]實(shí)例一:
[0075]以圖3a所示的像素電路的結(jié)構(gòu)為例對(duì)其工作過(guò)程作以描述，其中在圖3a所示的像素電路中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTI和第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2為P型晶體管，所有開關(guān)晶體管均為P型晶體管，各P型晶體管在高電平作用下截止，在低電平作用下導(dǎo)通；對(duì)應(yīng)的輸入時(shí)序圖如圖4a所示。具體地，選取如圖4a所示的輸入時(shí)序圖中的Tl、T2和T3三個(gè)階段。
[0076]在Tl階段，Scan = 0，Charge = 1，EM = I。第一開關(guān)晶體管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二開關(guān)晶體管T2、第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)。初始化信號(hào)Vint通過(guò)導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管Tl提供給第一節(jié)點(diǎn)A，因此，此階段，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓為Vint，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓隨著第一節(jié)點(diǎn)A的電壓的降低而降低。
[0077]在T2階段，Scan = 0，Charge = 0，EM = I。第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)。初始化信號(hào)Vint通過(guò)導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管Tl提供給第一節(jié)點(diǎn)A，由于第二開關(guān)晶體管T2的導(dǎo)通，電容C通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2開始放電，一直至第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2的源極電壓為Vtlata-Vth2 (VData為數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓)時(shí)，即第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2處于亞閾值狀態(tài)時(shí)電容C停止放電，此階段，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓仍為Vint，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓逐漸降低至VData-Vth2。
[0078]在T3階段，Scan = 1，Charge = 1，EM = O。第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2處于截止?fàn)顟B(tài)，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)。此階段，由于第三開關(guān)晶體管T3的導(dǎo)通，因此第二節(jié)點(diǎn)B的電壓由上一階段的Vllata-Vth2變?yōu)榈谝粎⒖茧妷壕€VDD的電壓，根據(jù)電容電量守恒原理，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓由上一階段的Vint變?yōu)閂int+VDD-(Vllata-Vth2)。因此，在此階段中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的柵極的電壓保持在Vint+VDD-(Vnata-Vth2)，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的源極電壓為VDD，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過(guò)第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl且用于驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的工作電流 1_滿足公式:I OLED= K (V gs-Vthl)2= K[Vint+V DD- (Vnata-Vth2) -Vdd - Vthl]2 =K(Vint-VData+Vth2-Vthl)2，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對(duì)穩(wěn)定，可以算作常量。由于第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2的閾值電壓Vth2等于第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的閾值電壓Vthl，因此1led= K(Vint-Vllata)2。從而可以看出有機(jī)發(fā)光二極管OLED的工作電流1_已經(jīng)不受第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的閾值電壓Vthl的影響，且和第一參考電壓線VDD的電壓無(wú)關(guān)，僅與數(shù)據(jù)信號(hào)Data的電壓Vllata和初始化信號(hào)Vint有關(guān)，徹底解決了由于工藝制程以及長(zhǎng)時(shí)間的操作造成的第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的閾值電壓Vthl漂移以及壓降(IR Drop)對(duì)發(fā)光器件Dl的工作電流I_D造成的影響，從而改善了面板顯示的不均勻性。
[0079]實(shí)例二:
[0080]以圖3b所示的像素電路的結(jié)構(gòu)為例對(duì)其工作過(guò)程作以描述，其中在圖3b所示的像素電路中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTI和第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2為P型晶體管，所有開關(guān)晶體管均為N型晶體管，各N型晶體管在高電平作用下截止，在低電平作用下導(dǎo)通；對(duì)應(yīng)的輸入時(shí)序圖如圖4b所示。具體地，選取如圖4b所示的輸入時(shí)序圖中的T1、T2和T3三個(gè)階段。
[0081]在Tl階段，Scan = 1，Charge = 0，EM = O。第一開關(guān)晶體管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，第二開關(guān)晶體管T2、第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)。初始化信號(hào)Vint通過(guò)導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管Tl提供給第一節(jié)點(diǎn)A，因此，此階段，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓為Vint，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓隨著第一節(jié)點(diǎn)A的電壓的降低而降低。
[0082]在T2階段，Scan = 1，Charge = 1，EM = O。第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于截止?fàn)顟B(tài)。初始化信號(hào)Vint通過(guò)導(dǎo)通的第一開關(guān)晶體管Tl提供給第一節(jié)點(diǎn)A，由于第二開關(guān)晶體管T2的導(dǎo)通，電容C通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2開始放電，一直至第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2的源極電壓為Vtlata-Vth2 (VData為數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓)時(shí)，即第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2處于亞閾值狀態(tài)時(shí)電容C停止放電，此階段，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓仍為Vint，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓逐漸降低至VData-Vth2。
[0083]在T3階段，Scan = 0，Charge = 0，EM = I。第一開關(guān)晶體管Tl和第二開關(guān)晶體管T2處于截止?fàn)顟B(tài)，第三開關(guān)晶體管T3和第四開關(guān)晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)。此階段，由于第三開關(guān)晶體管T3的導(dǎo)通，因此第二節(jié)點(diǎn)B的電壓由上一階段的Vllata-Vth2變?yōu)榈谝粎⒖茧妷壕€VDD的電壓，根據(jù)電容電量守恒原理，第一節(jié)點(diǎn)A的電壓由上一階段的Vint變?yōu)閂int+VDD-(Vllata-Vth2)。因此，在此階段中，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的柵極的電壓保持在Vint+VDD-(Vnata-Vth2)，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的源極電壓為VDD，第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl工作處于飽和狀態(tài)，根據(jù)飽和狀態(tài)電流特性可知，流過(guò)第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl且用于驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的工作電流 1_ 滿足公式:I OLED= K (V gs-Vthl)2= K [Vint+V DD- (Vnata-Vth2) -Vdd - Vthl]2 =K(Vint-VData+Vth2-Vthl)2，其中K為結(jié)構(gòu)參數(shù)，相同結(jié)構(gòu)中此數(shù)值相對(duì)穩(wěn)定，可以算作常量。由于第二驅(qū)動(dòng)晶體管DT2的閾值電壓Vth2等于第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的閾值電壓Vthl，因此1led= K(Vint-Vllata)2。從而可以看出OLED的工作電流1_已經(jīng)不受第一驅(qū)動(dòng)晶體管DTl的閾值電壓Vthl的影響，且和第一參考電壓線VDD的電