一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步，越來(lái)越多的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active MatrixOrganic Light Emitting D1de, AMOLED)顯示面板進(jìn)入市場(chǎng)，相對(duì)于傳統(tǒng)的晶體管液晶顯不面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT LCD)，AMOLED 顯不面板具有更快的反應(yīng)速度，更高的對(duì)比度以及更廣闊的視角，因此，AMOLED越來(lái)越多的受到面板廠商的重視。
[0003]圖1為現(xiàn)有的AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電路圖，從圖1中可以看出，該AMOLED電路圖包括2個(gè)薄膜晶體管TjP Ts，存儲(chǔ)電容C以及I個(gè)0LED，其中Ts的柵極與掃描信號(hào)線Vscan相連，漏極與數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端Vdata相連，源極與Td的柵極相連，Td的漏極與OLED的陰極相連，源極與第二電源ELVss相連，第二電源ELVss為低電平；存儲(chǔ)電容C的兩端跨接在Td的柵極與源極之間；0LED的陽(yáng)極與第三電源ELVdd相連，第三電源ELVdd為高電平，優(yōu)選地，Td和T s均為N型薄膜晶體管。
[0004]圖2為圖1中像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖，請(qǐng)結(jié)合圖1，由圖2可以看出，在tl時(shí)間段，Vscan處于高電平，因此Ts開(kāi)啟，這時(shí)Vdata的高電平寫入到存儲(chǔ)電容C以及Td的柵極，因此Td開(kāi)啟，OLED的陰極將與第二電源ELVss相連，OLED開(kāi)始工作發(fā)光。在t2時(shí)間段，Vscan處于低電平，因此Ts關(guān)斷，此時(shí)由于存儲(chǔ)電容C的電荷保持作用，T。的柵極將維持高電平狀態(tài)，Td繼續(xù)開(kāi)啟，OLED將繼續(xù)工作，直到后面某個(gè)時(shí)刻Vscan的高電平信號(hào)到來(lái)時(shí)，OLED的發(fā)光狀態(tài)可能會(huì)改變。由上可知，Ts控制數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端電壓Vdata的寫入，而T D控制OLED的工作狀態(tài)，存儲(chǔ)電容C主要起電壓保持作用，通常稱1為開(kāi)關(guān)晶體管，T。為驅(qū)動(dòng)晶體管。
[0005]但現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題:驅(qū)動(dòng)晶體管Td的閾值電壓會(huì)隨著面板顯示時(shí)間的增長(zhǎng)而發(fā)生漂移，而OLED的發(fā)光亮度與Td的閾值電壓Vth密切相關(guān)，因此，T。的閾值電壓Vth變化會(huì)對(duì)OLED的發(fā)光亮度產(chǎn)生相當(dāng)大的影響，即Td的閾值電壓Vth變化影響OLED的亮度均一性。另外，在AMOLED發(fā)光保持階段，由于Ts的漏電也會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)T D柵極的驅(qū)動(dòng)電壓的變化，導(dǎo)致AMOLED發(fā)光不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓變化影響OLED的亮度均一性以及開(kāi)關(guān)晶體管的漏電導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管Td柵極的驅(qū)動(dòng)電壓的變化而導(dǎo)致的AMOLED發(fā)光不均勻的問(wèn)題，提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、陣列基板、顯示裝置。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種像素電路，包括:工作單元、存儲(chǔ)模塊、驅(qū)動(dòng)模塊、補(bǔ)償模塊和控制模塊，所述驅(qū)動(dòng)模塊與所述控制模塊、所述補(bǔ)償模塊和所述存儲(chǔ)模塊連接，所述控制模塊與所述工作單元、所述補(bǔ)償模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述存儲(chǔ)模塊和信號(hào)輸入端連接，所述補(bǔ)償模塊與所述控制模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述存儲(chǔ)模塊和第一電源連接，所述存儲(chǔ)模塊與所述補(bǔ)償模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述控制模塊和所述信號(hào)輸入端相連，所述工作單元與所述控制模塊和第三電源連接；
[0008]初始化階段，所述補(bǔ)償模塊和所述驅(qū)動(dòng)模塊在所述第一電源的控制下進(jìn)行初始化；
[0009]數(shù)據(jù)寫入及補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端通過(guò)所述補(bǔ)償模塊向所述存儲(chǔ)模塊充電；
[0010]工作階段，所述控制模塊開(kāi)啟，所述存儲(chǔ)模塊通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)模塊向所述工作單元放電以使所述工作單元工作，并減少所述驅(qū)動(dòng)模塊的閾值電壓漂移對(duì)所述工作單元性能的影響。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)模塊包括存儲(chǔ)電容。
[0012]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一開(kāi)關(guān)晶體管；
[0013]所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述控制模塊，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接第三節(jié)點(diǎn)。
[0014]優(yōu)選地，所述補(bǔ)償模塊包括:第二開(kāi)關(guān)晶體管、第五開(kāi)關(guān)晶體管、第六開(kāi)關(guān)晶體管、
第一掃描線和第三掃描線；
[0015]所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第三節(jié)點(diǎn)；
[0016]所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述控制模塊，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接第二節(jié)點(diǎn)；
[0017]所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第三掃描線，所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述存儲(chǔ)模塊和所述第二節(jié)點(diǎn)，所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述第一電源。
[0018]優(yōu)選地，所述控制模塊包括第三開(kāi)關(guān)晶體管、第四開(kāi)關(guān)晶體管和第二掃描線；
[0019]所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接第一節(jié)點(diǎn)，所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)模塊；
[0020]所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接所述工作單元，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接所述第三節(jié)點(diǎn)。
[0021]優(yōu)選地，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管和所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的尺寸相同。
[0022]作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述像素電路包括:工作單元、存儲(chǔ)模塊、驅(qū)動(dòng)模塊、補(bǔ)償模塊和控制模塊，所述驅(qū)動(dòng)模塊與所述控制模塊、所述補(bǔ)償模塊和所述存儲(chǔ)模塊連接，所述控制模塊與所述工作單元、所述補(bǔ)償模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述存儲(chǔ)模塊和信號(hào)輸入端連接，所述補(bǔ)償模塊與所述控制模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述存儲(chǔ)模塊和第一電源連接，所述存儲(chǔ)模塊與所述補(bǔ)償模塊、所述驅(qū)動(dòng)模塊、所述控制模塊和所述信號(hào)輸入端相連，所述工作單元與所述控制模塊和第三電源連接；
[0023]所述驅(qū)動(dòng)方法包括:
[0024]初始化階段，所述補(bǔ)償模塊和所述驅(qū)動(dòng)模塊在所述第一電源的控制下進(jìn)行初始化；
[0025]數(shù)據(jù)寫入及補(bǔ)償階段，數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端通過(guò)所述補(bǔ)償模塊向所述存儲(chǔ)模塊充電；
[0026]工作階段，所述控制模塊開(kāi)啟，所述存儲(chǔ)模塊通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)模塊向所述工作單元放電以使所述工作單元工作，并減少所述驅(qū)動(dòng)模塊的閾值電壓漂移對(duì)所述工作單元性能的影響。
[0027]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述補(bǔ)償模塊包括第六開(kāi)關(guān)晶體管和第三掃描線；
[0028]所述補(bǔ)償模塊和所述驅(qū)動(dòng)模塊在所述第一電源的控制下進(jìn)行初始化包括:
[0029]所述第六開(kāi)關(guān)晶體管在所述第三掃描線輸出的第三掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟；
[0030]所述第一電源通過(guò)開(kāi)啟的所述第六開(kāi)關(guān)晶體管向所述第一開(kāi)關(guān)晶體管輸出第一電源電壓，以使所述第一開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)啟。
[0031 ] 優(yōu)選地，所述第一電源電壓ELVd = 2 (Vdata+Vth) -ELVss，其中，所述Vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端電壓，所述Vth為所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，所述ELVss為信號(hào)輸入端電壓。
[0032]優(yōu)選地，所述補(bǔ)償模塊包括第一掃描線、第二開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一開(kāi)關(guān)晶體管；
[0033]所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端通過(guò)所述補(bǔ)償模塊向所述存儲(chǔ)模塊充電包括:
[0034]所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和第五開(kāi)關(guān)晶體管在所述第一掃描線輸出的第一掃描信號(hào)的控制下開(kāi)啟；
[0035]所述數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端通過(guò)開(kāi)啟的所述第二開(kāi)關(guān)晶體管和所述第五開(kāi)關(guān)晶體管向所述第一開(kāi)關(guān)晶體管輸出數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端電壓；
[0036]所述第一開(kāi)關(guān)晶體管向所述存儲(chǔ)模塊充電。
[0037]優(yōu)選地，所述控制模塊包括第二掃描線、第三開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體