一種goa電路及液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶領(lǐng)域，特別是涉及一種GOA電路及液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，為了實(shí)現(xiàn)液晶顯示屏的窄邊框或無邊框，通常采用銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(IGZ0 TFT)來實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver On Array，GOA)。由于IGZO TFT具有較負(fù)的開啟電壓(Vth)和較小的亞閾值擺幅(Subthreshold Swing，SS)，在柵極與源極的電位差(Vgs)等于O的情況下，IGZO TFT仍然無法正常關(guān)閉，存在較大的漏電，從而降低了GOA電路的穩(wěn)定性、增加了 GOA電路的功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種GOA電路及液晶顯示器，能夠阻斷GOA電路中IGZO TFT的漏電途徑，從而增強(qiáng)GOA電路的穩(wěn)定性。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種GOA電路，用于液晶顯示器，其中，該GOA電路包括級(jí)聯(lián)的多個(gè)GOA單元，其中，第N級(jí)GOA單元包括:上拉控制模塊、下傳模塊、上拉模塊、下拉維持模塊和漏電控制模塊；上拉控制模塊包括第一晶體管，第一晶體管的柵極與第N-1級(jí)下傳信號(hào)連接，第一晶體管的漏極與第一漏電控制信號(hào)連接，第一晶體管的源極與第N級(jí)柵極信號(hào)連接；下傳模塊包括第二晶體管，第二晶體管的柵極與第N級(jí)柵極信號(hào)連接，第二晶體管的漏極與第N條時(shí)鐘信號(hào)線連接，第二晶體管的源極輸出第N級(jí)下傳信號(hào)；上拉模塊包括第三晶體管，第三晶體管的柵極與第N級(jí)柵極信號(hào)連接，第三晶體管的漏極與第N條時(shí)鐘信號(hào)線連接，第三晶體管的源極輸出第N級(jí)掃描信號(hào)；下拉維持模塊包括第五晶體管和第八晶體管，第五晶體管的柵極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第五晶體管的漏極與第N級(jí)下傳信號(hào)連接，第五晶體管的源極與第一直流低電壓連接，第八晶體管的柵極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第八晶體管的源極與第一直流低電壓連接，第八晶體管的漏極與第N級(jí)柵極信號(hào)連接；漏電控制模塊串接于第N級(jí)柵極信號(hào)與第八晶體管之間和/或第N級(jí)下傳信號(hào)與第五晶體管之間，用于在第N級(jí)掃描信號(hào)有效期間，通過第二漏電控制信號(hào)阻斷第N級(jí)柵極信號(hào)經(jīng)第八晶體管的漏電途徑和/或第N級(jí)下傳信號(hào)經(jīng)第五晶體管的漏電途徑。
[0005]其中，漏電控制模塊包括第四晶體管和第七晶體管，第四晶體管的柵極與第二漏電控制信號(hào)連接，第四晶體管的漏極與直流信號(hào)源連接，第四晶體管的源極與第八晶體管的漏極連接，第七晶體管串接于第N級(jí)柵極信號(hào)和第八晶體管的漏極之間，第七晶體管的柵極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第七晶體管的漏極與第N級(jí)柵極信號(hào)連接，第七晶體管的源極與第八晶體管的漏極連接，以在第N級(jí)掃描信號(hào)有效期間阻斷第N級(jí)柵極信號(hào)經(jīng)第八晶體管的漏電途徑。
[0006]其中，第二漏電控制信號(hào)為第N級(jí)下傳信號(hào)。
[0007]其中，第二漏電控制信號(hào)為第N-1級(jí)柵極信號(hào)。
[0008]其中，漏電控制模塊進(jìn)一步包括第六晶體管，第六晶體管串接于第N級(jí)下傳信號(hào)和第五晶體管的漏極之間，第六晶體管的柵極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第六晶體管的漏極與第N級(jí)下傳信號(hào)連接，第六晶體管的源極與第五晶體管的漏極、第四晶體管的源極連接，以在第N級(jí)掃描信號(hào)有效期間阻斷第N級(jí)下傳信號(hào)經(jīng)第五晶體管的漏電途徑。
[0009]其中，第一漏電控制信號(hào)為第N-1級(jí)柵極信號(hào)，以在第N級(jí)掃描信號(hào)有效期間阻斷第N級(jí)柵極信號(hào)經(jīng)第一晶體管的漏電途徑。
[0010]其中，第N級(jí)GOA單元進(jìn)一步包括下拉模塊，下拉模塊包括第九晶體管、第十晶體管、第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管，第九晶體管的柵極與第N級(jí)下傳信號(hào)連接，第九晶體管的源極與第二直流低電壓連接，第九晶體管的漏極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第十晶體管的柵極與第N-1級(jí)下傳信號(hào)連接，第十晶體管的源極與第二直流低電壓連接，第十晶體管的漏極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第十一晶體管的柵極與第N-1級(jí)下傳信號(hào)連接，第十一晶體管的源極與第二直流低電壓連接，第十一晶體管的漏極與第十二晶體管的源極連接，第十二晶體管的柵極與第N-1條時(shí)鐘信號(hào)線連接，第十二晶體管的漏極與第十三晶體管的柵極、第十四晶體管的源極連接，第十三晶體管的源極與第N級(jí)公共信號(hào)連接，第十三晶體管、第十四晶體管的漏極與直流信號(hào)源連接，第十四晶體管的柵極與第N+2條時(shí)鐘信號(hào)線連接。
[0011]其中，第一直流低電壓的電位小于第二直流低電壓的電位，第N-1級(jí)、第N級(jí)下傳信號(hào)的低電位小于第二直流低電壓的電位，以在N級(jí)掃描信號(hào)無效期間阻斷第N級(jí)公共信號(hào)經(jīng)第九晶體管、第十晶體管、第十一晶體管的漏電途徑。
[0012]其中，第N級(jí)GOA單元接收第一時(shí)鐘信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)、第三時(shí)鐘信號(hào)和第四時(shí)鐘信號(hào)，第一時(shí)鐘信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)、第三時(shí)鐘信號(hào)、第四時(shí)鐘信號(hào)在一個(gè)工作周期依次分時(shí)有效，其中，當(dāng)?shù)贜條時(shí)鐘信號(hào)線為第一時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，第N+2條時(shí)鐘信號(hào)線為第三時(shí)鐘信號(hào)，第N-1條時(shí)鐘信號(hào)線為第四時(shí)鐘信號(hào)。
[0013]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示器，包括了上述GOA電路。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的GOA電路及液晶顯示器通過增加串接于第N級(jí)柵極信號(hào)與第八晶體管之間和/或串接于第N級(jí)下傳信號(hào)與第五晶體管之間的漏電控制模塊，從而實(shí)現(xiàn)了在第N級(jí)掃描信號(hào)有效期間阻斷第N級(jí)柵極信號(hào)經(jīng)第八晶體管的漏電途徑和/或第N級(jí)下傳信號(hào)經(jīng)第五晶體管的漏電途徑，進(jìn)而增強(qiáng)了 GOA電路的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的GOA電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是圖1所示GOA電路中GOA單元的第一實(shí)施例的電路原理圖；
[0017]圖3是圖1所示GOA電路中GOA單元的第一實(shí)施例的工作時(shí)序圖；
[0018]圖4是圖1所示GOA電路中GOA單元的第二實(shí)施例的電路原理圖；
[0019]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯不器的結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件，所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的基準(zhǔn)。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0021]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的GOA電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，GOA電路10包括級(jí)聯(lián)的多個(gè)GOA單元11。其中，第N級(jí)GOA單元11用于在第一時(shí)鐘信號(hào)CKl、第二時(shí)鐘信號(hào)CK2、第三時(shí)鐘信號(hào)CK3、第四時(shí)鐘信號(hào)CK4、下傳信號(hào)ST (N-1)的控制下，輸出掃描信號(hào)G(N)以對顯示區(qū)域中對應(yīng)的第N條水平掃描線進(jìn)行充電。其中，第一時(shí)鐘信號(hào)CK1、第二時(shí)鐘信號(hào)CK2、第三時(shí)鐘信號(hào)CK3、第四時(shí)鐘信號(hào)CK4在GOA電路的一個(gè)工作周期依次分時(shí)有效也即依次分時(shí)為高電位。其中，GOA電路中的晶體管為IGZO TFT0
[0022]圖2是圖1所示GOA電路中GOA單元的第一實(shí)施例的電路原理圖。如圖2所示，第N級(jí)GOA單元11包括上拉控制模塊100、下傳模塊200、上拉模塊300、下拉維持模塊400、漏電控制模塊500和下拉模塊600。
[0023]上拉控制模塊100包括第一晶體管Tl，第一晶體管Tl的柵極與第N-1級(jí)下傳信號(hào)ST(N-1)連接，第一晶體管Tl的漏極與第一漏電控制信號(hào)連接，第一晶體管Tl的源極與第N級(jí)柵極信號(hào)Q(N)連接。在本實(shí)施例中，第一漏電控制信號(hào)為第N-1級(jí)柵極信號(hào)Q(N-1)。其中，在第N級(jí)掃描信號(hào)G(N)有效期間，第N-1級(jí)柵極信號(hào)Q(N-1)為高電位使得第一晶