一種Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)制程上的瑕瘋，可能會導(dǎo)致生產(chǎn)出來的LCD面板亮度不均勻，形成各種各樣的Mura(斑紋)缺陷。為了提升LCD面板亮度均勻性，目前已有Mura補償方法，即通過相機拍攝出灰階畫面(不同亮度的純白畫面)的Mura形態(tài)，通過對比LCD面板中心位置的亮度，計算出LCD面板四周區(qū)域與中心位置亮度的差異，然后通過反向補償Mura位置的灰階值，使LCD面板整體達到比較一致的亮度。例如，在比中心位置亮的區(qū)域，降低灰階值，從而使該區(qū)域的亮度變暗；在比中心位置暗的區(qū)域，提高灰階值，從而使該區(qū)域的亮度變亮。
[0003]目前市面上支持全高清(Full High Definit1n，F(xiàn)HD)分辨率(1920X1080)的時序控制(Timing Controller,TC0N)芯片，并未整合Mura補償功能。因此，在FHD分辨率IXD面板中，大都是通過一顆獨立的Mura補償芯片與TC0N芯片相配合來完成Mura補償功能。如圖1和圖2所示，通過對Mura補償芯片輸入LCD面板的原始灰階數(shù)據(jù)，Mura補償芯片計算出LCD面板四周區(qū)域與中心位置亮度的差異，并從FLASH存儲器中讀取相應(yīng)的Mura補償數(shù)據(jù)，進而控制所述TC0N芯片輸出Mura補償后的灰階數(shù)據(jù)，實現(xiàn)對LCD面板的Mura補償。在上述方案中，Mura補償芯片需要搭配兩顆數(shù)據(jù)存儲器:一顆為I2C(Inter-1ntegratedCircuit)接口的電可擦可編程只讀存儲器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory, EEPR0M)，用于存儲Mura補償芯片的設(shè)定參數(shù)；另一顆為串行外設(shè)接口(Serial Peripheral Interface，SPI)的 FLASH 存儲器，用于存儲 Mura 補償數(shù)據(jù)。如圖 3所示，在對所述兩顆數(shù)據(jù)存儲器進行數(shù)據(jù)寫入時，需要采用兩個不同的連接器及兩個不同的數(shù)據(jù)文檔來對所述兩顆數(shù)據(jù)存儲器分別進行數(shù)據(jù)寫入，使得數(shù)據(jù)寫入過程復(fù)雜，且耗時較長。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供一種Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置，通過復(fù)用一個連接器，實現(xiàn)Mura補償芯片的設(shè)定參數(shù)及Mura補償數(shù)據(jù)的寫入，以簡化Mura補償數(shù)據(jù)寫入過程，提升數(shù)據(jù)寫入效率，并降低生產(chǎn)成本。
[0005]另，本發(fā)明還提供一種Mura補償數(shù)據(jù)寫入方法。
[0006]—種Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置，包括Mura補償芯片、第一存儲器、第二存儲器、連接器及控制電路，所述Mura補償芯片與所述第一存儲器、第二存儲器及連接器電性連接，所述連接器與所述第一存儲器電性連接，并通過所述控制電路與所述第二存儲器電性連接，所述第一存儲器與第二存儲器均包括允許寫入狀態(tài)和寫入保護狀態(tài)兩種工作狀態(tài)，所述控制電路用于控制所述第二存儲器與所述第一存儲器處于不同的工作狀態(tài)，所述連接器用于在所述第一存儲器進入允許寫入狀態(tài)時向所述第一存儲器寫入第一數(shù)據(jù)，并在所述第二存儲器進入允許寫入狀態(tài)時，通過所述Mura補償芯片向所述第二存儲器寫入第二數(shù)據(jù)。
[0007]其中，所述Mura補償芯片包括第一通信接口，所述第一存儲器包括第一讀寫接口及第一保護接口，所述連接器包括數(shù)據(jù)輸入接口及讀寫控制接口 ；所述第一通信接口與所述第一讀寫接口連接；所述數(shù)據(jù)輸入接口與所述第一通信接口及第一讀寫接口連接；所述讀寫控制接口與所述第一保護接口連接。
[0008]其中，所述Mura補償芯片還包括第二通信接口，所述第二存儲器包括第二讀寫接口及第二保護接口，所述第二通信接口與所述第二讀寫接口連接，所述讀寫控制接口通過所述控制電路與所述第二保護接口連接，所述控制電路用于控制所述第二存儲器與所述第一存儲器處于不同的工作狀態(tài)。
[0009]其中，所述控制電路包括晶體管、第一電阻及第二電阻，所述晶體管包括柵極、源極及漏極，所述柵極與所述讀寫控制接口連接；所述源極用于接入第一電平的控制信號；所述第一電阻一端與所述源極連接，另一端與所述讀寫控制接口連接；所述漏極與所述第二保護接口連接；所述第二電阻一端與所述漏極及所述第二保護接口連接，另一端接地。
[0010]其中，所述晶體管為P型金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
[0011]其中，所述第一讀寫接口用于向所述第一存儲器寫入所述第一數(shù)據(jù)；所述第一保護接口用于接入第一電平或第二電平的控制信號，當(dāng)所述第一保護接口接入第一電平的控制信號時，所述第一存儲器進入允許寫入狀態(tài)，當(dāng)所述第一保護接口接入第二電平的控制信號時，所述第一存儲器進入寫入保護狀態(tài)。
[0012]其中，當(dāng)所述讀寫控制接口輸出第一電平的控制信號時，所述第一存儲器進入允許寫入狀態(tài)，所述第二存儲器進入寫入保護狀態(tài)；所述數(shù)據(jù)輸入接口輸入第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)通過所述第一讀寫接口寫入所述第一存儲器。
[0013]其中，所述第二讀寫接口用于向所述第二存儲器寫入所述第二數(shù)據(jù)；所述第二保護接口用于接入第一電平或第二電平的控制信號，當(dāng)所述第二保護接口接入第一電平的控制信號時，所述第二存儲器進入允許寫入狀態(tài)，當(dāng)所述第二保護接口接入第二電平的控制信號時，所述第二存儲器進入寫入保護狀態(tài)。
[0014]其中，當(dāng)所述讀寫控制接口輸出第二電平的控制信號時，所述第一存儲器進入寫入保護狀態(tài)，所述第二存儲器進入允許寫入狀態(tài)；所述數(shù)據(jù)輸入接口輸入第二數(shù)據(jù)，所述第二數(shù)據(jù)通過所述第一通信接口傳輸?shù)剿鯩ura補償芯片，并由所述第二通信接口輸出給所述第二讀寫接口，進而通過所述第二讀寫接口寫入所述第二存儲器。
[0015]一種Mura補償數(shù)據(jù)寫入方法，包括:
[0016]連接器的讀寫控制端口輸出第一電平的控制信號，控制第一存儲器進入允許寫入狀態(tài)；
[0017]控制電路將所述第一電平的控制信號轉(zhuǎn)換為第二電平的控制信號，控制所述第二存儲器進入寫入保護狀態(tài)；
[0018]連接器的數(shù)據(jù)輸入接口輸入第一數(shù)據(jù)，所述第一數(shù)據(jù)通過第一讀寫接口寫入所述第一存儲器；
[0019]連接器的讀寫控制端口輸出第二電平的控制信號，控制第一存儲器進入寫入保護狀態(tài)；
[0020]控制電路將所述第二電平的控制信號轉(zhuǎn)換為第一電平的控制信號，控制所述第二存儲器進入允許寫入狀態(tài)；
[0021]連接器的數(shù)據(jù)輸入接口輸入第二數(shù)據(jù)，所述第二數(shù)據(jù)通過第一通信接口傳輸?shù)組ura補償芯片；
[0022]所述Mura補償芯片將所述第二數(shù)據(jù)通過第二通信接口輸出給第二讀寫接口，并由所述第二讀寫接口寫入所述第二存儲器。
[0023]所述Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置通過將所述連接器設(shè)置為與所述第一存儲器電性連接，并通過所述控制電路與所述第二存儲器電性連接，由所述控制電路控制所述第一存儲器與所述第二存儲器處于不同的工作狀態(tài)，進而通過所述連接器在所述第一存儲器進入允許寫入狀態(tài)時向所述第一存儲器寫入第一數(shù)據(jù)，并在所述第二存儲器進入允許寫入狀態(tài)時，通過所述Mura補償芯片向所述第二存儲器寫入第二數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)所述連接器的復(fù)用，簡化了所述Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置的結(jié)構(gòu)及Mura補償數(shù)據(jù)寫入過程，有利于提升數(shù)據(jù)寫入效率，并降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中Mura補償功能的實現(xiàn)原理框圖；
[0026]圖2為圖1所示原始灰階數(shù)據(jù)與Mura補償數(shù)據(jù)的對比示意圖；
[0027]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實施例提供的Mura補償數(shù)據(jù)寫入裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實施例提供的Mura補償數(shù)據(jù)寫入方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0031]為便于描述，這里可以使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”
等空間相對性術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征的關(guān)系?？梢岳斫?，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”