例中，鍵合層414包括材料諸如銦、金、銀、鉬、錫、鋁、硅或合金或它們的合金。鍵合層414 可以是微型器件鍵合層和鍵合層140的合金或金屬間化合物。
[0073] 除了鍵合層140之外，圖1A-圖1C所示的實施例包括每個堤開口 128內(nèi)的修復(fù)鍵 合部位401，該堤開口足夠大以接收微型LED器件。這樣，多個鍵合層140和修復(fù)鍵合部位 401在每個堤開口 128內(nèi)生成冗余和修復(fù)配置。在圖1A-圖1C所示的特定實施例中，修復(fù) 鍵合部位401被示出為反射堤層142上的裸露表面。然而，本發(fā)明的實施例并不限于該情 況。在其他實施例中，修復(fù)鍵合部位401還可包括鍵合層140,該鍵和層類似于針對先前存 在的冗余方案所述和所示的其他兩個鍵合層140。因此，在一些實施例中，在冗余方案中的 所有預(yù)期的微型LED器件的部位處以及在修復(fù)部位401處的反射堤層142上提供鍵合層 140〇
[0074] 在所示的實施例中，接地聯(lián)絡(luò)線144的布置可在顯示面板100的像素區(qū)域104中 的堤開口 128之間延伸。此外，多個開口 149暴露多個接地聯(lián)絡(luò)線144。開口 149的數(shù)量可 與堤開口 128的（從頂部到底部）列的數(shù)量具有或不具有1:1的相關(guān)性。例如，在圖1A所 示的實施例中，針對每列堤開口 128來形成接地聯(lián)絡(luò)開口 149,然而這不是必須的，并且接 地聯(lián)絡(luò)開口 149的數(shù)量可多于或少于堤開口 128的列的數(shù)量。類似地，接地聯(lián)絡(luò)線144的 數(shù)量可與堤開口的（從左到右）行的數(shù)量具有或不具有1:1的相關(guān)性。例如，在所示的實 施例中，針對每兩行堤開口 128來形成接地聯(lián)絡(luò)線144,然而這不是必須的，并且接地聯(lián)絡(luò) 線144的數(shù)量可與堤開口 128的行的數(shù)量（η)具有1:1的相關(guān)性或任何l:n的相關(guān)性。
[0075] 盡管已利用在顯示面板100上方從左到右水平延伸的接地聯(lián)絡(luò)線144描述和示出 了以上實施例，但實施例并不受此限制。在其他實施例中，接地聯(lián)絡(luò)線可垂直延伸或既水平 延伸又垂直延伸，以形成柵格。根據(jù)本發(fā)明的實施例設(shè)想了若干個可能的變型。根據(jù)本發(fā) 明的實施例，接地聯(lián)絡(luò)線形成于像素區(qū)域中的堤開口 128之間并且電連接到非顯示區(qū)域中 的接地環(huán)116或接地線。這樣，可向子像素的矩陣更均勻地應(yīng)用接地信號，從而實現(xiàn)顯示面 板100上方的更均勻的亮度。此外，通過利用導(dǎo)電率好于頂部電極層（尚未形成）的材料 來形成接地聯(lián)絡(luò)線144,這樣可減小電接地路徑的接觸電阻。
[0076] 應(yīng)當(dāng)理解，圖1A-圖1C中所示的垂直微型LED器件400和接地聯(lián)絡(luò)線144的具體 布置是示例性的，并且也可利用其他微型LED器件來實施本發(fā)明的實施例。例如，類似于上 文相對于圖1C所述的，圖1D示出了被轉(zhuǎn)移和鍵合到顯示器襯底102的另選微型LED器件 400。類似于圖1C的微型LED器件，圖1D中的微型LED器件包括微型p-n二極管，該微型 p-n二極管包括與一個或多個量子阱層416相對的摻雜層405, 409。與圖1C的微型LED器 件不同，圖ID中的微型LED器件包括至兩個摻雜層405, 409的底部觸件。例如，底部觸件 404形成于摻雜層405上，并且底部觸件403形成于摻雜層409上。還可任選地在圖1D的 微型LED器件上形成保形電介質(zhì)阻擋層407,這尤其用于保護(hù)包括一個或多個量子阱層416 的側(cè)壁406。由于圖1D的微型LED器件400包括針對η摻雜和p摻雜層兩者的底部觸件， 因此也可將反射層142分隔到兩個電獨立層中，以分別與底部觸件404, 403進(jìn)行電接觸。因 此，可在本發(fā)明的實施例中實施圖1D的微型LED器件，其中不需要具有頂部觸件和底部觸 件，并且微型LED器件可與底部觸件可操作地連接。
[0077] 現(xiàn)在參考圖2A-圖2D等軸視圖，其提供了根據(jù)本發(fā)明的實施例的被安裝在子像素 108的反射堤層內(nèi)的微型LED器件的布置。如上所述，圖2A示出了沿堤開口 128的側(cè)壁和 底表面以及部分地沿與堤開口 128相鄰的圖案化堤層126的頂表面形成的反射堤層142。 在圖2A所示的實施例中，在反射堤層142內(nèi)安裝一對微型LED器件400,使得它們沿堤開 口的長度與相對的側(cè)壁均勻間隔。因此，圖2A對于示例性微型LED器件冗余方案是示例性 的。在圖2B所示的實施例中，在反射堤層142內(nèi)安裝一對微型LED器件400,使得有空間用 于修復(fù)鍵合部位401處的附加微型LED器件。因此，圖2B對于具有修復(fù)部位的示例性微型 LED器件冗余方案是示例性的。
[0078] 在實際應(yīng)用中，不期望始終實現(xiàn)100%地從承載襯底向顯示器襯底102成功地轉(zhuǎn) 移微型LED器件400并且具有沒有缺陷、缺失或受污染的微型LED器件。根據(jù)本發(fā)明的實 施例，微型LED器件的尺度可為1μm到100μm，例如最大寬度為約20μm、10μm或5μm。 制造此類微型LED器件使得它們保持平衡，以用于使用靜電轉(zhuǎn)移頭部陣列來從承載襯底拾 取顯示器襯底并被轉(zhuǎn)移到顯示器襯底。有缺陷的微型LED器件可能起因于各種原因，諸如 污染、應(yīng)力斷裂和導(dǎo)電層之間的短接。在轉(zhuǎn)移操作期間，由于各種原因也可能不會拾取微型 LED器件，該各種原因諸如承載襯底的非平面性、污染（例如，微粒）或?qū)⑽⑿蚅ED器件不規(guī) 則粘附到承載襯底。在完成微型LED器件400轉(zhuǎn)移操作之后，可執(zhí)行測試以檢測有缺陷、缺 失或受污染的微型LED器件并確定是否需要執(zhí)行任何修復(fù)操作。
[0079] 圖2C-圖2D示出了在檢測有缺陷、缺失或受污染微型LED器件之后在修復(fù)部位處 放置附加微型LED器件的示例性應(yīng)用。例如，在如圖2B所示轉(zhuǎn)移并鍵合微型LED器件400 之后，可檢查被轉(zhuǎn)移到顯示器襯底的微型LED器件。如果發(fā)現(xiàn)微型LED器件400X有缺陷或 者被污染，則可如圖2C所示的在修復(fù)部位401處鍵合修復(fù)微型LED器件400。另選地，如果 發(fā)現(xiàn)未將微型LED器件轉(zhuǎn)移到預(yù)期鍵合部位，則可如圖2D所示的在修復(fù)部位401處鍵合修 復(fù)微型LED器件400。
[0080] 現(xiàn)在參考圖3A-圖3C等軸視圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的被安裝在子像素 的反射堤層內(nèi)的微型LED器件的布置，該子像素具有在單獨的微型LED器件上方形成的獨 立波長轉(zhuǎn)換層。如圖3A所示，在一對微型LED器件的各個微型LED器件400中的每個微型 LED器件上方形成獨立波長轉(zhuǎn)換層310。如圖3B所示，已將修復(fù)微型LED器件400轉(zhuǎn)移到 反射堤層142,并在一對微型LED器件的各個微型LED器件400中的每個微型LED器件上形 成獨立波長轉(zhuǎn)換層310。在這種配置中，未在有缺陷或受污染的微型LED器件400X上形成 波長轉(zhuǎn)換層310。圖3C類似于圖3B，只是未在與缺失的微型LED器件對應(yīng)的鍵合層140上 方形成波長轉(zhuǎn)換層。
[0081]圖4A-圖4C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的被安裝在子像素的反射堤層內(nèi)的微型 LED器件的布置的等軸視圖，該子像素具有在微型LED器件上方形成的單個波長轉(zhuǎn)換層。圖 4A-圖4C中的微型LED器件的布置與圖3A-圖3C中所示的示例性布置相同，其中差別在于 在子像素內(nèi)或在反射堤層142內(nèi)的所有微型LED器件400上方形成單個波長轉(zhuǎn)換層310。 如圖4B-圖4C所示的，也可在有缺陷或受污染的微型LED器件400X或與缺失微型LED器 件對應(yīng)的鍵合層140上方形成波長轉(zhuǎn)換層130。
[0082] 在圖4A-圖4C所示的實施例中，波長轉(zhuǎn)換層130被示出為在子像素內(nèi)的反射堤層 142內(nèi)，然而在其他實施例中，波長轉(zhuǎn)換層130形成于整個反射堤層142上方，如圖5中所 示。在其他實施例中，在反射堤層142的至少底表面和側(cè)壁上方形成波長轉(zhuǎn)換層130?？稍?圖案化堤層126的頂部上形成的反射堤層142的部分上方形成黑矩陣材料或白矩陣材料。 這樣，從觀察者能夠看到的反射堤層142內(nèi)的微型LED器件發(fā)射的所有光通過波長轉(zhuǎn)換層。 此外，此類配置需要來自其他光源（諸如，位于顯示器外部）的反射光通過波長轉(zhuǎn)換層310。 應(yīng)當(dāng)理解，盡管圖5示出了圖2B的微型LED器件400對配置，但可在被安裝在被反射堤層 142內(nèi)的任何微型LED器件配置上方形成圖5的波長轉(zhuǎn)換層310,該波長轉(zhuǎn)換層310例如包 括前面在圖2A、圖2C和圖2D中示出的那些波長轉(zhuǎn)換層。
[0083] 到目前為止，已將圖3A-圖5中的波長轉(zhuǎn)換層130示出為圓頂形配置，該圓頂形配 置可由波長轉(zhuǎn)換層130和任選的附加層形成。例如，可在波長轉(zhuǎn)換層下方形成光分布層，如 以下描述中將要更加詳細(xì)描述的那樣。圓頂形輪廓可以是半球形的、平坦的或狹窄的。例 如，半球形輪廓可改善光提取并產(chǎn)生Lambertian發(fā)射圖案?？墒褂脤A頂輪廓的平坦化或 窄化來調(diào)節(jié)光發(fā)射設(shè)備的視角。根據(jù)本發(fā)明的實施例，可調(diào)節(jié)各層的厚度和輪廓以便改變 來自微型LED器件的發(fā)射光束輪廓，以及可能與邊緣效應(yīng)相關(guān)的顯示器的角度特性方面的 顏色。
[0084] 現(xiàn)在參考圖6A-圖8B，其示出了包括細(xì)長圓頂形波長轉(zhuǎn)換層的各種配置，該各種 配置可由波長轉(zhuǎn)換層130以及任選的附加層形成。例如，可在波長轉(zhuǎn)換層下方形成光分布 層，如以下描述中將要更加詳細(xì)描述的那樣。這樣，光分布層可充當(dāng)光管，以提高反射堤層 內(nèi)的微型LED器件的填充因子。
[0085] 圖6A-圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的被安裝在子像素的反射堤層內(nèi)的微型 LED器件的布置的等軸視圖，該子像素具有在微型LED器件上方形成的單個細(xì)長波長轉(zhuǎn)換 層。圖6A-圖6C中的微型LED器件的布置與圖3A-圖3C中所示的示例性布置相同，其中 差別在于在子像素內(nèi)或反射堤層142內(nèi)的所有微型LED器件400上方形成單個細(xì)長波長轉(zhuǎn) 換層310。如圖6B-圖6C所示，也可在有缺陷或受污染微型LED器件400X或與缺失微型 LED器件對應(yīng)的鍵合層140上方形成細(xì)長波長轉(zhuǎn)換層130。
[0086] 在圖6A-圖6C所示的實施例中，波長轉(zhuǎn)換層130被示出為僅在子像素內(nèi)的反射堤 層142的底表面上。圖7A示出了其中在反射堤層142的至少底表面和側(cè)壁上方形成波長轉(zhuǎn) 換層130的實施例。圖7B示出了其中在整個反射堤層142上方形成波長轉(zhuǎn)換層130的實 施例。這樣，從觀察者能夠看到的反射堤層142內(nèi)的微型LED器件發(fā)射的所有光通過波長 轉(zhuǎn)換層。圖7B中所示的配置需要源自除微型LED器件之外的光源（諸如，在顯示器外部） 的被反射堤層142反射的光通過波長轉(zhuǎn)換層310。在圖6A-圖6C和圖7A中所示的配置中， 可在圖案化堤層126的頂部上形成的反射堤層142的部分上方形成黑矩陣材料或白矩陣材 料。應(yīng)當(dāng)理解，盡管圖7A-圖7B示出了圖2B的微型LED器件400對配置，但可在被安裝在 反射堤層142內(nèi)的任何微型LED器件配置上方形成圖7A-圖7B的波長轉(zhuǎn)換層310,該波長 轉(zhuǎn)換層310例如包括前面在圖2A、圖2C和圖2D中示出的那些波長轉(zhuǎn)換層。
[0087] 到目前為止，已示出了在單個反射堤層142上方形成波長轉(zhuǎn)換層的配置。在圖 8A-圖8B所示的實施例中，波長轉(zhuǎn)換層被示出為形成于多個反射堤層142上方或跨越多個 反射堤層142。例如，每個反射堤層142可對應(yīng)于像素內(nèi)的子像素。圖8A是示出了根據(jù)本 發(fā)明的實施例的包括形成于與多個子像素對應(yīng)的多個反射堤層142上方的細(xì)長圓頂形波 長轉(zhuǎn)換層310的像素的等軸視圖。如圖所示，波長轉(zhuǎn)換層310可形成于像素內(nèi)的所有反射 堤層142上方。圖8B是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括形成于與多個子像素對應(yīng)的多 個反射堤層142上方的細(xì)長圓頂形波長轉(zhuǎn)換層310和形成于與單個子像素對應(yīng)的單個反射 堤層142上方的細(xì)長圓頂形波長轉(zhuǎn)換層310的像素的等軸視圖。
[0088] 到目前為止，已將波長轉(zhuǎn)換層310示出為單層系統(tǒng)。在一些實施例中，若干個附加 層可形成于波長轉(zhuǎn)換層下方或上方。例如，波長轉(zhuǎn)換層可被包括在微型透鏡配置中，可設(shè)定 該波長轉(zhuǎn)換層的形狀以改變來自微型LED器件400的光發(fā)射光束輪廓。
[0089] 現(xiàn)在參考圖9A，其提供了根據(jù)本發(fā)明的實施例的微型LED器件周圍的光管形式的 光分布層以及光管上方的波長轉(zhuǎn)換層的組合視圖。圖9A被稱為組合視圖，因為它包括針對 微型LED器件位置的等軸視圖、平面圖以及層的橫截面視圖的特性。在以下實施例中，相對 于特定的垂直微型LED器件400的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。應(yīng)當(dāng)理解，所示出的具體微型LED器件 400是示例性的，并且本發(fā)明的實施例不受限制。例如，也可利用LED器件諸如參照圖1D所 述和所示的那些LED器件來實施本發(fā)明的實施例。還相對于光管形式的光分布層320進(jìn)行 以下描述。應(yīng)當(dāng)理解，除了別的之外，選擇此類配置是為了充分描述層和形狀的多種可能布 置，并且也可使用層的布置來形成前述任何輪廓，諸如圓頂形和細(xì)長圓頂形。
[0090] 如圖9A所示，在形成波長轉(zhuǎn)換層320之前，在一個或多個微型LED器件400周圍 任選地形成光分布層320。如本文所述，可橫向地形成微型LED器件"周圍"的層以到達(dá)微 型LED器件或在其上方或下方。因此，術(shù)語微型LED器件"周圍"不需要層位于相對于微型 LED器件的所有方向處。相反，術(shù)語"周圍"只在表示相鄰區(qū)域，來自微型LED器件的發(fā)射光 束路徑被設(shè)計成穿過該相鄰區(qū)域。在圖9A所示的特定實施例中，微型LED器件400周圍的 光管既在橫向上到達(dá)微型LED器件又在其上方。
[0091] 可設(shè)定光管形式的光分布層320的形狀，以既允許來自微型LED器件400的入射 光從光管并且朝波長轉(zhuǎn)換層310折射出去，又使得來自微型LED器件400的入射光在光分 布層320內(nèi)發(fā)生內(nèi)反射和橫向擴散。光分布層320可比微型LED器件400厚。在一個實施 例中，光分布層320的厚度是1μm-100μm。光分布層的橫向長度/寬度可大于光分布層的 厚度，以便支持入射光的橫向擴散。在一個示例性實施例中，考慮1〇〇μπιΧ100μπι寬的子 像素，光分布層320可具有100μm的橫向長度，100μm的橫向?qū)挾龋⑶腋叨鹊扔诨蛐∮谧?大橫向長度或?qū)挾取?br>[0092] 光分布層320也可以是圓頂形的，以產(chǎn)生從光管折射出來的徑向擴散。圓頂形的 形狀輪廓可以是半球形。圓頂形也可以是平坦的或狹窄的。在一些實施例中，光分布層320 是細(xì)長的圓頂形。在一個實施例中，光分布層320的厚度和輪廓提供了一種基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，在該 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上形成微型透鏡結(jié)果，以便改變來自微型LED器件400的發(fā)射光束輪廓，以及可能 與邊緣效應(yīng)相關(guān)的顯示器的角度特性方面的顏色。光分布層320可由各種透明材料諸如環(huán) 氧樹脂、硅樹脂和丙烯酸樹脂形成，該各種透明材料在標(biāo)稱590nm波長下具有以下所報告 的折射率（n):n= 1. 51-1. 57 (環(huán)氧樹脂），η= 1. 38-1. 58 (娃樹脂），η= 1. 49 (丙稀酸 樹脂）。在一個實施例中，光分布層320是通過噴墨印刷形成的。在一個實施例中，通過施 加熔融的玻璃來形成光分布層320。玻璃組分可以是各種組分，該各種組分在丙烯酸樹脂 玻璃、冕牌玻璃、燧石玻璃，和硼硅玻璃的范圍內(nèi)，它們的折射率可匹配形成波長轉(zhuǎn)換層310 的基體材料，諸如環(huán)氧樹脂、硅樹脂或丙烯酸樹脂?？赏ㄟ^若干種處理技術(shù)來生成光分布層 320的特定輪廓。一種方式是調(diào)節(jié)噴墨印刷的材料上的表面張力。也可使用平版印刷或其 他晶片級光學(xué)技術(shù)，諸如用于形成微型透鏡的那些技術(shù)。也可使用物理技術(shù)諸如模制或壓 印平版印刷。
[0093] 圖9Β是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的微型LED器件周圍的光管形式的光分布層 以及光管上方的波長轉(zhuǎn)換層的橫截面?zhèn)纫晥D。如圖9B所示，從微型LED器件400發(fā)射的入 射光既能夠從光分布層320折射出來并進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換層310中，又能夠在光分布層320內(nèi) 發(fā)生內(nèi)反射，使得來自微型LED器件的入射光橫向擴散，其中反射光最終折射離開光分布 層320并進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換層310。圖9C-圖9D是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光管形式的并 且具有漸縮輪廓的光分布層的橫截面?zhèn)纫晥D。在圖9C所示的特定實施例中，光分布層320 朝橫向邊緣漸縮，使得光分布層在邊緣處比中間薄。使光分布層320的厚度呈漸縮可獲得 更高的反射，使得光最終通過光分布層的頂表面而非通過邊緣折射。在圖9D所示的實施例 中，將該對微型LED器件放置得更接近光分布層320的一個邊緣，該光分布層320從一側(cè)向