以下。因此，當基層具有以上所述的高折射率時，無機層應具有相同水平的折射率。例如，無機層的折射率可為大約1.5、1.6、1.7或1.75以上。當應用了本申請的基板的0ED為0LED時，基層的折射率的范圍有利于提高器件的光效率。無機層的折射率的上限可以為，例如，但不特別限于，大約2.0。
[0055]無機層的厚度可根據(jù)由所需用途產(chǎn)生的效果來確定，且在一個實例中，厚度的范圍可以為，但并不特別限制于，大約lOnm至lOOnm、lOnm至90nm、lOnm至80nm、lOnm至70nm、lOnm 至 60nm、lOnm 至 50nm 或 20nm 至 50nm。
[0056]當無機層可具有單層或多層結構時，其可能需要具有多層結構以滿足上述的結晶度。所述多層結構可包括其中將相同類型或不同類型的無機層堆疊的結構。以多層結構形成無機層可有助于形成具有上述界面結合特性及具有上述結晶度的無機層。此外，以多層結構形成無機層可有助于形成具有上述折射率的無機層。
[0057]所述具有多層結構的無機層可至少包含第一子層與第二子層的堆疊結構?？紤]到無機層所需的界面結合特性、結晶度、阻擋性或折射率，可調(diào)節(jié)第一子層及第二子層的厚度。例如，第一子層及第二子層的厚度均可調(diào)節(jié)在7nm、6nm、5nm、4nm、3nm或2nm以下的范圍內(nèi)。子層厚度的下限沒有特別的限制。當子層厚度較小時，可增大對界面結合特性、結晶度、阻擋性以及折射率的調(diào)節(jié)的貢獻，但當子層厚度較小時，可增加所需過程的數(shù)目以達到所需的厚度。因此，子層的厚度的下限可根據(jù)所需的厚度等在合適的范圍內(nèi)確定，且可被調(diào)節(jié)至大約0.lnm以上。
[0058]考慮到界面結合特性、結晶度、阻擋性及折射率，包含于具有多層結構的無機層中的所有子層的厚度均可在以上范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)。在此情況下，該無機層可不包含厚度超過10nm、9nm、8nm、7nm、6nm 或 5nm 的子層。
[0059]包含于無機層中的子層的數(shù)目沒有特別的限制。其可根據(jù)子層的厚度及所需無機層的厚度來確定。在一個實例中，無機層可包含2至50個子層。在此范圍中，可包含4、6、8或10個以上子層。此外，在此范圍中，可包含45、40、35、30、25、20或15個以下子層。當無機層包含3個以上子層時，所有子層均可為第一或第二子層，且此外，可包含第三子層或更高序數(shù)子層。
[0060]所述子層可由各種材料中的一種形成，且可由各種金屬或非金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物形成，以有助于界面結合特性、結晶度、阻擋性及折射率。因此，第一及第二子層可為氧化物層、氮化物層或氮氧化物層。但需要時，所有包含于無機層中的子層均可由氧化物形成。能夠用于此情況的氧化物的類型可適當?shù)剡x自能夠形成上述阻擋層的氧化物，而沒有特別的限制。在子層中，只要所述子層由不同的材料形成，彼此接觸的子層就可有助于界面結合特性、結晶度、阻擋性或折射率。因此，當?shù)谝患暗诙訉颖舜私佑|時，所述不同的材料可以為(例如)不同的氧化物、氮化物或氮氧化物。即使所述無機層包含如上所述的第三子層、第四子層或更高序數(shù)的子層，但有利的是彼此接觸的子層可由不同的材料(例如，不同的氧化物)來形成。
[0061]第一子層可具有第一折射率，且第二子層可具有與第一折射率不同的第二折射率。當堆疊此層時，有利的是可確保上述效果且可在上述范圍中調(diào)節(jié)無機層的折射率。第一折射率及第二折射率之間的差的絕對值可為(例如)0.1以上。在另一個實例中，該絕對值可為0.2,0.3,0.4,0.5或0.6以上。此外，在另一個實例中，該絕對值可為2、1.8,1.6、1.4或1.2以下。只要確保了折射率的范圍，第一及第二折射率的范圍就沒有特別的限制，但例如，第一子層的折射率可在1.4至1.9的范圍內(nèi)，且第二子層的折射率可在2.0至2.6的范圍內(nèi)。第一及第二子層可為金屬氧化物層。例如，第一子層的合適材料可為A1203，且第二子層的合適材料為Ti02。只要可獲得以上范圍的折射率且最終堆疊結構可具有阻擋性，就可應用除以上所述的那些材料之外的各種材料。
[0062]當無機層或各個子層可由已知的方法形成時，為了確保界面結合特性，有利的是通過原子層沉積(ALD)來形成。ALD可包括在粘附體表面上交替地沉積諸如有機金屬的前體和諸如水的前體的過程，且在此過程中，前體的單層可交替地形成且彼此反應以形成無機層。當在基層中包含預定官能團(例如，上述的羥基)時，通過ALD形成的層可在形成期間與官能團反應，由此確保所需的界面結合特性。除非另有特別限定，本文中所用的術語“ALD層”可為通過ALD形成的無機層。
[0063]除ALD以外，可被應用形成無機層或子層的方法可包括物理氣相沉積(PVD)(例如，濺射、脈沖激光沉積(PLD)、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)或激光分子束外延(L-MBE))、或化學氣相淀積(CVD)(例如金屬有機化學氣相淀積(M0CVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、引發(fā)性化學氣相淀積(iCVD)或等離子增強化學氣相淀積(PECVD)。當需要時，可根據(jù)待使用的材料來選自以上方法中合適的一種，由此使無機層的性能最大化。
[0064]本申請的基板可包含額外的層。例如，本申請的基板還可包含位于無機層與基層之間的緩沖層以獲得無機層與基層之間的界面結合特性。因此，所述方法還可包括在基層上形成緩沖層的操作。例如，當在具有凹凸圖案的基層上依次形成緩沖層及無機層時，可實現(xiàn)以上所述的結構。然而，緩沖層不是必須的組分，且例如，只要獲得了界面結合特性，就可不需要緩沖層。
[0065]本申請的基板還可包含存在于無機層或基層上的電極層。因此，所述制造方法還包括在基層或無機層上形成電極層的操作。
[0066]作為電極層，可使用通常用于0ED的空穴注入或電子注入電極層。電極層可為透明電極層或反射電極層。
[0067]例如，所述空穴注入電極層可由具有相對較高功函數(shù)的材料來形成，并且當需要時，可由透明或反射材料形成。例如，該空穴注入電極層可包含金屬、合金、具有大約4.0eV以上的功函數(shù)的導電化合物或其至少兩種的混合物。此材料可為金屬(例如，金)、Cu1、氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅錫(ΖΤ0)、摻雜鋁或銦的氧化鋅、氧化鎂銦、氧化鎳鎢、氧化物(例如，ZnO、Sn02S In 203)、金屬氮化物(例如，氮化鎵)、金屬砸化物(例如，砸化鋅)或金屬硫化物(例如硫化鋅)。透明空穴注入電極層也可由金屬薄膜(例如，Au、Ag或Cu)和高折射透明材料(例如，ZnS、1102或ΙΤ0)的堆疊而形成。
[0068]所述空穴注入電極層可由任選方式(例如，沉積、濺射、化學沉積或電化學方式)形成。此外，根據(jù)其用途而形成的電極層可通過已知的光刻法或陰影掩膜的方法進行圖案化。
[0069]所述電子注入電極層可(例如)由具有相對低功函數(shù)的材料形成，且可(例如)由在用于形成空穴注入電極層的材料中的合適的透明或反射材料來形成，但本申請并不限于此。該電子注入電極層還可通過例如沉積或濺射來形成，或當需要時可適當?shù)剡M行圖案化。
[0070]所述電極層可形成為具有(例如)大約90nm至200nm、90nm至180nm或90nm至150nm的厚度。
[0071]在另一個方面中，本申請?zhí)峁┯糜谟袡C電子元件的基板。用于制造該基板的方法的描述可以相同方式應用于該基板。
[0072]S卩，該基板可通過上述方法來制造，且可為在至少一個表面上具有凹凸圖案的聚合物基層。此外，所述基板可包含在聚合物基層的具有凹凸圖案的表面上形成的第二聚合物基層，且由于該凹凸圖案而在其內(nèi)部具有空洞。此結構可為(例如)圖2中所示的結構。
[0073]以上描述可應用于用于聚合物基層的材料、凹凸圖案的凹痕、可填充至內(nèi)部空洞中的材料或另外在基層上形成的層。
[0074]在另一個方面中，本申請?zhí)峁┝酥圃?ED的方法。所述制造0ED的方法可包括使用該基層作為基板來制造0ED的操作。在又一個方面中，本申請?zhí)峁┝送ㄟ^上述方法制造的0ED。使用上述基層制造0ED的方法可為已知方法，而沒有特別的限制。例如，所述0ED可包含上述用于0ED的基板的基層以及存在與該基板上的元件區(qū)域。該元件區(qū)域可包含第一電極層、有機層及第二電極層，且該0ED可通過在如上所述的通過已知方法形成的基層上形成電極層或有機層而制造。此外，當在用于0ED的基板上預先形成上述電極層時，該電極層可用作第一電極層。
[0075]示例性的0ED可包含基層、第一電極層、有機層、第二電極層、第二無機層及覆蓋膜，其在向上方向上依序存在。所述層可以其中相鄰層之間不存在不同層的狀態(tài)直接堆疊，或借助于另一層進行堆疊。
[0076]除非另有特別限定，本文中所用的術語“向上方向”意指從第一電極層至第二電極層的方向，且除非另有特別限定，本文中所用的術語“向下方向”意指從第二電極層至第一電極層的方向。
[0077]在本文中，為了便于本說明書的解釋，包含存在于所述結構中的第一電極層的下方的所有組分(不包括第一電極層)的區(qū)域稱為基板區(qū)域，包含第一電極層、第二電極層以及存在于其間的所有組分的區(qū)域稱為元件區(qū)域，且包含存在于第二電極層上方的所有組分(不包括第二電極層)的區(qū)域稱為上部區(qū)域。
[0078]所述基板區(qū)域除上述的基層以外還可包含其他層。作為額外存在于基板區(qū)域中的層，可使用載體基板、阻擋膜或粘合層。
[0079]作為可包含于基板區(qū)域中的其他層，可使用阻擋膜。就諸如玻璃基板的材料的特性而言，與使用具有優(yōu)異阻擋性的基板的剛性結構相比，在柔性結構中，應用具有相對較低阻擋性的基層，且因此為了補償阻擋性，額外的阻擋膜可存在于，例如，該基層下方。作為阻擋膜，當需要時，可使用具有合適阻隔性及透明性的膜，而沒有特別的限制。
[0080]所述阻擋膜可例如通過粘合層粘附至所述基層。此處，該阻擋膜可粘附至其上形成有元件區(qū)域的基層表面的相反表面上。除常規(guī)稱為粘合劑的材料以外，本文中所用的術語“粘合層”還包含使用稱為壓敏粘合劑的材料或稱為壓敏粘合劑/粘合劑的材料而形成的層。用于形成粘合層的材料可為已知的壓敏粘合劑/粘合劑材料(例如，丙烯酸聚合物、硅聚合物、橡膠類聚合物、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)聚合物)或烯烴聚合物(例如，聚異丁烯(PIB))0
[0081]可將合適的防水材料混合在粘合層中。在下文中，本文中所用的術語“與防水材料混合的粘合層”可為具有阻擋性的粘合層。本文中所用的術語“防水材料”可用作可通過物理或化學反應吸附或去除從外部環(huán)境中引入的水或蒸氣的組分?？膳c粘合層混合的特定類型的防水材料可為，但不特別限于，例如，金屬氧化物、有機金屬氧化物、金屬鹽以及五氧化二磷(p2o5)的一種或至少兩種的混合物。此處，金屬氧化物的具體實例可為，但并不限于，氧化鋰(Li20)、氧化鈉(Na20)、氧化鋇(BaO)、氧化|丐(CaO)或氧化鎂(MgO)，且金屬鹽可為，但并不限于，硫酸鹽，例如硫酸鋰(Li2S04)、硫酸鈉(Na2S04)、硫酸鈣(CaS04)、硫酸鎂(MgS04)、硫酸鈷(CoS04)、硫酸鎵(Ga2(S04)3)、硫酸鈦(Ti(S04)2)或硫酸鎳(NiS04);金屬鹵化物，例如氯化鈣(CaCl2)、氯化鎂(MgCl2)、氯化鍶(SrCl2)、氯化釔(YC13)、氯化銅(CuCl2)、氟化鍶(CsF)、氟化鉭(TaF5)、氟化鈮(NbF5)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2)、溴化銫(CeBr3)、溴化砸(SeBr4)、溴化釩(VBr3)、溴化鎂(MgBr2)、碘化鋇(Bal2)或碘化鎂(Mgl2);或金屬氯酸鹽例如高氯酸鋇(Ba(C104)2)或高氯酸鎂(Mg(C104)2)。
[0082]可將合適的散射顆?；旌显谒稣澈蠈又校乙虼嗽撜澈蠈涌沙尸F(xiàn)出合適的霧度。當該粘合層呈現(xiàn)出霧度時，可提高光提取效率。可混合在粘合層中的光散射顆粒的類型沒有特別的限制，并且考慮到用于形成該粘合層的樹脂的折射率，可選擇包括在該散射層中的散射顆粒的合適類型。
[0083]作為可存在于基板區(qū)域中的其他層，可使用可暫時地或永久地粘附在所述基層下方的載體基板。通常，作為載體基板，可應用剛性基板(例如，玻璃基板)。
[0084]所述基板區(qū)域可以各種結構形成。例如，該基