，可將子層厚度的下限設置在合適的范圍內，且可控制在 例如約0 ·lnm或更高的范圍內。
[0038] 考慮到界面粘合力、結晶度、阻擋性質和折射率，可將包含于具有多層結構的無機 材料層中的所有子層的厚度控制在上述范圍內。在該情況下，無機材料層可不包括厚度為 1〇]1111、9111]1或8111]1且優(yōu)選大于7111]1的子層。
[0039] 包含于無機材料層中的子層的數(shù)目沒有特別的限制。子層的數(shù)目可根據(jù)子層的厚 度和無機材料層的期望厚度來確定。在一個實例中，無機材料層可包含2至50個子層。在該 范圍中，無機材料層可包含4、6、8或10個子層或更多子層。此外，在上述范圍中，無機材料層 可包含45、40、35、30、25、20或15個子層或更少子層。當無機材料層包含3個子層或更多子層 時，所有的子層可為第一子層或第二子層，且此外，還可包括第三子層或更高級子層。
[0040] 所述子層可由不同的材料形成，但為了有助于界面粘合力、結晶度、阻擋性質和折 射率，所述子層可由上述用于形成無機材料層的材料形成，所述材料為例如，金屬，如In、 5]1、？13、411、(]11、4〖、21'、批、211、41、3;[、]^1、11或附 ；金屬氧化物;金屬氮化物;金屬氮氧化物;或 金屬氟化物。因此，第一子層和第二子層可為氧化物層、氮化物層或氮氧化物層。當需要時， 所有包含于無機材料層中的子層均可由氧化物形成。在該情況下，氧化物的類型沒有特別 的限制，且可適當?shù)剡x自上述能夠形成阻擋層的氧化物。在子層中，彼此接觸的那些子層可 有助于界面粘合力、結晶度、阻擋性質和折射率，只要它們由不同的材料形成即可。因此，當 第一子層和第二子層彼此接觸時，它們可由不同的材料，例如，不同的氧化物、氮化物或氮 氧化物形成。即使當無機材料層包含如上所述的第三子層、第四子層或更高級子層時，彼此 接觸的子層還可由不同的材料，例如，不同的氧化物形成。
[0041] 第一子層可具有第一折射率，且第二子層可具有不同于第一折射率的第二折射 率。當這樣的層堆疊時，可有利于確保上述效果并控制無機材料層的折射率在上述范圍內。 第一折射率和第二折射率之間的差值的絕對值可為，例如，0.1或更大。在另一實例中，所述 絕對值可為0.2、0.3、0.4、0.5或0.6或更大。此外，在另一實例中，所述絕對值可為2、1.8、 1.6、1.4或1.2或更小。第一折射率和第二折射率的每個范圍均沒有特別的限制，只要能確 保折射率的范圍即可。然而，例如，第一子層的折射率可在1.4至1.9范圍內，且第二子層的 折射率可在2.0至2.6范圍內。第一子層和第二子層可分別為金屬氧化物層。
[0042] 更具體而言，包含所述材料和形狀的阻擋層可具有這樣的結構：其中，例如，作為 第一子層的Al2〇3層和作為第二子層的Ti02層通過在基膜上重復進行Al2〇3層和Ti02層的依 序形成過程而交替地堆疊。此外，對于第二子層，可形成滿足上述折射率范圍且由例如 Zr02、Hf02、La2〇5或Ta05形成的層而非Ti02層。
[0043]所述無機材料層或各個子層均可通過已知方法來形成，但為了確保界面粘合力， 所述無機材料層或各個子層優(yōu)選地通過原子層沉積(ALD)來形成。所述ALD可包括將例如有 機金屬的前體和例如水的前體交替地沉積于粘附體表面上的過程，且在該過程中，可交替 地形成所述前體的單層。將提供更詳細的描述。當預定的官能團例如上述羥基包含于基膜 中時，通過ALD形成的層可在其形成過程中與所述官能團反應，從而確保所期望的界面粘合 力。除非另有特別的規(guī)定，術語"ALD層"可指通過ALD形成的無機材料層。
[0044]除了ALD外，可采用的形成無機材料層或子層的方法可包括物理氣相沉積(PVD)， 例如濺射法、脈沖激光沉積(PLD)、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)或激光分子束外延(L-MBE);或化學 氣相沉積(CVD)，例如金屬有機化學氣相沉積(M0CVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、引發(fā)性化學 氣相沉積（initiatedchemicalvapordeposition，iCVD)或等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD)。當需要時，可根據(jù)待使用的材料來選擇上述方法中合適的一種，從而使所述無機 材料的性能最大化。
[0045] 如上所述，所述基板可包括位于無機材料層之上、之下或之中的彈性層。本文使用 的術語"彈性層"可指包含在23°C下的彈性模量為20GPa至400GPa的材料的層。在另一實例 中，所述材料的彈性模量可為30GPa、40GPa或50GPa或更高。此外，在另一實例中，所述彈性 模量可為350GPa、300GPa、250GPa、200GPa、150GPa或1OOGPa或更低。當使用彈性模量在上述 范圍內的材料形成彈性層時，可有效降低在有機材料層和無機材料層共同存在的結構中可 能產生的應力。所述彈性層可包含上述材料作為主要組分。在本文中，表述"彈性層包含所 述材料作為主要組分"可意指所述彈性層可包含60%、70%、80%或90%或更高的所述材 料，基于重量計。
[0046] 用于形成彈性層的材料的具體類型沒有特別的限制，只要其具有在上述范圍內的 彈性模量即可。每種材料均具有其本身的彈性模量，這對每種材料而言是已知的。在本申請 中，所述彈性層可通過選擇已知具有這種已知材料的彈性模量的材料來形成。
[0047] 例如，可使用1102、5丨必4、]\^0^1203、211〇或2" 2來形成所述彈性層。以上材料已知 具有在上述范圍內的彈性模量。以上材料的層例如可通過常規(guī)的沉積方法沉積材料來形 成。
[0048] 在另一實例中，所述彈性層可使用有機材料或有機/無機結合材料來形成。例如， 所述彈性層可為包含金屬螯合化合物和亞烷基二醇或所述結合材料(反應產物)的層。這種 層可通過與上述形成無機材料層或子層的方法相同的方法，例如，分子層沉積(MLD)來形 成。所述MLD類似于ALD，且在MLD中，可沉積包含有機材料或無機材料的分子片段。對于可應 用至彈性層的材料，可使用例如三烷基鋁（例如三甲基鋁）、二乙基鋅、具有1至20、1至16、1 至12、1至8或1至4個碳原子的亞烷基二醇、芳族二醇化合物（例如氫醌）、乙醇胺、三乙醇胺 或馬來酸酐。
[0049] 例如，包含彈性模量在有效范圍內的材料的彈性層可通過MLD交替地沉積上述金 屬螯合物和亞烷基二醇來形成。
[0050] 在另一實例中，所述彈性層可為包含由式1或2表示的化合物的聚合單元的引發(fā)性 化學氣相沉積（iCVD)層。本文使用的術語"iCVD層"是指通過iCVD形成的層，且所述iCVD將 在制造用于0H)的基板的方法中詳細描述。
[0051] [式1]
[0052] RHRSSiOhR1
[0053] [式2]
[0054]
[0055] 在式1或2中，R1、Rd和1^各自獨立地為氫、羥基、環(huán)氧基、烷氧基或一價經基，至少一 個R1為烯基，Rd和的至少一個為烯基，η為1至10的數(shù)值，且〇為3至10的數(shù)值。
[0056] 在式1中，所述烷氧基可為具有1至20、1至16、1至12、1至8或1至4個碳原子的直鏈、 支鏈或環(huán)狀的烷氧基。
[0057]在式1中，除非另有特別規(guī)定，所述環(huán)氧基可為衍生自具有三個環(huán)成員的環(huán)狀醚或 包含該環(huán)狀醚的化合物的一價殘基。所述環(huán)氧基可為縮水甘油基、環(huán)氧基烷基、環(huán)氧丙氧烷 基(glycidoxyalkyl)或脂環(huán)族環(huán)氧基。在本文中，脂環(huán)族環(huán)氧基可為衍生自這樣的化合物 的一價殘基:所述化合物包含脂族烴環(huán)結構以及其中形成脂族烴環(huán)的兩個碳原子還形成環(huán) 氧基的結構。對于脂環(huán)族環(huán)氧基，可使用具有6至12個碳原子的脂環(huán)族環(huán)氧基，例如，3，4-環(huán) 氧環(huán)己基乙基。
[0058]對于可被任選取代至環(huán)氧基、烷氧基或一價烴基的取代基，可使用鹵素(例如氯或 氟）、縮水甘油基、環(huán)氧基烷基、環(huán)氧丙氧烷基、環(huán)氧基(例如脂環(huán)族環(huán)氧基）、丙烯酰基、甲基 丙烯酰基、異氰酸酯基、硫醇基或一價烴基，但本申請不限于此。
[0059]此外，術語"烴基"可指衍生自由碳和氫組成的化合物或其衍生物的一價殘基。對 于烴基，可使用烷基、烯基、炔基或芳基。
[0060]除非另有特別規(guī)定，本文使用的術語"烷基"可為，具有1至20、1至16、1至12、1至8 或1至4個碳原子的烷基。所述烷基可為直鏈、支鏈或環(huán)狀類型。此外，所述烷基可任選被至 少一個取代基取代。
[0061 ]除非另有特別規(guī)定，本文使用的術語"烯基"可為，具有2至20、2至16、2至12、2至8 或2至4個碳原子的烯基。所述烯基可為直鏈、支鏈或環(huán)狀類型，且任選被至少一個取代基取 代。
[0062] 除非另有特別規(guī)定，本文使用的術語"炔基"可為，具有2至20、2至16、2至12、2至8 或2至4個碳原子的炔基。所述炔基可為直鏈、支鏈或環(huán)狀類型，且任選被至少一個取代基取 代。
[0063] 除非另有特別規(guī)定，本文使用的術語"芳基"可為，衍生自包含苯環(huán)或其中至少兩 個苯環(huán)被稠合或鍵合的結構的化合物，或其衍生物的一價殘基。在芳基的類別中，除了通常 稱為芳基的官能團外，還可包括芳烷基或芳基烷基。所述芳基可具有例如6至25、6至21、6至 18或6至12個碳原子。對于芳基，可使用苯基、二氯苯基、氯苯基、苯基乙基、苯基丙基、芐基、 甲苯基、二甲苯基或萘基。
[0064] 包含于iCVD層中的更具體的聚合單元化合物可為，但不限于，例如，1H，1H，2H，2H-全氟癸基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酸縮水甘油酯、（甲基)丙烯酸環(huán)己酯、（甲基)丙烯酸 2-羥乙酯或硅氧烷化合物，例如六乙烯基二硅氧烷、三乙烯基甲基環(huán)硅氧烷、四乙烯基甲基 環(huán)硅氧烷或1，3，5-三乙烯基-1，3，5，5，-五甲基三硅氧烷。
[0065] 當一個或多個彈性層由以上材料形成時，可有效降低器件中產生的應力。
[0066] 所述彈性層可由折射率為1.7或更低、低于1.7、約1.4至1.7、或約1.4至低于1.7的 低折射材料形成，或可由折射率為1.8至2.0的高折射材料形成。在本文中，當彈性層由低折 射層形成時，無機材料層和基膜中的至少一個可具有1.7至2.2或1.8至2.2的高折射率，其 可有利于光提取效率。
[0067] 所述彈性層的厚度可適當?shù)赝ㄟ^考慮期望的效果例如彈性模量來確定，但本申請 沒有特別的限制于此。然而，所述彈性層的厚度可為約100至500nm。在上述范圍內可獲得合 適的界面粘合力，且可以防止中間層剝離。
[0068] 本申請的基板可包括額外的層。例如，本申請的基板還可包含位于無機材料層和 基膜之間的緩沖層以實現(xiàn)無機材料層和基膜之間的界面粘合力。然而，所述緩沖層不是必 要的組分，并且例如，當使用引入了上述特定官能團的基板達到所期望的界面粘合力時，可 以不需要緩沖層。
[0069] 本申請的基板還可包括額外的層，例如存在于無機材料層上的電極層。
[0070] 對于電極層，可使用通常用于0ED中的空穴注入電極層或電子注入電極層。所述電 極層可為透明電極層或反射電極層。
[0071] 所述空穴注入電極層可由，例如，具有相對較高功函數(shù)的材料形成，且當需要時， 由透明或反射材料形成。例如，所述空穴注入電極層可包含功函數(shù)為約4.OeV或更高的金屬 化合物、合金化合物或導電化合物，或其至少兩種的混合物。這種材料可為金屬，例如金； Cul;氧化銦錫（IT0);氧化銦鋅（IZ0);氧化鋅錫(ZT0);摻雜鋁或銦的氧化鋅;氧化鎂銦;氧 化鎳鎢;氧化物材料，例如ZnO、Sn02或In2〇3;金屬氮化物，例如氮化鎵;金屬硒化物，例如硒 化鋅;或金屬硫化物，例如硫化鋅。還可以使用金屬薄膜(例如Au、Ag或Cu)和高折射透明材 料(例如ZnS、Ti02或ΙΤ0)的堆疊結構形成透明的空穴注入電極層。
[0072] 所述空穴注入電極層可通過任選的方法，例如沉積法、濺射法、化學沉積法或電化 學法來形成。此外，當需要時，所形成的電極層可通過已知的光刻法或使用蔭罩（shadow mask)的方法來圖案化。
[0073] 所述電子注入電極層可，例如，使用具有相對較低功函數(shù)的材料來形成，并且可使 用在用于形成所述空穴注入電極層的材料之中的合適的透明材料或反射材料來形成，但本 申請不限于此。