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閉合回路動(dòng)態(tài)電容測(cè)量的制作方法_3

文檔序號(hào):9872504閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
顯示組件的對(duì)應(yīng)分段 線施加高分段電壓VSh及低分段電壓VSl時(shí)皆在松弛窗(參見(jiàn)圖3,也稱為釋放窗)內(nèi)。
[0065] 當(dāng)將保持電壓(例如,高保持電壓VCHQLD_H及低保持電壓VCHQLD_ L)施加于共同在線 時(shí)JMOD顯示組件沿所述共同線的狀態(tài)將保持恒定。例如,松弛的頂OD顯示組件將保持處于 松弛位置中,且經(jīng)致動(dòng)MOD顯示組件將保持處于致動(dòng)位置中??蛇x擇保持電壓,使得顯示組 件電壓在沿著對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓VSl時(shí)皆將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因 此,在此實(shí)例中,分段電壓擺動(dòng)為高VSh與低分段電壓VSl之間的差,且小于正穩(wěn)定窗或負(fù)穩(wěn) 定窗的寬度。
[0066] 當(dāng)在共同在線施加尋址或致動(dòng)電壓(例如,高尋址電壓VCadd_h或低尋址電壓 VCADD_L)時(shí),可通過(guò)沿著各別分段線施加分段電壓而將數(shù)據(jù)選擇性地寫(xiě)入至沿所述共同線的 調(diào)制器。可選擇分段電壓,以使得致動(dòng)取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿共同線施加尋址電壓 時(shí),一個(gè)分段電壓的施加將導(dǎo)致在穩(wěn)定窗內(nèi)的顯示組件電壓,從而使顯示組件保持未致動(dòng)。 相比的下,另一分段電壓的施加將導(dǎo)致在穩(wěn)定窗外的顯示組件電壓,從而導(dǎo)致顯示組件的 致動(dòng)。引起致動(dòng)的特定分段電壓可取決于使用哪一尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中,當(dāng) 沿共同線施加高尋址電壓VC ADD_H時(shí),高分段電壓VSh的施加可使調(diào)制器保持于其當(dāng)前位置 中,而低分段電壓VSl的施加可引起調(diào)制器的致動(dòng)。作為推論,當(dāng)施加低尋址電壓VC ADD_L時(shí), 分段電壓的效果可相反,其中高分段電壓VSh引起調(diào)制器的致動(dòng),且低分段電壓VSl實(shí)質(zhì)上不 影響調(diào)制器的狀態(tài)(即,保持穩(wěn)定)。
[0067] 在一些實(shí)施方案中,可使用跨越調(diào)制器產(chǎn)生相同極性電位差的保持電壓、尋址電 壓及分段電壓。在一些其它實(shí)施方案中,可使用時(shí)常使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號(hào)。 跨越調(diào)制器的極性的交替(即,寫(xiě)入程序的極性的交替)可減少或抑制在單一極性的重復(fù)寫(xiě) 入操作之后可能發(fā)生的電荷積聚。
[0068]圖5A為顯示圖像的IMOD顯示組件的三個(gè)組件乘三個(gè)組件陣列中的顯示數(shù)據(jù)的幀 的說(shuō)明。圖5B為可用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入圖5A中所說(shuō)明的顯示組件的共同信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序 圖。圖5A中由暗黑網(wǎng)紋圖案展示的經(jīng)致動(dòng)頂OD顯示組件處于黑暗狀態(tài)(即,其中反射光的實(shí) 質(zhì)部分是在可見(jiàn)光譜外)中以便導(dǎo)致向(例如)觀察者顯現(xiàn)為黑暗。未致動(dòng)的IMOD顯示組件 中的每一者反射對(duì)應(yīng)于其干涉腔間隙高度的色彩。在寫(xiě)入圖5A中所說(shuō)明的幀之前,顯示組 件可處于任何狀態(tài)中,但圖5B的時(shí)序圖中所說(shuō)明的寫(xiě)入程序假定每一調(diào)制器在第一線時(shí)間 60a之前已被釋放且駐留于未致動(dòng)狀態(tài)下。
[0069] 在第一線時(shí)間60a期間:將釋放電壓70施加于共同線1上;施加于共同線2上的電壓 自高保持電壓72開(kāi)始且移動(dòng)至釋放電壓70;且沿共同線3施加低保持電壓76。因此,沿共同 線1的調(diào)制器(共同1,分段1)、(共同1,分段2)及(共同1,分段3)保持于松弛或未致動(dòng)的狀態(tài) 中歷時(shí)第一線時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間,沿共同線2的調(diào)制器(共同2,分段1)、(共同2,分段2)及 (共同2,分段3)將移動(dòng)至松弛狀態(tài),且沿共同線3的調(diào)制器(共同3,分段1)、(共同3,分段2) 及(共同3,分段3)將保持處于其先前狀態(tài)中。在一些實(shí)施方案中,因?yàn)楣餐€1、2或3中無(wú)一 者曝露于導(dǎo)致線時(shí)間60a期間的致動(dòng)的電壓位準(zhǔn)(即,VCrel-松弛,及VC HQLD_H1定),所以沿 分段線1、2及3施加的分段電壓將對(duì)頂OD顯示組件的狀態(tài)無(wú)影響。
[0070] 在第二線時(shí)間60b期間,共同線1上的電壓移動(dòng)至高保持電壓72,且沿共同線1的所 有調(diào)制器保持于松弛狀態(tài)中而與所施加的分段電壓無(wú)關(guān),這是因?yàn)闊o(wú)尋址或致動(dòng)電壓施加 于共同線1上。沿共同線2的調(diào)制器歸因于釋放電壓70的施加而保持于松弛狀態(tài)中,且當(dāng)沿 共同線3的電壓移動(dòng)至釋放電壓70時(shí),沿共同線3的調(diào)制器(共同3,分段1)、(共同3,分段2) 及(共同3,分段3)將松弛。
[0071] 在第三線時(shí)間60c期間,通過(guò)將高尋址電壓74施加于共同線1上來(lái)尋址共同線1。因 為在此尋址電壓的施加期間沿分段線1及2施加低分段電壓64,所以跨越調(diào)制器(共同1,分 段1)及(共同1,分段2)的顯示組件電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗(即,電壓差超過(guò)一特性閾 值)的高端,且調(diào)制器(共同1,分段1)及(共同1,分段2)經(jīng)致動(dòng)。相反地,因?yàn)檠胤侄尉€3施加 高分段電壓62,所以跨越調(diào)制器(共同1,分段3)的顯示組件電壓小于調(diào)制器(共同1,分段1) 及(共同1,分段2)的顯示組件電壓,且保持在調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi);調(diào)制器(共同1,分段3) 因此保持松弛。又,在線時(shí)間60c期間,沿共同線2的電壓減小至低保持電壓76,且沿共同線3 的電壓保持在釋放電壓70,從而使沿共同線2及3的調(diào)制器處于松弛位置中。
[0072] 在第四線時(shí)間60d期間,共同線1上的電壓返回至高保持電壓72,從而使沿共同線1 的調(diào)制器處于其各別經(jīng)尋址狀態(tài)中。共同線2上的電壓降低至低尋址電壓78。因?yàn)檠胤侄尉€ 2施加高分段電壓62,所以跨越調(diào)制器(共同2,分段2)的顯示組件電壓低于調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定 窗的較低端,從而使調(diào)制器(共同2,分段2)致動(dòng)。相反地,因?yàn)檠胤侄尉€1及3施加低分段電 壓64,所以調(diào)制器(共同2,分段1)及(共同2,分段3)保持處于松弛位置中。共同線3上的電壓 增加至高保持電壓72,從而使沿共同線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)中。接著,共同線2上的電壓 轉(zhuǎn)變回至低保持電壓76。
[0073]最后,在第五線時(shí)間60e期間,共同線1上的電壓保持在高保持電壓72,且共同線2 上的電壓保持在低保持電壓76,從而使沿著共同線1及2的調(diào)制器處于其各別經(jīng)尋址狀態(tài) 中。共同線3上的電壓增加至高尋址電壓74以尋址沿共同線3的調(diào)制器。由于低分段電壓64 施加于分段線2及3上,所以調(diào)制器(共同3,分段2)及(共同3,分段3)致動(dòng),同時(shí)沿分段線1施 加的高分段電壓62使得調(diào)制器(共同3,分段1)保持于松弛位置中。因此,在第五線時(shí)間60e 的末尾,3X3顯示組件陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)中,且將保持處于所述狀態(tài)下,只要沿 著共同線施加保持電壓即可,而與當(dāng)正尋址沿著其它共同線(圖中未展示)的調(diào)制器時(shí)可發(fā) 生的分段電壓的變化無(wú)關(guān)。
[0074]在圖5B的時(shí)序圖中,給定寫(xiě)入程序(即,線時(shí)間60a至60e)可包含高保持電壓及尋 址電壓或低保持電壓及尋址電壓的使用。一旦已完成針對(duì)給定共同線的寫(xiě)入程序(且將共 同電壓設(shè)置至具有與致動(dòng)電壓相同極性的保持電壓),則顯示組件電壓保持處于給定穩(wěn)定 窗內(nèi),且直至將釋放電壓施加于所述共同線,方穿過(guò)所述松弛窗。此外,當(dāng)在尋址調(diào)制器之 前作為寫(xiě)入程序的部分而釋放每一調(diào)制器時(shí),調(diào)制器的致動(dòng)時(shí)間而非釋放時(shí)間可確定線時(shí) 間。具體地,在調(diào)制器的釋放時(shí)間大于致動(dòng)時(shí)間的實(shí)施方案中,可施加釋放電壓持續(xù)長(zhǎng)于單 一線時(shí)間的時(shí)間,如圖5A中所描繪。在一些其它實(shí)施方案中,沿著共同線或分段線施加的電 壓可變化以慮及不同調(diào)制器(例如,不同色彩的調(diào)制器)的致動(dòng)電壓及釋放電壓的變化。 [0075]圖6A及6B為包含EMS組件陣列36及背板92的EMS封裝91的一部分的示意性分解部 分透視圖。圖6A展示切除背板92的兩個(gè)隅角以更好地說(shuō)明背板92的某些部分,而圖6B展示 沒(méi)有切除隅角的情況。EMS陣列36可包含襯底20、支撐柱18及可移動(dòng)層14。在一些實(shí)施方案 中,EMS陣列36可包含IMOD顯示組件陣列,其具有在透明襯底上的一或多個(gè)光學(xué)堆疊部分 16,且可移動(dòng)層14可實(shí)施為可移動(dòng)反射層。
[0076]背板92可為基本上平坦的或可具有至少一個(gè)波狀表面(例如,背板92可形成有凹 部及/或凸部)。背板92可由任何合適材料(無(wú)論是透明還是不透明、導(dǎo)電還是絕緣的材料) 制成。用于背板92的合適材料包含(但不限于)玻璃、塑料、陶瓷、聚合物、層壓板、金屬、金屬 箱片、科伐合金(Kovar)或電鍍科伐合金。
[0077] 如圖6A及6B中所示,背板92可包含一或多個(gè)背板組件94a及94b,所述背板組件可 部分或整體嵌入背板92中。如圖6A中可見(jiàn),背板組件94a嵌入背板92中。如圖6A及6B中可見(jiàn), 背板組件94b安置在形成于背板92的表面中的凹部93內(nèi)。在一些實(shí)施方案中,背板組件94a 及/或94b可自背板92的表面突出。盡管背板組件94b安置在背板92的面向襯底20的側(cè)面上, 但在其它實(shí)施方案中,所述背板組件可安置在背板92的相對(duì)側(cè)上。
[0078]背板組件94a及/或94b可包含一或多個(gè)有源或無(wú)源電氣組件,例如,晶體管、電容 器、電感器、電阻器、二極管、開(kāi)關(guān)及/或例如封裝、標(biāo)準(zhǔn)或離散集成電路(IC)的1C。可用于各 種實(shí)施方案中的背板組件的其它實(shí)例包含天線、電池及傳感器(例如,電傳感器、觸控傳感 器、光學(xué)傳感器或化學(xué)傳感器)或薄膜沉積的裝置。
[0079] 在一些實(shí)施方案中,背板組件94a及/或94b可與EMS陣列36的部分電通信。例如跡 線、凸塊、柱或通孔的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可形成于背板92或襯底20中的一或兩者上,且可彼此接觸或 接觸其它導(dǎo)電組件以在EMS陣列36與背板組件94a及/或94b之間形成電連接。例如,圖6B包 含在背板92上的一或多個(gè)導(dǎo)電通孔96,所述一或多個(gè)導(dǎo)電通孔可與在EMS陣列36內(nèi)自可移 動(dòng)層14向上延伸的電觸點(diǎn)98對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施方案中,背板92也可包含使背板組件94a及/ 或94b與EMS陣列36的其它組件電隔絕的一或多個(gè)絕緣層。在背板92由透氣材料形成的一些 實(shí)施方案中,背板92的內(nèi)表面可涂布有蒸氣障壁(圖中未展不)。
[0080] 背板組件94a及94b可包含用以吸收可進(jìn)入EMS封裝91的任何濕氣的一或多種干燥 劑。在一些實(shí)施方案中,干燥劑(或其它吸濕材料(例如,除氣劑))可(例如)作為用黏著劑安 裝至背板92(或形成于背板92中的凹部中)的薄片與任何其它背板組件分開(kāi)地提供。或者, 干燥劑可集成至背板92中。在一些其它實(shí)施方案中,干燥劑可(例如)通過(guò)噴涂、網(wǎng)版印刷或 任何其它合適方法直接或間接涂覆于其它背板組件上。
[0081 ]在一些實(shí)施方案中,EMS陣列36及/或背板92可包含機(jī)械支座97以維持背板組件與 顯示組件之間的距離,且由此防止所述組件之間的機(jī)械干涉。在圖6A及6B中所說(shuō)明的實(shí)施 方案中,機(jī)械支座97形成為自背板92突出的與EMS陣列36的支撐柱18對(duì)準(zhǔn)的柱?;蛘呋蛄?外,例如軌條或柱的機(jī)械支座可沿EMS封裝91的邊緣提供。
[0082]盡管在圖6A及6B中未說(shuō)明,但可提供部分或完全包圍EMS陣列36的密封件。密封件 可與背板92及襯底20-起形成封閉EMS陣列36的保護(hù)腔。密封件可為半封閉密封件,例如常 規(guī)環(huán)氧基黏著劑。在一些其它實(shí)施方案中,密封件可為封閉式密封件,例如薄膜金屬焊件或 玻璃料。在一些其它實(shí)施方案中,密封件可包含聚異丁烯(PIB)、聚胺基甲酸酯、液態(tài)旋涂式 玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。在一些實(shí)施方案中,加強(qiáng)型密封劑可用于形成機(jī)械支 座。
[0083]在替代實(shí)施方案中,密封環(huán)可包含背板92或襯底20中的一或兩者的延伸件。例如, 密封環(huán)可包含背板92的機(jī)械延伸件(圖中未展示)。在一些實(shí)施方案中,密封環(huán)可包含分離 部件,例如,0形環(huán)或其它環(huán)形部件。
[0084]在一些實(shí)施方案中,EMS陣列36及背板92是在附接或耦合在一起之前單獨(dú)地形成。 例如,襯底20的邊緣可附接且密封至背板92的邊緣,如上文所論述?;蛘?,EMS陣列36及背板 92可形成且結(jié)合在一起以作為EMS封裝91。在一些其它實(shí)施方案中,EMS封裝91可以任何其 它合適方式制造,例如通過(guò)在EMS陣列36上方通過(guò)沉積來(lái)形成背板92的組件。
[0085]圖7為說(shuō)明并入有基于IMOD的顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。此外,圖7描 繪陣列驅(qū)動(dòng)器22的將信號(hào)提供至(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器 電路26的實(shí)施方案,如先前所論述。
[0086] 作為實(shí)例,第四行中的顯示模塊710可包含開(kāi)關(guān)720及顯示單元750。可自行驅(qū)動(dòng)器 電路24向顯示模塊710提供行信號(hào)及共同信號(hào)。也可自列驅(qū)動(dòng)器電路26向顯示模塊710提供 列信號(hào)。顯示模塊710的實(shí)施方案可包含各種不同設(shè)計(jì)。在一些實(shí)施方案中,顯示單元750可 與開(kāi)關(guān)720耦合,所述開(kāi)關(guān)例如其柵極耦合至提供至漏極的行信號(hào)及列信號(hào)的晶體管。每一 顯示單元750可包含作為像素的頂OD顯示組件。
[0087]圖8為三端HTOD的實(shí)例的電路示意圖。在一些實(shí)施方案中,圖8的電路可包含圖4的 顯示單元750(例如,頂0D)。圖8的電路包含圖7的經(jīng)實(shí)施為η型金屬氧化物半導(dǎo)體(匪OS)晶 體管Ml 810的開(kāi)關(guān)720。晶體管Ml 810的柵極耦合至可由圖7的行驅(qū)動(dòng)器電路24提供的Vrow 830。晶體管Ml 810也耦合至可由圖7的列驅(qū)動(dòng)器電路26提供的Vcciiumn820。特別地,若對(duì)V row 8
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