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電流感測電路及包括該電路的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法

文檔序號:9922665閱讀:461來源:國知局
電流感測電路及包括該電路的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電流感測電路,尤其涉及一種通過穩(wěn)定地感測有機發(fā)光二極管上流動的電流來補償有機發(fā)光二極管的劣化的電流感測電路、以及具有該電流感測電路的有機發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術】
[0002]近來,正在開發(fā)用于減小大重量和大體積(其為陰極射線管的缺點)的各種平板顯示器(FPD)。這種平板顯示器包括液晶顯示器(IXD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器等。
[0003]在這些平板顯示器之中,OLED顯示器通過使用自主發(fā)光的自主發(fā)光二極管,具有諸如快速響應速度、高發(fā)光效率、高亮度和大視角之類的優(yōu)點。
[0004]OLED顯示器設置有作為自主發(fā)光裝置的有機發(fā)光二極管(OLED),如圖1中所示。有機發(fā)光二極管包括形成在陽極電極與陰極電極之間的有機化合物層(HI L、HTL、EML、ETL、EIL) ο
[0005]有機化合物層包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。一旦驅動電壓被施加至陽極電極和陰極電極,通過空穴傳輸層(HTL)的空穴和通過電子傳輸層(ETL)的電子移動至發(fā)光層(EML),以形成激子。結果,發(fā)光層(EML)產(chǎn)生可見光線。
[0006]OLED以矩陣形式布置像素,每個像素都具有前述的有機發(fā)光二極管,并且OLED基于數(shù)據(jù)信號的灰度級控制被柵極信號選定的像素的亮度,由此顯示圖像。
[0007]圖2是有機發(fā)光二極管顯示器的單個像素的等效電路。
[0008]如圖2中所示,有機發(fā)光二極管顯示器的每個像素包括有機發(fā)光二極管0LED、彼此交叉的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL、開關TFT STjgaTFT DT和存儲電容器Cst。開關TFT ST和驅動TFT DT的每一個由P型MOSFET實現(xiàn)。
[0009]開關TFTST響應于從柵極線GL提供的柵極信號導通,并引導源極電極與漏極電極之間的電流路徑。開關TFT ST在導通時段期間將通過數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)信號施加至驅動TFT DT和存儲電容器Cst。
[0010]驅動TFT DT基于柵極電極與源極電極之間的電壓差(Vgs)控制OLED上流動的電流。
[0011]存儲電容器Cst將驅動TFTDT的柵極電位恒定地保持單個幀。
[0012]OLED通過圖1中所示的結構連接在驅動TFT DT的漏極電極與基礎電壓VSS之間。
[0013]在具有像素的OLED顯示器中,由于驅動TFTDT的電特性差異或者OLED的劣化差異,在像素之間可能出現(xiàn)亮度差異。尤其是,當長時間操作OLED顯示器時,由于每個像素的不同劣化速度,出現(xiàn)了 OLED的劣化差異。如果OLED的劣化差異變得嚴重,則發(fā)生圖像殘留。這會導致畫面質量劣化。

【發(fā)明內容】

[0014]因此,本發(fā)明詳細說明書的一個方面是提供一種通過感測有機發(fā)光二極管的電流來補償有機發(fā)光二極管的劣化的電流感測電路、以及具有該電流感測電路的有機發(fā)光二極管顯示器。
[0015]為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本說明書的意圖,如在此具體化和概括描述的,提供了一種電流感測電路,包括:多個感測模塊,所述多個感測模塊配置成從顯示面板感測像素電流并根據(jù)感測結果輸出感測電壓,所述顯示面板在多個像素的每一個上具有有機發(fā)光二極管;和模擬-數(shù)字轉換器,所述模擬-數(shù)字轉換器配置成將所述感測電壓轉換為數(shù)字電壓并輸出感測數(shù)據(jù)。其中所述多個感測模塊的每一個可包括:電流緩沖器,所述電流緩沖器配置成通過從所述有機發(fā)光二極管的陽極電極感測所述像素電流,產(chǎn)生感測電流;和電流積分器,所述電流積分器配置成通過接收所述感測電流以產(chǎn)生電壓,輸出所述感測電壓。
[0016]為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本說明書的意圖,如在此具體化和概括描述的,還提供了一種有機發(fā)光二極管顯示器,包括:具有多個像素的顯示面板,每個像素包括有機發(fā)光二極管;具有電流感測電路的數(shù)據(jù)驅動單元,所述電流感測電路用于通過從所述多個像素的每一個感測像素電流來輸出感測數(shù)據(jù);和時序控制器,所述時序控制器配置成通過基于所述感測數(shù)據(jù)補償圖像數(shù)據(jù)來產(chǎn)生補償圖像數(shù)據(jù),并且配置成將所述補償圖像數(shù)據(jù)輸出至所述數(shù)據(jù)驅動單元。其中所述電流感測電路可包括:多個感測模塊,所述多個感測模塊配置成通過連接至設置在所述多個像素處的有機發(fā)光二極管的陽極電極而感測所述像素電流,并且配置成根據(jù)感測結果輸出感測電壓;和模擬-數(shù)字轉換器,所述模擬-數(shù)字轉換器配置成將所述感測電壓轉換為數(shù)字電壓并輸出所述感測數(shù)據(jù),其中所述多個感測模塊的每一個包括:電流緩沖器,所述電流緩沖器配置成通過從所述有機發(fā)光二極管的陽極電極感測所述像素電流,產(chǎn)生感測電流;和電流積分器,所述電流積分器配置成通過接收所述感測電流以產(chǎn)生電壓,輸出所述感測電壓。
[0017]【效果】
[0018]本發(fā)明的電流感測電路通過在電流積分器的前端處設置電流緩沖器,可提高電流積分器的操作可靠性,其中不管由于有機發(fā)光二極管的劣化或開關操作而導致的噪聲如何,電流緩沖器都產(chǎn)生穩(wěn)定的感測電流。
[0019]因而,本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示器通過補償有機發(fā)光二極管的劣化防止圖像殘留,可提高畫面質量。
[0020]本發(fā)明進一步的適用范圍從之后給出的詳細描述將變得更加顯而易見。然而,應當理解,僅通過舉例說明的方式給出了表明本發(fā)明優(yōu)選實施方式的詳細描述和具體示例,根據(jù)詳細描述,在本發(fā)明的精神和范圍內的各種變化和修改對于本領域技術人員來說將變得顯而易見。
【附圖說明】
[0021]給本發(fā)明提供進一步理解并且并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了典型的實施方式,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0022]在附圖中:
[0023]圖1是圖解根據(jù)常規(guī)技術的有機發(fā)光二極管顯示器的發(fā)光原理的示圖;
[0024]圖2是有機發(fā)光二極管顯示器的單個像素的等效電路;
[0025]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的構造的示圖;
[0026]圖4是圖解圖3中所示的像素的等效電路的示圖;
[0027]圖5是圖3中所示的時序控制器和數(shù)據(jù)驅動單元的詳細構造的示圖;
[0028]圖6是圖解圖5中所示的多個感測模塊之一的實施方式的示圖;
[0029]圖7是圖解圖5中所示的多個感測模塊之一的另一個實施方式的示圖;以及
[0030]圖8和9是常規(guī)的感測電路和本發(fā)明的感測電路的操作的時序圖。
【具體實施方式】
[0031]現(xiàn)在將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明的電流感測電路以及包括該電流感測電路的有機發(fā)光二極管顯示器的優(yōu)選構造。
[0032]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器的構造的示圖,圖4是圖解圖3中所示的像素的等效電路的示圖。
[0033]參照圖3,根據(jù)本發(fā)明一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示器100可包括顯示面板110、柵極驅動單元120、數(shù)據(jù)驅動單元130和時序控制器140。
[0034]在顯示面板110上,多條柵極線GL和多條感測線SL可形成為與多條數(shù)據(jù)線DL交叉,并且像素P可以以矩陣形式形成在交叉區(qū)域處。像素P可連接至單條柵極線GL、單條數(shù)據(jù)線DL和單條感測線SL??上蛳袼豍提供高電位的驅動電壓VDD和高電位的基準電壓Vref??赏ㄟ^預定電平的驅動電壓源(未示出)產(chǎn)生驅動電壓VDD,并且可通過預定電平的基準電壓源(未示出)產(chǎn)生基準電壓Vref。
[0035]參照圖4,像素P可包括有機發(fā)光二極管0LED、多個開關TFT STl、ST2、驅動TFT DT和存儲電容器Cst。驅動TFT DT和多個開關TFT STl、ST2可由N型MOSFET實現(xiàn)。
[0036]OLED連接在驅動TFT DT的漏極電極與基礎電壓VSS之間并且通過在驅動電壓VDD與基礎電壓VSS之間流動的電流發(fā)光。
[0037]第一開關TFTSTl可基于通過柵極線GL提供的柵極信號將通過數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)信號輸出至驅動TFT DT的柵極電極。
[0038]第二開關TFTST2可基于通過感測線SL提供的感測信號將基準電壓Vref施加至OLED的陽極電極。
[0039]驅動TFT DT連接在驅動電壓VDD與OLED之間,并且驅動TFT DT可基于施加在驅動電壓VDD與柵極電極之間的電壓控制流到OLED的電流量。
[0040]存儲電容器Cst連接在第一開關TFTSTl的漏極電極與驅動TFT DT的柵極電極之間。存儲電容器Cst可將施加至驅動TFT DT的柵極電極的電壓保持單個幀。
[0041]參照圖3,柵極驅動單元120可基于從時序控制器140提供的柵極控制信號GCS產(chǎn)生柵極信號和感測信號。柵極信號可被提供給顯示面板110的多條柵極線GL,感測信號可被提供給顯示面板110的多條感測線SL。柵極驅動單元120可由移位寄存器陣列實現(xiàn)并且可作為面板內柵極(GIP)型形成在顯示面板110上。
[0042]數(shù)據(jù)驅動單元130可基于從時序控制器140提供的數(shù)據(jù)控制信號DCS,將圖像數(shù)據(jù)(例如,從時序控制器140輸出的補償圖像數(shù)據(jù)RGB’)轉換為具有模擬電壓形式的數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)驅動單元130可將數(shù)據(jù)信號提供給多條數(shù)據(jù)
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