硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路。它包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路、開關(guān)電路和泄放電路。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路與行驅(qū)動(dòng)信號(hào)ROW、列驅(qū)動(dòng)DATA、電源VDD和地GND相連接；在行選通信號(hào)ROW有效的情況下，將列驅(qū)動(dòng)信號(hào)DATA寫進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路進(jìn)行保存；輸出信號(hào)接至第一開關(guān)管T1，控制第一開關(guān)管T1的開關(guān)狀態(tài)；在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路輸出信號(hào)有效時(shí)，第一開關(guān)晶體管T1導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED在VDD和Vcom電壓驅(qū)動(dòng)下發(fā)光；第二開關(guān)晶體管T2：柵極連接偏置信號(hào)BIAS，源極連接地GND，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極和第一開關(guān)晶體管T2的漏極；在OLED不工作時(shí)，偏置信號(hào)BIAS信號(hào)有效時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED進(jìn)入放電狀態(tài)。
【專利說明】
硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及到一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]石圭基有機(jī)發(fā)光二極管(OLED-on-Silicon，OrganicLight Emitting D1de onSilicon)是將有機(jī)發(fā)光二極管與單晶硅集成電路結(jié)合，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管成為備受矚目的新型顯示技術(shù)。CMOS工藝具有成本低、體積小、技術(shù)成熟等特點(diǎn)；OLED顯示器具有視角大、響應(yīng)速度快、功耗低、固態(tài)顯示等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]微顯示器一般指屏幕對(duì)角線小于3.3cm的顯示器。微顯示器體積小、易攜帶、功耗低、溫度適應(yīng)性好等優(yōu)點(diǎn)，可制作成近眼顯示或投影儀產(chǎn)品以小體積實(shí)現(xiàn)大視場，具有良好的發(fā)展前景。可應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、軍事、航空航天、工業(yè)控制以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域，特別是穿戴器件、虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等新型應(yīng)用。
[0004]有機(jī)發(fā)光二極管微顯示技術(shù)已成為國內(nèi)外顯示技術(shù)研究的新熱點(diǎn)。目前，針對(duì)OLED像素衰退的問題，越來越多研究者對(duì)OLED衰退補(bǔ)償展開研究，已提出一些OLED像素驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路。OLED顯示器進(jìn)行長時(shí)間高對(duì)比度、高亮度顯示之后，OLED像素會(huì)聚集一定的電荷;當(dāng)顯示畫面刷新后會(huì)觀察到模糊的鬼影現(xiàn)象，使得發(fā)光一致性好變差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于針對(duì)已有技術(shù)存在的缺陷，提供一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，有效的解決硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示器長時(shí)間顯示后產(chǎn)生的鬼影現(xiàn)象，提高硅基有機(jī)發(fā)光二極管微顯示的發(fā)光一致性。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的構(gòu)思是:硅基有機(jī)發(fā)光二極管(OLED-on-Silicon，Organic Light Emitting D1de on Silicon)的鬼影現(xiàn)象是由于長時(shí)間顯示之后，OLED像素聚集大量的電荷，當(dāng)電荷量增大到一定程度就會(huì)產(chǎn)生模糊的鬼影現(xiàn)象。依據(jù)OLED像素的容性特性，增加泄放電路;OLED不發(fā)光時(shí)，利用晶體管對(duì)OLED像素放電，達(dá)到保持微顯示器的發(fā)光一致性的目的。
[0007]根據(jù)上述發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，包括一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路連接一個(gè)開關(guān)電路和一個(gè)泄放電路，如圖1所示，其特征在于:
所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路電路(I)與行驅(qū)動(dòng)信號(hào)ROW、列驅(qū)動(dòng)信號(hào)、電源VDD和地GND相連接;在行選通信號(hào)ROW有效的情況下，將列驅(qū)動(dòng)信號(hào)DATA寫進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路進(jìn)行保存;輸出信號(hào)接至開關(guān)電路，控制開關(guān)電路的開關(guān)狀態(tài)；
所述開關(guān)電路包含一個(gè)第一開關(guān)晶體管Tl;所述第一開關(guān)晶體管Tl:柵極連接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路輸出信號(hào)，源極連接電源VDD，漏極連接泄放電路并經(jīng)一個(gè)硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接負(fù)電源Vcom;在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路輸出信號(hào)有效時(shí)，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED工作在點(diǎn)亮狀態(tài)； 所述泄放電路包含一個(gè)第二開關(guān)晶體管T2;所述第二開關(guān)晶體管T2:柵極連接偏置信號(hào)BIAS，源極連接地GND，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極和第一開關(guān)晶體管T2的漏極;在OLED不工作時(shí)，偏置信號(hào)BIAS信號(hào)有效時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED進(jìn)入放電狀態(tài)；
所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(PM0S或NM0S)、多晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0008]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)可以采用隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM,Random Access Memory)，可為的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM，StaticRandom Access Memory)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)中的一種，如圖2、圖3所示。
[0009]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的SRAM
采用雙穩(wěn)態(tài)鎖存結(jié)構(gòu)，不存在電容，無需外部刷新電路，輸出數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變;可為傳統(tǒng)的6管結(jié)構(gòu)或任意其他的4管、5管結(jié)構(gòu)；圖2中的SRAM輸入反相器是可選的，一般在列驅(qū)動(dòng)電路中，不在像素電路內(nèi)部。
[0010]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的DRAM采用電容充電存儲(chǔ)保持?jǐn)?shù)據(jù)，而電容存在漏電現(xiàn)象，需要對(duì)DRAM單元進(jìn)行不斷的刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)的不變。
[0011]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的DRAM存儲(chǔ)電路中的電容Cs用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中的任一種;存儲(chǔ)電容Cs的取值范圍需小于120ff，Cs可以用其他任何等效電容替代，如晶體管柵電容等。
[0012]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl采用P型或N型晶體管結(jié)構(gòu)，晶體管的長W和寬L可采用晶體管工藝尺寸最小值。
[0013]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2采用P型或N型晶體管結(jié)構(gòu)，晶體管的長W和寬L可采用晶體管工藝尺寸最小值;Vcom的值取決于第二開關(guān)晶體管T2的耐壓，根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的范圍為-10V到0V，VDD的取值范圍為I.8V到1V。
[0014]根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:如圖4所示，所述第一開關(guān)晶體管Tl的源極也可接至VQLED，同樣可以對(duì)OLED像素進(jìn)行有效驅(qū)動(dòng)。
[0015]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2的源極也可接到Vcom，同樣可以對(duì)OLED像素進(jìn)行放電，如圖5所示。
[0016]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2是可以去除的，驅(qū)動(dòng)電路不存在放電回路，形成更簡單的電路結(jié)構(gòu)，同樣可以達(dá)到驅(qū)動(dòng)能力，如圖6所示。
[0017]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)電路輸出信號(hào)與第一開關(guān)管之間可以增加Level Shift，提高輸出電平，降低負(fù)電源Vcom的絕對(duì)取值，如圖7所示。
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下突出實(shí)質(zhì)特性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn): 第一，本發(fā)明可以通過數(shù)字驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電流脈沖寬度調(diào)制波。
[0019]第二，本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路對(duì)OLED像素進(jìn)行放電，改善顯示鬼影現(xiàn)象。
[0020]第三，本發(fā)明的像素單元電路的晶體管可以都采用P型晶體管，有利于版圖的布局設(shè)計(jì)。
[0021]第四，本發(fā)明的像素電路可以結(jié)合電流鏡結(jié)構(gòu)，能有效地對(duì)OLED像素電流衰退進(jìn)行補(bǔ)償。
【附圖說明】
[0022]圖1為硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
[0023]圖2為靜態(tài)隨存儲(chǔ)器SRAM結(jié)構(gòu)的硅基有機(jī)發(fā)光顯微器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0024]圖3為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM結(jié)構(gòu)的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0025]圖4為Tl的源極接Vqled的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0026]圖5為T2的源極接Vcom的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0027]圖6為去掉T2開關(guān)管的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0028]圖7為增加LevelShift結(jié)構(gòu)的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
[0029]圖8為結(jié)合參考電流產(chǎn)生電路的硅基有機(jī)發(fā)光顯微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)合【附圖說明】如下，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0031]實(shí)施例一:
參見圖1，一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，包括一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)連接一個(gè)開關(guān)電路(2)和一個(gè)泄放電路(3)。
[0032 ]所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)與行驅(qū)動(dòng)信號(hào)R0W、列驅(qū)動(dòng)信號(hào)、電源VDD和地GND相連接;在行選通信號(hào)ROW有效的情況下，將列驅(qū)動(dòng)信號(hào)DATA寫進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路進(jìn)行保存;輸出信號(hào)接至開關(guān)電路(2)，控制開關(guān)電路(2)的開關(guān)狀態(tài)；
所述開關(guān)電路(2)包含一個(gè)第一開關(guān)晶體管Tl;所述第一開關(guān)晶體管Tl:柵極連接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路輸出信號(hào)，源極連接電源VDD，漏極連接泄放電路(3)并經(jīng)一個(gè)硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接負(fù)電源Vcom;在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路輸出信號(hào)有效時(shí)，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED在VDD和Vcom電壓驅(qū)動(dòng)下發(fā)光；
所述泄放電路(3)包含一個(gè)第二開關(guān)晶體管T2;所述第二開關(guān)晶體管T2:柵極連接偏置信號(hào)BIAS，源極連接地GND，漏極連接硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極和第一開關(guān)晶體管T2的漏極;在硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED不工作時(shí)，偏置信號(hào)BIAS信號(hào)有效時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED進(jìn)入放電狀態(tài)；
實(shí)施例二:
本實(shí)施例同樣與實(shí)施例一基本相同，參見圖7，其與實(shí)施例一最大的區(qū)別在于在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路與第一開關(guān)管之間增加了Level Shift，使得輸出電平提高，這樣就可以降低Vcom的電壓值;當(dāng)沒有Level Shift時(shí)，需要較大的負(fù)電壓Vcom。
[0033]實(shí)施例三:
參見圖8，本文所述的硅基OLED像素驅(qū)動(dòng)電路可結(jié)合電流源結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生恒定的發(fā)光驅(qū)動(dòng)電流，結(jié)合像素單元電路產(chǎn)生的脈寬調(diào)制波形，采用數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式對(duì)像素單元電路進(jìn)行控制;硅基有機(jī)發(fā)光二極管的工作電流范圍為InA?luA，根據(jù)不同的OLED的單元尺寸，通過調(diào)節(jié)Iref的值，同時(shí)OLED二端的電壓不斷變化，保證OLED能夠工作在合適的亮度下。Vref可以通過固定電壓源、有源電流鏡、自偏置低壓共源共柵電流鏡得到。
[0034]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。
[0035]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路
(I)采用隨機(jī)存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)(RAM，Random Access Memory)，可為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM，Static Random Access Memory)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM，Dynamic Random AccessMemory)中的一種。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器可為傳統(tǒng)的6管結(jié)構(gòu)或任意其他的4管、5管結(jié)構(gòu);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)中存在電容結(jié)構(gòu)，利用電容充電存儲(chǔ)保持?jǐn)?shù)據(jù)。
[0036]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述的DRAM存儲(chǔ)電路中的電容Cs用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中的任一種;存儲(chǔ)電容Cs的取值范圍需小于120ff，Cs可以用其他任何等效電容替代，如晶體管柵電容等。
[0037]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl采用P型或N型晶體管結(jié)構(gòu)，晶體管的長W和寬L可采用晶體管工藝尺寸最小值。
[0038]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2采用P型或N型晶體管結(jié)構(gòu)，晶體管的長W和寬L可采用晶體管工藝尺寸最小值;Vcom的值取決于第二開關(guān)晶體管T2的耐壓，根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的范圍為-10V到0V，VDD的取值范圍為I.8V到1V。
[0039]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl的源極也可接至Vqled，同樣可以對(duì)OLED像素進(jìn)行有效驅(qū)動(dòng)。
[0040]所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2的源極也可接到Vcom，同樣可以達(dá)到對(duì)OLED像素進(jìn)行放電的目的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，包括一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I) 一個(gè)開關(guān)電路(2 )和一個(gè)泄放電路(3 )其特征在于: 所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路電路(I)與行驅(qū)動(dòng)信號(hào)ROW、列驅(qū)動(dòng)DATA、電源VDD和地GND相連接;在行選通信號(hào)ROW有效的情況下，將列驅(qū)動(dòng)信號(hào)DATA寫進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路進(jìn)行保存;輸出信號(hào)Q接至開關(guān)電路(2)，控制開關(guān)電路(2)的開關(guān)狀態(tài)； 所述開關(guān)電路(2)包含一個(gè)第一開關(guān)晶體管Tl;所述第一開關(guān)晶體管Tl:柵極連接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)輸出信號(hào)，源極連接電源VDD，漏極連接泄放電路(3)并經(jīng)一個(gè)硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED連接負(fù)電源Vcom;在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)輸出信號(hào)有效時(shí)，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED在VDD和Vcom電壓驅(qū)動(dòng)下發(fā)光； 所述泄放電路(3)包含一個(gè)第二開關(guān)晶體管T2;所述第二開關(guān)晶體管T2:柵極連接偏置信號(hào)BIAS，源極連接地GND，漏極連接硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極和第一開關(guān)晶體管T2的漏極;在硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED不工作時(shí)，偏置信號(hào)BIAS信號(hào)有效時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使硅基有機(jī)發(fā)光二極管OLED進(jìn)入放電狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2采用金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化鋅基薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管和有機(jī)薄膜晶體管中的任意一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)采用隨機(jī)存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)，為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中的一種;靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器為傳統(tǒng)的6管結(jié)構(gòu)或任意其他的4管、5管結(jié)構(gòu);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)中存在電容，利用電容充電存儲(chǔ)保持?jǐn)?shù)據(jù)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)中的電容采用多晶-絕緣體-多晶PIP電容、金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容、金屬-氧化物-金屬M(fèi)OM電容或深溝道電容中的任一種;或者用等效電容替代。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl采用P型或N型晶體管，晶體管的長W和寬L為晶體管工藝尺寸最小值。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2采用P型或N型晶體管，晶體管的長W和寬L為晶體管工藝尺寸最小值;Vcom的值取決于第二開關(guān)晶體管T2的耐壓，根據(jù)第二開關(guān)晶體管T2的工藝，Vcom的范圍為-1OV到OV，VDD的取值范圍為1.8V到1V。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第一開關(guān)晶體管Tl的源極接至VQLED，同樣可對(duì)OLED像素進(jìn)行有效驅(qū)動(dòng)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述第二開關(guān)晶體管T2的源極接到Vcom，同樣可以對(duì)OLED像素進(jìn)行放電。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路(I)輸出信號(hào)與第一開關(guān)管之間增加Level Shift,提高輸出電平，降低負(fù)電源Vcom的絕對(duì)取值。
【文檔編號(hào)】G09G3/3208GK105976754SQ201610163263
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月19日
【發(fā)明人】季淵, 劉萬林, 王成, 冉峰, 沈偉星
【申請人】上海大學(xué)