Oled驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，該方法在驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測過程中，先向驅(qū)動薄膜晶體管的柵極提供一高電壓，利用該提供的高電壓增大驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓差，從而提升流過驅(qū)動薄膜晶體管的電流，加快驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓的提升速度，進(jìn)而加快OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測速度，減少OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間，提升用戶體驗，同時還在驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓達(dá)到穩(wěn)定之前，將驅(qū)動薄膜晶體管的柵極恢復(fù)為低電壓，保證驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測的穩(wěn)定性。
【專利說明】
OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，0LED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示
目.ο
[0003]OLED顯示器件通常包括:基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層迀移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。
[0004]OLED顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型0LED(Passive Matrix OLED，PM0LED)和有源矩陣型0LED(Active Matrix 0LED，AM0LED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0005]AMOLED是電流驅(qū)動器件，當(dāng)有電流流過有機發(fā)光二極管時，有機發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過有機發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(IntegratedCircuit，IC)都只傳輸電壓信號，故AMOLED的像素驅(qū)動電路需要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)。傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動電路通常為2T1C，即兩個薄膜晶體管加一個電容的結(jié)構(gòu)，將電壓變換為電流。
[0006]通常AMOLED像素驅(qū)動電路均設(shè)有用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管發(fā)光的驅(qū)動薄膜晶體管，在使用過程中，由于有機發(fā)光二級管的老化、以及驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偏移，會導(dǎo)致OLED顯示裝置的顯示質(zhì)量下降，因此需要在OLED顯示裝置的使用過程中偵測驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓對其進(jìn)行補償，從而保證OLED顯示裝置的顯示質(zhì)量，現(xiàn)有技術(shù)中，驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的偵測時間很長，用戶體驗較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，能夠加快OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測速度，減少OLED顯示裝置驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間，提升用戶體驗。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供一OLED顯示裝置驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第一電容、有機發(fā)光二極管、及開關(guān)；
[0010]所述第一薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極接入數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接第一節(jié)點;所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接第一節(jié)點，源極接入直流電壓信號，漏極電性連接第二節(jié)點;所述第三薄膜晶體管的柵極接入偵測信號，源極電性連接第三節(jié)點，漏極電性連接第二節(jié)點;所述第一電容的一端電性連接第一節(jié)點，另一端電性連接第二節(jié)點;所述有機發(fā)光二極管的陽極電性連接第二節(jié)點，陰極接地;所述第一開關(guān)的一端接入公共電壓，另一端電性連接第三節(jié)點；
[0011]步驟2、所述掃描信號和偵測信號均提供高電位，第一和第三薄膜晶體管均打開，所述數(shù)據(jù)信號提供第一電壓，所述第一節(jié)點被充電至第一電壓，所述第二薄膜晶體管導(dǎo)通，所述開關(guān)閉合，所述第二節(jié)點被箝位在公共電壓；
[0012]步驟3、所述掃描信號和偵測信號保持高電位，第一和第三薄膜晶體管保持打開，所述數(shù)據(jù)信號保持第一電壓，所述第一節(jié)點的電壓保持在第一電壓，所述開關(guān)斷開，所述第二節(jié)點的電壓開始上升；
[0013]步驟4、所述第二節(jié)點的電壓上升至第三電壓，所述掃描信號和偵測信號保持高電位，第一和第三薄膜晶體管保持打開，所述開關(guān)保持?jǐn)嚅_，所述數(shù)據(jù)信號提供小于第一電壓的第二電壓，所述第一節(jié)點的電壓下降至第二電壓，所述第二薄膜晶體管仍導(dǎo)通，所述第二節(jié)點的電壓繼續(xù)上升，直至穩(wěn)定在第四電壓；
[0014]所述第二電壓小于有機發(fā)光二極管的閾值電壓，所述第三電壓大于公共電壓且小于第四電壓；
[0015]步驟5、提供一模數(shù)轉(zhuǎn)換器，利用所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器偵測出所述第二節(jié)點的電壓，并根據(jù)第二節(jié)點的電壓得出所述第二薄膜晶體管的閾值電壓，所述第二薄膜晶體管的閾值電壓等于第二電壓與第二節(jié)點的電壓的差值。
[0016]所述步驟5中還提供運算放大器、以及相關(guān)雙采樣電路；
[0017]偵測時，所述運算放大器的反相輸入端電性連接其輸出端，同相輸入端電性連接第三節(jié)點，輸出端電性連接相關(guān)雙采樣電路的輸入端，所述相關(guān)雙采樣電路的輸出端電性連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器，從而利用所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器偵測出所述第二節(jié)點的電壓。
[0018]所述步驟5中所述第二節(jié)點的電壓經(jīng)由運算放大器緩沖后輸出給相關(guān)雙采樣電路，所述相關(guān)雙采樣電路對所述第二節(jié)點的電壓進(jìn)行鎖存與邏輯運算后輸出給模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器偵測所述第二節(jié)點的電壓并進(jìn)行數(shù)字量化。
[0019]所述公共電壓小于有機發(fā)光二極管的閾值電壓。
[0020]所述公共電壓等于0V。
[0021]所述OLED顯示裝置驅(qū)動電路中還形成有寄生電容，所述寄生電容并聯(lián)于所述有機發(fā)光二極管的兩端。
[0022]所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、及第三薄膜晶體管均為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0023]還包括步驟6、根據(jù)偵測到的所述第二薄膜晶體管的閾值電壓對數(shù)據(jù)信號進(jìn)行補O
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，該方法在驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測過程中，先向驅(qū)動薄膜晶體管的柵極提供一高電壓，利用該提供的高電壓增大驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓差，從而提升流過驅(qū)動薄膜晶體管的電流，加快驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓的提升速度，進(jìn)而加快OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測速度，減少OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間，提升用戶體驗，同時還在驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓達(dá)到穩(wěn)定之前，將驅(qū)動薄膜晶體管的柵極恢復(fù)為低電壓，保證驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為本發(fā)明的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法中OLED顯示裝置驅(qū)動電路的電路圖；
[0028]圖2為本發(fā)明的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法的時序圖；
[0029]圖3為本發(fā)明的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0030]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]請參閱圖3，本發(fā)明提供了一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，包括如下步驟:
[0032]步驟1、請參閱圖1，提供一OLED顯示裝置驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管Τ2、第三薄膜晶體管Τ3、第一電容Cl、有機發(fā)光二極管Dl、及開關(guān)SI。
[0033]其中，所述第一薄膜晶體管Tl的柵極接入掃描信號Scan，源極接入數(shù)據(jù)信號Data，漏極電性連接第一節(jié)點P;所述第二薄膜晶體管T2的柵極電性連接第一節(jié)點P，源極接入直流電壓信號Ovdd，漏極電性連接第二節(jié)點Q;所述第三薄膜晶體管T3的柵極接入偵測信號Sen，源極電性連接第三節(jié)點K，漏極電性連接第二節(jié)點Q;所述第一電容Cl的一端電性連接第一節(jié)點P，另一端電性連接第二節(jié)點Q;所述有機發(fā)光二極管Dl的陽極電性連接第二節(jié)點Q，陰極接地;所述第一開關(guān)SI的一端接入公共電壓V cm，另一端電性連接第三節(jié)點K。
[0034]具體地，所述第一薄膜晶體管Tl為開關(guān)薄膜晶體管，第二薄膜晶體管T2為驅(qū)動薄膜晶體管，第三薄膜晶體管T3為偵測薄膜晶體管?？蛇x地，所述第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、及第三薄膜晶體管T3均為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
[0035]具體地，所述OLED顯示裝置驅(qū)動電路中還形成有寄生電容C2，所述寄生電容C2并聯(lián)于所述有機發(fā)光二極管Dl的兩端。
[0036]步驟2、請參閱圖2，所述掃描信號Scan和偵測信號Sen均提供高電位，第一和第三薄膜晶體管T1、T3均打開，所述數(shù)據(jù)信號Data提供第一電壓VI，所述第一節(jié)點P被充電至第一電壓VI，所述第二薄膜晶體管T2導(dǎo)通，所述開關(guān)SI閉合，所述第二節(jié)點Q被箝位在公共電壓 Vcm。
[0037]具體地，所述公共電壓Vcm小于有機發(fā)光二極管Dl的閾值電壓，優(yōu)選地，所述公共電壓Vcm為0V，當(dāng)然根據(jù)需要所述公共電壓Vcm也可以選擇大于OV且小于有機發(fā)光二極管Dl的閾值電壓的電壓值，提升該公共電壓Vcm的大小可以減少后續(xù)的需要上升的電壓大小，進(jìn)而減少OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間。
[0038]步驟3、請繼續(xù)參閱圖2，所述掃描信號Scan和偵測信號Sen保持高電位，第一和第三薄膜晶體管T1、T3保持打開，所述數(shù)據(jù)信號Data保持第一電壓VI，所述第一節(jié)點P的電壓保持在第一電壓VI，所述開關(guān)SI斷開，所述第二節(jié)點Q的電壓開始上升。
[0039]不同于現(xiàn)有技術(shù)，此處的第一電壓Vl需要大于第二薄膜晶體管T2的閾值電壓，但不一定小于有機發(fā)光二極管Dl的閾值電壓，其根據(jù)需要減小的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間的長短選擇相應(yīng)的大小，所述第一電壓Vl越大，驅(qū)動薄膜晶體管(第二薄膜晶體管T2)的柵極與源極之間的電壓差越大，流過驅(qū)動薄膜晶體管(第二薄膜晶體管T2)的電流越大，第二節(jié)點Q的電壓抬升速度越快，OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間越短。
[0040]步驟4、請繼續(xù)參閱圖2，所述第二節(jié)點Q的電壓上升至第三電壓V3，所述掃描信號Scan和偵測信號Sen保持高電位，第一和第三薄膜晶體管Tl、T3保持打開，所述開關(guān)SI保持?jǐn)嚅_，所述數(shù)據(jù)信號Data提供小于第一電壓Vl的第二電壓V2，所述第一節(jié)點P的電壓下降至第二電壓V2，所述第二薄膜晶體管T2仍導(dǎo)通，所述第二節(jié)點Q的電壓繼續(xù)上升，直至穩(wěn)定在第四電壓V4。
[0041]具體地，這里的第二電壓V2即為現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)定的大小，其需要滿足小于有機發(fā)光二極管Dl的閾值電壓且大于第二薄膜晶體管T2的閾值電壓的條件，從而能夠在偵測過程中，保證有機發(fā)光二極管Dl始終不發(fā)光，保證最終偵測到第二節(jié)點Q的電壓的準(zhǔn)確性，基于此，數(shù)據(jù)信號Data的電壓則需要在第二節(jié)點Q的電壓達(dá)到數(shù)據(jù)信號Data的電壓為第二電壓V2時對應(yīng)的第二節(jié)點Q的穩(wěn)定電壓即第四電壓V4之前從第一電壓Vl變?yōu)榈诙妷篤2，避免對數(shù)據(jù)信號Data的電壓進(jìn)行改變前第二節(jié)點Q的電壓已經(jīng)超出第四電壓V4，也即需要所述第三電壓V3大于公共電壓Vcm且小于第四電壓V4，而所述第四電壓V4即等于第二電壓V2與待測的第二薄膜晶體管T2的閾值電壓的差值。
[0042]步驟5、請參閱圖1，提供一運算放大器Yl、相關(guān)雙采樣電路⑶S、以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，將所述運算放大器Yl的反相輸入端電性連接至其輸出端，同相輸入端電性連接至第三節(jié)點K，輸出端電性連接至相關(guān)雙采樣電路CDS的輸入端，所述相關(guān)雙采樣電路CDS的輸出端電性連接至模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，利用所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC偵測出所述第二節(jié)點Q的電壓，并根據(jù)第二節(jié)點Q的電壓得出所述第二薄膜晶體管T2的閾值電壓，所述第二薄膜晶體管T2的閾值電壓等于第二電壓V2與第二節(jié)點Q的電壓的差值。
[0043]具體地，所述步驟5中所述第二節(jié)點Q的電壓經(jīng)由運算放大器Yl緩沖后輸出給相關(guān)雙采樣電路CDS，所述相關(guān)雙采樣電路CDS對所述第二節(jié)點Q的電壓進(jìn)行鎖存與邏輯運算后輸出給模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC偵測所述第二節(jié)點Q的電壓并進(jìn)行數(shù)字量化。
[0044]可以理解的是，所述步驟5中偵測第二節(jié)點Q的電壓的方法并不限于上述的通過運算放大器Y1、相關(guān)雙采樣電路CDS、以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC進(jìn)行偵測的方法，其也可以通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC搭配其他元件或模塊進(jìn)行偵測。
[0045]步驟6、根據(jù)偵測到的所述第二薄膜晶體管T2的閾值電壓對數(shù)據(jù)信號Data進(jìn)行補
Iz? O
[0046]綜上所述，本發(fā)明提供了一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，該方法在驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測過程中，先向驅(qū)動薄膜晶體管的柵極提供一高電壓，利用該提供的高電壓增大驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓差，從而提升流過驅(qū)動薄膜晶體管的電流，加快驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓的提升速度，進(jìn)而加快OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測速度，減少OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時間，提升用戶體驗，同時還在驅(qū)動薄膜晶體管的源極電壓達(dá)到穩(wěn)定之前，將驅(qū)動薄膜晶體管的柵極恢復(fù)為低電壓，保證驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測的穩(wěn)定性。
[0047]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一 OLED顯示裝置驅(qū)動電路，包括:第一薄膜晶體管(Tl)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第一電容(Cl)、有機發(fā)光二極管(Dl)、及開關(guān)(SI); 所述第一薄膜晶體管(Tl)的柵極接入掃描信號(Scan)，源極接入數(shù)據(jù)信號(Data)，漏極電性連接第一節(jié)點(P);所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極電性連接第一節(jié)點(P)，源極接入直流電壓信號(Ovdd)，漏極電性連接第二節(jié)點(Q);所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入偵測信號(Sen)，源極電性連接第三節(jié)點(K)，漏極電性連接第二節(jié)點(Q);所述第一電容(Cl)的一端電性連接第一節(jié)點(P)，另一端電性連接第二節(jié)點(Q);所述有機發(fā)光二極管(Dl)的陽極電性連接第二節(jié)點(Q)，陰極接地；所述第一開關(guān)(SI)的一端接入公共電壓(Vcm)，另一端電性連接第三節(jié)點(K); 所述第二薄膜晶體管(T2)為驅(qū)動薄膜晶體管； 步驟2、所述掃描信號(Scan)和偵測信號(Sen)均提供高電位，第一和第三薄膜晶體管(T1、T3)均打開，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供第一電壓(VI)，所述第一節(jié)點(P)被充電至第一電壓(Vl)，所述第二薄膜晶體管(T2)導(dǎo)通，所述開關(guān)(SI)閉合，所述第二節(jié)點(Q)被箝位在公共電壓(Vcm)； 步驟3、所述掃描信號(Scan)和偵測信號(Sen)保持高電位，第一和第三薄膜晶體管(T1、T3)保持打開，所述數(shù)據(jù)信號(Data)保持第一電壓(VI)，所述第一節(jié)點(P)的電壓保持在第一電壓(VI)，所述開關(guān)(SI)斷開，所述第二節(jié)點(Q)的電壓開始上升； 步驟4、所述第二節(jié)點(Q)的電壓上升至第三電壓(V3)，所述掃描信號(Scan)和偵測信號(Sen)保持高電位，第一和第三薄膜晶體管(T1、T3)保持打開，所述開關(guān)(SI)保持?jǐn)嚅_，所述數(shù)據(jù)信號(Data)提供小于第一電壓(Vl)的第二電壓(V2)，所述第一節(jié)點(P)的電壓下降至第二電壓(V2)，所述第二薄膜晶體管(T2)仍導(dǎo)通，所述第二節(jié)點(Q)的電壓繼續(xù)上升，直至穩(wěn)定在第四電壓(V4); 所述第二電壓(V2)小于有機發(fā)光二極管(Dl)的閾值電壓，所述第三電壓(V3)大于公共電壓(Vcm)且小于第四電壓(V4); 步驟5、提供一模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，利用所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)偵測出所述第二節(jié)點(Q)的電壓，并根據(jù)第二節(jié)點(Q)的電壓得出所述第二薄膜晶體管(T2)的閾值電壓，所述第二薄膜晶體管(T2)的閾值電壓等于第二電壓(V2)與第二節(jié)點(Q)的電壓的差值。2.如權(quán)利要求1所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述步驟5中還提供運算放大器(Yl )、以及相關(guān)雙采樣電路(CDS); 偵測時，所述運算放大器(Yl)的反相輸入端電性連接其輸出端，同相輸入端電性連接第三節(jié)點(K)，輸出端電性連接相關(guān)雙采樣電路(CDS)的輸入端，所述相關(guān)雙采樣電路(CDS)的輸出端電性連接模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，從而利用所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)偵測出所述第二節(jié)點(Q)的電壓。3.如權(quán)利要求2所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述步驟5中所述第二節(jié)點(Q)的電壓經(jīng)由運算放大器(Yl)緩沖后輸出給相關(guān)雙采樣電路(CDS)，所述相關(guān)雙采樣電路(CDS)對所述第二節(jié)點(Q)的電壓進(jìn)行鎖存與邏輯運算后輸出給模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)偵測所述第二節(jié)點(Q)的電壓并進(jìn)行數(shù)字量化。4.如權(quán)利要求1所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述公共電壓(Vcm)小于有機發(fā)光二極管(Dl)的閾值電壓。5.如權(quán)利要求4所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述公共電壓(Vcm)等于OV06.如權(quán)利要求1所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述OLED顯示裝置驅(qū)動電路中還形成有寄生電容(C2)，所述寄生電容(C2)并聯(lián)于所述有機發(fā)光二極管(Dl)的兩端。7.如權(quán)利要求1所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(Tl)、第二薄膜晶體管(T2)、及第三薄膜晶體管(T3)均為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。8.如權(quán)利要求1所述的OLED驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測方法，其特征在于，還包括步驟6、根據(jù)偵測到的所述第二薄膜晶體管(T2)的閾值電壓對數(shù)據(jù)信號(Data)進(jìn)行補償。
【文檔編號】G09G3/00GK106097943SQ201610645445
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月8日 公開號201610645445.4, CN 106097943 A, CN 106097943A, CN 201610645445, CN-A-106097943, CN106097943 A, CN106097943A, CN201610645445, CN201610645445.4
【發(fā)明人】黃泰鈞, 梁鵬飛, 周明忠, 許神賢
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司