陣列基板行驅(qū)動goa單元的保護(hù)電路和陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及陣列基板行驅(qū)動(Gate on Array，GOA)單元的ESD或EOS防護(hù)，并且更具體地涉及一種GOA單元的保護(hù)電路和陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]靜電放電(Electrical Static Discharge，ESD)是目前電子設(shè)備的頭號殺手。在顯示領(lǐng)域內(nèi)，由于例如薄膜晶體管型液晶顯示器(TFT-1XD)的顯示屏幕面積大、包括TFT-LCD的電子設(shè)備與人體直接接觸等原因，TFT-LCD容易受到ESD影響而造成顯示異常。此外，TFT-LCD還容易受到過渡電性應(yīng)力(Electrical Over Stress，EOS)的影響。
[0003]在顯示領(lǐng)域內(nèi)，陣列基板行驅(qū)動(GOA)單元一般都集成在顯示面板的外側(cè)，比較容易受到ESD或EOS的影響。尤其在各種超薄型(Air)的電子設(shè)備中，更容易導(dǎo)致GOA單元被擊穿，導(dǎo)致顯示面板顯示異常。
[0004]因此，需要針對GOA單元進(jìn)行ESD或EOS防護(hù)，從而增強(qiáng)顯示面板的可靠度，進(jìn)而提升電子設(shè)備的品質(zhì)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板行驅(qū)動GOA單元的保護(hù)電路，其與GOA單元的柵線信號輸出端連接，其特征在于，所述保護(hù)電路包括:第一電壓選通模塊，其輸入端與第一電壓源的輸出端連接，并且被配置為在所述柵線信號輸出端應(yīng)輸出柵極驅(qū)動信號的有效驅(qū)動電壓時，在其輸出端輸出所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓；第一保護(hù)模塊，其輸入端與所述第一電壓選通模塊的輸出端連接，并且其輸出端與柵線連接；其中，在所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓與所述柵線信號輸出端的當(dāng)前輸出電壓滿足第一預(yù)定條件的情況下，所述第一保護(hù)模塊將所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓輸出作為調(diào)整后的柵極驅(qū)動信號。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，所述保護(hù)電路還包括:第二電壓選通模塊，其輸入端與第二電壓源的輸出端連接，并且被配置為在所述柵線信號輸出端應(yīng)輸出柵極驅(qū)動信號的非有效驅(qū)動電壓時，在其輸出端輸出所述第二電壓源的輸出端的輸出電壓；第二保護(hù)模塊，其輸入端與所述第二電壓選通模塊的輸出端連接，并且其輸出端與所述柵線連接；其中，在所述第二電壓源的輸出端的輸出電壓與所述柵線信號輸出端的當(dāng)前輸出電壓滿足第二預(yù)定條件的情況下，所述第二保護(hù)模塊將所述第二電壓源的輸出端的輸出電壓輸出作為調(diào)整后的柵極驅(qū)動信號。
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括上述任一陣列基板行驅(qū)動GOA單元的保護(hù)電路。
[0008]本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0009]通過結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的描述，本實(shí)用新型的上述以及其它目的、特征和優(yōu)勢將變得更加明顯。附圖用來提供對本實(shí)用新型實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中，相同的參考標(biāo)號通常代表相同部件或步驟。
[0010]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的GOA單元及其柵極驅(qū)動信號的示意圖；
[0011]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的與陣列基板行驅(qū)動GOA單元的柵線信號輸出端連接的保護(hù)電路的一種示意性框圖；
[0012]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的與陣列基板行驅(qū)動GOA單元的柵線信號輸出端連接的保護(hù)電路的另一種示意性框圖；
[0013]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的對GOA單元輸出的柵極驅(qū)動信號的高電壓進(jìn)行防護(hù)的第一保護(hù)模塊的原理圖；
[0014]圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的圖4所示的第一保護(hù)模塊的示意性電路圖；
[0015]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的與陣列基板行驅(qū)動GOA單元的柵線信號輸出端連接的保護(hù)電路的又一種示意性框圖；
[0016]圖7是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的與陣列基板行驅(qū)動GOA單元的柵線信號輸出端連接的保護(hù)電路的再一種示意性框圖；
[0017]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的對GOA單元輸出的柵極驅(qū)動信號的低電壓進(jìn)行防護(hù)的第二保護(hù)模塊的原理圖；
[0018]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的圖8所示的第二保護(hù)模塊的示意性電路圖；
[0019]圖10是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的對GOA單元輸出的柵極驅(qū)動信號的高電壓和低電壓進(jìn)行防護(hù)的第一保護(hù)模塊和第二保護(hù)模塊的組合電路圖；
[0020]圖11是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的保護(hù)電路的具體電路圖；
[0021]圖12是一種GOA單元的第η級移位寄存器的示意性框圖；以及
[0022]圖13是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的控制模塊的示意性框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使得本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更為明顯，下面將參照附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型的示例實(shí)施例。顯然，所描述的示例實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是本實(shí)用新型的全部實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的情況下所得到的所有其它實(shí)施例都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0024]這里，需要注意的是，在附圖中，將相同的附圖標(biāo)記賦予基本上具有相同或類似結(jié)構(gòu)和功能的組成部分，并且將省略關(guān)于它們的重復(fù)描述。
[0025]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板及其柵極驅(qū)動信號的示意圖。由圖1中的右圖可見，陣列基板包括像素陣列、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和柵極驅(qū)動電路(即，GOA單元)。
[0026]例如，像素陣列包括M行N列，GOA單元具有M條柵線，像素陣列中位于同一行的像素均連接到同一條柵線，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路具有N條數(shù)據(jù)線，像素陣列中位于同一列的像素均連接到同一條數(shù)據(jù)線。應(yīng)了解，陣列基板中的像素陣列、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和GOA單元的連接方式不限于此，本實(shí)用新型不受像素陣列、數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和GOA單元的連接方式的限制。
[0027]如圖1中的左圖可見，通常GOA單元的柵線輸出的柵極驅(qū)動信號為方波脈沖信號，該脈沖信號具有高電壓VGH和低電壓VGL。對于N型TFT而言，高電壓VGH為導(dǎo)通電壓，低電壓VGL為截止電壓；對于P型TFT而言，高電壓VGH為截止電壓，低電壓VGL為導(dǎo)通電壓。下面，以N型TFT為例展開描述。
[0028]在像素陣列中與柵線連接的TFT為N型TFT的情況下，在柵極驅(qū)動信號處于低電壓VGL時，TFT處于截止?fàn)顟B(tài)，不會將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號傳遞到像素，從而與該柵線連接的一行像素不會根據(jù)數(shù)據(jù)線上當(dāng)前輸出的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行顯示；在柵極驅(qū)動信號處于高電壓VGH時，TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)，可以將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號傳遞到像素，從而與該柵線連接的一行像素會根據(jù)數(shù)據(jù)線上當(dāng)前輸出的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行顯示。
[0029]然而，由于靜電放電ESD或過渡電性應(yīng)力EOS的影響，可能使得柵極驅(qū)動信號的波形發(fā)生畸變，這樣的畸變不僅可能造成液晶面板上圖像顯示異常，甚至可能造成液晶面板上像素電路中TFT的損壞。
[0030]為了避免由于ESD或EOS的影響使得柵極驅(qū)動信號的波形發(fā)生畸變導(dǎo)致顯示異?；蛳袼仉娐窊p壞的現(xiàn)象，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，提出了分別對GOA單元輸出的柵極驅(qū)動信號的高電壓和低電壓進(jìn)行防護(hù)的概念。
[0031]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的與陣列基板行驅(qū)動GOA單元的柵線信號輸出端連接的保護(hù)電路的一種示意性框圖。
[0032]如圖2所示，所述保護(hù)電路包括第一電壓選通模塊21和第一保護(hù)模塊22。
[0033]第一電壓選通模塊21的輸入端與第一電壓源的輸出端連接，第一電壓選通模塊21的輸出端與第一保護(hù)模塊22的輸入端連接。在所述柵線信號輸出端應(yīng)輸出柵極驅(qū)動信號的有效驅(qū)動電壓時，所述第一電壓選通模塊21的輸出端輸出所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓。
[0034]第一保護(hù)模塊22的另一輸入端與所述柵線信號輸出端VG連接，并且第一保護(hù)模塊22的輸出端VGG與柵線連接。
[0035]在所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓與所述柵線信號輸出端的當(dāng)前輸出電壓滿足第一預(yù)定條件的情況下，所述第一保護(hù)模塊將所述第一電壓源的輸出端的輸出電壓輸出作為所述柵極驅(qū)動信號。
[0036]根據(jù)具體電路設(shè)計(jì)，所述柵極驅(qū)動信號的有效驅(qū)動電壓可以為高電壓，或者也可以為低電壓。所述ESD或EOS對所述柵線信號輸出端的輸出電壓的影響可以體現(xiàn)為電壓沖擊，該電壓沖擊可以為正沖擊或者可以為負(fù)沖擊。下面以所述柵極驅(qū)動信號的有效驅(qū)動電壓為高電壓、且所述柵極驅(qū)動信號的非有效驅(qū)動電壓為低電壓為例展開描述。所述有效驅(qū)動電壓能夠使與柵線連接的晶體管導(dǎo)通，所述非有效驅(qū)動電壓不能使與柵線連接的晶體管導(dǎo)通。
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