本發(fā)明涉及一種貴金屬卡的制作工藝，特別涉及一種超薄貴金屬卡的復合工藝。

背景技術：

現(xiàn)有的金屬卡生產(chǎn)技術相對而言比較簡單，一般采用銅(不銹鋼)作為基材，再加上蝕刻工藝，由于工藝的單一，造成該工藝生產(chǎn)的金屬卡效果基本都只有一種形態(tài)存在，而且一直以來都無法解決在其他貴金屬(如黃金，白銀，鉑金，鈀金及其他合金金屬)上運用，從而也導致金屬卡市場的消費層面無法得到進一步的拓展，另一方面，由于貴金屬材質(zhì)做薄后，質(zhì)地較軟，容易變形，且容易劃傷，不便攜帶，影響貴金屬禮品市場的發(fā)展。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種超薄貴金屬卡的復合工藝，它通過復合的工藝手段，將貴金屬卡有效地與基卡相結合，便于攜帶，同時避免了貴金屬層與基卡間的摩擦，保證了貴金屬質(zhì)地美觀。

本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的：本發(fā)明的一種超薄貴金屬卡的復合工藝，其改進之處在于：該工藝包括以下步驟：

A、軋壓：將貴金屬材料軋壓成厚度為0.001毫米-0.003毫米的片材；

B、剪裁：根據(jù)實際需要制備的貴金屬卡的尺寸，對步驟A中的片材進行剪裁；

C、貼合：將步驟B中剪裁好的片材平鋪在基卡的面上，通過超聲焊接將片材與基卡貼合形成復合卡；

D、雕紋：通過激光微雕將步驟C中復合卡的貴金屬面按設計好的圖案進行雕紋，在雕紋前，貴金屬面通過導熱材料鍍膜處理，該鍍膜用于散熱，防止雕紋處溫度過高破壞貴金屬圖案的輪廓；

E、復合封裝：將經(jīng)步驟D處理后的復合卡通過透明的可塑化材料進行封裝處理，封裝溫度為150℃-220℃，經(jīng)封裝壓膜后得到成型的超薄貴金屬卡，壓膜時間為2s-5s。

較佳地，步驟B中經(jīng)剪裁的片材還鍍有抗磨涂層，所述抗磨涂層的材料為樹脂。

較佳地，所述基卡為塑膠卡或金屬卡。

較佳地，所述步驟E中的可塑化材料為PC或PET或PVC。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供了一種超薄貴金屬卡的復合工藝，它通過復合的工藝手段，將貴金屬卡有效地與基卡相結合，便于攜帶，同時避免了貴金屬層與基卡間的摩擦，保證了貴金屬質(zhì)地美觀。

【具體實施方式】

下面結合具體實施方式對本發(fā)明作進一步描述：

實施例1

本實施例中，揭示了一種超薄貴金屬卡的復合工藝，該工藝包括以下步驟：

A、軋壓：將貴金屬材料軋壓成厚度為0.001毫米的片材；

B、剪裁：根據(jù)實際需要制備的貴金屬卡的尺寸，對步驟A中的片材進行剪裁；不用考慮原材料的形態(tài)，通過剪裁可以獲得統(tǒng)一的尺寸標準，為批量生產(chǎn)奠定基礎。

C、貼合：將步驟B中剪裁好的片材平鋪在基卡的面上，通過超聲焊接將片材與基卡貼合形成復合卡；超聲焊接使貴金屬的片材滲入基卡的內(nèi)部，這種結合不易出現(xiàn)斷層，有效的保障了復合卡的質(zhì)量和美觀。

D、雕紋：通過激光微雕將步驟C中復合卡的貴金屬面按設計好的圖案進行雕紋，在雕紋前，貴金屬面通過導熱材料鍍膜處理，該鍍膜用于散熱，防止雕紋處溫度過高破壞貴金屬圖案的輪廓。

E、復合封裝：將經(jīng)步驟D處理后的復合卡通過透明的可塑化材料進行封裝處理，封裝溫度為150℃，經(jīng)封裝壓膜后得到成型的超薄貴金屬卡，壓膜時間為2s，在該溫度條件下，貴金屬層有著較好的韌性，不易撕裂，且該溫度適宜可塑化材料的變性，提高壓膜的可靠性。

實施例2

本實施例中，揭示了一種超薄貴金屬卡的復合工藝，該工藝包括以下步驟：

A、軋壓：將貴金屬材料軋壓成厚度為0.003毫米的片材；

B、剪裁：根據(jù)實際需要制備的貴金屬卡的尺寸，對步驟A中的片材進行剪裁；

C、貼合：將步驟B中剪裁好的片材平鋪在基卡的面上，通過超聲焊接將片材與基卡貼合形成復合卡；

D、雕紋：通過激光微雕將步驟C中復合卡的貴金屬面按設計好的圖案進行雕紋，在雕紋前，貴金屬面通過導熱材料鍍膜處理，該鍍膜用于散熱，防止雕紋處溫度過高破壞貴金屬圖案的輪廓；

E、復合封裝：將經(jīng)步驟D處理后的復合卡通過透明的可塑化材料進行封裝處理，封裝溫度為220℃，經(jīng)封裝壓膜后得到成型的超薄貴金屬卡，壓膜時間為5s。

實施例3

本實施例中，揭示了一種超薄貴金屬卡的復合工藝，該工藝包括以下步驟：

A、軋壓：將貴金屬材料軋壓成厚度為0.001毫米的片材；

B、剪裁：根據(jù)實際需要制備的貴金屬卡的尺寸，對步驟A中的片材進行剪裁；

C、貼合：將步驟B中剪裁好的片材平鋪在基卡的面上，通過超聲焊接將片材與基卡貼合形成復合卡；

D、雕紋：通過激光微雕將步驟C中復合卡的貴金屬面按設計好的圖案進行雕紋，在雕紋前，貴金屬面通過導熱材料鍍膜處理，該鍍膜用于散熱，防止雕紋處溫度過高破壞貴金屬圖案的輪廓；

E、復合封裝：將經(jīng)步驟D處理后的復合卡通過透明的可塑化材料進行封裝處理，封裝溫度為150℃，經(jīng)封裝壓膜后得到成型的超薄貴金屬卡，壓膜時間為5s。

實施例4

本實施例中，揭示了一種超薄貴金屬卡的復合工藝，該工藝包括以下步驟：

A、軋壓：將貴金屬材料軋壓成厚度為0.003毫米的片材；

B、剪裁：根據(jù)實際需要制備的貴金屬卡的尺寸，對步驟A中的片材進行剪裁；

C、貼合：將步驟B中剪裁好的片材平鋪在基卡的面上，通過超聲焊接將片材與基卡貼合形成復合卡；

D、雕紋：通過激光微雕將步驟C中復合卡的貴金屬面按設計好的圖案進行雕紋，在雕紋前，貴金屬面通過導熱材料鍍膜處理，該鍍膜用于散熱，防止雕紋處溫度過高破壞貴金屬圖案的輪廓；

E、復合封裝：將經(jīng)步驟D處理后的復合卡通過透明的可塑化材料進行封裝處理，封裝溫度為220℃，經(jīng)封裝壓膜后得到成型的超薄貴金屬卡，壓膜時間為2s。

上述實施例中，步驟B中經(jīng)剪裁的片材還鍍有抗磨涂層，抗磨涂層的材料為樹脂；上述基卡為塑膠卡或金屬卡；優(yōu)選地，步驟E中的可塑化材料為PC或PET或PVC。

以上所描述的僅為本發(fā)明的較佳實施例，上述具體實施例不是對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的技術思想范疇內(nèi)，可以出現(xiàn)各種變形及修改，凡本領域的普通技術人員根據(jù)以上描述所做的潤飾、修改或等同替換，均屬于本發(fā)明所保護的范圍。