本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品表面圖案制作技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種圖文制作方法、蓋板及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

LOGO是徽標(biāo)或者商標(biāo)的外語(yǔ)縮寫，是LOGO type的縮寫，起到對(duì)徽標(biāo)擁有公司的識(shí)別和推廣的作用，通過形象的徽標(biāo)可以讓消費(fèi)者記住公司主體和品牌文化。

目前市場(chǎng)上消費(fèi)類電子產(chǎn)品的蓋板上LOGO的主要制作方法為絲印方法，但現(xiàn)有電子產(chǎn)品的蓋板出現(xiàn)同質(zhì)化現(xiàn)象，即各廠家制作的LOGO大同小異，視覺效果也較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種圖文制作方法、蓋板及電子設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中蓋板上制作的LOGO大同小異，視覺效果較差的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種圖文制作方法，包括：

提供待制作板；

對(duì)所述待制作板進(jìn)行蝕刻，形成蝕刻槽，所述蝕刻槽具有槽底面以及相對(duì)于所述槽底面傾斜的側(cè)壁；

在所述待制作板的所述蝕刻槽上制作涂層；

其中，所述涂層至少覆蓋所述蝕刻槽的一部分側(cè)壁。

優(yōu)選地，所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離是均勻的。

優(yōu)選地，所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離是不定值。

優(yōu)選地，所述涂層為油墨層。

優(yōu)選地，所述在所述待制作板的所述蝕刻槽上制作涂層采用的工藝為絲網(wǎng)印刷、噴涂、旋涂、滾涂、移印、打印、黃光工藝或鍍膜工藝。

本發(fā)明還提供一種蓋板，所述蓋板上包括蝕刻槽和涂層，所述蝕刻槽具有槽底以及相對(duì)于所述槽底傾斜的側(cè)壁，所述涂層至少覆蓋所述蝕刻槽的一部分側(cè)壁。。

優(yōu)選地，所述蝕刻槽在所述蓋板上的投影的輪廓與所述涂層在所述蓋板上的投影的輪廓之間的距離是均勻的。

優(yōu)選地，所述蝕刻槽在所述蓋板上的投影的輪廓與所述涂層在所述蓋板上的投影的輪廓之間的距離是不定值。

優(yōu)選地，所述涂層為油墨層。

本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備，包括電子產(chǎn)品主體與蓋板，所述蓋板為上面任意一項(xiàng)所述的蓋板。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的圖文制作方法及蓋板，在制作圖文時(shí)，先進(jìn)行蝕刻形成蝕刻槽，然后在蝕刻槽的上方制作涂層，其中，所述蝕刻槽具有槽底以及相對(duì)于所述槽底傾斜的側(cè)壁，所述涂層至少覆蓋所述蝕刻槽的一部分側(cè)壁。由于所述涂層至少覆蓋所述蝕刻槽的一部分側(cè)壁，所述蝕刻槽的側(cè)壁相對(duì)于所述槽底傾斜，具有一定的傾斜角度，從而能夠增強(qiáng)光的反射，形成臺(tái)階效果，使得絲印的圖文具有立體視覺效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的圖文制作效果剖面圖；

圖2為本申請(qǐng)?zhí)峁┑膱D文制作方法流程圖；

圖3-圖6為本申請(qǐng)?zhí)峁┑膱D文制作效果剖面圖；

圖7為本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕z印層與蝕刻槽的俯視關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中制作蓋板上LOGO時(shí)，先蝕刻蝕刻槽，然后再在蝕刻槽底部絲印形成絲印層，如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的圖文制作效果剖面圖，現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻區(qū)域與絲印區(qū)域面積相同，絲印層13只位于蓋板11的蝕刻槽12的底部，大部分廠商的制作方法類似，同質(zhì)化嚴(yán)重，且在制作過程中，需要精確對(duì)準(zhǔn)絲印區(qū)域與蝕刻區(qū)域，對(duì)LOGO制作帶來較大困難。

基于此，本發(fā)明提供一種電子產(chǎn)品表面圖文制作方法，如圖2所示，包括：

步驟S101：提供待制作板。

需要說明的是，本實(shí)施例中對(duì)所述的待制作板不做限定，可以是電子產(chǎn)品的正面蓋板，也可以是電子產(chǎn)品的背面蓋板，還可以是非電子產(chǎn)品的LOGO制作載體。本實(shí)施例中對(duì)所述待制作板的材料也不做限制，可以是塑料制作板、玻璃制作板或金屬板。

步驟S102：對(duì)所述待制作板進(jìn)行蝕刻，形成蝕刻槽，所述蝕刻槽具有槽底面以及相對(duì)于所述槽底面傾斜的側(cè)壁。

需要說明的是，本實(shí)施例中不限定所述蝕刻步驟采用的具體蝕刻工藝，如針對(duì)所述待制作板為玻璃的，可以采用蝕刻玻璃的工藝；而針對(duì)所述待制作板為塑料的，選用塑料蝕刻工藝；若所述待制作板為金屬材質(zhì)，則針對(duì)不同的金屬，采用不同的金屬蝕刻工藝。所采取的蝕刻工藝基于所述待制作板的材質(zhì)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易的知道對(duì)于待制作板的材質(zhì)選取合適的蝕刻工藝，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。所述蝕刻步驟可以采用化學(xué)蝕刻法也可以采用物理蝕刻法，且所述蝕刻可以是干法蝕刻，也可以是濕法蝕刻，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。

由于側(cè)蝕現(xiàn)象的存在，得到的蝕刻槽的側(cè)壁不是垂直于蝕刻槽底面的，而是與蝕刻槽底部之間存在一定的角度，呈相對(duì)于蝕刻槽底面傾斜的斜坡。

步驟S103：在所述待制作板的所述蝕刻槽上制作涂層；其中，所述涂層至少覆蓋所述蝕刻槽的一部分側(cè)壁。

需要說明的是，本實(shí)施例中不限定制作涂層的制作工藝，可以優(yōu)選的采用絲網(wǎng)印刷、噴涂、旋涂、滾涂、移印、打印、黃光工藝或鍍膜工藝。本實(shí)施例中優(yōu)選地采用絲網(wǎng)印刷(以下簡(jiǎn)稱絲印)工藝，本實(shí)施例中不限定所采用的具體絲印工藝，如針對(duì)所述待制作板為玻璃的，可以采用絲印玻璃的工藝；而針對(duì)所述待制作板為塑料的，選用塑料絲印工藝；若所述待制作板為金屬材質(zhì)，則針對(duì)不同的金屬，采用不同的金屬絲印工藝。所采取的絲印工藝基于所述待制作板的材質(zhì)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易的知道對(duì)于待制作板的材質(zhì)選取合適的絲印工藝，本實(shí)施例中對(duì)此不做限定。

本實(shí)施例中對(duì)絲印材料也不做限定，依據(jù)不同的絲印工藝選取不同的絲印材料。本實(shí)施例中優(yōu)選地，所述涂層為油墨層。

本實(shí)施例中的涂層不僅覆蓋蝕刻槽的槽底面，還覆蓋了蝕刻槽的一部分側(cè)壁。如圖3所示，涂層23完全覆蓋蝕刻槽22的槽底面和蝕刻槽22的側(cè)壁，且涂層23在待制作板上的投影的輪廓與蝕刻槽22在待制作板上的投影的輪廓之間的距離為L(zhǎng)。

需要說明的是，所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離可以是均勻的，也可以是不均勻的。即所述蝕刻槽的輪廓尺寸比所述涂層的輪廓尺寸整體小一圈，如圖3和圖4所示，也可以所述蝕刻槽的輪廓尺寸與所述涂層的輪廓尺寸部分重疊，另外的部分，蝕刻槽的輪廓尺寸比涂層的輪廓尺寸小，如圖5和圖6所示。本實(shí)施例中對(duì)此不做限定，只要涂層至少覆蓋一部分蝕刻槽的側(cè)壁即可。

所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離范圍本實(shí)施例中對(duì)此不做限定，在其他實(shí)施例中可以優(yōu)選為大于0.05mm，包括端點(diǎn)值。如圖7所示，當(dāng)蝕刻槽22與涂層23的形狀接近矩形時(shí)，蝕刻槽22的上部輪廓比涂層23的上部輪廓小0.2mm，蝕刻槽22的下部輪廓比涂層23的下部輪廓小0.08mm，蝕刻槽22的左部輪廓比涂層23的左部輪廓小0.1mm，蝕刻槽22的右部輪廓比涂層23的右部輪廓小0.05mm。以上只是蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離的舉例，并不代表對(duì)蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離的限定。

需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中LOGO的制作包括蝕刻圖案和絲印圖案，絲印工序時(shí)，若絲印圖案與蝕刻圖案之間存在偏差，則很難絲印準(zhǔn)確，若再考慮蝕刻的偏差，不同深度蝕刻的偏差不同，不同的蝕刻條件偏差不同，蝕刻前黃光工藝的顯影精度也不同，這些都會(huì)對(duì)絲印造成很大的難度，而本申請(qǐng)中采用絲印的圖案相對(duì)蝕刻的圖案外擴(kuò)一定的尺寸，絲印時(shí)把以上偏差全部涵蓋進(jìn)去，進(jìn)而降低了絲印準(zhǔn)確性的難度，使得絲印工序更加簡(jiǎn)單。

本實(shí)施例中采用的圖文制作方法，由于將涂層的尺寸擴(kuò)大，或?qū)⑽g刻槽的尺寸減小，從而使得涂層完全覆蓋所述蝕刻槽的底面，即涂層除覆蓋所述蝕刻槽的槽底面外，還至少覆蓋蝕刻槽中呈斜坡的側(cè)壁的一部分，涂層在側(cè)壁區(qū)域?qū)⒎垂庠鰪?qiáng)，形成一定的臺(tái)階效果，因此，加強(qiáng)了圖文的立體效果，使得立體效果更加明顯。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種蓋板，如圖3所示，蓋板21上包括蝕刻槽22和涂層23，所述蝕刻槽22具有槽底以及相對(duì)于所述槽底傾斜的側(cè)壁，所述涂層23完全覆蓋所述蝕刻槽22的槽底與所述蝕刻槽的側(cè)壁。

本實(shí)施例中對(duì)所述的蓋板不做限定，可以是電子產(chǎn)品的正面蓋板，也可以是電子產(chǎn)品的背面蓋板，還可以是非電子產(chǎn)品的LOGO制作蓋板，如冰箱門上的玻璃板等。本實(shí)施例中對(duì)所述蓋板的材料也不做限制，可以是塑料制作板、玻璃制作板或金屬板，本實(shí)施例中優(yōu)選地，所述蓋板為玻璃蓋板。

本實(shí)施例中不限定獲得蝕刻槽22的蝕刻工藝以及獲得涂層23的工藝，可以依據(jù)蓋板的材質(zhì)進(jìn)行優(yōu)選，本實(shí)施例中不再進(jìn)行贅述。

需要重點(diǎn)說明的是，本實(shí)施例中的涂層不僅覆蓋蝕刻槽的槽底面，還覆蓋了蝕刻槽的側(cè)壁。如圖3-圖7所示，涂層23覆蓋蝕刻槽22的槽底面和蝕刻槽22的側(cè)壁，且涂層23在待制作板上的投影的輪廓與蝕刻槽22在待制作板上的投影的輪廓之間的距離為L(zhǎng)。

需要說明的是，所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離可以是均勻的，也可以是不均勻的。即所述蝕刻槽的輪廓尺寸比所述涂層的輪廓尺寸整體小一圈，也可以所述蝕刻槽的輪廓尺寸與所述涂層的輪廓尺寸部分重疊，另外的部分，蝕刻槽的輪廓尺寸比涂層的輪廓尺寸小，所述蝕刻槽在所述待制作板上的投影的輪廓與所述涂層在所述待制作板上的投影的輪廓之間的距離范圍為0.08mm-0.2mm，包括端點(diǎn)值。

本實(shí)施例中的蓋板，由于絲印層的尺寸相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻槽尺寸有所擴(kuò)大，或蝕刻槽的尺寸相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的絲印層的尺寸有所減小，涂層完全覆蓋所述蝕刻槽的槽底面，涂層還覆蓋蝕刻槽中呈斜坡的側(cè)壁，絲印層在側(cè)壁區(qū)域?qū)⒎垂庠鰪?qiáng)，形成一定的臺(tái)階效果，因此，加強(qiáng)了圖文的立體效果，使得立體效果更加明顯。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括電子產(chǎn)品主體與蓋板，所述蓋板為上一實(shí)施例所述的蓋板。由于所述蓋板上的涂層的尺寸相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻槽尺寸有所擴(kuò)大，或蝕刻槽的尺寸相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的涂層的尺寸有所減小，涂層完全覆蓋所述蝕刻槽的槽底面，涂層還覆蓋蝕刻槽中呈斜坡的側(cè)壁，涂層在側(cè)壁區(qū)域增強(qiáng)反光，形成一定的臺(tái)階效果，因此，加強(qiáng)了圖文的立體效果，使得立體效果更加明顯。

需要說明的是，本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。