專利名稱：電子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法。具體地說(shuō)，涉及一種電子束間歇式投影曝光過(guò)程中所用的電子束掩膜，所述掩膜的制造方法和曝光方法。
常規(guī)而言，利用電子束(以下簡(jiǎn)稱EB)理想分辨率的電子束照相制版技術(shù)特別用于直接繪制設(shè)計(jì)線條寬度極小的圖樣，主要用于預(yù)備試驗(yàn)生產(chǎn)。
雖然這種電子束直接繪圖技術(shù)能夠繪制很細(xì)的設(shè)計(jì)圖樣，但其缺點(diǎn)在于，在使用點(diǎn)束法，即電子束直接繪圖設(shè)備掃描繪圖點(diǎn)束沿一條線的情況下，當(dāng)圖樣面積增大時(shí)，會(huì)使其生產(chǎn)率下降。
為克服這種缺點(diǎn)，開發(fā)出可變矩形電子束直接繪圖設(shè)備。
這種可變矩形電子束直接繪圖設(shè)備將具有適當(dāng)加寬面積之電子束用于矩形孔徑，并將該電子束極化，進(jìn)入設(shè)在下面的另一孔徑中，從而得到各種尺寸的繪圖用矩形電子束。與點(diǎn)束型EB直接繪圖設(shè)備相比，這可以大大提高生產(chǎn)率。
然而，這種與點(diǎn)束型EB直接繪圖設(shè)備相比提高生產(chǎn)率的可變矩形EB直接繪圖設(shè)備的缺點(diǎn)在于，當(dāng)繪制具有特殊端部比例之復(fù)雜裝置的圖樣時(shí)，拍攝量增加，它的生產(chǎn)率會(huì)降低。
為了解決這個(gè)缺點(diǎn)，提高生產(chǎn)率，開發(fā)出一種特殊的間歇式曝光方法，用于可重復(fù)地使用掩膜進(jìn)行繪圖，其中實(shí)現(xiàn)多次重復(fù)部分裝置的圖樣。此外，開發(fā)一種完整的間歇式曝光方法，用于使用掩膜一次繪制一幅完整的設(shè)計(jì)全部，其中實(shí)現(xiàn)所述完整的設(shè)計(jì)。
這些間歇式曝光方法能夠利用較高的電子束分辨率，得到具有極好生產(chǎn)率的曝光(繪圖)。
在這些間歇式曝光方法中，圖13中所示的模板掩膜20通常被用作繪制裝置圖所需的EB曝光掩膜(以下可簡(jiǎn)稱電子束掩膜)。
模板掩膜20包括具有孔徑22的模板部分21，所示孔徑與根據(jù)設(shè)計(jì)圖樣所設(shè)計(jì)的圖樣對(duì)應(yīng)；由SiO2制成的連接部分23；由Si制成的支撐柱體24，它從連接部分23伸出。
這里通過(guò)與所設(shè)計(jì)的圖樣對(duì)應(yīng)地蝕刻Si薄膜繪圖而形成模板部分21的孔徑22。電子束的電子只能通過(guò)孔徑22，而不能通過(guò)模板部分21(除孔徑22以外的部分)，從而保證對(duì)比。
然而，這種間歇式曝光方法的問(wèn)題在于，不能制成如圖14所示的特殊裝置圖樣(環(huán)形圖樣)所用的電子束掩膜。裝置圖樣的圖樣區(qū)25具有環(huán)形曝光部分26所圍繞的不曝光部分27。在這種情況下，不能形成盤式圖樣部分27，因?yàn)樗幢蝗魏尾糠炙巍?br> 另外，這種間歇式方法的問(wèn)題在于可以制成特殊裝置圖樣(片形圖樣)，但不能將其用于實(shí)際生產(chǎn)中，因?yàn)閺?qiáng)度不夠。
圖15表示這樣的圖樣。圖樣區(qū)25包括由準(zhǔn)環(huán)形曝光部分26圍繞的片形不曝光部分27。不曝光部分27只在一側(cè)由支持部分(橋)28支撐，支撐不曝光部分27的強(qiáng)度也是不夠的。因此，不曝光部分27易于引起圖樣變形，或者可能下落，而且這樣的圖樣不能用于實(shí)際生產(chǎn)。
已經(jīng)建議多種方法以解決這些問(wèn)題。
作為第一種方法，建議過(guò)一種如圖16所示的薄片掩膜29。這種薄片掩膜29包括由透過(guò)電子束電子的SiN制成的支撐膜30。在這種支撐膜30上，連續(xù)地分層形成由Cr制成的金屬層31a和由W制成的金屬層31b。這種多層膜具有與所設(shè)計(jì)的圖樣對(duì)應(yīng)的孔徑22。
不過(guò)，這種薄片掩膜29有許多問(wèn)題。由于支撐膜30非常薄，重金屬應(yīng)力可能造成圖樣位置偏移。另外，由于制成支撐膜30，以覆蓋透射電子束的整個(gè)區(qū)域和不透射電子束的整個(gè)區(qū)域，所以容易造成充電。
此外，支撐膜30的材料限于那些有足夠強(qiáng)度的材料，以支撐環(huán)形圍繞的金屬層。這就是說(shuō)，材料的選擇范圍很小。
也就是說(shuō)，即使薄片掩膜，也不能完全解決環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題。
作為第二種方法，如圖17所示那樣，建議過(guò)一種呈模板掩膜20。在這種情況下，由多個(gè)支持部分28支撐矩形不曝光部分27。
但這種結(jié)果可能改變圖樣的結(jié)構(gòu)，不適于得到準(zhǔn)確的精細(xì)曝光。
作為第三種方法，在J.Vac.Sci.Techol.B11(1933)中建議過(guò)一種互補(bǔ)掩膜(未予描述)，其中把以設(shè)計(jì)圖樣為基礎(chǔ)的裝置圖樣分成多個(gè)掩膜。
采用這種互補(bǔ)掩膜時(shí)，圖樣摹繪者需重復(fù)EP的應(yīng)用，使生產(chǎn)率降低。
于是，本發(fā)明的目的在于提供一種電子束掩膜，它能克服間歇式曝光法中的環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題，還提供一種電子束掩膜的制造方法，以及一種能夠用電子束實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量曝光的曝光方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種具有與預(yù)定設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔徑的，用于以電子束按間歇式投影曝光，其中，至少一個(gè)需要加固的孔徑被填以由透射電子束材料制成的薄膜。
即使在按照設(shè)計(jì)圖樣之盤式圖樣的孔徑使電子束掩膜的強(qiáng)度減弱的情況下，這種結(jié)構(gòu)也可以提高電子束掩膜的強(qiáng)度。因此，能夠保持盤式圖樣的較高尺寸精度。
至少一個(gè)孔徑的形狀圍繞著一個(gè)孤立的模板部分，整個(gè)就像一個(gè)環(huán)形，或者幾乎整體像一個(gè)有橋的環(huán)形，即具有使所述孤立的模板部分與模板的其它部分連接的橋。
這種結(jié)構(gòu)可以解決與設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)的盤式圖樣中所包含的環(huán)形圖樣和有橋環(huán)形圖樣(片形圖樣)的問(wèn)題，同時(shí)能夠給出不會(huì)影響曝光精度的電子束掩膜。
構(gòu)成這種薄膜的材料可以是碳、碳化硅或氮化硅的混合物。
采用生產(chǎn)工藝中常用的材料，可以很容易地制造電子束掩膜，而且成本較低。
遮蔽電子束的模板部分可由金屬制成。
這可以有效地抑制因電子在模板部分與薄膜部分之間的邊界處的散射所致對(duì)比度的不充分。
本發(fā)明的另一方面提供一種電子束掩膜的制造方法，用于制造具有多個(gè)與預(yù)定設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)之孔徑的電子束掩膜，用于以電子束間歇投影曝光，所述方法包括以下步驟在至少一個(gè)需要加固的孔徑下面制成氧化膜；在至少一個(gè)孔徑內(nèi)制成透過(guò)電子束的薄膜；在形成所述薄膜之后，除去所述氧化膜。
當(dāng)給出氧化膜時(shí)，在形成薄膜期間，可以停止噴射電子，以使能夠制成高質(zhì)量的電子束掩膜。
形成薄膜的步驟可包括用比至少一個(gè)孔徑形狀大的表面圖樣在薄膜上制圖。
這里假設(shè)所述薄膜填充所述孔徑，并增大薄膜與孔徑之間的物理結(jié)合強(qiáng)度。
所述電子束掩膜制造方法在形成薄膜的步驟之前還可以包括用于檢測(cè)按照設(shè)計(jì)圖樣需要加固之孔徑，即要填充薄膜之孔徑的步驟，比如那些具有環(huán)形形狀或有橋環(huán)形(片形)形狀的孔徑。
這能夠解決環(huán)形圖樣的問(wèn)題和片形圖樣的問(wèn)題。由于選擇性地在需要加固之孔徑內(nèi)，如那些具有環(huán)形形狀或有橋環(huán)形形狀的孔徑內(nèi)形成薄膜，所以能夠克服曝光期間充電的問(wèn)題。
本發(fā)明的再一方面提供一種使用電子束及上述電子束掩膜的間歇式投影曝光方法。
使用本發(fā)明的電子束掩膜能夠?qū)崿F(xiàn)高精度曝光和極好的生產(chǎn)率。
圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例電子束掩膜主要部分的放大剖視圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例電子束掩膜主要部分的放大主視圖；圖3是按照第二實(shí)施例的一種電子束掩膜制造方法的流程圖；圖4表示掩膜圖樣數(shù)據(jù)主要部分的放大引出端。圖4(a)表示與環(huán)形圖樣相關(guān)的引出端，圖4(b)表示與片形圖樣相關(guān)的引出端；圖5表示正抗蝕層表面圖樣的放大引出端。圖5(a)是環(huán)形圖樣的放大平面視圖，圖5(b)是片形圖樣的放大平面視圖；圖6是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第一步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖7是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第二步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖8是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第三步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖9是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第四步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖10是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第五步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖11是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體第六步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖12是按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法整體最后一步時(shí)電子束掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖13是作為常規(guī)舉例的模板掩膜主要部分的放大剖面示意圖；圖14是帶環(huán)形圖樣的CAD圖樣主要部分的放大平面示意圖；圖15是帶片形圖樣的CAD圖樣主要部分的放大平面示意圖；圖16是適應(yīng)環(huán)形圖樣所用常規(guī)薄片掩膜主要部分的放大剖視圖；圖17是普通用于適應(yīng)環(huán)形圖樣的具有支持部分的模板掩膜的放大平面主視圖。
以下將參照附圖描述本發(fā)明幾種具體實(shí)施例的電子束掩膜、掩膜的制造方法和曝光方法。圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例電子束掩膜主要部分的放大剖視圖。
本圖中的電子束掩膜1包括具有環(huán)形開口部分4的模板部分2、置入開口部分4內(nèi)用以圍繞不曝光部分3的薄膜(下稱薄片)5，和自模板伸出的支撐柱。
如圖2所示，這里的不曝光部分3被環(huán)形開口部分4所圍繞，它受到置入開口4內(nèi)的薄片5的支撐。
另外，薄片5由電子束散射幾率較低的材料制成，以使電子束能夠以很小的散射角穿過(guò)薄片5。
作為薄片5的優(yōu)選材料，這里可以舉出碳(C)、碳化硅(SiC)的混合物，或者碳(C)、氮化硅(SiN)的混合物。這些材料通常被用于半導(dǎo)體制品中，不需要特別的處理，能夠以低成本制造電子束掩膜1。
此外，模板部分2最好用能夠完全遮蔽電子束的金屬制成，能夠在薄片5與模板2之間得到明顯的邊界對(duì)比度。
因此，第一實(shí)施例的電子束掩膜1包括只置入模板開口部分的薄片5，用以解決環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題。與包括排布在整個(gè)模板上的薄片的常規(guī)實(shí)例相比，在解決環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題的同時(shí)，它還能夠抑制充電問(wèn)題。
此外，在設(shè)計(jì)的圖樣需要特別高的精度或者需要附加強(qiáng)度時(shí)，通過(guò)在開口部分內(nèi)形成薄片5，能夠提高模板部分2的強(qiáng)度，并能保持裝置圖樣的尺寸精度。下面將給出有關(guān)本發(fā)明第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法的說(shuō)明。
圖3是表示按照第二實(shí)施例的一種電子束掩膜制造方法的流程圖。
該流程圖表示一種包括克服環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題的制造方法。
在步驟S1，送入制造電子束掩膜所不可缺少的以設(shè)計(jì)圖樣為基礎(chǔ)的掩膜圖樣數(shù)據(jù)。
繼而在步驟S2，從所述掩膜圖樣數(shù)據(jù)檢測(cè)如圖4所示的環(huán)形問(wèn)題圖樣和片形問(wèn)題圖樣。這里最好準(zhǔn)備一個(gè)檢測(cè)這些圖樣的軟件，并由計(jì)算機(jī)進(jìn)行檢測(cè)，從而減少設(shè)計(jì)時(shí)間。
應(yīng)予說(shuō)明的是，圖4所示的圖樣只是舉例，所示環(huán)形問(wèn)題圖樣和片形問(wèn)題圖樣并不只限于這些。圖4(b)中的標(biāo)號(hào)7表示支持部分(橋)。
根據(jù)測(cè)得的圖樣，在SiO2制成的堅(jiān)固掩膜上實(shí)行繪制抗蝕層。
接下去在步驟S3，使圖樣被折皺，以蓋住與環(huán)形圖樣和片形圖樣相關(guān)的開口部分，同時(shí)按照蓋住開口部分4的圖樣實(shí)行金屬蝕刻。
這時(shí)，保持與環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題相關(guān)的不曝光部分不受到蝕刻。
再在步驟S4時(shí)，利用蓋住開口部分的圖樣得到數(shù)據(jù)，用以產(chǎn)生DUV繪圖時(shí)所要用的曝光掩膜，或者得到為EB曝光所用的EB直接繪圖設(shè)備固有的EB格式數(shù)據(jù)。
使用這種曝光掩膜或EB曝光的格式數(shù)據(jù)，埋入正抗蝕層，以形成表面圖樣。
如圖5所示，這就是說(shuō)，以比環(huán)形問(wèn)題圖樣和片形問(wèn)題圖樣的開口4的開口形狀大的表面圖樣8埋入正抗蝕層。
往下在步驟S5，將環(huán)形問(wèn)題圖樣和片形問(wèn)題圖樣繪制成正抗蝕層。
這就是說(shuō)，為了加強(qiáng)圍繞不曝光部分3的開口部分4，繪制表面圖樣8的區(qū)域。
這就保證將薄膜埋入所述開口部分，增強(qiáng)薄膜與開口部分之間的物理結(jié)合強(qiáng)度。
繼而在步驟S6，選擇透射電子束的材料，埋制成開口部分的抗蝕層。
于是，電子束可透射抗蝕層，即薄片5。
接著在步驟S7實(shí)行表面蝕刻，并除去抗蝕層。
以此，薄片5的上表面成為平坦的，與模板部分2相鄰，而無(wú)任何階梯部分。
接下去在步驟S8，對(duì)背面實(shí)行繪圖。進(jìn)而在步驟S9，對(duì)背面實(shí)行蝕刻，除去部分Si晶片，形成支撐柱6。
再往下在步驟S10，除去SiO2膜，并在步驟S11完成電子束掩膜。
于是，按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法可以制成能夠克服環(huán)形問(wèn)題和片形問(wèn)題的電子束掩膜。這就是說(shuō)，與常規(guī)提供支撐膜覆蓋整個(gè)模板的例子相比，能夠抑制充電問(wèn)題。
以下將參照


與這種制造方法相應(yīng)的制品舉例。
首先有如圖6所示者，在Si制成的晶片9表面上，依次疊層氧化膜10(SiO2)、金屬層11和氧化硅膜(SiO2)或氮化硅膜(SiN)制成的堅(jiān)固掩膜12。
這里，在與金屬蝕刻(金屬蝕刻率/抗蝕層蝕刻率)有關(guān)的抗蝕層選擇比率較低的情況下，使用最外面的堅(jiān)固掩膜12。因此，在蝕刻時(shí)的抗蝕層選擇比率較高時(shí)，就無(wú)需形成堅(jiān)固掩膜12。
如圖7所示，第二步加上一層抗蝕層，形成主圖樣。用這層抗蝕層作為掩膜，對(duì)表面上的氧化硅膜或氮化硅膜實(shí)行蝕刻。然后除去抗蝕層，再?gòu)墓璞砻嬉粋?cè)對(duì)所述金屬層實(shí)行蝕刻。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S2和S3。
接下去如圖8所述的第三步，將正抗蝕層13埋入已繪圖之金屬層11，并將諸如EB和DUV等激光束選擇性地只加在已由另一軟件析取的環(huán)形區(qū)域和片形區(qū)域(圖5中所示表面圖樣8的區(qū)域)上。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S4和S5。
相應(yīng)地，在實(shí)行諸如酸蝕等顯影過(guò)程時(shí)，就可以溶解環(huán)形圖樣區(qū)和片形圖樣區(qū)內(nèi)的抗蝕層，以選擇的方式留下開口部分。
繼而如圖9所示的第四步，通過(guò)只噴射環(huán)形圖樣區(qū)和片形圖樣區(qū)以選擇的方式加給金屬(C)透射的電子束。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S6。
這里所埋入金屬材料的深度由氧化膜10的頂部表面限定。
于是，就能制成高質(zhì)量的電子束掩膜，其中不使C噴射受到散射。
以下如圖10所示的第五步，使用蝕刻背面或CMP法(化學(xué)/機(jī)械拋光法)除去堅(jiān)固掩膜12和部分伸出到金屬層11上的金屬透射電子束。進(jìn)而，通過(guò)酸蝕等方法除去余下的正抗蝕層13。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S7。
以下如圖11所示的第六步，實(shí)行背面繪圖并濕法蝕刻或干法蝕刻背面，以蝕刻晶片9作為支撐基板。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S8和S9。
最后如圖12所示，除去氧化膜10(SiO2)，完成所述電子束掩膜。
這一步對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟S10和S11。
于是，按照第二實(shí)施例的電子束掩膜制造方法，可以制成電子束掩膜。
應(yīng)予說(shuō)明的是，在上述制造方法實(shí)例中，當(dāng)在蝕刻金屬層之后繪制環(huán)形圖樣區(qū)時(shí)，除所述環(huán)形圖樣區(qū)以外的區(qū)域受到正抗蝕層13的保護(hù)。當(dāng)經(jīng)受EB或DUV時(shí)，蓋住該環(huán)形圖樣區(qū)的抗蝕層13減小它的分子量，而且在將其浸于顯影液內(nèi)時(shí)，還能被溶解。
在環(huán)形圖樣區(qū)內(nèi)，抗蝕層的微小顆粒被硬化，以避免顯影液和為形成薄膜所噴射的電子束透射材料的侵?jǐn)_。
可以按多種方式使所述第二實(shí)施例改型。例如，當(dāng)實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬層11的蝕刻時(shí)，使之被涂敷抗蝕層，可使整個(gè)圖樣區(qū)域受到抗蝕層的保護(hù)，從而能夠得到一個(gè)開口的環(huán)形圖樣區(qū)域。只在這部分內(nèi)，以化學(xué)過(guò)程除去抗蝕層保護(hù)圖樣。于是，能夠防止電子束方式材料的侵?jǐn)_。以下說(shuō)明使用本發(fā)明電子束掩膜的本發(fā)明第三實(shí)施例給定的曝光方法。
本發(fā)明的一個(gè)便利之處在于提供使用所述電子束掩膜的曝光方法，能夠高精度地曝光那種需要減小線條尺寸的精細(xì)圖樣，改善半導(dǎo)體器件的特性。
具體地說(shuō)，這種需要可以得到滿足，因?yàn)榄h(huán)形圖樣內(nèi)不需要支持部分。
比如對(duì)于片形圖樣而言，可以防止電子束掩膜的變形或損傷，并能得到高精度的高質(zhì)量曝光。
如上所述，本發(fā)明提供一種電子束掩膜，能夠解決環(huán)形圖樣問(wèn)題和片形圖樣問(wèn)題。
進(jìn)而，在這種電子束掩膜中，通過(guò)按電子散射程度方面有所差異的方式選擇薄膜(薄片)材料和掩膜模板材料，可以得到清晰對(duì)比度的曝光。
此外，利用限制孔徑截面，可以防止電子以大角度散射，從而使對(duì)比度清晰。
另外，按照本發(fā)明的電子束掩膜制造方法，以選擇的方式將電子束透射材料置入環(huán)形圖樣或片形圖中，從而解決所述環(huán)形圖樣問(wèn)題和片形圖樣問(wèn)題。
再有，由于無(wú)需形成大面積的發(fā)光材料薄膜，所述材料并非必須具有特殊的物理強(qiáng)度，因而，擴(kuò)大了材料的選擇范圍，能夠使電子束掩膜的成本適當(dāng)。
還有，除環(huán)形圖樣或片形圖樣之外的孔徑不被薄膜覆蓋，能夠有效地抑制產(chǎn)生充電。
本發(fā)明的曝光方法使用本發(fā)明的電子束掩膜，其中使環(huán)形圖樣或片形圖樣的孔徑填以電子束透射材料，制成模板部分平面，防止因所述環(huán)形圖樣或片形圖樣而使掩膜強(qiáng)度降低。相應(yīng)地就不存在隨著時(shí)間的推移曝光精度變差的危險(xiǎn)，能夠得到高質(zhì)量的曝光。
可按其它特定的形式實(shí)施本發(fā)明，而不致脫離本發(fā)明的精髓及基本特點(diǎn)。因此，從各方面講，應(yīng)將目前的實(shí)施例理解為說(shuō)明性的，而非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附各權(quán)利要求限定，而非由前面的描述限定，而且與各權(quán)利要求等效意義和等效范圍的各種變化被延伸為其中所包含者。
日本專利申請(qǐng)平-11-368719(1999.12.27申請(qǐng))的全部敘述包含說(shuō)明書。權(quán)利要求書、附圖及總述作為整體按參考文獻(xiàn)被結(jié)合于此中。
權(quán)利要求
1．一種電子束掩膜，具有與預(yù)定設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔徑，用于以電子束按間歇式投影曝光，其特征在于，至少一個(gè)需要加固的孔徑被填以由透射電子束材料制成的薄膜。
2．一種如權(quán)利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，至少一個(gè)孔徑的形狀圍繞著一個(gè)孤立的模板部分，整個(gè)就像一個(gè)環(huán)形，或者幾乎整體像一個(gè)有橋的環(huán)形，即具有使所述孤立的模板部分與模板的其它部分連接的橋。
3．一種如權(quán)利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，構(gòu)成所述薄膜的材料是碳、碳化硅或氮化硅的混合物。
4．一種如權(quán)利要求2所述的電子束掩膜，其特征在于，構(gòu)成所述薄膜的材料是碳、碳化硅或氮化硅的混合物。
5．一種如權(quán)利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。
6．一種如權(quán)利要求2所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。
7．一種如權(quán)利要求3所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。
8．一種如權(quán)利要求4所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。
9．一種電子束掩膜的制造方法，用于制造具有多個(gè)與預(yù)定設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)之孔徑的電子束掩膜，用于以電子束間歇投影曝光，所述方法包括以下步驟在至少一個(gè)需要加固的孔徑下面制成氧化膜；在所述至少一個(gè)孔徑內(nèi)制成透過(guò)電子束的薄膜；在形成所述薄膜之后，除去所述氧化膜。
10．一種如權(quán)利要求9所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述形成薄膜的步驟包括以比至少一個(gè)孔徑形狀大的表面圖樣在薄膜上制圖。
11．一種如權(quán)利要求9所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述方法在所述薄膜形成步驟之前，還包括用于檢測(cè)按照設(shè)計(jì)圖樣需要加固之孔徑，即要被填以所述薄膜之孔徑的步驟。
12．一種如權(quán)利要求10所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述方法在所述薄膜形成步驟之前，還包括用于檢測(cè)按照設(shè)計(jì)圖樣需要加固之孔徑，即要被填以所述薄膜之孔徑的步驟。
13．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求1限定的結(jié)構(gòu)。
14．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求2限定的結(jié)構(gòu)。
15．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求3限定的結(jié)構(gòu)。
16．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求4限定的結(jié)構(gòu)。
17．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求5限定的結(jié)構(gòu)。
18．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求6限定的結(jié)構(gòu)。
19．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求7限定的結(jié)構(gòu)。
20．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權(quán)利要求8限定的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子束掩膜,具有與預(yù)定設(shè)計(jì)圖樣對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔徑,用于以電子束按間歇式投影曝光。至少一個(gè)需要加固的孔徑,如那些具有環(huán)形或有橋環(huán)形(片形)的孔徑被選擇地填以由透射電子束材料制成的薄膜。
文檔編號(hào)G03F1/20GK1302081SQ0013624
公開日2001年7月4日 申請(qǐng)日期2000年12月27日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月27日
發(fā)明者小日向秀夫, 山下浩 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社