專利名稱：色散位移光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及按照石英系光纖的雷利損失最小的波長(zhǎng)為1.55μm區(qū)域的波長(zhǎng)發(fā)散值基本上為零的方式設(shè)計(jì)的色散位移光纖，本發(fā)明特別涉及具有較大的有效芯體截面面積，并且具有較小的發(fā)散斜率的類型。
背景技術(shù)：
在過(guò)去，在采用光纖放大器的光放大中繼傳送系統(tǒng)等的長(zhǎng)距離系統(tǒng)中，重要的是減小非線性光學(xué)效果，以便抑制傳送特性的變差。
非線性效應(yīng)的大小由n2/Aeff表示。在這里，n2表示光纖的非線性折射率，Aeff表示光纖的有效芯體截面面積。于是，為了減小非線性效應(yīng)，必須減小n2，或增加有效芯體截面面積，但是由于n2為在確定材料時(shí)，不產(chǎn)生較大變化的值，故相對(duì)非線性光學(xué)效果的減小，增加有效芯體截面面積是有效的手段。
在可進(jìn)行大容量傳送的波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)中，由于波長(zhǎng)不同的多個(gè)光信號(hào)通過(guò)1根色散位移光纖(傳送通路)進(jìn)行傳送，故發(fā)散斜率的減小的要求增加。發(fā)散斜率表示波長(zhǎng)發(fā)散值的波長(zhǎng)依賴性，其指下述場(chǎng)合的曲線的斜率。
如果色散位移光纖的發(fā)散斜率較大，則在1根色散位移光纖中傳送的多個(gè)波長(zhǎng)之間的波長(zhǎng)發(fā)散值的差增加，傳送狀態(tài)產(chǎn)生波動(dòng)，傳送特性變差，故產(chǎn)生不利情況。
另外，作為光通信系統(tǒng)的傳送通路，實(shí)質(zhì)上將采用單一模式，或確保彎曲損耗小于100dB/m作為最低的條件。
于是，在最近，比如，在JP特開(kāi)平10-293225號(hào)文獻(xiàn)，JP特開(kāi)平10-239550號(hào)文獻(xiàn)，JP特開(kāi)平11-119046號(hào)文獻(xiàn)等中，提出了下述方案，該方案采用各種折射率分布形狀(折射率分布圖)，增加有效芯體截面面積，并且減小發(fā)散斜率。
圖5(a)～(d)表示這樣的色散位移光纖的折射率分布形狀的實(shí)例。
圖5(a)表示階段型(雙線式芯體型)的折射率分布形狀的一個(gè)實(shí)例，標(biāo)號(hào)11表示中心芯體部，在其外周上，設(shè)置有其折射率小于該中心芯體部11的階段芯體部12，由此形成芯體14。另外，還在該芯體14的外周上，設(shè)置有其折射率小于上述階段芯體12的包層16。
圖5(b)表示節(jié)段芯體型的折射率分布形狀的一個(gè)實(shí)例，在高折射率的中心芯體部21的外周上，設(shè)置有低折射率的中間部22，在該中間部22的外周上，設(shè)置環(huán)狀芯體部23，該環(huán)狀芯體部23的折射率大于該中間部22，并且其折射率小于上述中心芯體部21，由此形成芯體24。另外，在該環(huán)狀芯體部23的外周上，設(shè)置有包層26，該包層26的折射率等于上述中間部22。
圖5(c)為圖5(a)所示的階段型的折射率分布形狀的變換實(shí)例，在階段芯體部12與包層16之間，設(shè)置有低折射率部15，該低折射率部15的折射率小于該包層16，由此形成芯體14。
圖5(d)為圖5(b)所示的節(jié)段芯體型的折射率分布形狀的變換實(shí)例，在環(huán)狀芯體部23和包層26之間，設(shè)置有低折射率部25，該低折射率部25的折射率小于該包層26，由此形成芯體24。
但是，在過(guò)去提出的色散位移光纖中，實(shí)質(zhì)上在采用單一模式，或確保彎曲損耗小于100dB/m的條件下，有效芯體截面面積的擴(kuò)大和發(fā)散斜率的降低難于同時(shí)成立。
比如，在具有圖5(a)～(d)中作為實(shí)例給出的折射率分布形狀的類型中，如果有效芯體截面面積大于90μm2，則獲得足夠小的發(fā)散斜率。
本發(fā)明是針對(duì)上述情況而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種色散位移光纖，其可滿足實(shí)質(zhì)上為單一模式，以及彎曲損耗小于100dB/m的條件，并且可充分地增加有效芯體截面面積，并且減小發(fā)散斜率。
發(fā)明概述為了解決上述課題，本發(fā)明的第1種色散位移光纖涉及下述色散位移光纖，其由芯體和設(shè)置于其外周上的包層形成，上述芯體包括中心芯部；周邊芯部，該周邊芯部設(shè)置該中心芯部的外周上，其折射率大于該中心芯部，上述包層具有其折射率小于上述周邊芯部的折射率分布形狀，其特征在于在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～130μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-8～8+ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率小于0.12ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
第2種色散位移光纖涉及第1種色散位移光纖，其特征在于上述芯體由中心芯部和周邊芯部形成，當(dāng)由Δ1表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部的比折射率差，由Δ2表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部的比折射率差，由r1表示中心芯部的半徑，由r2表示周邊芯部的半徑時(shí)，則滿足下述條件a．1.35％≤(Δ2-Δ1)b．1.2≤r2/r1≤2.0c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤3.5d．當(dāng)0.8，或1.8/(r2/r1)2中的，較大者為Δ2min，環(huán)內(nèi)側(cè)體積為-Δ1×r12，環(huán)外側(cè)體積為Δ2min×(r22-r12)時(shí)，則環(huán)外側(cè)體積/環(huán)內(nèi)側(cè)體積大于2，或小于0。
第3種色散位移光纖涉及第2種色散位移光纖，其特征在于在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在75～130μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率小于0.12ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
第4種色散位移光纖涉及第2種色散位移光纖，其特征在于b,c在下述的數(shù)值范圍內(nèi)b．1.2≤r2/r1≤1.9c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤3.2第5種色散位移光纖涉及第4種色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在85～130μm2的范圍內(nèi)。
第6種色散位移光纖涉及第2種色散位移光纖，其特征在于b,c在下述的數(shù)值范圍內(nèi)
b．1.2≤r2/r1≤1.8c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤2.7第7種色散位移光纖涉及第6種色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在95～130μm2的范圍內(nèi)。
第8種色散位移光纖涉及第2種色散位移光纖，其特征在于r2/r1大于1.3，并且Δ1小于0％。
第9種色散位移光纖涉及第8種色散位移光纖，其特征在于發(fā)散斜率小于0.10ps/km/nm2。
第10種色散位移光纖涉及第1種色散位移光纖，其特征在于芯體由中心芯部和周邊芯部形成，在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～70μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.05～0.08ps/km/nm2的范圍內(nèi)，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
第11種色散位移光纖涉及第10種色散位移光纖，其特征在于當(dāng)由Δ1表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部的比折射率差，由Δ2表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部的比折射率差，由r1表示中心芯部的半徑，由r2表示周邊芯部的半徑時(shí)，則Δ1在-0.3～+0.3％的范圍內(nèi)，Δ2大于0.8％,r2/r1在1.4～2.5的范圍內(nèi)。
第12種色散位移光纖涉及第10種色散位移光纖，其特征在于Δ1為0％。
第13種色散位移涉及第1種色散位移光纖，其特征在于上述芯體在中心芯部的上，依次設(shè)置有周邊芯部，第2環(huán)部，以及第3環(huán)部，對(duì)于該中心芯部，周邊芯部，第2環(huán)部，以及第3環(huán)部，當(dāng)分別由(Δ1,r1)，(Δ2,r2)，(Δ3,r3)(Δ4,r4)表示以包層為基準(zhǔn)時(shí)的比折射率差與半徑時(shí)，則具有Δ1與Δ3為負(fù)值，Δ2為正值，Δ4大于0的折射率分布形狀；在從1490～1625nm選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～120μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.03～0.10ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，波長(zhǎng)發(fā)散值的絕對(duì)值在0.5～8ps/km/nm的范圍內(nèi)，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
第14種色散位移光纖涉及第13種色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在50～75μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.03～0.06ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
第15種色散位移光纖涉及第14種色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有負(fù)值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.25％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
第16種色散位移光纖涉及第14種色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.5％≤Δ1≤-0.05％,0.75％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
第17種色散位移光纖涉及第13種色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在75～100μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.06～0.09ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
第18種色散位移光纖涉及第17種色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有負(fù)值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.20％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
第19種色散位移光纖涉及第17種色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.05％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤3.0,0.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
第20種色散位移光纖涉及第13色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在100～120μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.08～0.10ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
第21種色散位移光纖涉及第20種色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.25％,0.65％≤Δ2≤0.75％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
附圖簡(jiǎn)述

圖1為表示本發(fā)明的色散位移光纖的折射率分布形狀的一個(gè)實(shí)例的圖；圖2為表示本發(fā)明的色散位移光纖的折射率分布形狀中的，實(shí)際制造的場(chǎng)合的折射率分布分布形狀的一個(gè)實(shí)例圖；圖3為表示本發(fā)明的色散位移光纖的折射率分布形狀的另一實(shí)例的圖；圖4為表示第3實(shí)施例的，設(shè)定各種結(jié)構(gòu)參數(shù)而計(jì)算的特性值的分析結(jié)果的曲線圖；圖5(a)～(b)為表示已有的表示本發(fā)明的色散位移光纖的折射率分布形狀的實(shí)例的圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明的色散位移光纖由芯體和設(shè)置于其外周上的包層形成，該芯體至少包括中心芯部，設(shè)置于其外周上的，其折射率大于該中心芯部的周邊芯部，該包層具有其折射率小于上述周邊芯部的折射率分布形狀。
另外，通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在從1490～1625nm中選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～130μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-8～+8ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率小于12ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB，并且可獲得具有實(shí)質(zhì)上形成單一模式傳送的截止波長(zhǎng)的光纖。
對(duì)于本發(fā)明的色散位移光纖的使用波段，從1490～1625nm的范圍內(nèi)，更一般地說(shuō)從1490～1610nm的范圍內(nèi)，選擇適合的波長(zhǎng)幅度的波段。比如，根據(jù)光通信系統(tǒng)用的光纖放大器的放大波段等，從1500～1570nm的范圍內(nèi)，選擇具有1530～1565nm等的規(guī)定波長(zhǎng)幅度的波段。或者，也可從比如，1570～1625nm的范圍內(nèi)，選擇具有規(guī)定波長(zhǎng)幅度，比如在1585～1625nm、1585～1610nm的范圍內(nèi)等的波段。
下面給出第1～3實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。
第1實(shí)施例圖1表示本實(shí)施例的色散位移光纖的折射率分布形狀，在中心的中心芯部1的外周上，設(shè)置其折射率大于該中心芯部1的周邊芯部2，從而形成雙層結(jié)構(gòu)的芯體5。另外，在該芯體5的外周上，設(shè)置其折射率小于上述周邊芯部2的包層6。即，構(gòu)成包含包層6的，3層結(jié)構(gòu)的折射率分布形狀。
在該色散位移光纖中，比如，中心芯部1由添加具有使折射率降低作用的氟的石英玻璃，或添加具有使折射率上升作用的鍺的石英玻璃，或者純石英玻璃形成，周邊芯部2由添加有鍺的石英玻璃形成，包層6由純石英玻璃形成。
在圖中，Δ1表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部1的比折射率差，Δ2表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部2的比折射率差。R1表示中心芯部1的半徑，r2表示周邊芯部2的半徑。
另外，對(duì)于本實(shí)施例的色散位移光纖，必須滿足下述的a～d的條件。
a．1.35％≤(Δ2-Δ1)b．1.2≤r2/r1≤2.0c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤3.5d．當(dāng)0.8，或1.8/(r2/r1)2中的，較大的為Δ2min，環(huán)內(nèi)側(cè)體積為-Δ1×r12，環(huán)外側(cè)體積為Δ2min×(r22-r12)時(shí)，則環(huán)外側(cè)體積/環(huán)內(nèi)側(cè)體積大于2，或小于0。
上述a的條件在使用波段，實(shí)質(zhì)上有助于保證單一模式傳送。在這里，如果Δ1滿足上述a和b條件，則可設(shè)定負(fù)值(其折射率小于包層6的場(chǎng)合)，零(其折射率等于包層6的場(chǎng)合)，或正值(其折射率大于包層6的場(chǎng)合)。
在不滿足上述b的條件的場(chǎng)合，不能夠同時(shí)全部地滿足后面將要描述的有效芯體截面面積，發(fā)散斜率，彎曲損耗，截止波長(zhǎng)等的條件。
對(duì)于上述c的條件，通過(guò)使Δ2×(r2/r1)2小于3.5，可擴(kuò)大有效芯體截面面積。使Δ2×(r2/r1)2大于1.8實(shí)質(zhì)上有助于使用波段的單一模式傳送的保證，并且有助于將彎曲損耗限制在100dB/m以下。還具有僅僅有助于單一模式傳送的保證和彎曲損耗的限制中的任何的一個(gè)的場(chǎng)合。
此外，在Δ2小于0.8％的場(chǎng)合，不能夠獲得設(shè)置有周邊芯部2的實(shí)質(zhì)的效果。
對(duì)于上述d的條件，Δ2min表示根據(jù)r2/r1的設(shè)定值確定的值，相當(dāng)于滿足上述c的條件的Δ2的數(shù)值范圍的下限值。對(duì)于Δ2min，選擇0.8％，與將r2/r1的設(shè)定值代入1.8/(r2/r1)2中而獲得的值中的，較大的值。
上述d的條件有助于將彎曲損耗限制在100dB/m以下。
在環(huán)外側(cè)體積/環(huán)內(nèi)側(cè)體積小于0的場(chǎng)合，由于Δ1為正值，故可使彎曲損耗小于100dB/m。在Δ1為負(fù)值的場(chǎng)合，當(dāng)環(huán)外側(cè)體積/環(huán)內(nèi)側(cè)體積大于2時(shí)，可使彎曲損耗小于100dB/m。
對(duì)于實(shí)際的色散位移光纖的折射率分布形狀，這些條件實(shí)質(zhì)上可得到滿足，比如，對(duì)于實(shí)際的色散位移光纖的折射率分布形狀，如圖1所示，各層(中心芯部1，周邊芯部2，包層6)的邊界不明確，如圖2所示，也可處于帶有圓形，即產(chǎn)生所謂的喇叭口的狀態(tài)。
還有，比如，對(duì)于周邊芯部2(Δ2)的折射率分布形狀，也可處于具有所謂的波動(dòng)的狀態(tài)。
再有，包層6的直徑通常約為125μm，r2按照波長(zhǎng)發(fā)散值為目標(biāo)值的方式調(diào)整。一般，r2在2～10μm的范圍內(nèi)。
在本實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)定滿足上述a～d的條件的Δ1,Δ2,r1,r2這4個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)，可提供針對(duì)使用波段，具有下述的有效芯體截面面積，波長(zhǎng)發(fā)散值，發(fā)散斜率，彎曲損耗，截止波長(zhǎng)的色散位移光纖。有效芯體截面面積根據(jù)下述式計(jì)算。Aeff=2π{∫0∞a|E(a)|2da}2∫0∞a|E(a)|4da]]>a芯體的半徑E(a)半徑a的電場(chǎng)強(qiáng)度在本實(shí)施例中，使用波段的有效芯體截面面積在75～130μm2的范圍內(nèi)。在本實(shí)施例中，當(dāng)有效芯體截面面積小于75μm2時(shí)，具有下述情況，該情況指在太平洋橫斷海底通信用光纖等的超長(zhǎng)距離線路中，從非線性效應(yīng)降低的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，是不夠的。另外，當(dāng)有效芯體截面面積大于130μm2時(shí)，則難于制造。
另外，在本實(shí)施例中，使用波段的發(fā)散斜率小于0.12ps/km/nm2。如果超過(guò)0.12ps/km/nm2，則波長(zhǎng)發(fā)散值的波長(zhǎng)依賴性增加，在波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)的適用方面，產(chǎn)生不利情況。
此外，使用波段的波長(zhǎng)發(fā)散值可在-6～+6ps/km/nm2的范圍內(nèi)。但是，在波長(zhǎng)發(fā)散值為零的場(chǎng)合，由于作為非線性效應(yīng)的一個(gè)的4個(gè)光子混合容易發(fā)生，故最好按照不包含波長(zhǎng)發(fā)散值為零的范圍的方式，設(shè)定使用波段。
彎曲損耗指在使用波段，彎曲直徑(2R)為20mn的條件的值。
在本實(shí)施例中，彎曲損耗小于100dB，最好小于40dB/m。另外，實(shí)質(zhì)上上述彎曲損耗大于0.1dB/m。如果使用波段的彎曲損耗超過(guò)100dB/m，則由于在作用于色散位移光纖上的稍小的彎曲等的作用下，傳送損耗容易變差，產(chǎn)生不利情況。
還有，由于本發(fā)明的色散位移光纖為單一模式光纖，故本實(shí)施例的色散位移光纖在使用波段，必須具有實(shí)質(zhì)上保證單一模式的截止波長(zhǎng)。
通常的截止波長(zhǎng)根據(jù)CCITT的2m法(下面稱為“2m法”)的值而規(guī)定。但是，在實(shí)際的較長(zhǎng)尺寸的使用狀態(tài)，即使在該值在使用波段的下限值的波長(zhǎng)較大的一側(cè)的情況下，仍可進(jìn)行單一模式傳送。
但是，在本實(shí)施例的色散位移光纖中，通過(guò)2m法限定的截止波長(zhǎng)根據(jù)色散位移光纖的使用波長(zhǎng)和使用波段，按照可進(jìn)行單一模式傳送的方式設(shè)定。具體來(lái)說(shuō)，即使在比如，2m法的截止波長(zhǎng)為1.8m的情況下，如果處于5000m以上的較長(zhǎng)尺寸的狀態(tài)，則可充分地實(shí)現(xiàn)上述使用波段的單一模式。
特別是最好在上述b,c的條件下，滿足下述條件。
b．1.2≤r2/r1≤1.9c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤3.2其結(jié)果是，可進(jìn)一步增加有效芯體截面面積，其在85～130μm2的范圍內(nèi)。
特別是最好在上述b,c條件下，滿足以下的條件。
b．1.2≤r2/r1≤1.8c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤2.7其結(jié)果是，可進(jìn)一步增加有效芯體截面面積，其在95～130μm2的范圍內(nèi)。
再有，特別是最好在上述a,b,c的條件下，r2/r1大于1.3,Δ1小于0％。
其結(jié)果是，發(fā)散斜率可小于0.10ps/km/nm2。
本實(shí)施例的色散位移光纖為按照上述方式，包含包層的3層結(jié)構(gòu)，可通過(guò)比如，VAD法等以較高的效率制造。
按照上述方式，在較簡(jiǎn)單的折射率分布形狀的色散位移光纖中，具有本實(shí)施例那樣的較大的有效芯體截面面積和較小的發(fā)散斜率，并且具有作為光傳送通路可實(shí)際應(yīng)用的彎曲損耗和截止波長(zhǎng)，這是在過(guò)去無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。特別是，從色散位移光纖的制造效率的提高，波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)等的傳送特性的提高，降低成本的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，獲得較大的效果。
第2實(shí)施例本實(shí)施例的色散位移光纖的折射率分布形狀與圖1所示的相同。
對(duì)于本實(shí)施例的色散位移光纖，在上述的使用波段，有效芯體截面面積在45～70μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.05～0.08ps/km/nm2的范圍內(nèi)，彎曲損耗小于100dB/m，并且實(shí)質(zhì)上具有單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
在本實(shí)施例中，如果有效芯體截面面積小于45μm2，則非線性效應(yīng)的抑制是不夠的。當(dāng)有效芯體截面面積超過(guò)70μm2，并且發(fā)散斜率小于0.08ps/km/nm2，則難于制造。
另外，在本實(shí)施例中，如果使用波段的發(fā)散斜率超過(guò)0.08ps/km/nm2，則比如，在波長(zhǎng)多重?cái)?shù)量較大的大容量線路等中，具有發(fā)散斜率的降低不充分的情況。另外，如果小于0.05ps/km/nm2，則具有難于制造的情況。
此外，雖然使用波段的波長(zhǎng)發(fā)散值可在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，但是按照上述方式，為了抑制4個(gè)光子混合的發(fā)生，特別最好按照不包含波長(zhǎng)發(fā)散值為零的范圍的方式，設(shè)定使用波段。
在本實(shí)施例中，從防止傳送損耗的變差的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，彎曲損耗小于100dB/m，最好小于40dB/m。
還有，本實(shí)施例的色散位移光纖與第1實(shí)施例相同，在實(shí)際的使用狀態(tài)，必須實(shí)質(zhì)上具有保證單一模式的截止波長(zhǎng)。
為了滿足這樣的特性，對(duì)于圖1所示的折射率分布形狀，從-0.3～+0.3％的范圍，選擇Δ1。在小于-0.3％的場(chǎng)合，具有發(fā)散斜率的降低不夠的傾向，如果超過(guò)0.3％，則具有有效芯體截面面積難于增加的傾向。
再有，Δ2從大于0.8％的范圍選擇。在小于0.8％的場(chǎng)合，無(wú)法獲得設(shè)置周邊芯部2的效果，具有有效芯體截面面積難于增加的傾向。另外，Δ2的上限值不特別限定，但是其實(shí)質(zhì)上為2％。
另外，從1.4～2.5的范圍，選擇r2/r1。在小于1.4的場(chǎng)合，具有發(fā)散斜率的降低不夠的傾向。如果超過(guò)2.5，則具有有效芯體截面面積難于增加的傾向。
此外，按照波長(zhǎng)發(fā)散值為目標(biāo)值的方式對(duì)r2進(jìn)行調(diào)整，實(shí)質(zhì)上該r2在2～10μm的范圍內(nèi)。r3通常約為62.5μm。
本實(shí)施例的色散位移光纖與第1實(shí)施例相同，為包含包層的3層結(jié)構(gòu)，其通過(guò)比如，VAD法等，以較高的效率制造。特別是在中心芯部1和包層6由純石英玻璃形成的場(chǎng)合(Δ1為0％的場(chǎng)合)，母材的制造時(shí)的折射率的控制用的操作僅僅為在形成周邊芯部2的部分，摻入鍺的操作，制造效率大大提高。
按照上述方式，在較簡(jiǎn)單的折射率分布形狀的色散位移光纖中，具有較大的有效芯體截面面積和較小的發(fā)散斜率，并且具有作為光傳送通路的可實(shí)際使用的彎曲損耗和截止波長(zhǎng)，這是在過(guò)去無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，從制造效率的提高或降低成本的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，獲得較大的效果。
第3實(shí)施例本實(shí)施例的色散位移光纖的特征在于在使用波段中，有效芯體截面面積在45～120μm2，發(fā)散斜率在0.03～0.10+ps/km/nm2的范圍內(nèi)，彎曲損耗小于100dB/m，波長(zhǎng)發(fā)散值的絕對(duì)值在0.5～8ps/km/nm的范圍內(nèi)，并且實(shí)質(zhì)上形成單純模式傳送的截止波長(zhǎng)。
圖3表示本實(shí)施例的色散位移光纖的2重密封環(huán)型的折射率分布形狀的一個(gè)實(shí)例，該折射率分布形狀由芯體5和設(shè)置于該芯體5的外周上的包層6構(gòu)成，該芯體5在其折射率低于上述包層6的中心芯部1的外周上，設(shè)置有其折射率大于上述包層6的周邊芯部(第1環(huán)部)2’，在該周邊芯部2’的外周上，設(shè)置有其折射率小于于上述包層6的第2環(huán)部3，在第2環(huán)部3的外周上，設(shè)置有其折射率大于上述包層6的折射率的第3環(huán)部4。
換言之，周邊芯部2’在圖1所示的折射率分布形狀中，與周邊芯部2相對(duì)應(yīng)，圖3所示的折射率分布形狀在圖1所示的折射率分布形狀中，在周邊芯部2和包層6之間，設(shè)置第2環(huán)部3和第3環(huán)部4。
在色散位移光纖中，比如，中心芯部1和第2環(huán)部3由添加具有使折射率降低的氟的氟添加石英玻璃形成，周邊芯部2’和第3環(huán)部4由添加具有使折射率上升的作用的鍺的鍺添加石英玻璃形成，包層6由純石英玻璃形成。
另外，在實(shí)際的色散位移光纖的折射率分布形狀中，如圖3所示，各層(中心芯部，周邊芯部2’，第2環(huán)部3，第3環(huán)部4，包層6)的邊界也可是不明確的，還可處于帶有圓形，產(chǎn)生所謂的喇叭口的狀態(tài)。
此外，Δ1表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部的比折射率差，Δ2表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部2’的比折射率差，Δ3表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的第2環(huán)部3的比折射率差，Δ4表示以包層6的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的第3環(huán)部4的比折射率差。
在本實(shí)施例中，Δ1與Δ3具有負(fù)值，Δ2具有正值，Δ4大于0。即，中心芯部1的折射率n1與第2環(huán)部3的折射率n2小于包層6的折射率nc，周邊芯部2，的折射率n2大于包層6的折射率nc，第3環(huán)部4的折射率n3大于包層6的折射率nc。于是，在第3環(huán)部4的折射率n3等于包層6的折射率nc的場(chǎng)合，對(duì)于折射率分布形狀來(lái)說(shuō)，實(shí)質(zhì)上第3環(huán)部4是不存在的，形成與圖1所示的芯體的折射率分布形狀。
另外，r1表示中心芯部1的半徑，r2表示周邊芯部2’的半徑，r3表示第2環(huán)部3的半徑，r4表示第3環(huán)部4的半徑。
在本實(shí)施例中，如果使用波段的有效芯體截面面積小于45μm2，非線性效應(yīng)的抑制不充分。當(dāng)有效芯體截面面積超過(guò)120μm2時(shí)，則難于制造。
此外，使用波段的發(fā)散斜率最好象上述那樣，為較小的值，在本實(shí)施例中，使用波段的發(fā)散斜率在0.03～0.10ps/km/nm2的范圍內(nèi)。如果超過(guò)0.10ps/km/nm2，則產(chǎn)生下述情況，即波長(zhǎng)發(fā)散值的波長(zhǎng)依賴性增加，在適合用于波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)方面，產(chǎn)生不利。當(dāng)小于0.03ps/km/nm2的范圍內(nèi)時(shí)，則難于制造。
最好彎曲損耗為較小值，在本實(shí)施例中，從防止傳送損耗的變差的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，彎曲損耗小于100dB/m，最好小于50dB/m。
在本實(shí)施例中，使用波段的波長(zhǎng)發(fā)散值的絕對(duì)值在0.5～8ps/km/nm的范圍內(nèi)。即，本實(shí)施例的色散位移光纖的波長(zhǎng)發(fā)散值也可設(shè)定為正值，還可設(shè)定為負(fù)值。在小于0.5ps/km/nm的場(chǎng)合，波長(zhǎng)發(fā)散值接近為零，容易產(chǎn)生作為非線性效應(yīng)的1個(gè)的4個(gè)光子混合。此外，如果超過(guò)8ps/km/nm，則產(chǎn)生傳送特性的變差稍稍增加的情況。
還有，本實(shí)施例的色散位移光纖與第1實(shí)施例相同，必須具有保證實(shí)際的使用狀態(tài)的單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
下面與分析的過(guò)程一起，對(duì)用于滿足這樣的特性的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。
圖4為設(shè)定各種的結(jié)構(gòu)參數(shù)而計(jì)算出的特性值的分析結(jié)果。另外，σ表示波長(zhǎng)發(fā)散值，dσ/dλ為發(fā)散斜率。
從附圖知道，如果r1/r2較小，則具有有效芯體截面面積擴(kuò)大的傾向。于是，從有效芯體截面面積的增加的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，最好r1/r2小于2.5。
再有，如果r1/r2過(guò)小，由于具有波長(zhǎng)發(fā)散值的絕對(duì)值增加的傾向，故最好r1/r2大于1.3，以便使本發(fā)明的色散位移光纖獲得適合的波長(zhǎng)發(fā)散值。
另外，根據(jù)分析結(jié)果，最好Δ2在0.65～0.85％的范圍內(nèi)。如果Δ2過(guò)大，則難于同時(shí)實(shí)現(xiàn)有效芯體截面面積的增加和發(fā)散斜率的降低，如果過(guò)小，則不能夠獲得所需的波長(zhǎng)發(fā)散值。
此外，第2環(huán)部3的結(jié)構(gòu)參數(shù)(Δ3,r3)通過(guò)有效芯體截面面積，發(fā)散斜率的設(shè)定值限制。另外，第3環(huán)部4的結(jié)構(gòu)參數(shù)(Δ4,r4)通過(guò)發(fā)散斜率和截止波長(zhǎng)的設(shè)定值限制。
還有，通過(guò)這些結(jié)構(gòu)參數(shù)的設(shè)定值，還可將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為任何的負(fù)值，可根據(jù)適合采用色散位移光纖的光通信系統(tǒng)的要求等，進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
從這樣的分析結(jié)果知道，通過(guò)將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為正值或負(fù)值，則所需的特性所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)參數(shù)的限制是不同的。
比如，當(dāng)要獲得有效芯體截面面積在50～75μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.03～0.06ps/km/nm2的范圍內(nèi)的光纖時(shí)，在將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定在負(fù)值的場(chǎng)合，必須滿足下述結(jié)構(gòu)參數(shù)的條件，即-0.50％≤Δ1≤-0.25％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
對(duì)于同樣的特性，在將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為正值的場(chǎng)合，必須滿足下述結(jié)構(gòu)參數(shù)的條件，即-0.50％≤Δ1≤-0.05％,0.75％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
當(dāng)要獲得有效芯體截面面積在75～100μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.06～0.09ps/km/nm2的范圍內(nèi)的光纖時(shí)，在將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為負(fù)值的場(chǎng)合，必須滿足下述結(jié)構(gòu)參數(shù)的條件，即-0.50％≤Δ1≤-0.20％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
對(duì)于同樣的特性，在將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為正值的場(chǎng)合，必須滿足下述結(jié)構(gòu)參數(shù)的條件，即-0.50％≤Δ1≤-0.05％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤3.0,0.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
另外，當(dāng)要獲得有效芯體截面面積在100～120μm2的范圍內(nèi)，并且發(fā)散斜率在0.08～0.10ps/km/nm2的范圍內(nèi)的光纖時(shí)，在將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為正值的場(chǎng)合，必須滿足下述結(jié)構(gòu)參數(shù)的條件，即-0.50％≤Δ1≤-0.20％,0.65％≤Δ2≤0.75％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
此外，對(duì)于這些實(shí)施例，不能夠通過(guò)優(yōu)選的有效芯體截面面積，波長(zhǎng)發(fā)散值，發(fā)散斜率，彎曲損耗，以及截止波長(zhǎng)的值從在相應(yīng)的實(shí)施例中以實(shí)例給出的結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)選數(shù)值范圍內(nèi)任意選擇的方式實(shí)現(xiàn)。即，通過(guò)下述方式，可獲得在開(kāi)始具有上述優(yōu)選的特性值的色散位移光纖，該方式為在相應(yīng)的實(shí)施例中，適當(dāng)?shù)剡x擇以實(shí)例給出的優(yōu)選數(shù)值范圍中選擇出的結(jié)構(gòu)參數(shù)的組合中的，可實(shí)現(xiàn)所要求的特性的組合。
于是，在本發(fā)明中，由于根據(jù)折射率分布形狀和結(jié)構(gòu)參數(shù)的數(shù)值范圍，指定本發(fā)明，故根據(jù)色散位移和特性值，指定發(fā)明。
實(shí)例下面通過(guò)實(shí)例對(duì)本發(fā)明具體描述。
A．第1實(shí)施例的實(shí)例(第1-1～1-3實(shí)例)在表1給出的條件下，通過(guò)VAD法，制造第1-1～1-3實(shí)例的色散位移光纖。
另外，在第1-1～1-3實(shí)例中，中心芯部由氟添加石英玻璃形成，周邊芯部由鍺添加石英玻璃形成，包層由純石英玻璃形成。
此外，色散位移光纖的外徑(包層外徑)為125μm。在表1中同時(shí)給出了這些色散位移光纖的波長(zhǎng)為1550nm的特性值。
表1

如表1所示，對(duì)于有效芯體截面面積，波長(zhǎng)發(fā)散值，發(fā)散斜率，彎曲損耗，截止波長(zhǎng)(λc)來(lái)說(shuō)，它們均可滿足本發(fā)明的色散位移光纖的特性。即，獲得下述光纖，其中在實(shí)際的光通信系統(tǒng)中，具有可實(shí)際應(yīng)用的彎曲損耗，并且可保證單一模式傳送，另外由于有效芯體截面面積增加，故可抑制非線性效應(yīng)，減小傳送損耗的變差，另外，可實(shí)現(xiàn)適合波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)的低發(fā)散斜率。
B．第2實(shí)施例的實(shí)例(第2-1～2-3實(shí)例)在表2給出的條件下，通過(guò)VAD法，制造第2-1～2-3實(shí)例的色散位移光纖。
另外，在第2-1～2-3實(shí)例中，周邊芯部由鍺添加石英玻璃形成，包層由純石英玻璃形成，中心芯部對(duì)于第2-1實(shí)例，由氟添加石英玻璃形成，對(duì)于第2-2實(shí)例，由純石英玻璃形成，對(duì)于第2-3實(shí)例，由鍺添加石英玻璃形成。此外，色散位移光纖的外徑(包層外徑)為125μm。在表2中同時(shí)給出了這些色散位移光纖的波長(zhǎng)為1550nm的特性值。
表2

如表2所示，可獲得下述光纖，其中對(duì)于有效芯體截面面積，波長(zhǎng)發(fā)散值，發(fā)散斜率，彎曲損耗，截止波長(zhǎng)(λc)來(lái)說(shuō)，它們均滿足本發(fā)明的色散位移光纖的特性。
C．第3實(shí)施例的實(shí)例制造第3實(shí)施例的各個(gè)色散位移光纖。
表3表示下述色散位移光纖的特性，該光纖是通過(guò)設(shè)定各種結(jié)構(gòu)傳送的組合，實(shí)際上通過(guò)CVD法試作的。
另外，在表中，λc表示截止波長(zhǎng)，MFD表示模式場(chǎng)**(field)直徑，αb@20φ表示彎曲損耗。
表3

*測(cè)定全部為1550nm,λc是采用2m法得到的從表3知道，可提供下述色散位移光纖，對(duì)于使用波長(zhǎng)1550nm，滿足實(shí)質(zhì)上為單一模式，并且彎曲損耗小于100dB/m的條件，并且可充分地增加有效芯體截面面積和減小發(fā)散斜率。
按照上述方式，在本發(fā)明中，可提供下述色散位移光纖，其中滿足實(shí)質(zhì)上為單一模式，彎曲損耗小于100dB/m的條件，并且可充分地增加有效芯體截面面積和減小發(fā)散斜率。于是，可提供特別是適合于波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)的色散位移光纖。
此外，采用下述光纖，其可具有中心芯部，周邊芯部，以及包層，具有較簡(jiǎn)單的折射率分布形狀。于是，可通過(guò)比如，VAD法等，以較高的效率進(jìn)行制造。特別是3層結(jié)構(gòu)的光纖的制造效率較高。
還有，特別是色散位移光纖的制造效率提高，波長(zhǎng)多重傳送系統(tǒng)等的傳送特性提高，從降低成本的觀點(diǎn)看，獲得較大的效果。
再有，由于通過(guò)結(jié)構(gòu)傳送的設(shè)定值，可將波長(zhǎng)發(fā)散值設(shè)定為正值，負(fù)值中的任何一個(gè)值，故可靈活地應(yīng)對(duì)適合采用色散位移光纖的光通信系統(tǒng)的要求。
權(quán)利要求
1．一種色散位移光纖，其由芯體和設(shè)置于其外周上的包層形成；上述芯體包括中心芯部；周邊芯部，該周邊芯部設(shè)置該中心芯部的外周上，其折射率大于該中心芯部；上述包層具有其折射率小于上述周邊芯部的折射率分布形狀，其特征在于在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～130μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-8～8+ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率小于0.12ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的色散位移光纖，其特征在于上述芯體由中心芯部和周邊芯部形成；當(dāng)由Δ1表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部的比折射率差，由Δ2表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部的比折射率差，由r1表示中心芯部的半徑，由r2表示周邊芯部的半徑時(shí)，則滿足下述條件a．1.35％≤(Δ2-Δ1)b．1.2≤r2/r1≤2.0c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/rl)2≤3.5d．當(dāng)0.8，或1.8/(r2/r1)2中的，較大者為Δ2min，環(huán)內(nèi)側(cè)體積為-Δ1×r12，環(huán)外側(cè)體積為Δ2min×(r22-r12)時(shí)，則環(huán)外側(cè)體積/環(huán)內(nèi)側(cè)體積大于2，或小于0。
3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的色散位移光纖，其特征在于在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在75～130μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率小于0.12ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
4．根據(jù)權(quán)利要求2所述的色散位移光纖，其特征在于b,c在下述的數(shù)值范圍內(nèi)b．1.2≤r2/r1≤1.9c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤3.2
5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在85～130μm2的范圍內(nèi)。
6．根據(jù)權(quán)利要求2所述的色散位移光纖，其特征在于b,c在下述的數(shù)值范圍內(nèi)b．1.2≤r2/r1≤1.8c．Δ2≥0.8％，并且1.8≤Δ2×(r2/r1)2≤2.7
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在95～130μm2的范圍內(nèi)。
8．根據(jù)權(quán)利要求2所述的色散位移光纖，其特征在于r2/r1大于1.3，并且Δ1小于0％。
9．根據(jù)權(quán)利要求8所述的色散位移光纖，其特征在于發(fā)散斜率小于0.10ps/km/nm2。
10．根據(jù)權(quán)利要求1所述的色散位移光纖，其特征在于芯體由中心芯部和周邊芯部形成；在從1490～1625nm的范圍內(nèi)選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～70μm2的范圍內(nèi)，波長(zhǎng)發(fā)散值在-6～+6ps/km/nm的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.05～0.08ps/km/nm2的范圍內(nèi)，彎曲損耗小于100dB/m，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
11．根據(jù)權(quán)利要求10所述的色散位移光纖，其特征在于當(dāng)由Δ1表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的中心芯部的比折射率差，由Δ2表示以包層的折射率為基準(zhǔn)時(shí)的周邊芯部的比折射率差，由r1表示中心芯部的半徑，由r2表示周邊芯部的半徑時(shí)，則Δ1在-0.3～+0.3％的范圍內(nèi)，Δ2大于0.8％,r2/r1在1.4～2.5的范圍內(nèi)。
12．根據(jù)權(quán)利要求10所述的色散位移光纖，其特征在于Δ1為0％。
13．根據(jù)權(quán)利要求1所述的色散位移光纖，其特征在于上述芯體在中心芯部的上，依次設(shè)置有周邊芯部，第2環(huán)部，以及第3環(huán)部；對(duì)于該中心芯部，周邊芯部，第2環(huán)部，以及第3環(huán)部，當(dāng)分別由(Δ1,r1),(Δ2,r2),(Δ3,r3)(Δ4,r4)表示以包層為基準(zhǔn)時(shí)的比折射率差與半徑時(shí)，則具有Δ1與Δ3為負(fù)值，Δ2為正值，Δ4大于0的折射率分布形狀；在從1490～1625nm選出的使用波段，有效芯體截面面積在45～120μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.03～0.10ps/km/nm2，彎曲損耗小于100dB/m，波長(zhǎng)發(fā)散值的絕對(duì)值在0.5～8ps/km/nm的范圍內(nèi)，并且具有形成實(shí)質(zhì)上為單一模式傳送的截止波長(zhǎng)。
14．根據(jù)權(quán)利要求13所述的色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在50～75μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.03～0.06ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
15．根據(jù)權(quán)利要求14所述的色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有負(fù)值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.25％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
16．根據(jù)權(quán)利要求14所述的色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.5％≤Δ1≤-0.05％,0.75％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.3％,1.5≤r2/r1≤2.5,1.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
17．根據(jù)權(quán)利要求13所述的色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在75～100μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.06～0.09ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
18．根據(jù)權(quán)利要求17所述的色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有負(fù)值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.20％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
19．根據(jù)權(quán)利要求17所述的色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.05％,0.65％≤Δ2≤0.85％,-0.50％≤Δ3≤-0.15％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤3.0,0.5≤(r3-r2)/r1≤2.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
20．根據(jù)權(quán)利要求13所述的色散位移光纖，其特征在于有效芯體截面面積在100～120μm2的范圍內(nèi)，發(fā)散斜率在0.08～0.10ps/km/nm2的范圍內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的色散位移光纖，其特征在于波長(zhǎng)發(fā)散值具有正值，并且-0.50％≤Δ1≤-0.25％,0.65％≤Δ2≤0.75％,-0.50％≤Δ3≤-0.25％,0.0％≤Δ4≤0.30％,1.3≤r2/r1≤2.5,0.5≤(r3-r2)/r1≤1.5,0.5≤(r4-r3)/r2≤2.0。
全文摘要
本發(fā)明提供一種色散位移光纖,其由芯體和設(shè)置其外周上的包層形成,該芯體包括中心芯部;周邊芯部,該周邊芯部設(shè)置該中心芯部的外周上,其折射率大于該中心芯部,上述包層具有其折射率小于上述周邊芯部的折射率分布形狀,通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定結(jié)構(gòu)參數(shù),滿足實(shí)質(zhì)上為單一模式,并且彎曲損耗小于100dB/m的條件,另外可充分地增加有效芯體截面面積,并且減小發(fā)散斜率。
文檔編號(hào)G02B6/02GK1321256SQ00801834
公開(kāi)日2001年11月7日 申請(qǐng)日期2000年7月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月12日
發(fā)明者松尾昌一郎, 谷川莊二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉(cāng)