專利名稱：液晶顯示設(shè)備、布線基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示設(shè)備、布線基板和制作該液晶顯示設(shè)備和布線基板的方法。更特別地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種液晶顯示設(shè)備和制作這類液晶顯示設(shè)備的一種方法。該液晶顯示設(shè)備能夠利用環(huán)境光來(lái)實(shí)現(xiàn)反射模式的顯示。
近幾年，在將液晶顯示(LCD)設(shè)備應(yīng)用于文字處理器、便攜式計(jì)算機(jī)和袖珍電視機(jī)等產(chǎn)品的領(lǐng)域中已獲取迅速的進(jìn)展。在各種LCD設(shè)備中，一種能夠通過(guò)反射環(huán)境光來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示的反射類型的LCD設(shè)備因其可以減少功耗、厚度和重量(因?yàn)椴恍枰澈笳彰?而尤其得到人們的關(guān)注。如今，還開(kāi)發(fā)了一種雙重模式的LCD設(shè)備，它能夠以反射和發(fā)射的模式來(lái)實(shí)現(xiàn)顯示。
按照慣例，在LCD設(shè)備中，反射環(huán)境光的一個(gè)反射器或反射層安放在基板(一個(gè)TFT基板或離觀察者更遠(yuǎn)的一個(gè)基板)的外表面上。但是，由于像素尺寸隨著LCD設(shè)備的容量的增加而變得更小，這種構(gòu)造引起以下的問(wèn)題。也就是說(shuō)，由于來(lái)自濾色器(像素部分)和反射器(反射層)的距離差別而產(chǎn)生了視差，這損害了顯示質(zhì)量。
為了解決以上問(wèn)題，將一個(gè)反射層安放在面向一個(gè)液晶層的基板表面上的構(gòu)造已廣為運(yùn)用。在此構(gòu)造中，該反射層本身還用作一個(gè)對(duì)液晶層施加電壓的電極(例如，作為使用TFTs的LCD設(shè)備中的一個(gè)像素電極)。由于鋁(Al)的反射系數(shù)高、容易形成圖案且電阻低，因此，鋁Al(和一種Al合金)經(jīng)常被用作該反射層的材料。
眾所周知，當(dāng)ITO層與Al層相互接觸并一起暴露于一種堿性溶液時(shí)，ITO與Al之間會(huì)發(fā)生電化腐蝕，從而導(dǎo)致ITO層與Al層的部分損耗。注意，在以下的描述中，“ITO層”的表達(dá)不僅包括形成圖案前的ITO層，而且包括形成圖案后的ITO層(除非有其他定義)。
日本特開(kāi)平公報(bào)(號(hào)碼3-246524)揭示了一種解決部分損耗問(wèn)題的方法。也就是說(shuō)，按照慣例，顯示電極或互連采用Al層/ITO層的雙層結(jié)構(gòu)來(lái)代替原來(lái)的單個(gè)ITO層，以減小顯示電極或互連的電阻。但是，采用這種雙層結(jié)構(gòu)后，在用堿性溶液在AL層上形成抗蝕層的過(guò)程中，一部分ITO層趨于被損壞。該公報(bào)披露了在ITO層與Al層之間提供由鉬(Mo)或一種Mo合金(例如，Mo-Ti)構(gòu)成的一個(gè)抗蝕層。通過(guò)提供此抗蝕層，即使Al層中存在一個(gè)小孔，以上ITO層部分損耗的問(wèn)題也能夠得到解決。
但是，本發(fā)明的發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，以上日本特開(kāi)平公報(bào)3-246524)描述的方法存在以下一個(gè)問(wèn)題。ITO層與Al層之間形成的一個(gè)Mo層(包括一個(gè)Mo合金層)可以防止ITO與Al之間的電化腐蝕。但是，如果Al層中存在一個(gè)小孔，則當(dāng)Al層暴露于一種堿性顯影劑、去除劑或蝕刻劑時(shí)，該小孔周?chē)糠值腁l層會(huì)被腐蝕，從而導(dǎo)致Al層的部分損耗。注意，上述公報(bào)所揭示的方法不是針對(duì)抑制/防止Al層中小孔的形成，而是針對(duì)防止ITO與Al之間的電蝕，并且，出于這個(gè)目的，可以與Al層一起蝕刻的一個(gè)Mo層(或一個(gè)Mo合金層)作為阻止Al層與ITO層之間直接接觸的一個(gè)中間層。
如果在將Al層用作反射電極部分的制造過(guò)程中部分損耗了Al層，則形成的反射電極(反射層)的區(qū)域會(huì)減小，從而損害了反射環(huán)境光的功能。為了更具體地陳述，在制作一種液晶顯示設(shè)備(包括用作反射層的Al層)的方法中，該Al層經(jīng)歷兩個(gè)過(guò)程。一個(gè)過(guò)程是用一種堿性顯影劑來(lái)顯影抗蝕層(resistlayer)，以便形成一種抗蝕圖案，用作Al層圖案形成中的掩模；另一個(gè)過(guò)程是在Al層圖案形成后，用堿性去除劑除去該抗蝕圖案。當(dāng)Al層有一個(gè)小孔并暴露于以上過(guò)程中的這種堿性顯影劑或去除劑時(shí)，小孔(通常是直徑為2～5μm的一個(gè)圓圈)周?chē)囊徊糠諥l層會(huì)受到損失。在去除過(guò)程中，Al層的這部分損耗(小孔增大)比在制作過(guò)程中產(chǎn)生的損耗更突出。這是因?yàn)槿コ齽┚哂斜蕊@影劑更大的分解抗蝕層的能力，暴露于去除劑的Al層的表面區(qū)域還大于暴露于顯影劑的Al層的表面區(qū)域。
在Al層的圖案形成過(guò)程中，Al層部分損耗的現(xiàn)象還引起一個(gè)問(wèn)題形成圖案的Al層的周邊呈鋸齒狀(如同郵票的邊緣)?？梢杂酶鞣N材料(堿性和酸性溶液等類似物)通過(guò)各種方法來(lái)完成Al層的圖案形成。當(dāng)采用蝕刻時(shí)，所發(fā)生的Al層的部分損耗在濕蝕刻中(可用相同的蝕刻劑方便地蝕刻Al層/Mo層的層狀結(jié)構(gòu))比在干蝕刻中更加突出。
當(dāng)Al層暫時(shí)沉積于作為一個(gè)端電極的頂層的ITO層上、然后被除去時(shí)，部分ITO層可能由于ITO與Al之間的電蝕而受到不利的損失。例如，有一種情況ITO層作為一個(gè)端電極(例如，一個(gè)端區(qū)域中的掃描線端電極)的頂層，形成反射層的Al層暫時(shí)沉積于ITO層上。當(dāng)用蝕刻劑去除暫時(shí)沉積的Al層時(shí)，ITO層可能會(huì)因電蝕而受到部分損耗，因此，可能會(huì)削弱該端電極的可靠性。
不僅在將Al層用作反射層的LCD設(shè)備中，而且在各種LCD設(shè)備或包括互連、電極等類似物(具有Al層/ITO層的雙層結(jié)構(gòu))的其它設(shè)備(例如，使用有機(jī)電致發(fā)光(EL)的顯示設(shè)備和太陽(yáng)能電池)中，Al層部分損耗的問(wèn)題都是不利的。例如，在使用TFT(包括具有Al層/ITO層的雙層結(jié)構(gòu)的信號(hào)線)的有源矩陣LCD設(shè)備中，如果Al層部分損耗的范圍很大，則Al層可能會(huì)過(guò)度縮小或破裂。因此，Al層可能會(huì)無(wú)法充分補(bǔ)充ITO層的導(dǎo)電性。如果信號(hào)線的導(dǎo)電性減小，則可能會(huì)因信號(hào)延遲或類似原因而無(wú)法獲得正常顯示。注意，在下面的描述中，除互連完全破裂的情況外，術(shù)語(yǔ)“破裂”有時(shí)還指這種情況互連(例如信號(hào)線)的導(dǎo)電性減小到無(wú)法進(jìn)行正常顯示的程度。
本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示設(shè)備、布線基板，以及制作該液晶顯示設(shè)備與布線基板的方法。該液晶顯示設(shè)備與布線基板可以抑制/防止Mo層上的Al層因Al層中的小孔而發(fā)生部分損耗。
本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備包括一對(duì)基板、置于這對(duì)基板之間的液晶層，以及通過(guò)該液晶層相互面對(duì)的多個(gè)電極對(duì)。每對(duì)電極對(duì)中的一個(gè)電極是用于實(shí)現(xiàn)反射模式顯示的反射電極。其中，反射電極包括包含Mo的第一金屬層(也稱作Mo層)和在第一金屬層上形成的包含Al的第二金屬層(也稱作Al層)。第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是非晶層。
第一金屬層最好由Mo構(gòu)成。
反射電極部分可以在由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層上形成。
本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備的制作方法是一種制作包括一對(duì)基板、置于這對(duì)基板之間的一個(gè)液晶層和通過(guò)該液晶層相互面對(duì)的多個(gè)電極對(duì)的液晶顯示設(shè)備的方法。多個(gè)電極對(duì)中的每對(duì)電極對(duì)的一個(gè)電極是用于實(shí)現(xiàn)反射模式的顯示的反射電極。反射電極的制作方法包括以下步驟在一個(gè)基板上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；形成第一金屬層和第二金屬層的圖案。
在上述方法中，第一金屬層最好由Mo構(gòu)成。
形成第一金屬層的步驟可以包括在包含氮的大氣中形成第一非晶金屬層。
該方法還可包括這個(gè)步驟在形成第一金屬層的步驟之前，在基板上形成由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，并且至少有部分第一金屬層可以形成于透明導(dǎo)電層上。
第二金屬層中的小孔的密度最好是20pcs./10000μm2或更小。
第一和第二金屬層的圖案形成步驟可包括以下各個(gè)步驟在第一和第二金屬層上形成抗蝕層；使該抗蝕層曝光；通過(guò)用一種堿性顯影劑顯影被曝光的抗蝕層形成一個(gè)具有預(yù)定圖案的抗蝕圖案；利用抗蝕圖案作為掩模形成第一和第二金屬層的圖案；用一種堿性去除劑來(lái)除去該抗蝕圖案。
形成第一和第二金屬層圖案的步驟可包括蝕刻第一和第二金屬層中的至少一個(gè)金屬層的步驟。
形成第一和第二金屬層圖案的步驟最好包括用一種普通的蝕刻劑來(lái)濕蝕刻第一和第二金屬層的步驟。
換句話說(shuō)，本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備的制作方法是一種制作包括一對(duì)基板、置于這對(duì)基板之間的液晶層和在這對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上形成的ITO透明導(dǎo)電層的一種液晶顯示設(shè)備的方法。該方法包括以下各個(gè)步驟通過(guò)在一對(duì)基板中的至少一個(gè)基板上沉積ITO層和形成ITO層圖案的過(guò)程來(lái)形成透明導(dǎo)電層；在ITO層或該透明導(dǎo)電層上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；以及，形成第一和第二金屬層的圖案。
在以上變換的方法中，透明導(dǎo)電層可以作為連接到顯示區(qū)中的互連的一個(gè)端電極的頂層。
在以上變換的方法中，液晶顯示設(shè)備可以是一種TFT有源矩陣液晶顯示設(shè)備，信號(hào)線、源電極和漏電極中至少有一個(gè)可以具有一種包括順序分層的透明導(dǎo)電層、第一金屬層和第二層的結(jié)構(gòu)。
在以上變換的方法中，可以通過(guò)在ITO層上形成抗蝕圖案和將該抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻ITO層來(lái)形成ITO層的圖案，并且，可以通過(guò)在第一和第二金屬層上形成一個(gè)不同的抗蝕圖案和將該不同的抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻第一和第二金屬層，來(lái)形成第一和第二金屬層的圖案(與ITO層的圖案形成分開(kāi)進(jìn)行)。
本發(fā)明的布線基板包括基板上形成的互連或電極。該互連或電極具有一個(gè)包括由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。該互連或電極包括在透明導(dǎo)電層上形成的包含Mo的第一金屬層和在第一金屬層上形成的包含Al的第二金屬層。第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是非晶層。
本發(fā)明的布線基板的制作方法是一種制作包括一個(gè)基板上的互連或電極、具有多層結(jié)構(gòu)的互連或電極(包括由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層)的布線基板的方法。該方法包括以下步驟通過(guò)在基板上沉積ITO層和形成ITO層圖案的過(guò)程，形成透明導(dǎo)電層；在ITO層或透明導(dǎo)電層上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；形成第一和第二金屬層的圖案。
在上述制作布線基板的方法中，可以通過(guò)在ITO層上形成抗蝕圖案和將該抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻ITO層來(lái)形成ITO層的圖案，并且，可以通過(guò)在第一和第二金屬層上形成一個(gè)不同的抗蝕圖案和將該不同的抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻第一和第二金屬層，來(lái)形成第一和第二金屬層的圖案(與ITO層的圖案形成分開(kāi)進(jìn)行)。
本發(fā)明基于本發(fā)明者深入研究Mo層的表面結(jié)構(gòu)(構(gòu)造)與在Mo層上沉積的Al層中產(chǎn)生的小孔的密度量(有時(shí)也稱作“小孔的密度”)之間的關(guān)系后獲得的結(jié)果。
當(dāng)Mo層通過(guò)噴射沉積時(shí)，Mo的柱狀晶體(通常稱作多晶體)會(huì)正常生長(zhǎng)。當(dāng)Al層沉積于Mo層上時(shí)，小孔主要在以柱狀晶體形式的Mo層表面上的顆粒邊界區(qū)域中產(chǎn)生。如果Mo層表面上的晶體顆粒尺寸是60nm或更小，則Al層中產(chǎn)生的小孔的密度減小到20pcs./10000μm2或更小。此外，如果Mo層表面的晶體顆粒尺寸是30nm或更小，則可充分防止小孔的產(chǎn)生。Al層中小孔的密度還取決于Al層的厚度。為了實(shí)現(xiàn)良好的反射特性，Al層的厚度最好是50nm或更大。只有當(dāng)Al層的厚度至少為50nm時(shí)，以上描述的Mo層的晶體顆粒尺寸與Al層中小孔的密度之間的關(guān)系才能成立。
這里所使用的“晶體層”代表包括晶體顆粒的一個(gè)層，并且不僅包括由多個(gè)晶體顆粒構(gòu)成的多晶層，而且包括其中許多晶體顆粒(島)散布在一個(gè)非晶狀態(tài)(海)(海島結(jié)構(gòu))中的一個(gè)層。這里所使用的“顆粒邊界”不僅包括多晶層中的晶體顆粒之間的分界，而且包括一個(gè)非晶狀態(tài)(海)與晶體顆粒(島)之間的分界。這里使用的“Mo層表面的晶體顆粒的尺寸”是指通過(guò)觀察Mo層的表面構(gòu)造而獲得的二維平面中的晶體顆粒(通常是柱狀的晶體顆粒)的縱向長(zhǎng)度(除非有其他的定義)。例如，利用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡來(lái)觀察該表面構(gòu)造?！癕o層表面的晶體顆粒的尺寸”有時(shí)僅稱作“表面顆粒尺寸”或“顆粒尺寸”。
Mo層的顆粒尺寸可以通過(guò)調(diào)整Mo層的薄膜形成條件(通常是氣壓等噴射條件、提供的電力和薄膜的厚度)來(lái)加以控制。例如，通過(guò)增加在噴射過(guò)程中提供的電力，可以減小Mo層的顆粒尺寸。如果所提供的電力大得使被沉積的Mo層的顆粒尺寸還不到約4nm，則控制薄膜的厚度可能會(huì)變得較難。此外，Mo層中可能會(huì)產(chǎn)生污跡(splash)。如果產(chǎn)生污跡，則Mo層不能充分發(fā)揮作為抗蝕層的功能。當(dāng)Mo層的顆粒尺寸在4nm～60nm的范圍之內(nèi)時(shí)，可以通過(guò)噴射方便地將Mo層設(shè)置為規(guī)定的厚度，而不產(chǎn)生污跡。
可以形成一個(gè)非晶態(tài)Mo層，來(lái)代替形成具有一個(gè)小的表面顆粒尺寸的晶態(tài)Mo層。非晶態(tài)Mo層的表面上不存在顆粒邊界。所以，在非晶態(tài)Mo層上沉積的Al層中基本上不產(chǎn)生小孔。例如，通過(guò)在包含氮?dú)獾拇髿庵谐练eMo，可以形成這種非晶態(tài)Mo層。因此，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，用這種方法獲得的非晶態(tài)Mo層包含微量的氮。
當(dāng)非晶態(tài)Mo層的氮含量較高時(shí)，Mo層的電阻較低。因此，Mo層的氮含量可以根據(jù)待制作的液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)和性能來(lái)進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。如果氮含量低，則Mo的柱狀晶體會(huì)增加。但是，在此情況下，可以通過(guò)為薄膜形成而調(diào)整大氣中氮?dú)獾臐舛群推渌纬杀∧さ臈l件，來(lái)獲得60nm或更小的顆粒尺寸。
Mo層的厚度最好是約40nm或更大，以便充分發(fā)揮抗蝕層的功能。Mo層可以是一個(gè)由晶體層構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)。該晶體層包括具有作為底層的尺寸大于60nm的晶體顆粒和具有60nm或更小的顆粒尺寸的一個(gè)晶態(tài)Mo層，或作為頂層的非晶態(tài)Mo層。實(shí)際上，分層結(jié)構(gòu)可以由一個(gè)具有60nm或更小的顆粒尺寸的晶態(tài)Mo層和一個(gè)非晶態(tài)Mo層構(gòu)成。
在本發(fā)明的液晶顯示設(shè)備的制作方法中，由于Mo層上形成的Al層中的小孔的密度低(或者，實(shí)質(zhì)上沒(méi)有小孔存在)，所以，在通過(guò)濕蝕刻形成Al層圖案的過(guò)程中，以及用一種堿性去除劑除去在形成Al層圖案中采用的蝕刻掩模的過(guò)程中，可以抑制/防止在小孔周?chē)牟糠职l(fā)生Al層的部分損耗。此外，在ITO層位于Mo層以下的構(gòu)造中，Mo層阻止由蝕刻劑或堿性顯影劑或去除劑引起的ITO與Al之間的電蝕。這防止了ITO層與Al層的部分損耗。


圖1A和1B分別是橫截面圖和平面圖，示意性地表示本發(fā)明實(shí)施例1中的一種液晶顯示設(shè)備100。
圖2A和2B分別是平面圖和橫截面圖，示意性地表示在實(shí)施例1中的液晶顯示設(shè)備100的一種反射電極基板100a。
圖3A至3C是橫截面圖，示意性地表示在實(shí)施例1中的液晶顯示設(shè)備100的反射電極基板100a的制作過(guò)程。
圖4A和4B示意性表示在制作實(shí)施例1中的液晶顯示設(shè)備100中使用的遮光膜的一些例子。
圖5示意性表示用顯微鏡對(duì)實(shí)施例1中形成的Mo層16觀察的結(jié)果。
圖6是實(shí)施例1中的液晶顯示設(shè)備100的掃描線端電極22T的示意性橫截面視圖。
圖7A～7C是橫截面視圖，示意性表示在實(shí)施例1中的液晶顯示設(shè)備100的掃描線端電極22T的制作過(guò)程。
圖8是實(shí)施例3中一個(gè)TFT基板200a的示意性橫截面視圖。
圖9A～9G是示意性橫截面視圖，描述了在實(shí)施例3中為獲得一個(gè)源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、一個(gè)Mo層16和TFT 126的一個(gè)Al層14而進(jìn)行的圖案形成過(guò)程。
圖10A～10F是示意性橫截面視圖，描述了在實(shí)施例4中為獲得源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、一個(gè)Mo層16和TFT 126的一個(gè)Al層14而進(jìn)行的圖案形成過(guò)程。
圖11是示意性橫截面視圖，表示另一個(gè)實(shí)施例中的一個(gè)源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、一個(gè)Mo層16和TFT 126的一個(gè)Al層14而進(jìn)行的后蝕刻狀態(tài)。
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例將在以下參照附圖加以描述(將反射類型的液晶顯示(LCD)設(shè)備和發(fā)射類型的LCD設(shè)備用作一個(gè)例子)。除包括一個(gè)Mo層和該Mo層上形成的一個(gè)Al層的電極和互連外，LCD設(shè)備的已知構(gòu)造也可以廣泛地被本發(fā)明LCD設(shè)備的部件采用。所以，在下面的描述中，將忽略有關(guān)這些已知部件及其制作方法的詳細(xì)內(nèi)容。此外，應(yīng)注意，在這些附圖中，用相同的參照號(hào)表示的部件實(shí)質(zhì)上是由相同材料構(gòu)成的。
實(shí)施例1
圖1A和1B分別是一幅示意橫截面視圖和一幅示意平面視圖，顯示了本發(fā)明實(shí)施例1中的一種LCD設(shè)備100。該LCD設(shè)備100是一種使用TFT的反射類型的有源矩陣LCD設(shè)備。
LCD設(shè)備100包括一個(gè)反射電極基板100a、一個(gè)反向基板100b和置于反射電極基板100a與反向基板100b之間的一個(gè)液晶層60。該液晶層60用密封劑62密封于基板100a與100b之間。
例如，反射電極基板100a包括玻璃基本基板10上的一個(gè)反射電極12。該反射電極12實(shí)質(zhì)上由一個(gè)Al層14(一個(gè)包含Al的金屬層)和一個(gè)位于下面的Mo層16(一個(gè)包含Mo的金屬層)構(gòu)成。以下，反射電極12的這種結(jié)構(gòu)也稱作Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)。雖然反射電極12被示意性地表示為圖1A中的一個(gè)層，但是，它實(shí)際上由安排在連接到一個(gè)TFT(未示出)的矩陣中的多個(gè)像素電極構(gòu)成。反射電極12具有一個(gè)波狀(凹凸外形)的表面，使環(huán)境光在一個(gè)適當(dāng)?shù)慕嵌确植枷侣瓷?或“散射”)。在所示的例子中，一個(gè)具有波狀表面的樹(shù)脂層18首先形成，接著，在該樹(shù)脂層18上依次形成Mo層16和Al層14，以便獲得具有波狀表面的反射電極12。反射電極12的Mo層16的表面上的Mo的最大顆粒尺寸是60nm或更小。在Mo層16上形成的Al層14具有規(guī)定的面積和厚度，因此，擁有規(guī)定的反射特性。反射電極12的構(gòu)造和形成方法將在以后詳細(xì)描述。
反向基板100b包括一個(gè)由氧化銦錫(ITO)構(gòu)成的透明反向電極52或面對(duì)液晶層60的透明基本基板50的表面上的類似物。反向電極52是一個(gè)面對(duì)作為多個(gè)電極(像素電極)的反射電極12的單個(gè)普通電極。反向電極52和反射電極12的表面上形成排列成行的薄膜(未示出)。液晶層60中的液晶分子(未示出)扭曲90°。對(duì)扭曲的液晶向列(TN)模式顯示而言，四分之一波(λ/4)板72和極化板74被沉積于面對(duì)觀察者(在液晶層60的側(cè)面的對(duì)方)的反向基板100b的側(cè)面?？梢园匆笮纬蔀V色器層(未示出)。
在LCD設(shè)備100中，液晶層60中的液晶分子的取向狀態(tài)根據(jù)施加到反向電極52與每個(gè)反射電極12之間的電壓而發(fā)生變化。根據(jù)取向狀態(tài)中的變化，反射光的強(qiáng)度得到調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)顯示。每個(gè)反射電極12面對(duì)反向電極52的區(qū)域定義一個(gè)像素區(qū)域(對(duì)應(yīng)于作為一個(gè)最小顯示單位的一個(gè)像素)。當(dāng)形成一個(gè)黑矩陣時(shí)，黑矩陣的每個(gè)開(kāi)口定義一個(gè)像素區(qū)域。
在LCD設(shè)備100中，包括多個(gè)像素區(qū)域(其中，實(shí)現(xiàn)顯示)的一個(gè)區(qū)稱作顯示區(qū)10A，位于顯示區(qū)10A外圍的各個(gè)區(qū)稱作終端區(qū)10T。在該終端區(qū)，形成用于將電壓施加到TFT的掃描線和信號(hào)線(均未示出)的端電極。如以下將描述的，根據(jù)本發(fā)明，反射電極12的Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)及其形成方法也有利于形成端電極。也就是說(shuō)，一個(gè)ITO層作為端電極的頂層而形成，以防止接觸電阻因氧化作用而增大。在LCD設(shè)備100的制作過(guò)程中，可能會(huì)產(chǎn)生這種情況一個(gè)Al層必須暫時(shí)沉積在ITO層上，然后再形成圖案。在這種情況下，部分ITO層可能會(huì)因ITO與Al之間的電蝕而受到損失。根據(jù)本發(fā)明，端電極的ITO層部分損耗的這個(gè)問(wèn)題可以通過(guò)采用具有Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)的反射電極12得到避免(將在以后詳細(xì)描述)。
以下，將參照?qǐng)D2A和2B來(lái)詳細(xì)描述反射電極12的結(jié)構(gòu)和形成方法。圖2A是關(guān)于一個(gè)像素區(qū)域的LCD設(shè)備100的反射電極基板100a的平面視圖。圖2B是圖2A中沿線2B-2B’的橫截面視圖。
反射電極基板100a包括多個(gè)相互平行的掃描線(控制極總線)22、多個(gè)相互平行且越過(guò)掃描線22的信號(hào)線(源極總線)24，以及在掃描線22和信號(hào)線24(都在基本基板10上)各自的交會(huì)處形成的多個(gè)TFT 26。反射電極12連接到各自的TFT 26。
參照?qǐng)D2B，掃描線和控制極電極22(一般整體形成，因此，由相同的參照號(hào)表示)在基本基板10上形成。一個(gè)控制極絕緣層32用于覆蓋掃描線和控制極電極22。在控制極絕緣層32上形成一個(gè)半導(dǎo)體層34、一個(gè)源接觸層36s與漏接觸層36d，以及一個(gè)源電極38s和一個(gè)漏電極38d，從而構(gòu)成每個(gè)TFT 26。在覆蓋每個(gè)TFT 26的大致整個(gè)表面上形成了一個(gè)鈍化層40。形成具有波狀表面的樹(shù)脂層18，以覆蓋該鈍化層40。反射電極12在樹(shù)脂層18上形成。
對(duì)每個(gè)TFT而言，由ITO構(gòu)成的電極30s和30d分別在源接觸層36s與源電極38s之間和漏接觸層36d與漏電極38d之間形成。漏極側(cè)上的電極30d(這個(gè)電極也稱作連接電極)經(jīng)由通過(guò)樹(shù)脂層18形成的一個(gè)接觸孔18a和通過(guò)鈍化層40形成的一個(gè)接觸孔40a與反射電極12電連接。
除反射電極12外的部件可以用已知的各種方法由已知材料制成。例如，在所示的例子中，鉭(Ta)用于形成掃描線與控制極電極22、信號(hào)線24、源電極38s和漏電極38d。另外，只要獲得理想的布線基板，就可以使用其他的材料(金屬、摻雜半導(dǎo)體及其分層結(jié)構(gòu))。如果材料允許與Mo層16有良好的電阻接觸，則漏電極38d可以暴露于接觸孔40a。例如，控制極絕緣層32可以由氧化硅形成，半導(dǎo)體層34可以由非晶硅(a-Si)形成，源接觸層36s和漏接觸層36d可以由n+-Si形成，鈍化層40可以由氮化硅(SiNx)形成。這些薄膜可以通過(guò)重復(fù)形成薄膜、光刻、蝕刻和去除抗蝕層的過(guò)程來(lái)形成。換句話說(shuō)，可以采用連續(xù)的薄膜形成、分批蝕刻等。
鈍化層40形成之后的制作過(guò)程將參照?qǐng)D3A～3C來(lái)描述。
參照?qǐng)D3A，形成的樹(shù)脂層18使形成的基本基板10的表面覆蓋上TFT和其上形成的類似物。尤其是，例如，正的感光樹(shù)脂(例如，由東京Ohka Kogyo有限公司制作的OFPR-800)被施加到其上形成TFT 26和鈍化層40(有諸如1.5μm的所需厚度)的基本基板10上。
在約100℃下，預(yù)烘干形成的基本基板10約達(dá)30秒，然后，經(jīng)歷兩次曝光的過(guò)程，也就是說(shuō)，通過(guò)圖4B中所示的一個(gè)遮光膜80b，在400 mJ(高照明曝光)下曝光，以及通過(guò)圖4A中所示的一個(gè)遮光膜80a在180mJ(低照明曝光)下曝光?？梢灶嵉惯@兩次曝光過(guò)程的順序。
圖4A和4B中分別所示的遮光膜80a和遮光膜80b分別包括遮光部分82a與82b，以及透光部分84a和84b。圖4A和4B示意性表示對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素的遮光膜80a和80b的各個(gè)部分。在圖4A的遮光膜80a中，遮光部分82a最好占據(jù)反射電極的整個(gè)區(qū)域的約20％～40％，每個(gè)相鄰的遮光部分82a應(yīng)該彼此相隔約5～50μm，最好相隔約10～20μm(如在其各個(gè)中心之間的測(cè)量)。各個(gè)遮光部分82a的中心被隨意安排在平面上。遮光部分82a的形狀不局限于所顯示的圓形，也可以是多邊形。在圖4B的遮光膜80b中，透光部分84b用于形成接觸孔18a和40a。雖然未示出，但遮光膜80b在對(duì)應(yīng)于反射電極基板100a上的端電極部分(掃描線端電極部分和信號(hào)線端電極部分)的部分還具有各個(gè)透光部分。
然后，用顯影劑(例如，由東京Ohka Kogyo有限公司制作的TMA(四甲基氫氧化銨))對(duì)曝光的正感光樹(shù)脂顯影，來(lái)除去對(duì)應(yīng)于遮光膜80b的透光部分的感光樹(shù)脂的高照明曝光部分。遮光膜80b的透光部分對(duì)應(yīng)于接觸孔形成部分和端電極部分。在此制作過(guò)程中，約40％的初始薄膜厚度保存于感光樹(shù)脂的低照明曝光部分(對(duì)應(yīng)于遮光膜80a的透光部分84a)中，而約80％的初始薄膜x厚度保存于感光樹(shù)脂的非曝光部分(對(duì)應(yīng)于遮光膜80a的遮光部分82a)中。
合成的感光樹(shù)脂在90℃下預(yù)熱一分鐘，然后，在約200℃下熱處理約60分鐘。通過(guò)此熱處理，感光樹(shù)脂的截面形狀因熱下沉現(xiàn)象而發(fā)生變形，形成一個(gè)光滑的凹凸外形的表面。
結(jié)果，如圖3B所示，形成了具有波狀表面的樹(shù)脂層18和將反射電極12與連接電極30d電連接的接觸孔18a。此后，在反射電極12形成之前，可以用O2等離子體去渣(除去浮渣的過(guò)程)。180mJ的曝光量通過(guò)形成樹(shù)脂層18的波狀表面的遮光膜80a被用于曝光過(guò)程中。但是，由于所需的漫射特性(漫射-反射光的角度分布)根據(jù)LCD設(shè)備的面板尺寸而發(fā)生變化，因此，這個(gè)量可以適當(dāng)改變。反射電極基板100a也可以用除上述方法之外的另一種方法(例如，號(hào)碼為6-75238的日本特開(kāi)平公報(bào)所揭示的方法)來(lái)制作。
參照?qǐng)D3C，具有Mo層16和Al層14的雙層結(jié)構(gòu)的反射電極12在合成的基板上形成。這里，作為實(shí)施例1中的具體例子，兩種類型的晶體層作為Mo層16形成；表面顆粒尺寸為30nm或更小的一個(gè)Mo層(例1)和表面顆粒尺寸為60nm或更小的一個(gè)Mo層(例2)。為了比較，還形成表面顆粒尺寸為90nm或更小的一個(gè)Mo層(比較例1)。這些例子中的各個(gè)Mo層均用相同的噴射裝置形成。以下的表1顯示了通過(guò)用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡觀察每個(gè)例子而得到的Mo層16的沉淀?xiàng)l件和合成Mo層16的表面上的最大顆粒尺寸。圖5示意性地顯示通過(guò)表面觀察獲得的Mo層16的表面構(gòu)造。從圖5可一目了然，觀察到的Mo的柱狀晶體顆粒為橢圓形。將每個(gè)橢圓的主軸LA的長(zhǎng)度定義為顆粒尺寸，從而確定了Mo層16表面上的最大的顆粒尺寸。更具體地說(shuō)，通過(guò)觀察Mo層16的表面來(lái)確定最大的顆粒尺寸，觀察是在每個(gè)面積為2.3μm×1.7μm的一些部分進(jìn)行，它們分布在基板的中心和外圍區(qū)域。表1
然后，Al層14通過(guò)噴射被沉積于每個(gè)合成的Mo層16之上。對(duì)于所有的例子而言，沉積Al層14的條件是環(huán)境壓力是0.2Pa，提供的電力是10KW，薄膜厚度是100nm。當(dāng)在這些條件下沉積Mo層16以獲得60nm的表面顆粒尺寸時(shí)，沉積Mo層16后可連續(xù)沉積Al層14，而不中斷噴射裝置的真空。通過(guò)顯微鏡的觀察，可以確定合成的Al層14中產(chǎn)生的小孔的密度量。更具體地說(shuō)，Al層14中產(chǎn)生的小孔的密度量是通過(guò)計(jì)算對(duì)應(yīng)于典型像素尺寸的面積為100μm×100μm的小孔的數(shù)量來(lái)確定。
在例1的Mo層16上的Al層14中沒(méi)有觀察到小孔，而在例2的Mo層16上的Al層14中觀察到5～10pcs./10000μm2的小孔。在比較例1的Mo層上的Al層中觀察到200～300pcs./10000μm2的小孔。
這樣形成的Mo層16和Al層14被形成圖案，以獲得具有圖2B中所示的形狀的反射電極12。Mo層16和Al層14的圖案形成用以下方式進(jìn)行。
首先，通過(guò)正常的光刻過(guò)程來(lái)形成具有預(yù)定圖案的一個(gè)抗蝕層。將抗蝕膜用作掩模，通過(guò)該抗蝕層的各個(gè)開(kāi)口曝光的Mo層16和Al層14的部分用一種混合酸的蝕刻劑(由醋酸、磷酸和硝酸與水混合配置而成)一次除去。
此后，作為掩模的抗蝕層用堿性去除劑(例如，由東京Ohka Kogyo有限公司制作的去除劑106)除去。
以下的表2顯示了用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡對(duì)合成的反射電極12觀察的結(jié)果，以及對(duì)于例1、例2和比較例1每個(gè)例子的反射系數(shù)的測(cè)量。反射系數(shù)被評(píng)估為剛剛沉積(圖案形成之前)的Al層14的反射系數(shù)的減小。表2
在例1中，沒(méi)有觀察到Mo層16中有小孔，在反射電極12(Al層14)中沒(méi)有產(chǎn)生空隙，因此，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)反射系數(shù)減小。在例2中，產(chǎn)生了一些邊緣空隙(其中，反射電極12的各條邊下沉)和以后將描述的圓空隙，但是，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)反射系數(shù)減小。相反，在比較例1中，在小孔周?chē)牟糠钟^察到直徑為2～5μm的圓空隙，反射系數(shù)減小了8％～13％。圖1A和1B中所示的反射類型的LCD設(shè)備利用合成的反射電極基板制作而成，顯示特性得到評(píng)估。因此，比較例1中的LCD設(shè)備的反射系數(shù)比例1和例2中的LCD設(shè)備差約10％。
從以上描述的結(jié)果來(lái)看，Mo層16的表面上的Mo顆粒尺寸肯定與Al層14中產(chǎn)生的小孔數(shù)量相關(guān)。此外，還發(fā)現(xiàn)了以下情況。當(dāng)Mo層的表面顆粒尺寸是60nm或更小時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生實(shí)際的問(wèn)題。當(dāng)表面顆粒尺寸是30nm或更小時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生小孔，從而可以形成具有良好反射特性的一個(gè)反射電極。
如在圖2B中所示，部分反射電極12與由一個(gè)ITO層構(gòu)成的連接電極30d直接接觸。根據(jù)本發(fā)明，由于Al層14/Mo層16的雙層結(jié)構(gòu)被反射電極12采用，因此，可以防止連接電極30d的ITO層因上述反射電極12的圖案形成和除去抗蝕層的過(guò)程中的電蝕而受到部分損耗。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)采用Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)，還可以防止作為反射電極基板100a的每個(gè)端電極的頂層的一個(gè)ITO層因ITO與Al之間的電蝕而受到部分損耗。
圖6示意性地表示出在終端區(qū)(圖1A和1B中的10T)中形成的一個(gè)掃描線端電極22T(連接到顯示區(qū)(在圖1A和1B中)中的一個(gè)互連(掃描線))的橫截面結(jié)構(gòu)。雖然未示出，但連接到顯示區(qū)中的信號(hào)線的信號(hào)線端電極實(shí)質(zhì)上具有相同的結(jié)構(gòu)。圖6中所示的掃描線端電極22T與基本基板10上的掃描線和控制極電極22整體形成。覆蓋掃描線端電極22T的控制極絕緣層32具有一個(gè)開(kāi)口32a。該開(kāi)口32a中形成的ITO層30T與掃描線端電極22T電連接。ITO層30T用于阻止掃描線端電極22T的表面與空氣發(fā)生氧化，從而保持低連接電阻。例如，TTO層30T在相同的過(guò)程中與上述的連接電極30d一起形成。
在反射電極基板100a的制作過(guò)程中，形成反射電極12的各層(Mo層16和Al層14)也暫時(shí)沉積于ITO層30T上。如果Al層14在ITO層30T上形成(如同傳統(tǒng)的情況)，則部分ITO層30T將會(huì)因在除去Al層14的過(guò)程中Al與ITO之間的電蝕而受到損失。但是，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)采用Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)，可以避免ITO層30T部分因電蝕而受到損失的這個(gè)麻煩。
將參照?qǐng)D7A～7C，來(lái)描述形成掃描線端電極22T的一種方法。圖7A、7B和7C示出圖3A、3B和3C所示的各個(gè)步驟中的一個(gè)掃描線端電極部分的橫截面結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D7A，形成樹(shù)脂層18的正感光樹(shù)脂用于覆蓋掃描線端電極部分(包括作為頂層的ITO層30T)(見(jiàn)圖3A)。
參照?qǐng)D7B，在正感光樹(shù)脂的曝光與制作過(guò)程中，包括作為頂層的ITO層30T的掃描線端電極部分未被覆蓋(見(jiàn)圖3B)。也就是說(shuō)，正感光樹(shù)脂的曝光過(guò)程中使用的遮光膜80b在對(duì)應(yīng)于掃描線端電極部分的位置處具有一個(gè)透光部分。
參照?qǐng)D7C，形成反射電極12的Mo層16和Al層14暫時(shí)沉積于合成的基本基板10(包括曝光的ITO層30T)的整個(gè)表面上。此后，如參照?qǐng)D3C的上述內(nèi)容，在光刻過(guò)程中，通過(guò)使用形成反射電極12的一個(gè)抗蝕層(具有Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu))，Mo層16和Al層14被成型為預(yù)定的形狀。在此過(guò)程中，覆蓋掃描線端電極部分的Mo層16和Al層14被一次除去。
根據(jù)本發(fā)明，Al層14經(jīng)由Mo層16被沉積于ITO層30T上。這防止了Al層14在形成反射電極12的圖案形成過(guò)程(蝕刻Mo層16和Al層14的過(guò)程)中與ITO層30T直接接觸，從而防止ITO層30T因ITO與Al之間的電蝕而受到部分損耗。
這樣，在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，因小孔存在而發(fā)生的Al層的部分損耗在反射電極12的形成過(guò)程中得到防止。此外，當(dāng)反射電極12必須在ITO層上形成時(shí)，可以防止ITO層和Al層因ITO與Al之間的電蝕而受到部分損耗。而且，在形成作為端電極頂層的ITO層的構(gòu)造中，可以防止ITO層因在除去Al層(已暫時(shí)在ITO層上形成)的過(guò)程中ITO與Al之間的電蝕而受到部分損耗。結(jié)果，該實(shí)施例可以制作具有規(guī)定的反射特性的反射電極，也可以制作具有高可靠性的端電極。
在這個(gè)實(shí)施例中，描述了作為端電極的頂層的ITO層的形成情況。本發(fā)明并不局限于這種情況，但是，上述的功能和效果也提供給其他情況，例如，使作為互連和電極的頂層的ITO層在顯示區(qū)中形成。
在此實(shí)施例中，純Mo和純Al分別用于Mo層16和Al層14。換句話說(shuō)，可以向每層的材料添加少量其他的金屬，而不損害本發(fā)明的效果。所添加的金屬的種類和數(shù)量根據(jù)電的特性(電阻系數(shù)等)、圖案形成的容易程度等來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定。在此實(shí)施例中，使用一個(gè)正抗蝕層來(lái)形成樹(shù)脂層18。另外，也可以使用一個(gè)負(fù)抗蝕層。否則，該樹(shù)脂層可以由一種非感光的絕緣材料構(gòu)成。但是，在這種情況下，分開(kāi)要求一個(gè)抗蝕層來(lái)形成接觸孔和提供表面上的波狀外形。以上可供選擇的方法也適用于實(shí)施例2(下面將作描述)。
Mo層16的晶體顆粒如何增加取決于下面的層的材料。也就是說(shuō)，Mo的晶體顆?？赡軣o(wú)法根據(jù)下面的層的材料來(lái)建立一個(gè)明確的柱狀晶體形狀。即使在這種情況下，只要Mo層16的表面上的晶體顆粒的最大顆粒尺寸是60nm或更小，就能夠獲得本發(fā)明的效果。
實(shí)施例2在實(shí)施例2中，通過(guò)在含氮?dú)獾拇髿庵羞M(jìn)行噴射薄膜的形成過(guò)程，Mo層16由非晶Mo構(gòu)成。除了Mo層16由非晶Mo構(gòu)成以外，這個(gè)實(shí)施例與實(shí)施例1相同，因此，這里忽略對(duì)此實(shí)施例的詳細(xì)描述(除了Mo層16外)。
由非晶Mo構(gòu)成的Mo層16的形成方法可以是例如，在所提供的電力為10KW、環(huán)境壓力為0.5Pa和流動(dòng)氮?dú)?N2)的流量為20sccm的條件下，將Mo的厚度設(shè)置為50nm。用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡來(lái)觀察由非晶Mo構(gòu)成的合成Mo層16的表面。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)只有結(jié)構(gòu)比實(shí)施例1的例1中的Mo層16表面上的結(jié)構(gòu)(顆粒尺寸為30nm或更小)精細(xì)。這是因?yàn)榉蔷顟B(tài)具有每個(gè)原子的鍵耦合在一起的結(jié)構(gòu)，從而實(shí)質(zhì)上不包括晶體顆粒。
如同在實(shí)施例1中一樣，Al層14在合成的Mo層16上形成。然后，將Al層14/Mo層16的結(jié)構(gòu)形成圖案，形成圖案中使用的抗蝕層被除去。在合成的Al層14中沒(méi)有觀察到小孔，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)反射系數(shù)減少。包括用以上方法形成的反射電極12的合成LCD設(shè)備100展示了與實(shí)施例1的例1中同樣優(yōu)良的顯示特性。在氮?dú)庵行纬傻腗o層16包含少許量的氮。但是，沒(méi)有觀察到顯示特性因電阻的減小而受到破壞。在這個(gè)實(shí)施例中，Mo層16在氮?dú)饬髁繛?0sccm的條件下形成。氮?dú)獾牧髁坎痪窒抻诖酥?，但是，可以在合成的Mo層16具有理想值或更小的電阻的范圍內(nèi)作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
以上描述的實(shí)施例1和2中所用的薄膜形成條件對(duì)于本發(fā)明的發(fā)明者所使用的噴射裝置是特定的。所以，薄膜形成條件不局限于上面的各項(xiàng)值，但可以根據(jù)所用的噴射裝置的規(guī)格等(例如，室容量等)而變化。
實(shí)施例3作為本發(fā)明的實(shí)施例3的LCD設(shè)備，將描述使用TFT的發(fā)射類型的有源矩陣LCD設(shè)備。在此實(shí)施例中，圖8是一幅TFT基板200a的示意橫截面視圖。在TFT基板200a中，信號(hào)線和源電極、漏電極具有一個(gè)包括順序分層的ITO透明導(dǎo)電層、Mo層16和Al層14的結(jié)構(gòu)。
注意，在此實(shí)施例和以后描述的實(shí)施例4中，圖案形成后的ITO層被特別地稱作為透明導(dǎo)電層，它表示了該設(shè)備的一個(gè)部件。ITO層經(jīng)圖案形成后作為部分源電極和漏電極的透明導(dǎo)電層，每個(gè)源電極的側(cè)面上的透明導(dǎo)電層(源極側(cè)的透明導(dǎo)電層)由30s表示，而每個(gè)漏電極的側(cè)面上的透明導(dǎo)電層(漏極側(cè)透明導(dǎo)電層)由30d表示。不由Mo層16和Al層14覆蓋的透明導(dǎo)電層30d部分用作像素電極。源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、Mo層16和Al層14形成一個(gè)垂直于圖8的平面延伸的一根信號(hào)線(源極總線)。
在此實(shí)施例中，圖8所示的TFT 126的形成過(guò)程與實(shí)施例1中的相同，直至形成半導(dǎo)體層34。也就是說(shuō)，用實(shí)施例1中所述的方法，通過(guò)形成薄膜、光刻、蝕刻和除去抗蝕層的過(guò)程，來(lái)形成每個(gè)TFT的掃描線與控制極電極22、控制極絕緣層32、半導(dǎo)體層34、源接觸層36s和漏接觸層36d。
在包括半導(dǎo)體層34的合成基本基板10上，用一種噴射裝置或類似物將ITO層沉積為約100nm的厚度。然后，通過(guò)噴射，在ITO層上形成Mo層16。如同實(shí)施例2的例3與例4和比較例2，在與實(shí)施例1中采用的條件相同的薄膜形成條件下，形成的Mo層16具有30nm或更小(例3)、60nm或更小(例4)和90nm或更小(比較例2)的表面顆粒尺寸。此后，通過(guò)噴射等，在Mo層16上形成Al層14。在例3、例4和比較例1中，在與實(shí)施例1中采用的條件相同的條件下，通過(guò)噴射沉積形成的Al層14的厚度約為100nm。
此后，將參照?qǐng)D9A～9G來(lái)描述每個(gè)TFT 126的源電極一側(cè)上的ITO層130、Mo層16和Al層14的圖案形成過(guò)程。圖9A～9G是描述這些層的圖案形成過(guò)程的示意橫截面視圖。注意，在圖案形成源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s之前，用130表示ITO層。在圖9A～9G中，圖8中所示的基本基板10、控制極電極22和半導(dǎo)體層34被簡(jiǎn)化忽略。這些部件也在以后參照?qǐng)D10A～10F和圖11中省略。
在依序形成ITO層130,Mo層16、Al層14(見(jiàn)圖9A)后，一個(gè)抗蝕層被施加到合成的基本基板，并通過(guò)光刻進(jìn)行圖案形成，以形成對(duì)Mo層16和Al層14進(jìn)行圖案形成的抗蝕圖案150(此后，這個(gè)抗蝕圖案也稱作用于Al/Mo圖案形成的抗蝕圖案)(見(jiàn)圖9B)。將用于Al/Mo圖案形成的抗蝕圖案150用作掩模，通過(guò)該抗蝕圖案150的各個(gè)開(kāi)口曝光的Mo層和Al層的部分用一種混合酸的蝕刻劑(由醋酸、磷酸和硝酸與水混合配置而成)一次除去(見(jiàn)圖9C)。然后，用一種堿性去除劑除去抗蝕圖案150(見(jiàn)圖9D)。
其后，一個(gè)抗蝕層被施加到合成的基本基板的整個(gè)表面，并通過(guò)光刻形成圖案，以形成抗蝕圖案151，對(duì)ITO層130形成圖案(此后，這個(gè)抗蝕圖案也稱作用于ITO圖案形成的抗蝕圖案)。用于ITO圖案形成的抗蝕圖案151覆蓋已經(jīng)形成圖案的Mo層16和Al層14，以便防止其各個(gè)邊部分被暴露(見(jiàn)圖9E)。將用于ITO圖案形成的抗蝕圖案151用作掩模，通過(guò)該抗蝕圖案151的各個(gè)開(kāi)口曝光的ITO層130的部分用一種氯化鐵和鹽酸的混合溶液的蝕刻劑來(lái)除去(見(jiàn)圖9F)。然后，用一種堿性去除劑除去抗蝕圖案151。這樣，形成了具有包括順序分層的透明導(dǎo)電層30s、Mo層16和Al層14的結(jié)構(gòu)的源電極(見(jiàn)圖9G)。
雖然未示出，但是，在源電極形成時(shí)，形成了具有包括順序分層的源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、Mo層16、Al層14的結(jié)構(gòu)的信號(hào)線(源極總線)，以及具有包括順序分層的漏極側(cè)透明導(dǎo)電層30d、Mo層16和Al層14的結(jié)構(gòu)的漏電極。不被Mo層16和AL層14覆蓋的漏極側(cè)透明導(dǎo)電層30d的部分用作像素電極。
在此實(shí)施例中，Al層14通過(guò)Mo層16在透明導(dǎo)電層30d上形成。所以，當(dāng)透明導(dǎo)電層30d上的Al層14為形成一個(gè)像素電極而除去時(shí)，可以防止因蝕刻劑或堿性顯影劑或去除劑而發(fā)生的ITO與Al之間的電蝕，從而防止透明導(dǎo)電層30d受到部分損耗。
在此實(shí)施例的圖案形成過(guò)程中，用于ITO圖案形成的抗蝕圖案151覆蓋Mo層16和Al層14，以便防止其各個(gè)邊部分被暴露。所以，當(dāng)蝕刻ITO層130時(shí)，Mo層16和Al層14不會(huì)暴露于蝕刻劑。因此，在從抗蝕圖案151的邊縮小各層的線寬度的方向上，Mo層16和Al層14的邊部分將不會(huì)被過(guò)度蝕刻。
在以上所述的圖案形成過(guò)程后，在合成的基本基板上設(shè)置一個(gè)鈍化層40，并通過(guò)光刻進(jìn)行圖案形成，以獲得圖8所示的TFT基板200a。使用該實(shí)施例的例3與例4和比較例2中獲得的三種類型的TFT基板，用一種已知的方法來(lái)制作發(fā)射類型TN模式LCD設(shè)備(每個(gè)設(shè)備有100個(gè)面板)。對(duì)于例3與例4和比較例2的每一個(gè)，都對(duì)會(huì)產(chǎn)生信號(hào)線斷裂的面板的數(shù)目計(jì)數(shù)。此外，對(duì)于每個(gè)面板的發(fā)光點(diǎn)的數(shù)目(個(gè)數(shù)/面板)的計(jì)算方法是相加制作的所有面板中的發(fā)光點(diǎn)的數(shù)目，然后，將此和除以100。下面的表3中示出了各種結(jié)果。表3
關(guān)于比較例2中的LCD設(shè)備，則對(duì)產(chǎn)生這些中斷的原因進(jìn)行研究。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)對(duì)于面板19而言，原因是Al層中的小孔擴(kuò)展。在比較例2中，信號(hào)線的Mo層具有90nm或更小的表面顆粒尺寸，所以，Mo層上的Al層具有較高密度量的小孔。Al層中的小孔因一種蝕刻劑、一種堿性去除劑或類似物而擴(kuò)展，小孔的擴(kuò)展導(dǎo)致了Al層和Mo層的部分損耗。當(dāng)小孔的密度量較高時(shí)，部分損耗的范圍很大。因?yàn)檫@個(gè)原因，斷裂趨于容易在比較例2中產(chǎn)生。
相反，在例3和例4中，Mo層16具有30nm或更小(例3)或60nm或更小(例4)的表面顆粒尺寸，所以，Mo層16上形成的Al層14具有低密度量的小孔。由于小孔的密度量低，所以，由Al層14中小孔的擴(kuò)展引起的Al層14和Mo層16的部分損耗的范圍很小。因?yàn)檫@個(gè)原因，所以，不容易產(chǎn)生斷裂。在此實(shí)施例中，抗蝕圖案150和151用堿性去除劑進(jìn)行兩次抗蝕圖案去除過(guò)程。所以，Al層14在延長(zhǎng)的一段時(shí)期暴露于一種堿性去除劑。也就是說(shuō)，在促進(jìn)Al層中的小孔擴(kuò)展的條件下，進(jìn)行該實(shí)施例中的圖案形成。但是，該實(shí)施例能夠提供這些效果不容易產(chǎn)生斷裂和提高產(chǎn)量。
在這個(gè)實(shí)施例的具體例子中，Mo層16的表面顆粒尺寸設(shè)置為30nm或更小(例3)或60nm或更小(例4)。換句話說(shuō)，Mo層16可以由非晶Mo構(gòu)成，或者，可以具有實(shí)施例1中所述的分層結(jié)構(gòu)。在這些可供選擇的方法中，還能夠獲得上述的各種效果。在此實(shí)施例中，蝕刻Mo層16和Al層14后，立即用一種堿性去除劑除去用于Al/Mo圖案形成的抗蝕圖案150(見(jiàn)圖9D)。換句話說(shuō)，可以形成用于ITO圖案形成的抗蝕圖案151，然后，可以在除去抗蝕圖案150之前蝕刻ITO層130。此后，可以同時(shí)除去抗蝕圖案150和151。
實(shí)施例4本發(fā)明實(shí)施例4的LCD設(shè)備的構(gòu)造與實(shí)施例3的LCD設(shè)備相同，但是，在形成透明導(dǎo)電層30s與30d、Mo層16和Al層14的圖案形成過(guò)程中有所不同。更具體地說(shuō)，對(duì)ITO層130形成圖案后，Al/Mo雙層沉積于合成的透明導(dǎo)電層30s與30d上。然后，對(duì)Al/Mo雙層形成圖案。其后，將參照?qǐng)D10A～10F來(lái)描述該實(shí)施例中的圖案形成過(guò)程。沉積ITO層130之前的過(guò)程與實(shí)施例3中的相同，所以，這里忽略了其描述。
圖10A～10F是示意橫截面視圖，用于描述形成該實(shí)施例中TFT 126的源極側(cè)的透明導(dǎo)電層30s、Mo層16和Al層14的圖案形成過(guò)程。首先，一個(gè)抗蝕層施加到合成的基本基板的整個(gè)表面，用于ITO圖案形成的一個(gè)抗蝕圖案151通過(guò)光刻形成(見(jiàn)圖10B)。將抗蝕圖案151用作掩模，通過(guò)該抗蝕圖案151的各個(gè)開(kāi)口暴露的ITO層130的部分用一種氯化鐵和鹽酸的混合溶液的蝕刻劑來(lái)除去。然后，用一種堿性去除劑來(lái)除去抗蝕圖案151(見(jiàn)圖10C)。
此后，通過(guò)噴射來(lái)順序形成Mo層16和Al層14(見(jiàn)圖10D)。一個(gè)抗蝕層施加到合成的基本基板，并通過(guò)光刻進(jìn)行圖案形成，以形成用于Al/Mo圖案形成的抗蝕圖案150。將抗蝕圖案150用作掩模，通過(guò)該抗蝕圖案150的各個(gè)開(kāi)口暴露的Mo層16和Al層14的部分用一種混合酸的蝕刻劑(由醋酸、磷酸和硝酸與水混合配置而成)一次除去。由于作為透明導(dǎo)電層30s的材料的ITO不容易在該混合酸中溶解。透明導(dǎo)電層30s縮小或斷裂的可能性很小。在圖案形成Al層14和Mo層16之后，用一種堿性去除劑來(lái)除去抗蝕圖案150(見(jiàn)圖10F)。
如同在實(shí)施例3中一樣，使用這個(gè)實(shí)施例的具體例子中獲得的TFT基板來(lái)制作發(fā)射類型的TN模式LCD設(shè)備。對(duì)于每個(gè)制作的LCD設(shè)備而言，計(jì)算已在一根信號(hào)線中產(chǎn)生斷裂的面板的數(shù)目，并計(jì)算每個(gè)面板的發(fā)光點(diǎn)的數(shù)目(如同在實(shí)施例3中一樣)。結(jié)果與實(shí)施例3中獲得的結(jié)果一樣。
如同在實(shí)施例3中一樣，在此實(shí)施例中，Mo層16具有60nm或更小的表面顆粒尺寸，所以，Mo層16上的Al層14具有較低密度量的小孔。由于小孔密度量低，所以，因Al層14的小孔擴(kuò)展導(dǎo)致的Al層14和和Mo層16的部分損耗的范圍很小。因?yàn)檫@個(gè)原因，所以不容易產(chǎn)生斷裂。在此實(shí)施例中，抗蝕圖案150和151用堿性去除劑進(jìn)行兩次抗蝕圖案去除過(guò)程。因此，Al層14在延長(zhǎng)的一段時(shí)期暴露于一種堿性去除劑。也就是說(shuō)，在促進(jìn)Al層中的小孔擴(kuò)展的條件下，進(jìn)行該實(shí)施例中的圖案形成。但是，該實(shí)施例能夠提供這些效果不容易產(chǎn)生斷裂和提高產(chǎn)量。
在實(shí)施例3和4中，ITO層130和Al層14/Mo層16在分開(kāi)的光刻過(guò)程和分開(kāi)的蝕刻過(guò)程中進(jìn)行圖案形成。但是，ITO層130和Al層14/Mo層16的分開(kāi)圖案形成并不是本發(fā)明液晶顯示設(shè)備的制作方法中的必要條件。例如，在實(shí)施例3中，在圖案形成和用混合酸(由醋酸、磷酸和硝酸與水混合配置而成)蝕刻Al/Mo的抗蝕圖案150形成后，可以用氯化鐵和鹽酸的混合溶液來(lái)進(jìn)行下一次蝕刻，而不除去抗蝕圖案150。
但是，當(dāng)浸入氯化鐵和鹽酸的混合溶液時(shí)，Al和Mo溶解于該混合溶液的速度高于ITO(尤其是，Mo的溶解速度相當(dāng)高)。所以，Al層14/Mo層16的側(cè)面蝕刻比ITO層130的側(cè)面蝕刻更有力，可能會(huì)導(dǎo)致Al層14/Mo層16的邊緣如圖11中顯示的那樣顯著收縮。由于Al層14/Mo層16的縮小，將很難控制源-漏極距離和總線一類的線寬。
在實(shí)施例3和4中，Al層14/Mo層16被用于ITO圖案形成的抗蝕圖案151覆蓋，或者，在蝕刻ITO層130后形成Al層14/Mo層16。這可以防止Al層14/Mo層16暴露于氯化鐵和鹽酸的混合溶液。所以，在實(shí)施例3和4中，容易控制源-漏距離和總線等的線寬。
在實(shí)施例1和2中，使用反射類型的LCD設(shè)備來(lái)描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。本發(fā)明不局限于這種類型的LCD設(shè)備，但是，也可以應(yīng)用于發(fā)射/反射類型的LCD設(shè)備。在此LCD設(shè)備中，一個(gè)像素電極的部分組成一個(gè)反射電極(反射層)(見(jiàn)號(hào)碼為11-101992的日本特開(kāi)平公報(bào))。此外，本發(fā)明不局限于使用以上例示的TFT的LCD有源矩陣設(shè)備，但是，也可以應(yīng)用于使用MIM元件和一個(gè)簡(jiǎn)單矩陣LCD設(shè)備的一個(gè)LCD有源矩陣設(shè)備。該顯示模式不局限于以上例示的TN模式，但可以采用其他利用反射光實(shí)現(xiàn)顯示的已知顯示模式(例如，諸如客機(jī)-主機(jī)模式的吸光模式，諸如用于聚合體漫射LCD設(shè)備的散光模式，諸如超扭曲的液晶向列(STN)模式的ECB模式，以及鐵電的液晶模式)。
在實(shí)施例3和4中，所有信號(hào)線、源電極和漏電極的結(jié)構(gòu)包括順序分層的ITO透明導(dǎo)電層、Mo層和Al層。但是，如果信號(hào)線、源電極和漏電極中的至少一個(gè)具有Al層/Mo層/透明導(dǎo)電層的三層結(jié)構(gòu)，則可以應(yīng)用本發(fā)明。
在實(shí)施例3和4中，描述了包括控制極絕緣層上的像素電極的發(fā)射類型的LCD設(shè)備。本發(fā)明也適用于具有高孔徑結(jié)構(gòu)的發(fā)射類型的LCD設(shè)備(其中，覆蓋TFT的透明有機(jī)絕緣層存在于控制極絕緣層上，像素電極在有機(jī)絕緣層上形成)。
本發(fā)明的布線/電極基板也適用于除液晶顯示設(shè)備外的其他顯示設(shè)備(例如，使用有機(jī)EL的顯示設(shè)備)。它甚至適用于太陽(yáng)能電池等類似物。在有機(jī)EL的顯示設(shè)備和太陽(yáng)能電池中，由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層用作與控制和利用光有關(guān)的一個(gè)電極。為了補(bǔ)充透明導(dǎo)電層的電導(dǎo)系數(shù)，Al或Al合金層在透明導(dǎo)電層的一個(gè)部分上形成。根據(jù)本發(fā)明的布線/電極基板(其中，具有分層結(jié)構(gòu)的互連或電極在基板上形成)，可以防止分層結(jié)構(gòu)的Al層過(guò)度縮小或斷裂。所以，通過(guò)使有機(jī)EL顯示設(shè)備和太陽(yáng)能電池采用本發(fā)明的布線/電極基板，可以抑制/防止互連或電極的電導(dǎo)系數(shù)減小，從而抑制不合格產(chǎn)品的產(chǎn)生。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，Mo層上的Al層中的小孔得到了抑制/防止。這抑制/防止了因Al層中存在小孔而產(chǎn)生的Al層的部分損耗。由于用作反射層的Al層被抑制/防止在制作過(guò)程中發(fā)生部分損耗，所以，可以制作具有規(guī)定的反射特性的液晶顯示設(shè)備。
此外，可以抑制/防止具有Al層/Mo層/透明導(dǎo)電層的三層結(jié)構(gòu)的互連或電極的電導(dǎo)系數(shù)減小或發(fā)生斷裂。這提供了抑制產(chǎn)生不合格產(chǎn)品和提高產(chǎn)量的效果。
而且，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)采用Al層/Mo層的雙層結(jié)構(gòu)，當(dāng)除去暫時(shí)沉積于ITO層上的Al層時(shí)，可以防止因ITO與Al之間的電蝕而發(fā)生的ITO層的部分損耗。因此，當(dāng)作為一個(gè)端電極的頂層的ITO層形成時(shí)，可以抑制/防止當(dāng)除去暫時(shí)沉積于ITO層上的Al層時(shí)發(fā)生的ITO層的部分損耗。這樣，就可以形成具有高可靠性的一個(gè)端電極。
雖然已在一個(gè)較佳實(shí)施例中描述了本發(fā)明，但是，對(duì)于本領(lǐng)域的熟練人員而言，可以用許多方法對(duì)本發(fā)明進(jìn)行變換，并且，本發(fā)明可以采用除以上具體闡述的實(shí)施例外的許多實(shí)施例。因此，所附的權(quán)利要求書(shū)意在包括本發(fā)明所有的實(shí)施例而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1．一種液晶顯示設(shè)備，其特征在于包括一對(duì)基板、置于該對(duì)基板之間的液晶層和經(jīng)由該液晶層一一相互面對(duì)的多個(gè)電極對(duì)，多個(gè)電極對(duì)中的每對(duì)的一個(gè)電極是實(shí)現(xiàn)反射模式顯示的反射電極，其中，反射電極包括包含Mo的第一金屬層和包含第一金屬層上的Al的第二金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是一個(gè)非晶層。
2．如權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，第一金屬層由Mo構(gòu)成。
3．如權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，部分反射電極在由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層上形成。
4．一種液晶顯示設(shè)備的制作方法，所述設(shè)備包括一對(duì)基板、置于這對(duì)基板之間的一個(gè)液晶層和經(jīng)由該液晶層一一相互面對(duì)的多個(gè)電極對(duì)，多個(gè)電極對(duì)中的每對(duì)的一個(gè)電極是實(shí)現(xiàn)反射模式顯示的反射電極，其特征在于該反射電極的形成方法包括以下各個(gè)步驟在一個(gè)基板上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是一個(gè)非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；以及圖案形成第一和第二金屬層。
5．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，第一金屬層由Mo構(gòu)成。
6．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，形成第一金屬層的步驟包括在含氮的大氣中形成非晶的第一金屬層。
7．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于還包括這個(gè)步驟在形成第一金屬層的步驟之前，在基板上形成由ITO構(gòu)成的一個(gè)透明導(dǎo)電層，其中，至少第一金屬層的一部分在透明導(dǎo)電層上形成。
8．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，在第二金屬層中形成的小孔的密度是20pcs./10000μm2或更小。
9．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，圖案形成第一和第二金屬層的步驟包括以下步驟在第一和第二金屬層上形成一個(gè)抗蝕層；使該抗蝕層曝光；通過(guò)用一種堿性顯影劑顯影該曝光的抗蝕層，來(lái)形成具有預(yù)定圖案的一個(gè)抗蝕圖案；將該抗蝕圖案用作掩模，來(lái)圖案形成第一和第二金屬層；以及用一種堿性去除劑來(lái)除去該抗蝕圖案。
10．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，圖案形成第一和第二金屬層的步驟包括蝕刻第一和第二金屬層中的至少一個(gè)金屬層的步驟。
11．如權(quán)利要求4的方法，其特征在于，圖案形成第一和第二金屬層的步驟包括用普通的蝕刻劑來(lái)濕蝕刻第一和第二金屬層的步驟。
12．一種液晶顯示設(shè)備的制作方法，所述設(shè)備包括一對(duì)基板、置于這對(duì)基板之間的一個(gè)液晶層，以及在至少一對(duì)基板上形成的由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，其特征在于所述方法包括以下步驟通過(guò)在至少一對(duì)基板上沉積一個(gè)ITO層和圖案形成該ITO層的過(guò)程來(lái)形成透明導(dǎo)電層；在ITO層或透明導(dǎo)電層上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是一個(gè)非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；以及圖案形成第一和第二金屬層。
13．如權(quán)利要求12的方法，其特征在于，形成作為一個(gè)端電極的頂層的透明導(dǎo)電層，端電極被連接到顯示區(qū)中形成的互連上。
14．如權(quán)利要求12的方法，其特征在于，液晶顯示設(shè)備是一個(gè)TFT有源矩陣液晶顯示設(shè)備，信號(hào)線、源電極和漏電極中的至少一個(gè)具有一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括順序分層的透明導(dǎo)電層、第一金屬層和第二層。
15．如權(quán)利要求12的方法，其特征在于，通過(guò)在ITO層上形成一個(gè)抗蝕圖案和將該抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻ITO層來(lái)圖案形成ITO層，以及通過(guò)在第一和第二金屬層上形成一個(gè)不同的抗蝕圖案和將該不同的抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻第一和第二金屬層，與ITO層的圖案形成分開(kāi)進(jìn)行第一和第二金屬層的圖案形成。
16．一種布線基板，其特征在于包括在一個(gè)基板上形成的互連或電極，和具有一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的互連或電極，所述多層結(jié)構(gòu)包括由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，其特征在于，互連或電極包括在該透明導(dǎo)電層上形成的包含Mo的第一金屬層和在第一金屬層上形成的包含Al的第二金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是一個(gè)非晶層。
17．一種布線基板的制作方法，包括在一個(gè)基板上形成的互連或電極和具有一個(gè)多層結(jié)構(gòu)的互連或電極，所述多層結(jié)構(gòu)包含一個(gè)由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，其特征在于該方法包括以下步驟通過(guò)在該基板上沉積一個(gè)ITO層和圖案形成該ITO層的過(guò)程來(lái)形成透明導(dǎo)電層；在ITO層或透明導(dǎo)電層上形成包含Mo的第一金屬層，第一金屬層是含有最大顆粒表面尺寸為60nm或更小的晶體顆粒的晶體層或者是一個(gè)非晶層；在第一金屬層上形成包含Al的第二金屬層；以及圖案形成第一和第二金屬層。
18．如權(quán)利要求17的方法，其特征在于，通過(guò)在ITO層上形成一個(gè)抗蝕圖案和將該抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻ITO層來(lái)圖案形成ITO層，以及通過(guò)在第一和第二金屬層上形成一個(gè)不同的抗蝕圖案和將該不同的抗蝕圖案用作掩模濕蝕刻第一和第二金屬層，與ITO層的圖案形成分開(kāi)地圖案形成第一和第二金屬層。
全文摘要
液晶顯示設(shè)備(100)包括基本基板(10)上的反射電極(12)。反射電極(12)具有雙層結(jié)構(gòu),包含Mo的第一金屬層(16)和在第一金屬層(16)上形成的包含Al的第二金屬層(14)。通過(guò)形成第一金屬層(16)使表面上的Mo的最大顆粒尺寸為60nm或更小,可以抑制在第二金屬層(14)中產(chǎn)生小孔。在諸如用堿性去除劑除去抗蝕圖案的過(guò)程中,可以抑制/防止在小孔周?chē)奈恢冒l(fā)生第二金屬層(14)的部分損耗。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK1307248SQ0110339
公開(kāi)日2001年8月8日 申請(qǐng)日期2001年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月26日
發(fā)明者田中尚幸, 高山昌也 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社