專利名稱：抗反射光學(xué)多層薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于塑料或是玻璃基板的光學(xué)多層薄膜，特別是涉及一種最外層為高折射率透明導(dǎo)電膜的高抗反射光學(xué)多層薄膜。
美國(guó)專利US 4,921,790揭示一種多層抗反射膜，具有在CeO2及合成樹脂之間有優(yōu)異的附著力。此多層膜系統(tǒng)包含CeO2，Al2O3，ZrO2，SiO2，TiO2及Ta2O5。在此多層膜系統(tǒng)的所有薄膜皆為氧化物材料，且此多層膜系統(tǒng)具有3到5層薄膜。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其多層膜系統(tǒng)具有5層結(jié)構(gòu)，總厚度為3580埃。此薄膜系統(tǒng)的表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,105,310揭示一種多層抗反射膜，可以藉由反應(yīng)濺鍍法而于連續(xù)式真空鍍膜機(jī)械中生產(chǎn)。此多層膜系統(tǒng)包含TiO2，SiO2，ZnO，ZrO2及Ta2O5。在此多層膜系統(tǒng)的所有薄膜皆為氧化物材料，且此多層膜系統(tǒng)具有4到6層薄膜。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其多層膜系統(tǒng)具有6層結(jié)構(gòu)，總厚度為4700埃。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,091,244及US 5,407,733揭示一種新型的導(dǎo)電、光衰減及抗反射多層膜。其主要專利范圍為提供一種導(dǎo)電、光衰減及抗反射光學(xué)多層膜材料與結(jié)構(gòu)。其多層膜系統(tǒng)包含TiN，NbN，SnO2，SiO2，Al2O3，及Nb2O5。此多層膜系統(tǒng)的所有薄膜皆為氧化物或是氮化物材料，且此多層膜系統(tǒng)具有3到4層薄膜。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其多層膜系統(tǒng)具有4層結(jié)構(gòu)，總厚度為1610埃，且對(duì)于可見光之透光率低于50％。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,147,125揭示一種多層抗反射膜，具有氧化鋅以提供波長(zhǎng)小于380nm時(shí)的抗紫外線效果。此多層膜系統(tǒng)包含TiO2，SiO2，ZnO及MgF2。此多層膜系統(tǒng)的所有薄膜皆為氧化物或是氟化物材料，且此多層膜系統(tǒng)具有4到6層薄膜。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其多層膜系統(tǒng)具有5層結(jié)構(gòu)，總厚度為7350埃。此薄膜系統(tǒng)之表面層為MgF2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.38。
美國(guó)專利US 5,170,291揭示一種四層薄膜系統(tǒng)，具有光學(xué)作用且有高抗反射效果。此多層膜系統(tǒng)可以用熱解法、電漿輔助化學(xué)蒸汽沉積法、濺鍍方法或是化學(xué)沉積方法形成。此多層膜系統(tǒng)包含TiO2，SiO2，Al2O3，ZnS，MgO，及Bi2O3。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其多層膜系統(tǒng)具有4層結(jié)構(gòu)，總厚度為2480埃。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,216,542揭示一種五層薄膜系統(tǒng)，具有高抗反射效果。其包含一個(gè)厚度約為1nm，材料為Ni，Cr或是NiCr的附著層，另外四層材料可以包含SnO2，ZnO，Ta2O5，NiO，CrO2，TiO2，Sb2O3，In2O3，Al2O3，SiO2，TiN及ZrN。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其薄膜系統(tǒng)具有5層結(jié)構(gòu)，總厚度為2327埃，且對(duì)于可見光之透光率低于30％。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為55Onm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,541,770揭示一種四或五層薄膜系統(tǒng)，為光衰減及抗反射多層膜，且有一層導(dǎo)電層。此薄膜系統(tǒng)包含一個(gè)吸光高折射率金屬層，例如Cr，Mo及W，此吸光高折射率金屬層作為此薄膜系統(tǒng)中的光學(xué)作用薄膜。此薄膜系統(tǒng)之另外三或四層為TiO2，ITO，Al2O3，SiO2及TiN。此多層膜系統(tǒng)的所有薄膜大多為氧化物或是氮化物材料。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其薄膜系統(tǒng)具有5層結(jié)構(gòu)，總厚度為1495埃，且對(duì)于可見光之透光率低于60％。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材科，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,362,552揭示一種六層薄膜系統(tǒng)，為一抗反射多層膜，且有三層金屬氧化物導(dǎo)電層。此薄膜系統(tǒng)包含SiO2，ITO，Nb2O5及Ta2O5。在此薄膜系統(tǒng)中最多可以包含的金屬氧化物光學(xué)厚度約為一個(gè)可見光波長(zhǎng)。此六層結(jié)構(gòu)之最厚的兩個(gè)薄膜為854埃的SiO2及1975埃之ITO。此薄膜系統(tǒng)之表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,579,162揭示一種四層抗反射多層膜，且用于如塑料之類的熱敏性基板。此薄膜系統(tǒng)中的一層為DC反應(yīng)濺鍍金屬氧化物層，此DC反應(yīng)濺鍍金屬氧化物層可以快速沉積且不會(huì)帶給基板過(guò)多熱量。此四層結(jié)構(gòu)的最厚的兩個(gè)薄膜為940埃之SiO2及763埃之SnO2。此薄膜系統(tǒng)的表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
美國(guó)專利US 5,728,456及US 5,783,049揭示一種改良方法以在塑料上沉積出抗反射多層膜。此多層簿膜系統(tǒng)使用滾動(dòng)條式真空鍍膜系統(tǒng)(Roller Coater)配合濺鍍工藝。此薄膜系統(tǒng)包含ITO，SiO2及一簿潤(rùn)滑層，此薄潤(rùn)滑層為可溶性之氟化物。依據(jù)其所列舉的一個(gè)實(shí)例，其薄膜系統(tǒng)具有6層結(jié)構(gòu)，總厚度為2630埃。此薄膜系統(tǒng)的表面層為SiO2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46。
在上述各已知專利之中，光學(xué)系統(tǒng)的表面薄膜為SiO2或是MgF2，在光學(xué)設(shè)計(jì)上是一種低折射率材料，其折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46或是1.38。
傳統(tǒng)的大量制造氧化物薄膜的過(guò)程具有高可靠性，且廣泛用于半導(dǎo)體、光盤讀取頭、LCD、CRT、建材玻璃、觸摸式面板、屏幕護(hù)目屏及玻璃鍍膜，且己有數(shù)十年的歷史。
傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層膜的結(jié)構(gòu)具有一通則?；驹瓌t為此抗反射光學(xué)多層膜的表面層為具有低折射率的材料，例如表面薄膜為SiO2或是MgF2，且其折射率分別為1.46或是1.38。然而在把此抗反射光學(xué)多層膜應(yīng)用于顯示器工業(yè)，例如計(jì)算機(jī)熒光屏的護(hù)目屏、或是平面CRT的低反射玻璃時(shí)，由于傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層膜表面層為SiO2或是MgF2，因此在大量生產(chǎn)時(shí)會(huì)遇到障礙。
在傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層膜的一般設(shè)計(jì)原理中，鍍著在基板表面第一層的薄膜為具有高折射率的薄膜材料(下稱H)，接下來(lái)的第二層是具有低折射率的薄膜材料(下稱L)。因此，傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層膜的結(jié)構(gòu)為HLHL或是HLHLHL。舉一個(gè)較為簡(jiǎn)單的例子，如果高折射率的材料H為ITO、低折射率之材料L為SiO2，則此四層結(jié)構(gòu)為玻璃/ITO/SiO2/ITO/SiO2。由于ITO具有導(dǎo)電性，因此，此多層系統(tǒng)的電阻系數(shù)可以低于1000Ω/□。在此導(dǎo)電層接地時(shí)，此導(dǎo)電層可以作為EMI屏蔽層或是靜電排除層。然而傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層薄膜表面層為SiO2，且其厚度為1000埃。SiO2材料的特性為高密度、化學(xué)惰性及電絕緣性，因此，在將此抗反射光學(xué)多層薄膜用于顯示器時(shí)，由于ITO層被SiO2層所包覆住，因此很難與ITO層導(dǎo)通形成接觸電極。此抗反射光學(xué)多層薄膜需要使用超聲波焊接工藝來(lái)破壞該SiO2層，使焊錫可以與ITO層有良好的電氣接觸。在平板CRT或其它顯示器欲使用多層光學(xué)薄膜作為EMI屏蔽時(shí)經(jīng)常遭遇這種困難，這就是大量應(yīng)用此抗反射光學(xué)多層薄膜的障礙。
另一方面，該超聲波焊接過(guò)程中的液體錫及超聲波能量會(huì)造成焊錫的小亮點(diǎn)污染。而且此超聲波焊接過(guò)程無(wú)法保證可以均勻地破壞SiO2層，使金屬錫與ITO層形成均勻接觸。
上述缺點(diǎn)會(huì)降低傳統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層薄膜在顯示器工業(yè)應(yīng)用的成品率，因此，如果ITO層能作為抗反射光學(xué)多層膜的表面層，則可克服上述問(wèn)題。然而這違反了一般HLHL的設(shè)計(jì)原則。
鑒于現(xiàn)有技術(shù)上述的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種在工業(yè)應(yīng)用時(shí)可以簡(jiǎn)化接地工藝、并可以應(yīng)用于玻璃或塑料基板的顯示器或觸摸屏幕的抗反射導(dǎo)電多層薄膜。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜具有形成在基板上的五層結(jié)構(gòu)，該五層結(jié)構(gòu)包含由遠(yuǎn)離基板方向算起的第一層、第二層、第三層、第四層及第五層多層結(jié)構(gòu)；第一層為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-60nm；第二層為具有低折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-70nm；第三層為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為30-100nm；第四層為具有低折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-70nm；第五層為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-60nm。
按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜的第一層，即表面層為透明導(dǎo)電氧化物層，此透明導(dǎo)電氧化物層最好為ITO層，其在可見光下略具吸收性，在波長(zhǎng)550nm下，其折射率為1.9-2.1，且在此波長(zhǎng)下其實(shí)體厚度為10nm-40nm。
第二層為氧化物材料，最好為SiO2，其不吸收可見光，在波長(zhǎng)550nm下，折射率為1.45-1.50，且在此波長(zhǎng)下其實(shí)體厚度為30nm-50nm。
第三層也為氧化物材料，最好為NbO，其不吸收可見光，在波長(zhǎng)550nm下，折射率為2.0-2.3，且在此波長(zhǎng)下其實(shí)體厚度為30nm-80nm。
第四層為氧化物材料，最好為SiO2，其不吸收可見光，在波長(zhǎng)550nm下，折射率為1.45-1.50，且在此波長(zhǎng)下其實(shí)體厚度為20nm-30nm。
第五層(最內(nèi)層)也為氧化物材料，最好為NbO，其不吸收可見光，在波長(zhǎng)550nm下，折射率為2.0-2.3，且在此波長(zhǎng)下其實(shí)體厚度為10nm-30nm。
按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜，其五層結(jié)構(gòu)包含一個(gè)材料為ITO且厚度為25nm的第一層、一個(gè)材料為SiO2厚度為40nm的第二層、一個(gè)材料為NbO厚度為60nm的第三層、一個(gè)材料為SiO2厚度為26nm的第四層及一個(gè)材料為NbO厚度為18nm的第五層。
依據(jù)本發(fā)明，ITO層可以使此抗反射光學(xué)多層薄膜的表面層電阻值低達(dá)100Ω/□-1000Ω/□。再者，此抗反射光學(xué)多層薄膜可以用于玻璃或是塑料基板，且波長(zhǎng)范圍為400-700nm。本發(fā)明可以提供一簡(jiǎn)易、可靠且符合經(jīng)濟(jì)效益的抗反射光學(xué)多層薄膜。此抗反射光學(xué)多層薄膜具有良好的表面導(dǎo)電性。尤其重要的是本發(fā)明可以使用連續(xù)式濺鍍系統(tǒng)來(lái)淀積此多層光學(xué)簿膜，達(dá)到降低成本及大量生產(chǎn)的目的。
另一方面，按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜具有能屏蔽EMI的良好的導(dǎo)電性、可用作觸摸式感測(cè)面板材料的高透明度、符合視覺效果的低反射率、抗刮傷特性及低成本。此抗反射光學(xué)多層薄膜可實(shí)現(xiàn)符合MIL-C-48497標(biāo)準(zhǔn)的抗刮傷特性。
在本發(fā)明中，可以使用DC或是AC磁控管濺鍍以由ITO靶來(lái)制作第一層膜，制作環(huán)境氣氛為Ar氣體及少量的O2，壓力為2m乇。可以使用AC磁控管濺鍍以由硅靶來(lái)制作第二及第四層的SiO2層，制作環(huán)境氣氛為Ar與O2混合氣體，壓力為2m乇?？梢允褂肈C或是AC磁控管濺鍍以由Nb靶來(lái)制作第三及第五層的NbO層，制作環(huán)境氣氛為Ar及O2混合氣體，壓力為2.5m乇。
由于本發(fā)明在抗反射多層光學(xué)薄膜表面設(shè)置ITO導(dǎo)電層，因此已有技術(shù)中ITO導(dǎo)電層被SiO2層埋藏的問(wèn)題可以得到解決。本發(fā)明提供一個(gè)五層系統(tǒng)的抗反射光學(xué)多層薄膜，表面層為ITO導(dǎo)電層，且折射率高達(dá)1.9-2.1。
由于此抗反射光學(xué)涂布層的表面層為導(dǎo)電層，電極可以很容易地形成于此抗反射光學(xué)多層薄膜上，本發(fā)明尤其有利于觸摸式傳感器之應(yīng)用。
在將抗反射光學(xué)多層薄膜應(yīng)用于平面CRT或是屏幕濾光器時(shí)，已有的超聲波接地方式會(huì)造成小亮點(diǎn)污染。按照本發(fā)明的具有透明導(dǎo)電表面層之抗反射多層薄膜可以解決此問(wèn)題，使得ITO層不再有不均勻之電接點(diǎn)，使成品優(yōu)良率增加。
另一方面，本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜系統(tǒng)可以用作觸摸式傳感器的基本多層薄膜。
因此，按照本發(fā)明的具有透明導(dǎo)電表面層的五層系統(tǒng)有簡(jiǎn)易及經(jīng)濟(jì)之效果，可以用作塑料或玻璃基板的抗反射光學(xué)多層薄膜。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的抗反射光學(xué)多層薄膜的膜層結(jié)構(gòu)圖；圖2是按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜的反射率的波長(zhǎng)相應(yīng)曲線。
優(yōu)選實(shí)例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明提供一種以氧化物為主且具有五層結(jié)構(gòu)的抗反射光學(xué)多層薄膜，此抗反射光學(xué)多層薄膜的多層結(jié)構(gòu)由最外層開始編號(hào)。每一層的厚度可以用實(shí)體厚度或是光學(xué)厚度來(lái)表示，其中光學(xué)厚度是該層之厚度乘以該層之折射率，并且可以用波長(zhǎng)來(lái)計(jì)算，在本發(fā)明中，波長(zhǎng)設(shè)定為550nm。
如圖1所示，本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜的基板7可以為玻璃、塑料箔或其它透明材料，此基板7具有一個(gè)前表面6(沿箭頭8指示的方向觀察)。膜層5接觸到基板7的前表面6，為本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜的第五層5；沿著向觀察者之方向接著為第四層4，此第四層4位于第五5之上；沿著向觀察者之方向接著為第三層3，此第三層3位于第四層4之上；沿著向觀察者之方向接著為第二層2，此第二層2位于第三層3之上；接著為第一層1。此五個(gè)膜層1，2，3，4，5構(gòu)成本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜之五層系統(tǒng)。
第一層1即為最外層，為一個(gè)ITO層，厚度為25nm，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.9-2.1；第二層2為SiO2層，其厚度為40nm，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46第三層3為NbO層，其厚度為60nm，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為2.2；第四層4為SiO2層，其厚度為25nm，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為1.46；第五層5為NbO層，其厚度為18nm，折射率在波長(zhǎng)為550nm時(shí)為2.2。
圖2是按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層薄膜的反射率的波長(zhǎng)相應(yīng)曲線。系由玻璃之前表面量測(cè)，可見光波長(zhǎng)由400nm至700nm。由曲線可以看出，此五層結(jié)構(gòu)在核心波長(zhǎng)(460nm至600nm)，反射系數(shù)低到0.3％。此結(jié)果和由傳統(tǒng)HLHL制程所制造的多層系統(tǒng)類似。
表一是波長(zhǎng)由400nm至700nm的詳細(xì)反射系數(shù)。在本發(fā)明中，氧化層2，3，4，5系在AC濺鍍方法并且使用一磁控管電極，制程環(huán)境氣氛為Ar與O2混合氣體。另一方面，對(duì)于第一層1的ITO而言，系用AC，DC或是DC脈波方式，且在含有Ar及少數(shù)O2反應(yīng)混合氣體之制程環(huán)境氣氛中形成。對(duì)于膜層5，4，3，2，1靶材材料分別為Nb，Si，Nb，Si，ITO。靶材至基板的距離為15公分。且使用一加熱器加熱此濺鍍系統(tǒng)，使基板溫度保持在100-300℃。
表一
在本發(fā)明中，制程壓力條件如下對(duì)于第五層之濺鍍2.5m Torr對(duì)于第四層之濺鍍2m Torr對(duì)于第三層之濺鍍2.5m Torr對(duì)于第二層之濺鍍2m Torr對(duì)于第一層之濺鍍3m Torr
綜上所述，按照本發(fā)明的抗反射光學(xué)多層簿膜具有良好之導(dǎo)電性以屏蔽EMI、高透明度以提供觸摸式感測(cè)面板之材料、低反射率以符合視覺效果、抗刮傷特性及低成本。
權(quán)利要求
1.一種具有透明導(dǎo)電膜為最外層的抗反射光學(xué)多層薄膜，此抗反射光學(xué)多層薄膜具有五層結(jié)構(gòu)且在一基板上形成，此5層結(jié)構(gòu)包含由遠(yuǎn)離基板方向算起之第一層、第二層、第三層、第四層及第五層多層結(jié)構(gòu)；其特征在于該第一層位于該第二層上，為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-60nm；該第二層位于該第三層上，為具有低折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-70nm；該第三層位于該第四層上，為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為30-100nm；該第四層位于該第五層上，為具有低折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-70nm；該第五層位于該基板上，為具有高折射率的氧化物，其實(shí)體厚度為10-60nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述基板為塑料板，其材料為PC、PMMA、PET、ARTON等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述基板為玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第一層材料為ITO；第二及第四層材料為SiO2；第三及第五層材料為NbO。
5.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第一層材料可為ITO，SnO2，ZnO，In2O3，SnO2∶F，SnO2∶Sb，ZnO∶Al，In2O3∶ZnO，SnO2∶ZnO及In2O3∶MgO。
6.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第二及第四層材料可為SiO2及SiAlO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第三及第五層材料可為ITO，Ta2O5，NbO，TiO，Al2O3，SiN，SiNO，AlN，AlNO，及其混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第五層材料可為TaO，NbO，TiO，Al2O3，SiN，SiNO，AlN，AlNO，及其混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述第一層為氧化物層，折射率為1.9-2.1；第二及第四層為氧化物層，折射率為1.46-1.5；第三及第五層為氧化物層，折射率為2.1-2.3。
10.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于所述多層由批次式或連續(xù)式生產(chǎn)之蒸鍍或?yàn)R鍍系統(tǒng)制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1記載的抗反射光學(xué)多層薄膜，其特征在于可應(yīng)用于LCD，CRT及觸摸式面板等顯示器相關(guān)行業(yè)。
全文摘要
一種抗反射光學(xué)多層薄膜,具有五層結(jié)構(gòu),且由離基板最遠(yuǎn)的層開始算起為第一層、第二層、第三層、第四層及第五層。此多層薄膜包含材料為ITO的第一層、材料為SiO
文檔編號(hào)G02B1/11GK1389346SQ0111861
公開日2003年1月8日 申請(qǐng)日期2001年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月4日
發(fā)明者朱兆杰 申請(qǐng)人:冠華科技股份有限公司