專利名稱：液晶裝置及其制造方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用銀合金等使光反射的反射型或半透過半反射型的液晶裝置、它的制造方法，以及將該液晶裝置用于顯示部分的電子裝置。
如所周知，液晶顯示裝置并不是液晶本身發(fā)光的裝置，而僅僅是通過控制光的偏振狀態(tài)而進(jìn)行顯示的裝置。因此，必須用某種形式使光入射到面板上，以構(gòu)成液晶顯示裝置，就這一點(diǎn)來說，它與其它顯示裝置，如電致發(fā)光裝置和等離子體顯示之類是大不相同的。
而且，液晶顯示裝置大體上分成兩種類型，即光源被配置于面板的內(nèi)側(cè)、其光線通過面板而為觀察者所辨認(rèn)的透過型和光源被配置于面板的外側(cè)(或者竟不配置光源)，從前面來的入射光受到面板反射而為觀察者辨認(rèn)的反射型。
其中，對于透過型而言，從配置于面板內(nèi)側(cè)的光源(故稱之為“背光”)所發(fā)出來的光，經(jīng)導(dǎo)光板導(dǎo)入整個(gè)面板后，即經(jīng)由偏振片→背面基板→電極→液晶→電極→前面基板→偏振片這樣的路徑而為觀察者所辨認(rèn)。與此相對照，對反射型而言，入射到面板上的光如經(jīng)由偏振片→前面基板→電極→液晶而到達(dá)電極，即被反射層反射，則沿與剛才進(jìn)光時(shí)的路徑相反的路徑而為觀察者所辨認(rèn)。因此，對反射型而言，由于有光的入射路徑和反射路徑這樣的二重路徑，各部分內(nèi)的光損失很大。因此，如與透過型相比，由于來自周圍環(huán)境的采光(外部光)量并不比配置于面板內(nèi)側(cè)的光源多，觀察者所看到的光量減少，其結(jié)果就有顯示的畫面發(fā)暗的缺點(diǎn)。而反射型在有日光照射的戶外，其可視性很高，即便沒有光源，顯示也是可能的，與透過型相比，反射型有很多的上述優(yōu)點(diǎn)。因此，反射型液晶顯示裝置被廣泛用作便攜型電子裝置之類的顯示部分。
然而，對反射型而言，在幾乎沒有來自周圍環(huán)境的采光的場合，觀察者就無法看到顯示，這是其本質(zhì)上的缺點(diǎn)。因此，近年來也出現(xiàn)了半透過半反射型顯示，其構(gòu)成是在面板的背面設(shè)置背光，同時(shí)不但使來自前面的光為反射層所反射，還使來自背面的光有一部分得以透過。對于這種半透過半反射型而言，在幾乎沒有外部光的場合，通過使背光點(diǎn)亮而成為透過型，以此確保顯示的可視性，而在外部光充分的場合，通過使背光熄滅而成為反射型，以此期求實(shí)現(xiàn)低功耗。亦即，隨著外部光的強(qiáng)弱而選擇透過型還是反射型，以此確保顯示的可視性，同時(shí)期求實(shí)現(xiàn)低功耗。
可是，在反射型或半透過半反射型中，反射層的構(gòu)成材料通常使用鋁，然而近年來，為了使反射率提高而得到明亮的顯示，正在探討使用銀單質(zhì)或以銀為主成分的銀合金(以下稱為「銀合金等」)。
此處，為了試圖簡化其結(jié)構(gòu)，對液晶施加電壓一方的電極兼作反射層之用，但這種構(gòu)成并不理想。這是因?yàn)闉榱说玫剿蟮耐该鞫?，另一方的電極可使用ITO(氧化銦錫)之類的透明導(dǎo)電材料，而這一方電極如使用銀合金等構(gòu)成，就造成以異種金屬夾住液晶的情況，由此發(fā)生極性的偏離。此外，也有人指出，在液晶與銀合金等之間襯以取向膜的結(jié)構(gòu)中，來自銀合金等的雜質(zhì)通過取向膜而溶解析出到液晶內(nèi)，這有使液晶本身劣化的可能性。
因此，設(shè)置反射層的一片基板的電極不能兼用銀合金等，必須使用與作為另一片基板的電極而使用的透明導(dǎo)電材料為同一種材料。其結(jié)果是，在設(shè)置反射層的一片基板上，要使用至少兩種金屬，一為作反射層之用的銀合金等，另一為作電極之用的透明導(dǎo)電材料。
可是，由于銀合金等除反射率外，在導(dǎo)電性方面也是優(yōu)越的，正在探討將其也用作基板的布線層。因此，在將作反射層之用的銀合金等也用于布線層的場合，必須使該銀合金等與用作電極的透明導(dǎo)電材料接觸，對兩者進(jìn)行電連接。
然而，由于銀合金等與其他材料的附著性欠佳，會因機(jī)械性的摩擦而受到損傷，并且因從其界面侵入的水份而造成銀合金等的腐蝕和剝離等，其結(jié)果是難以實(shí)現(xiàn)可靠性高的液晶顯示裝置，這就是問題所在。
因此，本發(fā)明提供了即使銀合金等在反射層以外也用作布線層的場合下的高可靠性液晶顯示裝置、它的制造方法，以及電子裝置。
本發(fā)明中一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，該液晶裝置的結(jié)構(gòu)包括在上述第1基板上設(shè)置的基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的反射性導(dǎo)電膜，以及層疊于上述反射性導(dǎo)電膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。按照這種構(gòu)成，由于反射性導(dǎo)電膜被金屬氧化物膜覆蓋，同時(shí)金屬氧化物膜以其邊緣部分與基底膜相接的方式構(gòu)建圖形，故在金屬氧化物膜形成以后，反射性導(dǎo)電膜的表面即不至暴露。因此，含銀反射性導(dǎo)電膜的可靠性得以提高。
這種結(jié)構(gòu)的基底膜最好包含金屬氧化物。如果這樣做，反射性導(dǎo)電膜即被夾在兩金屬氧化物之間。由于金屬氧化物之間的附著性良好，因要經(jīng)過含金屬氧化物的基底膜和層疊于反射性導(dǎo)電膜上的金屬氧化膜之間的界面，水份等就變得難以侵入到反射性導(dǎo)電膜內(nèi)。
可是，含銀反射性導(dǎo)電膜的波長/反射率特性不及常用的鋁平坦，反射率有隨波長變低而降低的趨勢(請參照圖7)。因此，受含銀反射性導(dǎo)電膜反射的反射光，由于藍(lán)色分量的光減少，其結(jié)果是略帶黃色。因此，其結(jié)構(gòu)最好是在反射性導(dǎo)電膜的上面有一層使藍(lán)色分量的光反射的反射層。依賴于這種結(jié)構(gòu)，由于藍(lán)色分量的光在受反射性導(dǎo)電膜反射以前受反射層反射的藍(lán)色分量增多，使該反射層與含銀反射性導(dǎo)電膜合并以后的反射光就可以防止略帶黃色。
而且，由于作為本發(fā)明一種形態(tài)的電子裝置包括上述液晶裝置，其可靠性得以提高。
還有，本發(fā)明中一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，具有設(shè)置在上述第1基板上的第1布線，敷設(shè)于上述第2基板上的導(dǎo)電膜，以及連接上述第1布線和上述導(dǎo)電膜的導(dǎo)通材料，上述第1布線的結(jié)構(gòu)包括基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的金屬膜，以及層疊于上述金屬膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。按照這種結(jié)構(gòu)，敷設(shè)在第2基板上的導(dǎo)電膜由于借助于導(dǎo)通材料連接到設(shè)置于第1基板的第1布線上，可使布線集中在第1基板一側(cè)。此外，由于這種第1布線具有含銀的金屬膜，可期求降低其電阻。加之，由于含銀的金屬膜被金屬氧化物膜覆蓋，同時(shí)金屬氧化物膜的邊緣部分以與敷設(shè)在下層的基底膜相接的方式而構(gòu)建圖形，從而在形成金屬氧化物膜以后，金屬膜的表面即不至暴露。因此，含銀金屬膜的可靠性得以提高。
還有，在這種結(jié)構(gòu)中，基底膜的結(jié)構(gòu)最好含金屬氧化物。如上所述，這是由于水份等難以侵入到反射性導(dǎo)電膜內(nèi)的緣故。此外，在這種結(jié)構(gòu)中，金屬膜最好避開與上述導(dǎo)通材料的連接部分而形成。由于銀合金等的附著性欠佳，不希望將其設(shè)置在施加應(yīng)力的部分。
另一方面，在這種液晶裝置中，有設(shè)置在上述第1基板上的像素電極，連接到上述像素電極上的有源元件，設(shè)置在上述第1基板上、同時(shí)連接到上述第1布線上、對上述液晶施加電壓的信號線，設(shè)置于上述第1基板上的像素電極，以及一端連接到上述像素電極的有源元件，上述信號線最好連接到上述有源元件另一端而結(jié)構(gòu)。按照這種結(jié)構(gòu)，像素電極藉有源元件而被分別獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。
另外，在這種液晶裝置中，還有驅(qū)動(dòng)上述液晶的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括對上述第1布線供給輸出信號的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸出一側(cè)的凸點(diǎn)最好連接到上述第1布線上。因此，如安裝對第1布線供給輸出信號的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，有可能減少與外部電路的連接點(diǎn)數(shù)目。
此處，在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片的場合，在第1布線之中，金屬膜最好避開與上述輸出一側(cè)凸點(diǎn)的連接部分而形成。如上所述，由于銀合金等的附著性欠佳，故不宜將其敷設(shè)在施加應(yīng)力的部分，尤其是，由于要修理驅(qū)動(dòng)器IC芯片，當(dāng)該芯片從第1基板剝離時(shí)，也有可能剝離掉含銀的金屬膜。
同樣，在這種液晶裝置中，還有設(shè)置在上述第1基板上的第2布線以及驅(qū)動(dòng)上述液晶的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括輸入來自上述第2布線的輸入信號的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸入一側(cè)的凸點(diǎn)連接到上述第2布線上，上述第2布線的結(jié)構(gòu)最好也包括基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的金屬膜，以及層疊于上述金屬膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。按照這種結(jié)構(gòu)，由于第2布線有含銀的金屬膜，能夠期求降低其電阻，同時(shí)由于該金屬膜的表面沒有暴露出來，有可能確保其高可靠性。此處，在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片的場合，在第2布線之中，金屬膜最好避開與上述輸入一側(cè)凸點(diǎn)的連接部分而形成。在修理驅(qū)動(dòng)器IC芯片時(shí)，要防止含銀的金屬膜也剝離掉了。
此外，還有對上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片供給輸入信號的外部電路基板，上述外部電路基板與上述第2布線連接起來，上述金屬膜最好避開與上述外部電路基板的連接部分而形成。在修理外部電路基板時(shí)，要防止含銀的金屬膜也剝離掉了。
下面，本發(fā)明的一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，它有設(shè)置在上述第1基板上、用于對上述液晶施加電壓的電極，連接到上述電極的第1布線，以及連接到上述第1布線的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述第1布線的結(jié)構(gòu)包括基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的金屬膜，以及層疊于上述金屬膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。按照這種結(jié)構(gòu)，由于第1布線具有導(dǎo)通性優(yōu)良的含銀金屬膜，可期求降低其電阻。此外，由于含銀金屬膜被金屬氧化物膜覆蓋，同時(shí)以金屬氧化物膜的邊緣部分與敷設(shè)在下層的基底膜相接的方式而構(gòu)建圖形，從而在形成金屬氧化物膜以后，金屬膜的表面不至暴露出來。因此，含銀金屬膜的可靠性得以提高。
在這種結(jié)構(gòu)中，上述金屬膜最好避開與上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片的連接部分而形成。在修理驅(qū)動(dòng)器IC芯片時(shí)，要防止含銀的金屬膜也剝離掉了。
此外，在這種液晶裝置中，還有設(shè)置在上述第1基板上的第2布線，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括輸入來自上述第2布線的輸入信號的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸入一側(cè)的凸點(diǎn)連接到上述第2布線，上述第2布線的結(jié)構(gòu)最好包括基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的金屬膜，以及層疊于上述金屬膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。按照這種結(jié)構(gòu)，除第1布線外，對第2布線也期求降低其電阻。還有，要防止含銀金屬膜的表面暴露出來。
加之，在這種結(jié)構(gòu)中，還有對第2布線供給輸入信號的外部電路基板，上述金屬膜最好避開與上述外部電路基板的連接部分而形成。在修理外部電路基板時(shí)，要防止含銀的金屬膜也剝離掉了。
還有，本發(fā)明的一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，它有設(shè)置在上述第1基板上的布線，上述布線的結(jié)構(gòu)包括基底膜，在上述基底膜上形成的金屬膜，以及層疊于上述金屬膜上的金屬氧化物膜。
在這種液晶裝置中，上述基底膜的結(jié)構(gòu)最好包括金屬氧化物，還有，上述金屬膜的結(jié)構(gòu)最好是銀單質(zhì)或含銀的合金。再有，在這種液晶裝置中，有設(shè)置在上述第1基板的一個(gè)邊附近、不與上述第2基板重疊的第1突出區(qū)域和位于上述第1基板上、設(shè)置在與上述一個(gè)邊交叉的另一邊附近、不與上述第2基板重疊的第2突出區(qū)域，上述布線最好經(jīng)過上述第1突出區(qū)域和第2突出區(qū)域兩者而設(shè)置構(gòu)成。
另一方面，本發(fā)明一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，有包括設(shè)置在上述第1基板上的基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的反射性導(dǎo)電膜，層疊于上述反射性導(dǎo)電膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜的第1透明電極和設(shè)置在上述第2基板上的第2透明電極，對應(yīng)于上述第1透明電極和上述第2透明電極的交叉區(qū)域，設(shè)置半透過部而構(gòu)成。按照這種結(jié)構(gòu)，就確保含銀反射性導(dǎo)電膜的可靠性方面而言，可作成半透過半反射型。
還有，本發(fā)明一種形態(tài)的液晶裝置是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置，有包括設(shè)置在上述第1基板上的基底膜，在上述基底膜上形成的、含銀的反射性導(dǎo)電膜，層疊于上述反射性導(dǎo)電膜上、同時(shí)以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜的第1透明電極和設(shè)置在上述第2基板上的第2透明電極，對應(yīng)于上述第1透明電極和上述第2透明電極的交叉區(qū)域，設(shè)置著色層而構(gòu)成。按照這種結(jié)構(gòu)，就確保含銀反射性導(dǎo)電膜的可靠性方面而言，彩色顯示成為可能。
加之，本發(fā)明一種形態(tài)的液晶裝置的制造方法是第1基板和第2基板相向配置、在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶的液晶裝置的制造方法，包括在上述第1基板上形成基底膜的工序，在上述基底膜上形成含銀的反射性導(dǎo)電膜的工序，以及在上述反射性導(dǎo)電膜上以邊緣部分與上述基底膜相接的方式形成金屬氧化物膜的工序。按照這種制造方法，由于反射性導(dǎo)電膜被金屬氧化物覆蓋，同時(shí)以金屬氧化物膜的邊緣部分與基底膜相接的方式而形成，因而反射性導(dǎo)電膜的表面不至暴露出來。于是，含銀反射型導(dǎo)電膜的可靠性得以提高。
在這種制造方法中，最好形成金屬氧化物作為上述基底膜。因此，水份等變得難以侵入到反射性導(dǎo)電膜內(nèi)。
還有，在這種制造方法中，最好還有同時(shí)對上述基底膜和上述金屬氧化物膜構(gòu)建圖形的工序。如果這樣做，因?yàn)闃?gòu)建圖形的工序是兼用的，所以工序可以簡化。本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶顯示裝置整體結(jié)構(gòu)的斜視圖。本發(fā)明第1實(shí)施例中構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶面板沿X方向切割時(shí)的部分截面圖。本發(fā)明第1實(shí)施例中液晶面板的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶面板中驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝區(qū)域附近的部分截面圖。本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶面板的背面基板中驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝區(qū)域附近的部分平面圖。(a)～(e)分別為本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶面板中背面基板的制造工藝的截面圖。銀和鋁的反射特性圖。本發(fā)明第2實(shí)施例的液晶面板結(jié)構(gòu)的斜視圖。本發(fā)明第2實(shí)施例的液晶面板中驅(qū)動(dòng)器IC芯片周邊的布線平面圖。本發(fā)明第2實(shí)施例的變例的液晶面板結(jié)構(gòu)的斜視圖。本發(fā)明第3實(shí)施例中構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶面板沿X方向切割時(shí)的部分截面圖。本發(fā)明第3實(shí)施例的液晶面板中驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝區(qū)域附近的部分截面圖。(a)～(e)分別為本發(fā)明第3實(shí)施例的液晶面板中背面基板的制造工藝的截面圖。(a)本發(fā)明第4實(shí)施例中構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶面板的像素結(jié)構(gòu)的平面圖，(b)是沿(a)中A-A’線的截面圖。(a)～(e)分別為本發(fā)明第4實(shí)施例的液晶面板中背面基板的制造工藝的示意圖。(f)、(g)分別為本發(fā)明第4實(shí)施例的液晶面板中背面基板的制造工藝的示意圖。(h)、(i)分別為本發(fā)明第4實(shí)施例的液晶面板中背面基板的制造工藝的示意圖。為實(shí)施例中作為應(yīng)用液晶面板的電子裝置的一個(gè)例子的個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的斜視圖。為實(shí)施例中作為應(yīng)用液晶面板的電子裝置的一個(gè)例子的移動(dòng)電話結(jié)構(gòu)的斜視圖。為實(shí)施例中作為應(yīng)用液晶面板的電子裝置的一個(gè)例子的數(shù)碼相機(jī)背面一側(cè)結(jié)構(gòu)的斜視圖。
以下參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
<第1實(shí)施例>
首先，就本發(fā)明第1實(shí)施例的液晶顯示裝置加以說明。這種液晶顯示裝置在外部光充分的場合，其功能為反射型，而在外部光不充分的場合，通過點(diǎn)亮背光，就是具有透過型功能的半透過半反射型。圖1是表示這種液晶顯示裝置的液晶面板結(jié)構(gòu)的斜視圖，還有，圖2是表示沿X方向橫切該液晶面板時(shí)的結(jié)構(gòu)的部分截面圖。
如這些圖所示，構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶面板100是使位于觀察者一側(cè)的前面基板200和位于其背面一側(cè)的背面基板300通過摻入兼具襯墊功能的導(dǎo)電性粒子(導(dǎo)通材料)114的密封劑110使之保持一定間距貼合起來，同時(shí)將例如TN(扭曲向列)型的液晶160封入該間隙中而構(gòu)成。再有，密封劑110可沿前面基板200的內(nèi)面周邊在任何一方的基板上形成，而為了封入液晶160，要在一部分密封劑110上開有缺口。因此，在液晶被封入后，該缺口部分通過封口劑112加以密封。
另外，位于前面基板200上、與背面基板300相向的面上，有多個(gè)公用(掃描)電極210在X(行)方向上延伸形成，而位于背面基板300上、與前面基板200相向的面上，有多個(gè)段(數(shù)據(jù))電極310在Y(列)方向上延伸形成。因此，在本實(shí)施例中，由于在公用電極210與段電極310相互交叉的區(qū)域，借助于兩個(gè)電極對液晶160施加電壓，這一交叉區(qū)域就具有次像素的功能。
還有，在位于背面基板300上從前面基板200伸出的兩個(gè)邊上，供驅(qū)動(dòng)公用電極210的驅(qū)動(dòng)器IC芯片122和供驅(qū)動(dòng)段電極310的驅(qū)動(dòng)器IC芯片124分別用下述的COG(在玻璃上鍵合芯片)技術(shù)安裝。此外，在這兩個(gè)邊之中，在安裝有驅(qū)動(dòng)器IC芯片124區(qū)域的外側(cè)，F(xiàn)PC(柔性印刷電路)基板150被鍵合上去。
此處，在前面基板200上形成的公用電極210，經(jīng)摻入密封劑110內(nèi)的導(dǎo)電性粒子114連接到在背面基板300上形成的布線(第1布線)350的一端上。而布線350的另一端則連接到驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)(突起電極)上。亦即，驅(qū)動(dòng)器IC芯片122按照布線350、導(dǎo)電性粒子114和公用電極210的路徑供給公用信號。再有，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的輸入一側(cè)凸點(diǎn)和FPC基板(外部電路基板)150之間通過布線(第2布線)360連接起來。
還有，在背面基板300上形成的段電極310原樣連接到驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)上。亦即，驅(qū)動(dòng)器IC芯片124直接對段電極310供給段信號。再有，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)和FPC基板150之間通過布線(第2布線)370連接起來。
再有，如圖2所示，實(shí)際上有前面基板200的正面一側(cè)(觀察者一側(cè))在液晶面板上設(shè)置偏振片121或延遲片123，而在背面基板300的背面一側(cè)(與觀察者一側(cè)相反的一側(cè))設(shè)置偏振片121或延遲片133等，但在圖1中均予省略。還有，在背面基板300的背面一側(cè)，在外部光少的場合，設(shè)置供透過型之用的背光，然而，關(guān)于這一點(diǎn)，在圖1和圖2中均予省略。
<顯示區(qū)域>
下面，就液晶面板100的顯示區(qū)域的細(xì)部加以說明。首先，就前面基板200的細(xì)部加以說明。如圖2所示，在基板200的外表面，將延遲片123和偏振片121粘貼上去。而在基板200的內(nèi)表面，形成遮光膜202，以防止次像素之間的混色，同時(shí)具有限定顯示區(qū)域的邊框的功能。此外，對應(yīng)于公用電極210和段電極310交叉的區(qū)域(對應(yīng)于遮光膜202的開口區(qū)域)，濾色片204可按照預(yù)定的陣列設(shè)置。再有，在本實(shí)施例中，R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的濾色片204形成了適合顯示數(shù)據(jù)系統(tǒng)的條形陣列(請參照圖3)，三個(gè)R、G、B的次像素構(gòu)成略呈正方形的一個(gè)像素，然而，本發(fā)明并無僅限于這種組態(tài)的意圖。
下面，由絕緣材料構(gòu)成的平面化膜205使得遮光膜202和濾色片204所造成的臺階平面化，在該平面化的面上，ITO之類的透明導(dǎo)電材料被構(gòu)成帶狀圖形，形成公用電極210。然后，在公用電極210的表面，形成由聚酰亞胺等組成的取向膜208。再有，在該取向膜208上，在與背面基板300貼合前要按預(yù)定方向作摩擦處理。還有，因?yàn)檎诠饽?02、濾色片204和平面化膜205在顯示區(qū)域以外是不需要的，所以在密封劑110的區(qū)域附近不予設(shè)置。
接著，就背面基板300的結(jié)構(gòu)加以說明。在基板300的外表面粘貼延遲片133和偏振片131。而在基板300的整個(gè)內(nèi)表面上，形成有絕緣性和透光性的基底膜303。在該基底膜303的表面還形成了反射圖形312和透明導(dǎo)電膜314層疊起來的帶狀段電極310。
其中，反射圖形312由銀合金等構(gòu)成，被用來使從前面基板200一側(cè)入射的光經(jīng)過反射再返回到前面基板200上。此時(shí)，反射圖形312沒有必要是完全的鏡面，寧可適度產(chǎn)生漫反射為宜。因此，希望反射圖形312在某種程度上在起伏不平的某種面上形成，然而，就這一點(diǎn)而言，由于與本專利申請沒有直接關(guān)系，其說明從略。還有，為了使來自背光源的光透過，設(shè)置開口部309，每一個(gè)次像素設(shè)置兩個(gè)開口部(請參照圖3)，使得反射圖形312也可被用作透過型。再有，在基板300的表面設(shè)置基底膜303的理由是，使在該表面上所形成的反射圖形312的附著性得到提高。
另一方面，透明導(dǎo)電膜314比反射圖形312要寬一圈，具體而言，從反射圖形312露出的邊緣(周邊)部分以與基底膜303相接的方式形成。因此，由于反射圖形312的表面被透明導(dǎo)電膜314完全覆蓋住，反射圖形所露出的部分，包括開口部309，在本實(shí)施例中是不存在的。
下面，保護(hù)膜307由例如TiO2等形成，兼用作包含反射圖形312和透明導(dǎo)電膜314在內(nèi)的段電極310的保護(hù)層和使藍(lán)色分量的光大量反射的層(反射層)。然后，在保護(hù)膜307的表面，形成由聚酰亞胺等組成的取向膜308。再有，在使之與前面基板200貼合前，要對該取向膜308按照預(yù)定方向作摩擦處理。還有，為了方便起見，對這類背面基板300的制造工藝的說明放在對布線350、360、370的說明之后。
<密封劑附近>
下面，液晶面板100之中，對于形成密封劑110的區(qū)域附近，除圖2以外，還可參照圖3加以說明。此處，圖3是示出該區(qū)域附近的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的平面圖。
如這些圖所示，前面基板200的公用電極210延伸到形成密封劑110的區(qū)域，而在背面基板300上，構(gòu)成布線350的透明導(dǎo)電膜354以與公用電極210相向的方式延伸到形成密封劑110的區(qū)域。因此，在密封劑110之中，如使兼具襯墊功能的球形導(dǎo)電性粒子114以適當(dāng)?shù)谋壤⒉迹瑒t公用電極210和透明導(dǎo)電膜354經(jīng)過該導(dǎo)電性粒子114在電學(xué)上就連接在一起了。
如上所述，在此處，布線350與公用電極210和驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)之間進(jìn)行了電連接，反射性導(dǎo)電膜352和透明導(dǎo)電膜354則層疊在一起。其中，反射性導(dǎo)電膜352與反射圖形312系對同一導(dǎo)電層構(gòu)建圖形，同樣，透明導(dǎo)電膜354與透明導(dǎo)電膜314為同一導(dǎo)電層，它比反射性導(dǎo)電膜352要寬一圈，具體而言，是以從反射性導(dǎo)電膜352露出的邊緣部分與基底膜303相接的方式構(gòu)建圖形的。然而，如圖2所示，在形成密封劑110的區(qū)域，不層疊反射性導(dǎo)電膜352，僅設(shè)置透明導(dǎo)電膜354。換言之，反射性導(dǎo)電膜352是在形成密封劑110的區(qū)域，避開與公用電極210的連接部分而形成的。
再有，為了便于說明，圖2中導(dǎo)電性粒子114的直徑比實(shí)際情形要大得多，因此，看上去就像在密封劑110的寬度方向僅設(shè)置一個(gè)似的，然而，比較正確的情形如圖3所示，在密封劑110的寬度方向，有多個(gè)導(dǎo)電性粒子114作隨機(jī)排列。
<驅(qū)動(dòng)器IC芯片的安裝區(qū)域、FPC基板的鍵合區(qū)域附近>
接著，對于背面基板300之中安裝有驅(qū)動(dòng)器IC芯片122、124的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域附近加以說明。此處，圖4是以布線為中心示出這些區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖，圖5是其中示出驅(qū)動(dòng)器IC芯片122安裝區(qū)域的布線結(jié)構(gòu)的平面圖。再有，如上所述，在背面基板300上，除段電極310外，還設(shè)置布線350、360和370，而在此處，以與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122相關(guān)的布線350、360為例加以說明。
首先，如這些圖所示，將從驅(qū)動(dòng)器IC芯片122產(chǎn)生的公用信號供給到公用電極210的布線350，如上所述，與反射性導(dǎo)電膜352和透明導(dǎo)電膜354層疊在一起，然而在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的區(qū)域不設(shè)置反射性導(dǎo)電膜352，僅形成透明導(dǎo)電膜354。換言之，反射性導(dǎo)電膜352避開與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的鍵合部分而形成。
還有，把來自FPC基板150所提供的各種信號供給到驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的布線360同樣與反射性導(dǎo)電膜362和透明導(dǎo)電膜364層疊在一起。其中，反射性導(dǎo)電膜362與反射圖形312和反射性導(dǎo)電膜352對同一導(dǎo)電層構(gòu)建圖形，同樣，透明導(dǎo)電膜364比反射性導(dǎo)電膜362要寬一圈，以從反射性導(dǎo)電膜362露出的邊緣部分與基底膜303相接的方式，與透明導(dǎo)電膜314、354對同一導(dǎo)電層構(gòu)建圖形。但是，在布線360之中，在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域(在圖5中予以省略)，不設(shè)置反射性導(dǎo)電膜362，僅形成透明導(dǎo)電膜364。換言之，透明導(dǎo)電膜364避開與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122鍵合的部分和與FPC基板150鍵合的部分而形成。
采取如下的做法將驅(qū)動(dòng)器IC芯片122以COG方式安裝到這樣的布線350、360上。首先，在長方體形驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的一個(gè)面上的內(nèi)周邊部分設(shè)置多個(gè)電極，然而，可預(yù)先分別將由例如金(Au)所組成的凸點(diǎn)129a、129b形成到如此的各自電極上。然后，第1，在背面基板300上應(yīng)該安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的區(qū)域，裝載有將導(dǎo)電性粒子134均勻散布于環(huán)氧樹脂等粘結(jié)劑130中的片狀各向異性導(dǎo)電膜，第2，該各向異性導(dǎo)電膜被夾在位于電極形成面下方的驅(qū)動(dòng)器IC芯片122和背面基板300之間，第3，驅(qū)動(dòng)器IC芯片122在定位后，經(jīng)該各向異性導(dǎo)電膜而對背面基板300加壓并加熱。
據(jù)此，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片122之中，供給公用信號的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)129a，還有輸入來自FPC基板150的信號的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)129b，經(jīng)過粘結(jié)劑130中的導(dǎo)電性粒子134在電學(xué)上被分別連接到構(gòu)成布線350的透明導(dǎo)電膜354上和構(gòu)成布線360的透明導(dǎo)電膜364上。此時(shí)，粘結(jié)劑130兼有密封劑的作用，用以保護(hù)驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的電極形成面免受潮氣、污染、應(yīng)力等的影響。
再有，此處舉與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122相關(guān)的布線350、360為例加以說明，然而，與驅(qū)動(dòng)器IC芯片124相關(guān)的段電極310以及把來自FPC基板150所提供的各種信號供給到驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的布線370也與布線350、360有相同的結(jié)構(gòu)，分別如圖4的括弧中所示。
亦即，為供給來自驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的段信號的段電極310，如上所述，與反射圖形312和透明導(dǎo)電膜314層疊起來而構(gòu)成，然而，在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的區(qū)域，不設(shè)置反射圖形312，僅形成透明電膜314。換言之，反射圖形312避開與驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的鍵合部分而形成。
還有，為把來自FPC基板150所提供的各種信號供給到驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的布線370，同樣與反射性導(dǎo)電膜372和透明導(dǎo)電膜374層疊起來構(gòu)成。其中，反射性導(dǎo)電膜372與反射圖形312和反射性導(dǎo)電膜352、362對同一導(dǎo)電層構(gòu)建圖形，透明導(dǎo)電膜374，比反射性導(dǎo)電膜372要寬一圈，以從反射性導(dǎo)電膜372露出的邊緣部分與基底膜303相接的方式，與透明導(dǎo)電膜314、354、364對同一導(dǎo)電層構(gòu)建圖形。然而，在布線370之中，在安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域，不設(shè)置反射性導(dǎo)電膜372，僅形成透明導(dǎo)電膜374。換言之，反射性導(dǎo)電膜372避開與驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的鍵合部分和與FPC基板150的鍵合部分而形成。
然后，驅(qū)動(dòng)器IC芯片124，與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122一樣，經(jīng)各向異性導(dǎo)電膜連接到這樣的段電極320、布線370上。
還有，對于布線360、370，在FPC基板150被鍵合的場合，也同樣用各向異性導(dǎo)電膜。據(jù)此，在FPC基板150上，在聚酰亞胺之類的基板材料152上所形成的布線154經(jīng)過粘結(jié)劑140中的導(dǎo)電性粒子144分別對構(gòu)成布線360的透明導(dǎo)電膜364和構(gòu)成布線370的透明導(dǎo)電膜374進(jìn)行電連接。
<制造工藝>
此處，參照圖6對上述液晶面板的制造工藝，尤其是對背面基板的制造工藝加以說明。再有，此處以公用電極210和段電極310交叉的顯示區(qū)域?yàn)橹行募右哉f明。
首先，如圖6(a)所示，在基板300的整個(gè)內(nèi)表面上，通過濺射等方法淀積Ta2O5或SiO2等，形成基底膜303。接著，如圖6(b)所示，以銀單質(zhì)或以銀為主成分的反射性導(dǎo)電層312′通過濺射等方法形成膜。作為該導(dǎo)電層312′，除重量比為98％左右的銀(Ag)外，希望是含鉑(Pt)·銅(Cu)的合金和銀·銅·金的合金，甚至是銀·釕(Ru)·銅的合金等。
接著，如圖6(c)所示，通過光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)對導(dǎo)電層312’構(gòu)建圖形，在顯示區(qū)域形成反射圖形312，在顯示區(qū)域以外形成反射性導(dǎo)電膜352、362、372。此時(shí)，在反射圖形312上同時(shí)形成開口部309。
此后，如圖6(d)所示，通過濺射等方法形成ITO之類的導(dǎo)電層314′的膜。然后，如圖6(e)所示，應(yīng)用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)對導(dǎo)電層構(gòu)建圖形，在顯示區(qū)域形成透明導(dǎo)電膜314，在顯示區(qū)域外形成透明導(dǎo)電膜354、364、374。此時(shí)，反射圖形312、反射性導(dǎo)電膜352、362、372要做到不暴露出來，透明導(dǎo)電膜314、354、364、374的周邊部分就要與基底膜303相接。據(jù)此，在導(dǎo)電層314′成膜后，由于反射圖形312、反射性導(dǎo)電膜352、362、372的表面不暴露出來，即可防止這些表面受腐蝕和發(fā)生剝離等。還有，在液晶160和反射圖形312之間，由于夾有透明導(dǎo)電膜314，可以防止來自反射圖形312的雜質(zhì)溶解析出到液晶160中。
再有，從此以下，圖中均予省略，然而，圖2中的保護(hù)膜307、取向膜308是依次形成的，并對該取向膜308作了摩擦處理。接著，借助于適當(dāng)散布有導(dǎo)電性粒子114的密封劑110使這樣的背面基板300和同樣對取向膜208作過摩擦處理的前面基板200貼合起來，然后在接近真空的狀態(tài)下將液晶160滴到密封劑110的缺口內(nèi)。然后通過恢復(fù)到常壓，液晶160即鋪展到整個(gè)面板內(nèi)，此后，則用封口劑112將該缺口部分封死。此后，如上所述，通過安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122、124和FPC基板150，形成了如圖1所示的液晶面板100。
<顯示工作等>
下面，就如此構(gòu)成的液晶顯示裝置的顯示工作作一簡單說明。首先，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片122在每個(gè)水平掃描周期內(nèi)按預(yù)定的次序?qū)Ω鞴秒姌O210施加選擇電壓，而驅(qū)動(dòng)器IC芯片124則通過對應(yīng)的段電極310分別供給根據(jù)在位于施加了選擇電壓的公用電極210處1行次像素顯示內(nèi)容的段信號。此時(shí)，根據(jù)在公用電極210和段電極310處所施加的電壓差，該區(qū)域的液晶160的取向狀態(tài)在每個(gè)次像素處均得到控制。
此處，在圖2中，來自觀察者一側(cè)的外部光，經(jīng)過偏振片121和延遲片123得到預(yù)定的偏振狀態(tài)，進(jìn)而經(jīng)過如下的路徑前面基板200→濾色片204→公用電極210→液晶160→段電極310，到達(dá)反射圖形312，在此處受到反射，按來時(shí)的路徑逆序而行。因此，在反射型中，借助于公用電極210和段電極310之間施加的電壓差來改變液晶160的取向狀態(tài)，藉此，外部光之中經(jīng)反射圖形312反射后，通過偏振片，最終為觀察者所辨認(rèn)的光量在每個(gè)次像素處均得到控制。
再者，在反射型中，對短波長一側(cè)(藍(lán)色一側(cè))的光而言，與被反射圖形312反射的成分相比，被位于反射圖形上層的保護(hù)膜307反射的成分要多。此處，在本實(shí)施例中，敷設(shè)如此保護(hù)膜307的理由如下。亦即，如圖7所示，含銀的反射性圖形312的反射率隨波長的特性不及常用的鋁平坦，在短波長處，反射率有降低的趨勢。其結(jié)果，由于被反射圖形312反射的光中藍(lán)色分量減少，有略帶黃色的傾向，尤其是進(jìn)行彩色顯示的場合，對色彩的再現(xiàn)性有不良的影響。因此，就藍(lán)色分量的光而言，與被反射圖形312反射的成分相比，被保護(hù)膜307反射的成分增多，使該保護(hù)膜307和反射圖形312合并后的反射光可防止略帶黃色的傾向。
另一方面，在使位于背面基板的背面一側(cè)的背光(圖中予以省略)點(diǎn)亮的場合，該背光源發(fā)出的光經(jīng)過偏振片131和延遲片133，得到預(yù)定的偏振狀態(tài)，進(jìn)而經(jīng)過如下路徑背面基板300→開口部309→段電極310→液晶160→公用電極210→前面基板200→偏振片201，出射到觀察者一側(cè)。因此，在透過型中，也借助于公用電極210和段電極310之間施加的電壓差來改變液晶160的取向狀態(tài)，藉此，透過開口部309的光之中，通過偏振片，最終為觀察者所辨認(rèn)的光量在每個(gè)次像素處均得到控制。
因此，在與本實(shí)施例有關(guān)的液晶顯示裝置中，如外部光充分，成為反射型，如外部光很弱，借助于點(diǎn)亮背光，則主要成為透過型，從而即使為任何一種類型，顯示也都成為可能。此處，在本實(shí)施例中，由于在使光反射的反射圖形312中，使用了銀或以銀為主成分的銀合金等，增高了反射率，返回到觀察者一側(cè)的光增多，其結(jié)果是明亮的顯示成為可能。此外，在本實(shí)施例中，由于反射圖形312的表面露出的部分在構(gòu)成透明電極的導(dǎo)電層312′成膜后并不存在，防止了反射圖形312受到腐蝕和發(fā)生剝離等，其結(jié)果是可靠性得到提高。
還有由于設(shè)置于前面基板的公用電極210，經(jīng)導(dǎo)電性粒子114和布線350，引出到背面基板300，進(jìn)而藉布線360引出到安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的區(qū)域附近，故在本實(shí)施例中，不管是不是無源矩陣型，與FPC基板150的鍵合都是在一個(gè)面上完成。因此，就要力求對安裝工序進(jìn)行簡化。
另一方面，由于段電極310與透明導(dǎo)電膜314和由銀單質(zhì)或以銀為主成分的銀合金等構(gòu)成的反射圖形312層疊在一起構(gòu)成，以求降低電阻，同樣，由于顯示區(qū)域以外的布線350、360、370與各自的透明導(dǎo)電膜354、364、374以及與反射圖形312由同一導(dǎo)電層構(gòu)成的反射性導(dǎo)電膜352、362、372層疊在一起構(gòu)成，以求降低電阻。尤其是，由于從FPC基板150到驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的輸入一側(cè)凸點(diǎn)的布線360中，包括供給公用信號的驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的電源線，其上要施加比較高的電壓，而且其布線距離比布線370要長。因此，如布線360有高電阻，則不能忽視電壓下降所造成的影響。對此，在本實(shí)施例的布線360中，由于層疊數(shù)層而降低了電阻，電壓下降的影響得以減少。
此處，在段電極310之中，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片124被安裝的區(qū)域，不設(shè)置反射圖形312，僅僅形成透明導(dǎo)電膜314。還有，在布線350之中，在要包含密封劑110的區(qū)域和驅(qū)動(dòng)器IC芯片122被安裝的區(qū)域，不敷設(shè)反射性導(dǎo)電膜352，僅僅形成透明導(dǎo)電膜354。同樣，在布線360之中，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片122被安裝的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域，不敷設(shè)反射性導(dǎo)電膜362，僅僅形成透明導(dǎo)電膜364，還有，在布線370之中，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片124被安裝的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域，不敷設(shè)反射性導(dǎo)電膜372，僅僅形成透明導(dǎo)電膜374。
這是由于銀合金等缺乏附著性，因而不希望設(shè)置在施加應(yīng)力的部分。亦即，如優(yōu)先使布線的電阻得到降低，則希望經(jīng)過透明電極或透明導(dǎo)電膜下層的整個(gè)區(qū)域形成反射圖形或反射性導(dǎo)電膜，然而，在這樣的結(jié)構(gòu)中，例如因?yàn)樵隍?qū)動(dòng)器IC芯片的安裝工序中產(chǎn)生連接不良的現(xiàn)象，在更換該芯片時(shí)，該反射性導(dǎo)電膜由于附著性弱，有可能從基板剝離。因此，在本實(shí)施例中，在容易施加應(yīng)力的部分，不設(shè)置銀合金等，僅僅形成透明電極或透明導(dǎo)電膜，可防止銀合金等的剝離于未然。
<第2實(shí)施例>
在上述第1實(shí)施例中，公用電極210和段電極310分別受驅(qū)動(dòng)器IC芯片122和驅(qū)動(dòng)器IC芯片124驅(qū)動(dòng)，然而，本發(fā)明卻不限于此，例如也可適用于將兩片芯片一體化的單芯片型，如圖8所示。
在該圖所示的液晶裝置中，在前面基板200上，多個(gè)公用電極210沿X方向延伸而成，就這一點(diǎn)而言，與上述實(shí)施例是共同的，而上半的公用電極210和下半的公用電極210分別從左、右兩側(cè)引出，連接到驅(qū)動(dòng)器IC芯片126上，就這一點(diǎn)而言，與上述實(shí)施例是不同的。此處，驅(qū)動(dòng)器IC芯片是使上述實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)器IC芯片122、124單片化而形成的。因此，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的輸出一側(cè)，除段電極310外，也經(jīng)布線350，連接到公用電極210。還有，F(xiàn)PC基板150經(jīng)布線360(370)供給用來控制來自外部電路(圖中予以省略)的驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的信號等。
此處，就驅(qū)動(dòng)器IC芯片126被安裝區(qū)域附近實(shí)際的布線排布作一說明。圖9是示出該布線排布一個(gè)例子的平面圖。如該圖所示，段電極310從驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的輸出一側(cè)出發(fā)，以擴(kuò)大間距的方式迂回引到顯示區(qū)域，與此相對照，從布線350到公用電極210的走向是，從驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的輸出一側(cè)出發(fā)，一度使間距變窄，沿Y方向延伸，其后則彎曲90度，同時(shí)擴(kuò)大間距，迂回引到顯示區(qū)域。
此處，在布線350(公用電極210)從驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的輸出一側(cè)沿Y方向延伸的區(qū)域，布線350的間距變窄的理由是因?yàn)樵搮^(qū)域是對顯示沒有貢獻(xiàn)的死空間，如擴(kuò)大該區(qū)域，從1片大型玻璃(母片玻璃)切成的小片數(shù)就要減少，導(dǎo)致成本上升，還有，為了采取COG技術(shù)將驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)鍵合到布線350上，必須有某種程度的布線間距，因此，對于與驅(qū)動(dòng)器IC芯片126的鍵合區(qū)域，布線間距反而要擴(kuò)大。
再有，在圖8所示的液晶顯示裝置中，如公用電極210的根數(shù)少，也可將該公用電極210從一側(cè)引出。
還有，如圖10所示，也有可能應(yīng)用于不將驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝到液晶面板100的類型。亦即，在該圖所示的液晶顯示裝置中，采取倒裝芯片等技術(shù)將驅(qū)動(dòng)器IC芯片126安裝到FPC基板150上去。再有，可采用TAB(帶式自動(dòng)鍵合)技術(shù)，用內(nèi)引線鍵合驅(qū)動(dòng)器IC芯片126，而用外引線與液晶面板100相鍵合。但是，在這樣的結(jié)構(gòu)中，隨著像素?cái)?shù)目的增多，與FPC基板150的連接點(diǎn)數(shù)目也要增加。
<第3實(shí)施例>
在上述第1實(shí)施例中，采用以絕緣材料作為銀合金等的基底膜303，然而本發(fā)明并不限于此，也有可能采用ITO或Sn2O3等導(dǎo)電材料。因此，下面對于采用導(dǎo)電性材料作為基底膜303的第3實(shí)施例加以說明。再有，由于這種第3實(shí)施例的液晶顯示裝置在外觀上與表示第1實(shí)施例的圖1是相同的，因而在此處以內(nèi)部電極和布線的結(jié)構(gòu)為中心加以說明。
圖11是對第3實(shí)施例的液晶顯示裝置中液晶面板的結(jié)構(gòu)沿X方向截?cái)鄷r(shí)所表現(xiàn)出的截面圖，相當(dāng)于第1實(shí)施例中的圖2。還有，圖12是示出在背面基板300之中安裝有驅(qū)動(dòng)器IC芯片122(124)的區(qū)域和FPC基板150被鍵合的區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖，相當(dāng)于第1實(shí)施例中的圖4。
在這些圖之中，基底膜303是為了提高與反射圖形312和反射性導(dǎo)電膜352、362、372的附著性而設(shè)置的，在這一點(diǎn)上與第1實(shí)施例相同，但它由ITO或Sn2O3等具有導(dǎo)電性和透光性的材料組成，在這一點(diǎn)上則與第1實(shí)施例不同。
如下所述，該基底膜與透明導(dǎo)電膜314、354、364、374用相同的工藝制成，與這些透明導(dǎo)電膜構(gòu)建成形狀大致相同的圖形。
詳細(xì)而言，第1，如圖11所示，在段電極310中，反射圖形312被基底膜303和透明導(dǎo)電膜314夾在中間，并且，在透明導(dǎo)電膜314之中從反射圖形312超出的邊緣部分采取與基底膜303相接的方式形成。因此，段電極310是依次層疊有導(dǎo)電材料的基底膜303，反射圖形312和透明導(dǎo)電膜314的三層結(jié)構(gòu)。但是，如圖12的括弧中所示，反射圖形312是采取避開與驅(qū)動(dòng)器IC芯片124的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)129a的鍵合部分的方式形成的。
還有，第2，在從驅(qū)動(dòng)器IC芯片122輸出一側(cè)的凸點(diǎn)129a到與公用電極210的連接部分所引出的布線350之中，如圖11和圖12所示，反射性導(dǎo)電膜352被基底膜303和透明導(dǎo)電膜354夾在中間，并且在透明導(dǎo)電膜354之中從反射性導(dǎo)電膜352超出的邊緣部分以與基底膜303相接的方式形成。因此，布線350形成依次層疊有基底膜303，反射性導(dǎo)電膜352和透明導(dǎo)電膜354的三層結(jié)構(gòu)，然而其中的反射性導(dǎo)電膜352是避開經(jīng)導(dǎo)電性粒子114與公用電極210的鍵合部分(請參照圖11)以及與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)的鍵合部分(請參照圖12)而形成的。
第3，在從與FPC基板150的連接端點(diǎn)到驅(qū)動(dòng)器IC芯片122輸入一側(cè)的凸點(diǎn)129b所引出的布線360之中，如圖12所示，反射性導(dǎo)電膜362被基底膜303和透明導(dǎo)電膜364夾在中間，并且在透明導(dǎo)電膜364之中從反射性導(dǎo)電膜362超出的邊緣部分以與基底膜303相接的方式形成。因此，布線360形成依次層疊有基底膜303，反射性導(dǎo)電膜362和透明導(dǎo)電膜364的三層結(jié)構(gòu)，然而其中的反射性導(dǎo)電膜362是避開經(jīng)導(dǎo)電性粒子144與FPC基板150的鍵合部分以及與驅(qū)動(dòng)器IC芯片122輸入一側(cè)的凸點(diǎn)129b的鍵合部分而形成的。
第4，在從與FPC基板150的連接端點(diǎn)到驅(qū)動(dòng)器IC芯片124輸入一側(cè)的凸點(diǎn)129b所引出的布線370之中，如圖12的括弧內(nèi)所示，反射性電膜372被基底膜303和透明導(dǎo)電膜374夾在中間，并且在透明導(dǎo)電膜364之中從反射性導(dǎo)電膜372超出的邊緣部分以與基底膜303相接的方式形成。因此，布線370形成依次層疊有基底膜303，反射性導(dǎo)電膜372和透明導(dǎo)電膜374的三層結(jié)構(gòu)，然而其中的反射性導(dǎo)電膜372是避開經(jīng)導(dǎo)電性粒子144與FPC基板150的鍵合部分以及與驅(qū)動(dòng)器IC芯片124輸入一側(cè)的凸點(diǎn)129b的鍵合部分而形成的。
再有，在圖11和圖12中，在驅(qū)動(dòng)器IC芯片的鍵合部分和與FPC基板150的鍵合部分，形成基底膜303和透明導(dǎo)電膜314、354、364、374的兩層，而若采用任何一層的單層結(jié)構(gòu)亦可。
還有，在第3實(shí)施例中，從平面上看，基底膜303與透明導(dǎo)電膜314、354、364、374有相同的形狀。因此，示出第3實(shí)施例中液晶面板的次像素的平面圖與示出第1實(shí)施例中液晶面板的次像素的圖3是相同的，還有，在第3實(shí)施例的液晶面板中，即使就示出驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝區(qū)域附近的部分平面圖而言，在第1實(shí)施例的液晶面板中，與示出驅(qū)動(dòng)器IC芯片安裝區(qū)域附近的圖5是相同的。
<制造工藝>
下面就第3實(shí)施例的液晶面板的制造工藝，尤其是背面基板的制造工藝加以說明。圖13是示出這種制造工藝的圖，相當(dāng)于第1實(shí)施例的圖6。
首先，如圖6(a)所示，在基板300內(nèi)側(cè)的整個(gè)面上，采用濺射等技術(shù)淀積ITO或Sn2O3之類的金屬氧化物材料，形成基底膜303′。接著，如圖6(b)所示，采用濺射等技術(shù)形成銀單質(zhì)或以銀為主成分的反射性導(dǎo)電層312′膜。再有，就這種導(dǎo)電層312′而言，可采用與第1實(shí)施例相同的導(dǎo)電層。
接著，如圖6(c)所示，采用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)僅對基板303′上所形成的導(dǎo)電層312′構(gòu)建圖形。采用刻蝕技術(shù)在顯示區(qū)域形成開口部309，同時(shí)形成反射圖形312，在顯示區(qū)域以外形成反射性導(dǎo)電膜352、362、372。
此處，由于金屬氧化物的基底303′和合金的導(dǎo)電層312′方面的選擇比不同，詳細(xì)而言，由于導(dǎo)電層312′比基底303′容易刻蝕，假如使用適當(dāng)?shù)目涛g液，就有可能有選擇地僅對導(dǎo)電層312′加以刻蝕。再有，這樣的刻蝕可舉出例如按重量比為磷酸(54％)、醋酸(33％)、硝酸(0.6％)，剩余部分為水的混合溶液。
其后，如圖6(d)所示，采用濺射等技術(shù)使ITO之類的導(dǎo)電層314′形成膜。然后，如圖6(e)所示，可用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)同時(shí)使基底303′和導(dǎo)電層314′構(gòu)建圖形，形成為基底膜303和透明導(dǎo)電膜314。由此形成了段電極310。再有，在顯示區(qū)域以外，對作為基底膜303的基底303′，并且對作為透明導(dǎo)電膜354、364、374的導(dǎo)電層314′分別構(gòu)建圖形。由此形成了布線350、360、370。
此處，如對透明導(dǎo)電膜314、354、364、374(基底膜303)構(gòu)建尺寸比反射圖形312和反射性導(dǎo)電膜352、362、372大一圈的圖形，則由于在透明導(dǎo)電膜之中從反射圖形和反射性導(dǎo)電膜超出的邊緣部分與基底膜303相接，反射圖形和反射性導(dǎo)電膜便不至暴露出來。
再有，此后的工序與第1實(shí)施例相同，依次形成圖11中的保護(hù)膜307和取向膜308，并對該取向膜308進(jìn)行摩擦處理。此后，將背面基板300和同樣對取向膜208作過摩擦處理的正面基板200借助于適當(dāng)散布有導(dǎo)電性粒子114的密封劑110貼合起來，進(jìn)而形成接近于真空的狀態(tài)，將液晶160滴進(jìn)密封劑110的缺口部分。此后，返回到常壓，用封口劑112封住該缺口部分。然后，通過安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122、124和FPC基板150，形成與圖1所示的第1實(shí)施例相同的液晶面板100。
按照這樣的第3實(shí)施例，銀合金等的反射圖形312，反射性導(dǎo)電膜352、362、372分別被透明導(dǎo)電膜314、354、364、374完全覆蓋住，并且被同屬金屬氧化物的基底膜和透明導(dǎo)電膜夾住。因此，由于基底膜與透明導(dǎo)電膜之間的附著性比采用無機(jī)材料和金屬氧化物的第1實(shí)施例要好，水分等經(jīng)過這些界面侵入的情況就要減少。
還有，由于在第3實(shí)施例中，要增加作為金屬氧化物的基底膜303，而其構(gòu)建圖形的工序可以兼用透明導(dǎo)電膜314、354、364、374的相同工序，與第1實(shí)施例相比，工藝也并不復(fù)雜。
此外，由于在第3實(shí)施例中，布線電阻也在鍵合部分以外形成三層結(jié)構(gòu)，與兩層結(jié)構(gòu)的第1實(shí)施例相比，阻值要降低。再有，其它效應(yīng)與第1實(shí)施例是相同的。
<第4實(shí)施例>
在上述第1、第2和第3實(shí)施例中，均以無源矩陣型加以說明，而在本發(fā)明中，即使對使用有源(開關(guān))元件對液晶進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的有源矩陣型也可能是適用的。因此，在下面要對用有源元件驅(qū)動(dòng)液晶的第4實(shí)施例加以說明。再有，在第4實(shí)施例中，作為有源元件的一個(gè)例子用了TFD(Thin Film Diode薄膜二極管)。還有由于第4實(shí)施例中的液晶顯示裝置從外觀上看與示出第1實(shí)施例的圖1是相同的，在此處也以內(nèi)部電極和布線的結(jié)構(gòu)為中心加以說明。
圖14(a)是示出第4實(shí)施例的液晶面板100中一個(gè)像素布局的平面圖，圖14(b)是沿圖14(a)中A-A′線的截面圖。
如這些圖中所示，在液晶面板100中，前面基板上的掃描線2100沿行(X)方向延伸形成，而背面基板上的數(shù)據(jù)線(信號線)3100沿列(Y)方向延伸形成，同時(shí)對應(yīng)于掃描線2100和數(shù)據(jù)線3100的各交叉點(diǎn)，矩形像素電極330被排列成矩陣狀。其中，在同一列上排列的像素電極330經(jīng)過各自的TFD320被共同連接到1根數(shù)據(jù)線3100上。
再有，在本實(shí)施例中，掃描線2100用驅(qū)動(dòng)器IC芯片122，數(shù)據(jù)線3100用驅(qū)動(dòng)器IC芯片124分別驅(qū)動(dòng)。
在本實(shí)施例中，TFD320由第1TFFD320a和第2TFD320b組成，在背面基板300的的表面上形成，并且在具有絕緣性和透光性的基底膜303中有鉭化鎢之類的第1金屬膜3116，在該第1金屬膜3116的表面經(jīng)陽極氧化而形成的絕緣膜3118和在該表面上形成、相互分離的第2金屬膜3122、3124。其中，第1金屬膜3122、3124是銀合金等的反射性導(dǎo)電膜，前一第2金屬膜3122原樣形成數(shù)據(jù)線3100的一部分，而后一第2金屬膜3124則形成有開口部309的像素電極330的反射性導(dǎo)電膜3322。
此處，TFD320之中的第1TFD320a，如從數(shù)據(jù)線3100一邊看，依次形成第2金屬膜3122/絕緣膜3118/第1金屬膜3116，即采取金屬/絕緣體/金屬的MIM結(jié)構(gòu)，從而其電流電壓特性在正、負(fù)電壓兩個(gè)方向均形成非線性。
另一方面，從數(shù)據(jù)線3100一邊看，第2TFD320b依次形成第1金屬膜3116/絕緣膜3118/第2金屬膜3124，它與第1TFD320a有相反的電流電壓特性。因此，由于TFD320由兩個(gè)二極管元件相互反相串聯(lián)而成，如與采用一個(gè)元件的場合相比，電流電壓的非線性特性在正、負(fù)電壓兩個(gè)方向更趨于對稱。
此處，作為數(shù)據(jù)線3100一部分的反射性導(dǎo)電膜3120，第2金屬膜3122、3124，以及像素電極330的反射性導(dǎo)電膜3320，均為對同一銀合金層構(gòu)建圖形后的產(chǎn)物。因此，在第4實(shí)施例中，這些膜被由ITO構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜3140、3340所覆蓋，不至暴露出來。而數(shù)據(jù)線3100從基底膜303起，依次形成金屬膜3112，絕緣膜3114，反射性導(dǎo)電膜3120，透明導(dǎo)電膜3140。
還有，同一行的像素電極330與各自的同一行掃描線2100相向。這種掃描線2100與第1、第2和第3實(shí)施例中的公用電極210一樣，都是由ITO構(gòu)成的條形透明電極。因此，掃描線2100具有像素電極330的相向電極的功能。
因此，對應(yīng)于某種顏色的次像素的液晶電容位于掃描線2100和數(shù)據(jù)線3100的交叉點(diǎn)，由該掃描線2100，像素電極330和夾在兩者之間的液晶160構(gòu)成。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，不管施加到數(shù)據(jù)線3100的數(shù)據(jù)電壓是多少，如將使TFD320導(dǎo)通的選擇電壓施加到掃描線2100上，則對應(yīng)于該掃描線2100和該數(shù)據(jù)線3100的交叉點(diǎn)的TFD320就導(dǎo)通，與導(dǎo)通了的TFD320相連的液晶電容上蓄積有相當(dāng)于該選擇電壓和該數(shù)據(jù)電壓之差的電荷。在電荷蓄積以后，即便對掃描線2100施加非選擇電壓，使該TFD320截止，液晶電容上的電荷蓄積仍得以維持。
此處，由于液晶160的取向狀態(tài)隨蓄積在液晶電容上的電荷量而發(fā)生變化，通過偏振片121(請參照圖2、圖11)的光量，無論是透過型還是反射型，都要隨蓄積的電荷量而變化。因此，借助于施加選擇電壓時(shí)的數(shù)據(jù)電壓來控制每個(gè)次像素上液晶電容的電荷蓄積量，使得指定的灰度顯示成為可能。
<制造工藝>
下面，就第4實(shí)施例中液晶面板的制造工藝，尤其是背面基板上TFD320的制造工藝加以說明。圖15、圖16和圖17是示出這種制造工藝的圖。
首先，如圖15(a)所示，在基板300的整個(gè)內(nèi)表面上，采用濺射等方法淀積Ta2O5和SiO2等，用濺射等方法淀積的鉭(Ta)膜經(jīng)熱氧化后形成基底膜303。
接著，如15(b)所示，使基底膜303上面的第1金屬層3112′形成膜。此處，根據(jù)TFD320的用途對第1金屬層3112′的膜厚選擇適當(dāng)?shù)闹担ǔ?00～500nm左右。還有，第1金屬層3112′的組成為諸如鉭單質(zhì)或鉭化鎢(TaW)之類的鉭合金。
此處，在使用鉭單質(zhì)作為第1金屬層3112′的場合，可采用濺射法或電子束蒸發(fā)法等形成該金屬層。還有，在使用鉭合金作為第1金屬層3112′的場合，可向主成分的鉭中添加除鎢以外的周期表中屬于第3、6和7等副族的元素鉻、鉬、錸、釔、鑭、鏑等。
這些添加的元素以上述鎢為佳，希望鎢的含有比例例如按重量比為0.1～6％。還有，為了形成由鉭合金構(gòu)成的第一金屬層3112′，可采用有混合靶的濺射法，或共同濺射法，電子束蒸發(fā)法等。
此外，如圖15(c)所示，可用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)對導(dǎo)電層3112′構(gòu)建圖形，形成作為數(shù)據(jù)線3100最下層的金屬膜3112和從該金屬膜3112分支出來的第1金屬膜3116。
接著，如圖15(d)所示，對第1金屬膜3116的表面采用陽極氧化法進(jìn)行氧化，形成絕緣膜3118。此時(shí)，作為數(shù)據(jù)線3110最下層的金屬膜3112的表面也同時(shí)被氧化，同樣形成絕緣膜3114。絕緣膜3118的膜厚根據(jù)其用途可選擇適當(dāng)?shù)闹?，在本?shí)施例中，例如為10～35nm左右。
在本實(shí)施例中，由于TFD320由第1TFD320a和第2TFD320b二者構(gòu)成，假如與對1個(gè)次像素使用1個(gè)TFD的場合相比，絕緣膜3118的膜厚約為一半。再有，用于陽極氧化的氧化液并無特別限定，例如可采用按重量比為0.01～0.1％的檸檬酸水溶液。
下面，如圖15(e)所示，要去除掉從數(shù)據(jù)線3100的基礎(chǔ)部分(被絕緣膜3114覆蓋的金屬膜3112)分支出來的絕緣膜3118之中的虛線部分3119，同時(shí)去除掉作為其基礎(chǔ)的第1金屬膜3116。因此，被第1TFD320a和第2TFD320b共用的第1金屬膜3116要與數(shù)據(jù)線3100進(jìn)行電隔離。再有，要去除掉虛線部分3119，采取常用的光刻和刻蝕技術(shù)。
接著，如圖16(f)所示，可采用濺射等方法使銀單質(zhì)或以銀為主成分的反射性導(dǎo)電層3120′形成膜。再有，該導(dǎo)電層3120′可采用與第1實(shí)施例的導(dǎo)電層312′相同的材料構(gòu)成。
此外，如圖16(g)所示，可用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)對導(dǎo)電層3120′構(gòu)建圖形，分別形成數(shù)據(jù)線3100的反射性導(dǎo)電膜3120，TFD320的第2金屬膜3122、3124和像素電極330的反射性導(dǎo)電膜3320。
此處，在反射性導(dǎo)電膜3320中同時(shí)設(shè)置供透過型用的缺口部309。還有，第2金屬膜3122是來自反射性導(dǎo)電膜3120的分支部分，第2金屬膜3124是從反射型導(dǎo)電膜3320的突出部分。
還有，在對導(dǎo)電層3120′構(gòu)建圖形時(shí)，布線的反射性導(dǎo)電膜352、362、372(請參照圖4)也同時(shí)形成。此處，本實(shí)施例的反射性導(dǎo)電膜3120可用作第1實(shí)施例等的反射性導(dǎo)電膜312。
再有，這些反射性導(dǎo)電膜避開驅(qū)動(dòng)器IC芯片和FPC基板等的鍵合部分而形成，這一點(diǎn)與上述第1實(shí)施例是相同的。
下面，如圖17(h)所示，采用濺射等方法使ITO之類透明的導(dǎo)電層3140′形成膜。又，如圖17(i)所示，采用光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)對導(dǎo)電層3140′構(gòu)建圖形，以完全覆蓋住銀合金等的反射性導(dǎo)電膜3120和第2金屬膜3122的方式形成透明導(dǎo)電膜3140。同樣，以完全覆蓋住反射性導(dǎo)電膜3320和第2金屬膜3124的方式形成透明導(dǎo)電膜3340。
還有，在對導(dǎo)電層3140′構(gòu)建圖形時(shí)，布線的透明導(dǎo)電膜354、364、374中的每一種也以分別完全覆蓋住反射性導(dǎo)電膜352、362、372的方式形成。
再有，此后的制造工藝與第1實(shí)施例相同。亦即，依次形成圖2的保護(hù)膜307，取向膜308，并對該取向膜308進(jìn)行摩擦處理。其后，用適當(dāng)散布有導(dǎo)電性粒子114的密封劑110將背面基板300和同樣對取向膜208作了摩擦處理的正面基板200貼合起來，進(jìn)而形成接近于真空的狀態(tài)，將液晶160滴進(jìn)密封劑110的缺口。其后，恢復(fù)到常壓，用封口劑112封住該缺口。然后，通過安裝驅(qū)動(dòng)器IC芯片122、124和FPC基板150，形成與圖1所示的第1實(shí)施例相同的液晶面板100。
因此，在第4實(shí)施例中，由于TFD320的第2金屬膜3122、3124和數(shù)據(jù)線3100之中的反射性導(dǎo)電膜3120與反射性導(dǎo)電膜3320用同一層形成，因而制造工藝不那么復(fù)雜。還有，由于數(shù)據(jù)線3100包含低阻反射性導(dǎo)電膜3120，因而可降低其布線電阻。
還有，按照第4實(shí)施例，第2金屬膜3122、3124和反射性導(dǎo)電膜3120、3320各自均為銀合金等，然而，由于與布線350、360、370的反射性導(dǎo)電膜352、362、372一樣，被ITO之類的透明導(dǎo)電膜3140、3340無暴露地完全覆蓋住，就可能防止腐蝕和剝離等，其結(jié)果是使可靠性得以提高。
再有，第4實(shí)施例TFD320中的第1TFD320a和第2TFD320b相互反向配置，使得電流電壓特性在正、負(fù)電壓兩個(gè)方向具有對稱性，而如果對電流電壓特性的對稱性沒有那么高的要求，只用1個(gè)TFD當(dāng)然也是可以的。
第4實(shí)施例中的TFD320說起來是兩端型開關(guān)元件的一個(gè)例子。因此，作為有源元件，除使用ZnO(氧化鋅)變阻器和MSI(金屬-半導(dǎo)體-絕緣體)之類的單一元件外，也有可能將兩個(gè)這樣的元件反向串聯(lián)或并聯(lián)起來，用作兩端型開關(guān)元件。除這些兩端型元件外，還進(jìn)而設(shè)置TFT(薄膜晶體管)元件，以此驅(qū)動(dòng)液晶，同時(shí)，對這些元件的布線的一部分(或全部)，也可采用與反射圖形相同的導(dǎo)電層構(gòu)成。
<應(yīng)用實(shí)例和變例>
再有，在上述實(shí)施例中，使用了半透過半反射型的液晶顯示裝置，然而，使用不設(shè)置缺口部309的單一反射型亦可。在作為反射型的場合，也可不用背光，而是根據(jù)需要設(shè)置能從觀察者一側(cè)照射光線的前光。
還有，在半透過半反射型的場合，在反射圖形312(反射性導(dǎo)電膜3320)內(nèi)，不一定必須設(shè)置缺口部309。亦即，來自背面基板300一側(cè)的入射光中的一部分，不論構(gòu)成如何，如能被觀察者通過液晶160辨認(rèn)到即可。例如，如將銀合金等的反射圖形的膜厚減至極薄，在不設(shè)置缺口部309時(shí)，就變成具有半透過半反射圖形的功能。
另一方面，在上述實(shí)施例中，公用電極210和布線350之間的導(dǎo)通是依靠摻進(jìn)密封劑110中的導(dǎo)電性粒子114實(shí)現(xiàn)的，但也可在密封劑110的框外另行設(shè)置的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)。
此外，由于公用電極210(掃描線2100)和段電極310(數(shù)據(jù)線3100)相互之間有相對的關(guān)系，可在前面基板200上形成段電極(數(shù)據(jù)線)，同時(shí)在背面基板300上形成公用電極(掃描線)。
加之，在上述實(shí)施例中，舉出進(jìn)行彩色顯示的液晶顯示裝置加以說明，不言而喻，對僅僅進(jìn)行黑白顯示的液晶顯示裝置也是適用的。
加之，在上述實(shí)施例中，液晶用的是TN型，然而也可采用具有BTN(雙穩(wěn)態(tài)扭曲向列)型和鐵電型等的存儲性能的雙穩(wěn)態(tài)型，高分子分散型，還可采用將在分子的長軸方向和短軸方向?qū)梢姽獾奈站哂懈飨虍愋缘娜玖?賓)溶解到有一定分子排列的液晶(主)中去，使染料分子與液晶分子平行排列的GH(賓主)型等。
還有，可形成在不加電壓時(shí)液晶分子對兩基板呈垂直方向排列，而在施加電壓時(shí)液晶分子對兩基板呈水平方向排列的垂直取向(垂面取向)，也可形成在不加電壓時(shí)液晶分子對兩基板呈水平方向排列，而在施加電壓時(shí)液晶分子對兩基板呈垂直方向排列的平行(水平)取向(沿面取向)。因此，本發(fā)明可適用于各種液晶和取向方式。
<電子裝置>
下面，舉幾個(gè)將上述液晶顯示裝置用于具體的電子裝置的例子加以說明。
<其1移動(dòng)型計(jì)算機(jī)>
首先，對于將本實(shí)施例的液晶顯示裝置應(yīng)用于移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的例子加以說明。圖18是示出該個(gè)人計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的斜視圖。在圖中，個(gè)人計(jì)算機(jī)1100由包括鍵盤1102在內(nèi)的主機(jī)部分1104和該液晶顯示裝置1106構(gòu)成。這種液晶顯示裝置1106是在先前所述的液晶面板100的背面加上背光(圖中予以省略)而構(gòu)成。據(jù)此，顯示可作為有外部光時(shí)的反射型和外部光不充分時(shí)使背光點(diǎn)亮?xí)r的透過型而被人們辨認(rèn)到。
<其2移動(dòng)電話>
下面，舉一個(gè)將液晶顯示裝置應(yīng)用于移動(dòng)電話的顯示部分的例子加以說明。圖19是示出該移動(dòng)電話結(jié)構(gòu)的斜視圖。在圖中，移動(dòng)電話1200除多個(gè)操作鍵1202外，還備有受話口1204，送話口1206，同時(shí)還有上述液晶顯示面板100。再有，在該液晶面板100的背面，可根據(jù)需要設(shè)置供提高可視性的背光(圖中予以省略)。
<其3數(shù)碼相機(jī)>
此外，對于將液晶顯示裝置用于取景器的數(shù)碼相機(jī)加以說明。圖20是示出該數(shù)碼相機(jī)結(jié)構(gòu)的斜視圖，而與外部裝置的連接也簡易地表示出來。
通常的照相機(jī)藉被攝物體的光學(xué)圖像使膠卷感光，與此相對照，數(shù)碼相機(jī)1300則藉CCD(電荷耦合元件)之類的攝像元件對被攝物體的光學(xué)圖像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，生成攝像信號。此處，在數(shù)碼相機(jī)1300的機(jī)殼1302的背面，設(shè)置上述液晶面板100，根據(jù)CCD攝得的攝像信號實(shí)現(xiàn)顯示。因此，液晶面板100具有使被攝物體顯示出來的取景器功能。還有，在機(jī)殼1302的前面(圖中為后面)，要設(shè)置包括光學(xué)鏡頭和CCD等的光接收裝置1304。
此處，攝影者在確認(rèn)顯示于液晶面板100上的被攝物體的圖像后，一旦按下快門按鈕1306，在該時(shí)刻的CCD的攝像信號便傳送并存儲到電路基板1308的存儲器內(nèi)。還有，在該數(shù)碼相機(jī)1300上，在機(jī)殼1302的側(cè)面，設(shè)置有視頻信號輸出端1312和供數(shù)據(jù)通信用的輸入/輸出端1314。然后，如圖所示，可根據(jù)需要將電視監(jiān)視器1430連接到前者的視頻信號輸出端1312，并將個(gè)人計(jì)算機(jī)1440連接到后者的供數(shù)據(jù)通信用的輸入/輸出端1314。此外，采取既定的操作，將存儲在電路基板1308的存儲器內(nèi)的攝像信號輸出到電視監(jiān)視器1430和個(gè)人計(jì)算機(jī)1440內(nèi)。
再有，作為電子裝置，除了圖18的個(gè)人計(jì)算機(jī)，圖19的移動(dòng)電話，圖20的數(shù)碼相機(jī)外，還可列舉出諸如液晶電視機(jī)、取景器型和監(jiān)視器直視型磁帶錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、傳呼機(jī)、電子筆記本、便攜式計(jì)算器、文字處理器、工作站、可視電話、POS(銷售點(diǎn)系統(tǒng))終端、裝有觸摸面板的裝置，等等。不言而喻，上述顯示裝置均可用作各種電子裝置的顯示部分。
如上所述，按照本發(fā)明，在除了將銀合金等用作反射膜還用作布線的場合，也可得到很高的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括敷設(shè)在上述第1基板上的基底膜；在上述基底膜上形成、含銀的反射性導(dǎo)電膜；以及層疊在上述反射性導(dǎo)電膜上的、并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物。
2.如權(quán)利要求1中所述的液晶裝置，其特征在于上述基底膜包括金屬氧化物。
3.如權(quán)利要求1中所述的液晶裝置，其特征在于在上述反射性導(dǎo)電膜的上面有使藍(lán)色分量光線反射的反射層。
4.一種電子裝置，其特征在于包括在權(quán)利要求1中所述的液晶裝置。
5.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括敷設(shè)在上述第1基板的第1布線；敷設(shè)在上述第2基板的導(dǎo)電膜；以及連接上述第1布線和上述導(dǎo)電膜的導(dǎo)通材料，上述第1布線包括基底膜，在上述基底膜上形成的含銀的金屬膜，以及層疊在上述金屬膜上并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。
6.如權(quán)利要求5中所述的液晶裝置，其特征在于上述基底膜包括金屬氧化物。
7.如權(quán)利要求5中所述的液晶裝置，其特征在于上述金屬膜避開與上述導(dǎo)通材料的連接部分而形成。
8.如權(quán)利要求5中所述的液晶裝置，其特征在于包括設(shè)置在上述第1基板上的像素電極；連接到上述像素電極的有源元件；設(shè)置在上述第1基板上、并且連接到上述第1布線上以便對上述液晶施加電壓的信號線；設(shè)置在上述第1基板上的像素電極；以及一端連接到上述像素電極的有源元件，上述信號線連接到上述有源元件的另一端。
9.如權(quán)利要求5中所述的液晶裝置，其特征在于還有驅(qū)動(dòng)上述液晶的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括對上述第1布線供給輸出信號的輸出一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸出一側(cè)的凸點(diǎn)連接到上述第1布線上。
10.如權(quán)利要求9中所述的液晶裝置，其特征在于上述金屬膜避開與上述輸出一側(cè)凸點(diǎn)的連接部分而形成。
11.如權(quán)利要求5中所述的液晶裝置，其特征在于還有設(shè)置在上述第1基板上的第2布線和驅(qū)動(dòng)上述液晶的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括從上述第2布線輸入輸入信號的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸入一側(cè)的凸點(diǎn)連接到上述第2布線上，上述第2布線包括基底膜，在上述基底膜上形成的含銀的金屬膜，以及層疊在上述金屬膜上并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。
12.如權(quán)利要求11中所述的液晶裝置，其特征在于上述金屬膜避開與上述輸入一側(cè)凸點(diǎn)的連接部分而形成。
13.如權(quán)利要求11中所述的液晶裝置，其特征在于還有對上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片供給輸入信號的外部電路基板，上述外部電路基板和上述第2布線連接在一起，上述金屬膜避開與上述外部電路基板的連接部分而形成。
14.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括設(shè)置在上述第1基板上、以便對上述液晶施加電壓的電極；連接到上述電極的第1布線；以及連接到上述第1布線的驅(qū)動(dòng)器IC芯片，上述第1布線包括基底膜，在上述基底膜上形成的含銀的金屬膜，以及層疊在上述金屬膜上并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。
15.如權(quán)利要求14中所述的液晶裝置，其特征在于上述金屬膜避開與上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片的連接部分而形成。
16.如權(quán)利要求14中所述的液晶裝置，其特征在于還有設(shè)置在上述第1基板上的第2布線，上述驅(qū)動(dòng)器IC芯片包括從上述第2布線輸入輸入信號的輸入一側(cè)的凸點(diǎn)，上述輸入一側(cè)的凸點(diǎn)連接到上述第2布線上，上述第2布線包括基底膜，在上述基底膜上形成的含銀的金屬膜，以及層疊在上述金屬膜上并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜。
17.如權(quán)利要求16中所述的液晶裝置，其特征在于還有對上述第2布線供給輸入信號的外部電路基板，上述金屬膜避開與上述外部電路基板的連接部分而形成。
18.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于有設(shè)置在上述第1基板上的布線，上述布線包括基底膜，在上述基底膜上形成的金屬膜，以及層疊在上述金屬膜上的金屬氧化物膜。
19.如權(quán)利要求18中所述的液晶裝置，其特征在于上述基底膜包括金屬氧化物。
20.如權(quán)利要求18中所述的液晶裝置，其特征在于上述金屬膜是銀單質(zhì)或含銀的合金。
21.如權(quán)利要求18中所述的液晶裝置，其特征在于包括設(shè)置在上述第1基板附近、不與上述第2基板重疊的第1突出區(qū)域；以及在上述第1基板上，設(shè)置在與上述一邊相交的另一邊附近、不與上述第2基板重疊的第2突出區(qū)域，上述布線經(jīng)過上述第1突出區(qū)域和第2突出區(qū)域兩者而被設(shè)置。
22.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括敷設(shè)在上述第1基板上的基底膜；在上述基底膜上形成、含銀的反射性導(dǎo)電膜；含有層疊在上述反射性導(dǎo)電膜上的、并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜的第1透明電極；以及設(shè)置在上述第2基板上的第2透明電極，對應(yīng)于上述第1透明電極和上述第2透明電極的交叉區(qū)域，設(shè)置半透過部分。
23.一種液晶裝置，其第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括敷設(shè)在上述第1基板上的基底膜；在上述基底膜上形成、含銀的反射性導(dǎo)電膜；含有層疊在上述反射性導(dǎo)電膜上的、并且以邊緣部分與上述基底膜相接的方式構(gòu)建圖形的金屬氧化物膜的第1透明電極；以及設(shè)置在上述第2基板上的第2透明電極，對應(yīng)于上述第1透明電極和上述第2透明電極的交叉區(qū)域，設(shè)置著色層。
24.一種液晶裝置的制造方法，該液晶裝置的第1基板和第2基板相向配置，并在上述第1基板和上述第2基板的間隙封入液晶，其特征在于包括在上述第1基板上形成基底膜的工序；在上述基底膜上形成含銀的反射性導(dǎo)電膜的工序；以及在上述反射性導(dǎo)電膜上以邊緣部分與上述基底膜相接的方式形成金屬氧化物膜的工序。
25.如權(quán)利要求24中所述的液晶裝置的制造方法，其特征在于形成金屬氧化物作為上述基底膜。
26.如權(quán)利要求24中所述的液晶裝置的制造方法，其特征在于還有同時(shí)對上述基底膜和上述金屬氧化物膜構(gòu)建圖形的工序。
全文摘要
本發(fā)明的課題是一種液晶裝置及其制造方法和電子裝置,在該液晶裝置中,在銀合金等除被用作反射膜外還被用作布線的場合,液晶顯示裝置可實(shí)現(xiàn)高可靠性。液晶顯示裝置是用密封劑110使基板200、300在保持指定間隙的情況下貼合在一起,同時(shí)將液晶160封入該間隙中而構(gòu)成的。其中,在基板200的相向面上設(shè)置透明公用電極210,而在基板300的相向面上設(shè)置基底膜303,以銀單質(zhì)或含銀的銀合金構(gòu)成的反射圖形312,以及層疊在其上、同時(shí)以該邊緣部分與基底膜303相接的方式構(gòu)建圖形的透明導(dǎo)電膜314。此處,由反射圖形312和透明導(dǎo)電膜314構(gòu)成的段電極310與公用電極210作正交排列。
文檔編號G02F1/1368GK1335531SQ0112212
公開日2002年2月13日 申請日期2001年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月25日
發(fā)明者花川學(xué), 日向章二 申請人:精工愛普生株式會社