專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣型液晶顯示裝置。
隨著液晶顯示裝置的大型化和高分辨率的發(fā)展，存在顯示不均勻的問題。這是由掃描線的時間常數(shù)生成的掃描電壓波形的失真引起的。即，掃描配線的供電端中，雖然掃描電壓脈沖中沒有變形和發(fā)散，但從供電端分離后，在掃描電壓脈沖的波形中產(chǎn)生變形和發(fā)散。因此，在掃描脈沖下降沿時施加在各象素上的饋通電壓中產(chǎn)生差，因為該差作為液晶施加電壓的直流(DC)成分而殘存，所以是看作的顫動(閃爍)。另外，該DC電壓成分也會產(chǎn)生顯示保留現(xiàn)象或顫動等問題。
本發(fā)明的背景技術(shù)在特開平10-3932110號公報中提出一種在畫面內(nèi)均勻該饋通電壓來解決上述問題的技術(shù)。圖36和圖37A-C表示其構(gòu)成。圖36是液晶顯示裝置的平面圖，211是液晶面板，212是掃描側(cè)的驅(qū)動電路，213是圖像信號側(cè)的驅(qū)動電路。圖37A-C是圖36的a、b、c各部分中的象素部的放大圖。設(shè)置在層間絕緣膜下的輔助電容線204和象素電極203之間的重疊部210a-210c的面積為，與重疊部210b部相比，重疊部210a中的大，重疊部210c中的小。因此，從掃描配線的供電端開始分離，在上述重疊部中形成的存儲電容變小，可去除伴隨掃描電壓波形的變形或發(fā)散的饋通電壓的差。另外，通過在透明電極中形成輔助電容線204，a部、b部、c部中透過光的面積相等。
但是，當(dāng)輔助電容線的電阻值變高時，會引起信號延遲，所以一般使用電阻值低的金屬膜。此時，因為金屬膜是不透明體，所以在如此構(gòu)成時，公用電極的面積差變?yōu)槊總€象素中的孔徑比率的差。如圖38A-C所示，用遮光膜來消除孔徑比率的差時，必須考慮基板的粘貼邊緣，孔徑比率大大降低。
另外，將這種構(gòu)成適用于水平電場型(例如IPS型內(nèi)部·平開關(guān)型)等在象素區(qū)域的一部分上存在未由象素電極覆蓋的區(qū)域的液晶顯示裝置的情況下，存儲電容部的面積變化擾亂了液晶層中的電場，顯示特性變差，產(chǎn)生所謂顯示特性因象素不同的問題。
發(fā)明概述為了解決上述問題，本發(fā)明的有源矩陣型液晶顯示裝置在每個象素區(qū)域中通過象素電極、絕緣層和公用電極的重疊來形成存儲電容部，在象素區(qū)域的一部分中包含未覆蓋象素電極的非電極區(qū)域，其特征在于所述存儲電容部與所述非電極區(qū)域連接側(cè)的外緣形狀在各象素之間實質(zhì)上是相同的，所述存儲電容部的存儲電容值在供電側(cè)和終端側(cè)不同，供電側(cè)的值比終端側(cè)的大。
上述意味著所謂的當(dāng)實質(zhì)相同時包含在制造時允許的品質(zhì)參差不齊程度差。
通過該構(gòu)造，可不依賴于象素而使孔徑比率或液晶顯示區(qū)域附近的電場一定，從終端側(cè)到供電側(cè)可均勻顯示。
附圖簡介

圖1A是本發(fā)明實施例1中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖1B是相同終端側(cè)的平面圖；圖2是圖1的I-I線剖面圖；圖3A是本發(fā)明實施例2中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖3B是相同終端側(cè)的平面圖，圖3C是圖3A的II-II線剖面圖；圖4A是本發(fā)明實施例2中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖4B是相同終端側(cè)的平面圖；圖5A是本發(fā)明實施例3中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖5B是相同終端側(cè)的平面圖；圖6A是本發(fā)明實施例3中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖6B是相同終端側(cè)的平面圖；圖7A是本發(fā)明實施例4中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖7B是相同終端側(cè)的平面圖；圖8A是本發(fā)明實施例4中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖8B是相同終端側(cè)的平面圖；圖9A是本發(fā)明實施例5中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖9B是相同終端側(cè)的平面圖；圖10A是本發(fā)明實施例5中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖10B是相同終端側(cè)的平面圖；圖11A是本發(fā)明實施例2中用于比較的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖7B是相同終端側(cè)的平面圖；圖12A是本發(fā)明實施例6中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖12B是相同終端側(cè)的平面圖；圖13是表示圖12A的III-III線的象素剖面的剖面圖；圖14A是本發(fā)明實施例6中用于比較的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖14B是相同終端側(cè)的平面圖；圖15A是本發(fā)明實施例7中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖15B是相同終端側(cè)的平面圖；圖16A是本發(fā)明實施例8中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖16B是相同終端側(cè)的平面圖；圖17A是本發(fā)明實施例9中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖17B是相同終端側(cè)的平面圖；圖18A是本發(fā)明實施例10中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖18B是相同終端側(cè)的平面圖；圖19A是本發(fā)明實施例11中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖19B是相同終端側(cè)的平面圖；圖20A是本發(fā)明實施例11中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖20B是相同終端側(cè)的平面圖；圖21A是本發(fā)明實施例12中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖21B是相同終端側(cè)的平面圖；圖22A是本發(fā)明實施例13中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖22B是相同終端側(cè)的平面圖；圖23A是本發(fā)明實施例14中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖23B是相同終端側(cè)的平面圖；圖24A是本發(fā)明實施例14中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖24B是相同終端側(cè)的平面圖；圖25A是本發(fā)明實施例15中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖25B是相同終端側(cè)的平面圖26A是圖25A的IV-IV線剖面圖，圖26B是圖25B的V-V線剖面圖；圖27A是本發(fā)明實施例17中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖27B是相同終端側(cè)的平面圖；圖28A是圖27A的VI-VI線剖面圖，圖28B是圖27B的VII-VII線剖面圖；圖29A是本發(fā)明實施例18中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖29B是相同終端側(cè)的平面圖；圖30A是本發(fā)明實施例19中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖30B是相同終端側(cè)的平面圖；圖31A是本發(fā)明實施例20中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖31B是相同終端側(cè)的平面圖；圖32A是圖31A的VIII-VIII線剖面圖，圖32B是圖31B的IX-IX線剖面圖；圖33A是本發(fā)明實施例21中的液晶顯示裝置供電側(cè)的平面圖，圖33B是相同終端側(cè)的平面圖；圖34A是圖33A的X-X線剖面圖，圖34B是圖33B的XI-XI線剖面圖；圖35A、B是表示本發(fā)明液晶顯示裝置構(gòu)成的框圖；圖36是表示現(xiàn)有實例的液晶顯示裝置的平面圖；圖37A-C是表示現(xiàn)有實例的液晶顯示裝置的象素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖38A-C是表示現(xiàn)有實例的液晶顯示裝置的平面圖。
本發(fā)明的詳細(xì)描述在本發(fā)明中，所述存儲電容部的存儲電容值最好在供電側(cè)為100時，在終端側(cè)為10以上未滿100的范圍內(nèi)。根據(jù)該最佳實例，通過在每個象素中改變存儲電容開口部的面積，可將象素孔徑比率原樣保持一定來變化存儲電容值。因此，可不依賴于象素而使孔徑比率或液晶顯示區(qū)域附近的電場一定，從終端側(cè)到供電側(cè)可均勻顯示。
另外，所述存儲電容部的存儲電容值因在所述存儲電容部上形成開口部而不同。
另外，所述存儲電容部的存儲電容值使構(gòu)成所述存儲電容部的象素電極、所述公用電極的供電方向側(cè)或終端方向側(cè)的面積不同。根據(jù)該實例，可最佳化各域中的電場，得到均勻顯示。
另外，使構(gòu)成所述存儲電容部的象素電極的面積不同的裝置最好為從所述公用電極的供電方向側(cè)或終端方向側(cè)中的突出部和凹部中選擇的至少一種形狀。
另外，所述象素電極的面積在供電側(cè)為100時，在終端側(cè)為10以上不滿100的范圍內(nèi)。
另外，最好通過使構(gòu)成所述存儲電容部的層間絕緣膜的厚度不同來使所述存儲電容部的存儲電容值不同。
另外，構(gòu)成所述存儲電容部的層間絕緣膜的厚度在供電側(cè)為100時，在終端側(cè)為100以上不滿300的范圍內(nèi)。
另外，最好形成兩層以上的所述層間絕緣膜。因為存儲電容值可變大。
另外，所述兩層以上的層間絕緣膜最好是由第1介質(zhì)層和第2介質(zhì)層形成。
另外，最好在所述第2介質(zhì)層上形成開口部，通過改變所述開口部的面積來改變存儲電容值。改變膜厚變得容易。
另外，所述顯示裝置最好是從水平電場型有源矩陣型液晶顯示裝置和螺旋狀向列(TN)型有源矩陣型液晶顯示裝置中選擇的至少一種液晶顯示裝置。
另外，所述象素電極的寬度可以比所述公用電極的寬度大，也可以小。
另外，也可在掃描配線上形成存儲電容部。根據(jù)該最佳實例，可提高孔徑比率。
另外，在供電側(cè)和終端側(cè)中使所述存儲電容部的存儲電容值不同的裝置也可使變形或開口電極的形狀的構(gòu)成和改變層間絕緣膜的厚度的構(gòu)成組合。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，可在每個象素中變化存儲電容值的同時，保持一定的孔徑比率。另外，通過用于水平電場方式的液晶顯示裝置中，不僅能將象素孔徑比率原樣保持一定，改變存儲電容值，還能將施加到顯示部分液晶層上的電場保持相等。因此，顯示特性未破壞，未形成不均勻。另外，在為了提高對比度而使用遮光膜的情況下，因為與現(xiàn)有構(gòu)成相比，使用了寬度窄的遮光膜，所以孔徑比率也不會大幅度降低。
下面參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。
(實施例1)圖1A-B是表示本發(fā)明實施例1中的螺旋狀向列(TN)型液晶顯示裝置構(gòu)成的平面圖。圖1A表示供電側(cè)，圖1B表示終端側(cè)。
圖1A-B中，1為掃描配線，2為圖像信號配線，在其交點(diǎn)處形成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFTThin Film Transistor)5。50為形成TFT溝道所用的半導(dǎo)體層，柵極、源極、漏極分別連接于掃描配線、圖像信號配線、由透明導(dǎo)體構(gòu)成的象素電極3上。
圖2是由直線I-I截圖1所得的剖面圖。在陣列基板100上形成公用電極4，層積層間絕緣膜103后，形成象素電極3，在其表面上形成定向膜11。另一方面，在對向基板101上形成由透明導(dǎo)體形成的對向電極8，在其表面上形成定向膜10。另外，通過向液晶層102上施加由與象素電極的電位差而產(chǎn)生的電場，控制液晶分子的定向來進(jìn)行顯示。在液晶顯示裝置中，雖然保持定向該液晶的定向膜和基板間蓋的間隙和彩色濾波器或遮光膜是有必要的，但未圖示。
在該結(jié)構(gòu)中，象素電極和對向電極的重疊部為存儲電容部7，通過保持施加到液晶層上的電位，對TFT的斜流引起的象素電壓變動進(jìn)行補(bǔ)償。本發(fā)明的液晶顯示裝置在形成存儲電容部的對向電極部上設(shè)置開口部6，通過在每個象素中改變其面積來變化存儲電容值。具體而言，從掃描信號供電側(cè)向終端側(cè)，開口部的面積變寬，存儲電容值也漸漸變小。
在由不透明導(dǎo)體形成對向電極的情況下，因為由開口部6來透過光，所以通過其面積來變化象素孔徑比率。為了使象素孔徑比率一定，有必要使用遮光膜，在本實施例的構(gòu)成中，因為僅遮蔽存儲電容部的開口部即可，所以與現(xiàn)有實例相比，孔徑比率未大幅度降低。另外，對向電極為不透明導(dǎo)體時，在開口部上設(shè)置象素電極，通過變化開口部的面積，可變化存儲電容值。此時，因為從存儲電容部不透過光，所以存在沒必要使用遮光膜的優(yōu)點(diǎn)。
此時，如果對向電極的外形相同，則即使在每個象素中變化存儲電容值，也能使孔徑比率一定。這里，由加工引起的變形和由尺寸變化引起的變形的不同作為相同形狀的范疇。
(實施例2)圖3A-C和圖4A-B是表示本發(fā)明實施例2中的水平電場方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。圖3中雖然未向象素電極3施加剖面線，但該電極由與圖像信號配線2相同的導(dǎo)電層形成。
圖3A-C和圖4A-B中，1為掃描配線，2為圖像信號配線，在其交點(diǎn)處形成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管5。50為形成TFT溝道所用的半導(dǎo)體層，柵極、源極、漏極分別連接于掃描配線1、圖像信號配線2、象素電極3上。此時象素電極3和公用電極4為梳形形狀，由兩電極間的電場來控制存在于其間的液晶分子，進(jìn)行顯示。
公用電極4通過公用電極的支路40取得相互的導(dǎo)通。11為鈍化膜(用于保護(hù)TFT的膜)。如圖3C所示，在該支路上覆蓋一部分象素電極，在形成象素電極3的第1導(dǎo)電層和形成公用電極4的第2導(dǎo)電層之間形成夾持的層間絕緣膜12。由此，如圖3A-B所示，形成存儲電容部7。并且，支路40具有作為對于存儲電容部7的對向電極的功能。
通過在形成存儲電容的象素電極部(圖3A-B)或支路(圖4A-B)任一處中設(shè)置開口部6，從供電側(cè)向終端來變大其開口面積，可逐漸減小覆蓋部的面積、即存儲電容部7的電容值。
在本實施例的覆蓋部中，在形成存儲電容部的兩個導(dǎo)電層內(nèi)形成圖案，以在公用電極的支路40的內(nèi)側(cè)形成象素電極3。因此，構(gòu)成存儲電容部的多個電極的外緣不隨象素變化，而為相同形狀，孔徑比率不隨象素變化而為一定。另外，因為該外緣不隨象素變化而由相同電極構(gòu)成，所以施加到存儲電容部附近8、9的液晶層上的電場也不隨象素變化，而為一定的。因此，可進(jìn)行無顯示不均的均勻顯示。
用圖11A-B來對其進(jìn)行說明。在該構(gòu)成中，通過改變每個象素中形成于公用電極支路40上的象素電極3的寬度，可變化存儲電容值。在供電側(cè)，象素電極突出支路的外側(cè)，在終端側(cè)，形成于支路的內(nèi)側(cè)。因此，在如此構(gòu)成中，孔徑比率因象素而不同。
由透明導(dǎo)體形成象素電極，并由不透明基體等遮光膜進(jìn)行遮光以不產(chǎn)生開口面積差，雖然可使孔徑比率一定，但存在如下所示問題。即，在圖11A-B中以斜線表示的存儲電容附近的液晶層8、9中，供電側(cè)的象素電極、終端側(cè)的公用電極的支路分別從存儲電容側(cè)引出來。因為通常象素電極和支路的電位不同，所以施加在這些液晶層上的電場也不同。因此，在供電側(cè)和終端側(cè)中液晶排列不同而產(chǎn)生顯示輝度的差，這變?yōu)轱@示不均勻而被看見。當(dāng)用遮光膜來消除該顯示不均勻時，因為遮光膜形成于對向基板上，所以由于基板的貼合邊緣而大幅度降低了孔徑比率。
另一方面，在本發(fā)明的圖3A-B的構(gòu)成中，從存儲電容7側(cè)連接存儲電容附近的液晶層8、9的電極必然為供電側(cè)或終端側(cè)的公用電極的支路40。因此，即使每個象素中的存儲電容值的面積(存儲電容值)改變，涉及顯示的部分電場仍保持相等。另外，在不使用遮光膜時，象素的開口面積也相等。
在本實施例中，因為掃描配線上沒有存儲電容部，所以可降低掃描配線的時間常數(shù)，通過抑制掃描信號的變形或發(fā)散引起的象素再充電，可得到良好的顯示。
在圖3A-B中，當(dāng)象素電極中寬度不很寬，難以在加工時設(shè)置開口部時，可在公用電極的支路40上設(shè)置了開口部6。另外，如圖4所示，因為可通過在象素電極3上設(shè)置開口部來降低支路的寄生電容，所以可降低時間常數(shù)，而趨向高精度。
(實施例3)圖5、6是表示本發(fā)明實施例3中的水平電場方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。雖然圖5中未對象素電極3施加陰影線，但該電極由與圖像信號配線2相同的導(dǎo)電層構(gòu)成。
實施例2中雖然通過在公用電極的支路40上的一部分中形成象素電極3來構(gòu)成存儲電容部7，但在本實施例中，象素電極通過完全覆蓋公用電極的支路來形成，構(gòu)成存儲電容部。另外，圖5中在公用電極4上，圖6中在象素電極3上設(shè)置開口部6，通過從供電側(cè)向終端側(cè)變大其面積來變化存儲電容值。
根據(jù)本實施例，從存儲電容部7側(cè)連接于存儲電容附近的液晶層110、111的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。因此，可得到與實施例1中所說明的相同的效果。即，在每個象素中改變存儲電容部7的面積時，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)的電場保持相等。
本實施例的其它特征如下所示。
第1.因為在掃描配線上沒有形成存儲電容部，所以可降低掃描配線的時間常數(shù)，在這點(diǎn)上，當(dāng)設(shè)計與實施例1相同的存儲電容值時，可變窄支路的寬度，可防止象素的開口部取得過寬等，適于高精度。
第2.提高成品率。為了形成存儲電容部，有必要在公用電極的支路40上層積象素電極3。在圖3、4的構(gòu)成中，因為向支路的段位差部位傳導(dǎo)象素電極的梳形部分，所以在該段位差中存在產(chǎn)生斷線、發(fā)生象素缺陷的情況。在本實施例的構(gòu)成中，象素電極使用存儲電容部的整個寬度來傳導(dǎo)段位差部。因此，在產(chǎn)生切斷的同時，提高了成品率。
第3.在存儲電容部中，存在于液晶層附近的象素電極完全覆蓋存在于下層的支路，完全防止了支路電場向液晶層的泄漏。因此，可進(jìn)行均勻的顯示。
另外，在圖5中，通過在象素電極上設(shè)置在公用電極的支路上設(shè)置的開口部(圖6)，降低了支路的電阻值，并可降低時間常數(shù)，因此，趨向高精度。
(實施例4)圖7、8是表示本發(fā)明實施例4中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。雖然圖7中象素電極3未施加陰影線，但該電極由與圖像信號配線2相同的導(dǎo)電層構(gòu)成。
實施例2中雖然通過公用電極的支路40和象素電極3成象構(gòu)成存儲電容部7，但在本實施例中，由通過層間絕緣膜而形成的掃描配線1和象素電極3來構(gòu)成，在掃描配線(圖7)或象素電極(圖8)上設(shè)置開口部6，通過變化其在每個象素中的面積，變化存儲電容值。另外，象素電極以完全傳導(dǎo)掃描配線的形式形成。
根據(jù)本實施例，從存儲電容側(cè)連接于存儲電容附近的液晶層110、111上的導(dǎo)電層必然為供電側(cè)或終端側(cè)的掃描配線。因此，即使在本實施例中，也可改變存儲電容的面積時，將涉及顯示的部分的電場保持相等，進(jìn)行良好顯示。另外，因為公用電極的支路40未用作形成存儲電容的導(dǎo)電層，所以支路的寬度可變細(xì)，可增加象素的開口面積。
在圖7中，在該構(gòu)成在象素電極上的寬度不很寬，加工時未設(shè)置開口部時，可在掃描配線上設(shè)置開口部。另外，通過與圖8一樣在象素電極部上設(shè)置開口部，降低了掃描配線的電阻值，并可降低配線的時間常數(shù)，因此，趨向高精度。
(實施例5)圖9、10是表示本發(fā)明實施例5中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。雖然圖9中象素電極3未施加陰影線，但該電極由與圖像信號配線2相同的導(dǎo)電層構(gòu)成。
雖然與實施例4相同，由掃描配線1和象素電極3來形成存儲電容部7，但在本實施例中，象素電極完全覆蓋掃描配線來形成。另外，在掃描配線(圖9)或象素電極(圖10)的存儲電容部中設(shè)置開口部6，通過從供電側(cè)向終端側(cè)變化其面積，可逐漸減少存儲電容值。
通過本實施例，連接于存儲電容部附近的液晶層8、9的導(dǎo)電層變?yōu)樽兓鎯﹄娙菝娣e所必需的象素電極，涉及顯示的部分的電場保持相等，可進(jìn)行良好顯示。
另外，根據(jù)本實施例，因為存儲電容部中形成為象素電極完全覆蓋掃描配線，可由象素電極來遮蔽掃描信號引起的電場，可完全防止由掃描信號引起的電場匯漏進(jìn)存儲電容附近的液晶層8、9，能夠良好顯示。
并且，因為掃描配線的段位差而未在象素電極的梳形部中產(chǎn)生切斷，所以抑制了象素缺陷的發(fā)生，提高了成品率。
如圖10所示，通過在象素電極上設(shè)置開口部，降低了掃描配線的電阻值，并可降低時間常數(shù)，因此，趨向高精度。
(實施例6)圖12A-B是表示本發(fā)明實施例6中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。圖12A-B中，1為掃描電極，2為圖像信號電極，在其交點(diǎn)處形成作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(下面簡稱為TFT)5。50是用于形成TFT5的溝道的半導(dǎo)體層。TFT5的柵極、源極、漏極分別連接于掃描電極1、圖像信號配線2、象素電極3上。象素電極3和公用電極4為節(jié)型形狀，存在于其間的液晶通過兩個電極3、4之間的電場進(jìn)行動作，以進(jìn)行顯示。
圖12A的III-III線的剖面圖為圖13。圖13中，100為一側(cè)的基板，形成象素電極3和公用電極4。103是用于兩個電極分離的層間絕緣膜，104為用于保護(hù)薄膜晶體管的鈍化膜。102為液晶層，夾在基板100和另一基板101之間。
如圖13所示，象素電極3和公用電極4之間的電壓差產(chǎn)生箭頭所示的電力線。圖中表示的是通過液晶層102的內(nèi)部。在去除電極上部的部分中，電力線以平行于基板100的成分為主，平行于該基板100的電場使液晶動作。在這種液晶顯示裝置中，實際上，因為在液晶的全部動作區(qū)域中并不存在象素電極3，所以電極邊緣部的形狀或位置的細(xì)小不同會容易引起電場變化，這變?yōu)轱@示不均勻而被看見。
如圖12所示，多個公用電極4通過支路40而取得相互導(dǎo)通。在該支路40上覆蓋部分象素電極3，在形成公用電極4的第1導(dǎo)電層和形成象素電極3的第2導(dǎo)電層之間夾著層間絕緣膜，形成存儲電容部7。即，支路40作為對存儲電容部7的公用電極。
通過變化每個象素中象素電極3的形狀，覆蓋部的面積從供電端向終端逐漸變小。作為一個實例，終端側(cè)如圖12B所示，象素電極為H型，供電端如圖12A所示，為兩側(cè)突出的形狀，該突出量也可逐漸變化。因此，存儲電容部7的值也從供電端向終端逐漸變小。
在本實施例中，對覆蓋部象素形狀變化的象素電極3進(jìn)行圖案設(shè)計，以在作為其它電極的支路40的內(nèi)側(cè)。因此，構(gòu)成存儲電容部7的多個電極的外緣在所有象素中為相同形狀，因此孔徑比率不隨象素變化，是一定的。另外，因為該外緣在全部象素中由相同電極構(gòu)成，所以存儲電容部7周圍的電場也不隨象素變化，是一定的。因此，可進(jìn)行沒有顯示不均勻的均勻顯示。下面對其進(jìn)行說明。
首先參照圖14A-B來說明比較例。在該圖的構(gòu)成中，每個象素中形狀變化的象素電極3突出作為公用電極的支路40的外側(cè)。因此，如圖14A的供電側(cè)、圖14B的終端側(cè)所示，孔徑比率因象素而不同。為了將其消除，如果象素電極3由透明電極形成，用遮光膜來覆蓋生成開口面積差的部分，則雖然孔徑比率一定，但存在如下所示的電場不均勻的問題。
即，對于圖中斜線所示的存儲電容附近部331，從存儲電容部7側(cè)連接供電端(圖14A)的象素電極3、終端側(cè)(圖14B)的支路40。因為兩者的電位不同，所以在供電側(cè)和終端側(cè)，存儲電容附近部331的電場中產(chǎn)生差。因此，液晶排列不同，產(chǎn)生顯示輝度差，變?yōu)轱@示不均勻而被看見。通過用遮光膜掩蓋該部分，消除了顯示輝度差，大大降低了孔徑比率。其原因是電場引起的液晶排列不同涉及從電極端到數(shù)微米的范圍，和形成遮光膜時的圖案或兩個基板貼合時尺寸配合必需數(shù)微米，上述兩個理由使得有必要變大遮光膜的面積。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的圖12A-B的構(gòu)成，對于存儲電容附近部309，從存儲電容部7側(cè)(圖中的上或下)連接的電極為供電側(cè)(圖12A)或終端側(cè)(圖12B)的支路40。因此，即使存儲電容部7的面積因象素而不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與圖14A-B的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
本實施例的構(gòu)成與下述的其它實施例相比，因為在掃描電極1上沒有形成存儲電容而掃描電極1的時間常數(shù)低的點(diǎn)、和因為在作為公用電極的支路40上沒有必要形成收縮部而公用電極電阻不上升、公用電極的時間常數(shù)未增加的點(diǎn)上，適于大型化或高精度化。另外，因為構(gòu)成簡單，所以還存在所謂容易設(shè)計或加工的優(yōu)點(diǎn)。
(實施例7)圖15A-B是表示本發(fā)明實施例7中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。該圖中，象素電極3雖然與上述實施例相同以與圖像信號配線2相同的電極層形成，但為了圖的易見性而省略開關(guān)，另外，用粗線描繪外形線。
與實施例6中變化每個象素中形成存儲電容部7的象素電極3的面積不同，在本實施例中，通過變化每個象素中作為公用電極的公用電極4的支路40的粗細(xì)，從供電側(cè)(圖15A)向終端側(cè)(圖15B)變小存儲電容值。
根據(jù)本實施例的構(gòu)成，對于存儲電容附近部341，從存儲電容部7側(cè)連接的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。因此，可得到與實施例6相同的效果。即，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與作為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
下面說明本實施例的特征。
第1因為在掃描配線1上沒有形成存儲電容部7，所以可通過降低掃描配線1的時間常數(shù)，并且因為沒必要在支路40上形成收縮部，所以可通過公用電極的電阻不上升、公用電極的時間常數(shù)不增加，適于大型化或高精度化。
第2.提高成品率。為了形成存儲電容部7，象素電極3有必要傳導(dǎo)由支路40的側(cè)緣形成的段位差部分。在圖12的構(gòu)成中，因為向該段位差部位傳導(dǎo)梳形電極部，所以在該段位差中存在產(chǎn)生斷線，發(fā)生象素缺陷的情況。在本實施例的構(gòu)成中，象素電極3使用存儲電容部的整個寬度來傳導(dǎo)段位差部，將節(jié)型電極部配置在平坦的面上。因此，在段位差部分中產(chǎn)生切斷的同時，提高了成品率。
第3.在存儲電容部7中，存在于液晶層的上層中的象素電極3完全覆蓋存在于下層的支路40，完全防止了支路40的電場向液晶層的泄漏。因此，可即使為了變化存儲電容值而改變支路40的形狀，因為沒有發(fā)生電場泄漏，所以與實施例6相比，可進(jìn)行均勻的顯示。
(實施例8)圖16A-B是表示本發(fā)明實施例8中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。與實施例6不同，在形成象素電極3中的存儲電容部7中，在供電側(cè)(圖16A)和終端側(cè)(圖16B)中具有共同形狀的部分(共同形狀部分)延伸到支路40的外側(cè)，供電側(cè)中追加的部分7’收斂于支路40的內(nèi)側(cè)。另外，與上述實施例相同，支路40作為存儲電容部7的公用電極。
根據(jù)本實施例，從存儲電容側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的共同形狀部分的存儲電容附近部352上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。另一方面，從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的變化部分的存儲電容附近部351上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的支路40。
因此，在本實施例中，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與作為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
在本實施例的液晶顯示裝置中，因為構(gòu)成存儲電容部7的共同部分的象素電極5的部分突出支路40的外側(cè)構(gòu)成，所以與實施例1相比，存儲電容變大。因此，象素電位的穩(wěn)定度高，可得到在驅(qū)動電壓波形的噪聲引起的圖像紊流方面強(qiáng)的液晶顯示裝置。
另外，因為掃描電極1上未形成存儲電容7，所以在掃描電極1的時間常數(shù)低的這點(diǎn)上，適于大型化或高精度化。并且，與實施例7的情況相同，具有所謂在段位差部分中產(chǎn)生斷線的同時，提高制品成品率的優(yōu)點(diǎn)。
(實施例9)圖17A、B是表示本發(fā)明實施例9中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。該圖中，象素電極3雖然與上述實施例相同以與圖像信號配線2相同的電極層形成，但為了圖的易見性而省略開關(guān)，另外，用粗線描繪外形線。
本實施例的特征在于在形成支路40中的存儲電容部7的部分中，在供電側(cè)(圖17A)和終端側(cè)(圖17B)的共同形狀部分延伸到象素電極3的外側(cè)，終端側(cè)中變細(xì)的部分363收斂于象素電極3的內(nèi)側(cè)。另外，與上述實施例相同，支路40作為存儲電容部7的公用電極。
根據(jù)本實施例，從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的共同形狀部分的存儲電容附近部362上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的支路40。從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的變化部分的存儲電容附近部361上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。
因此，在本實施例中，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與作為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
另外，因為掃描電極1上未形成存儲電容7，所以在掃描電極1的時間常數(shù)低的這點(diǎn)上，適于大型化或高精度化。
(實施例10)圖18A-B是表示本發(fā)明實施例10中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。在本實施例中，作為存儲電容部7的形成位置，用掃描電極1來代替上述實施例中的支路40，在掃描電極1和象素電極3之間夾持層間絕緣層，形成存儲電容部7。
在形成存儲電容部7的部分中，象素電極3的外形線收斂在掃描電極1的內(nèi)側(cè)。通過變化每個象素中的象素電極3的形狀，覆蓋面積從供電側(cè)(圖18A)向終端側(cè)(圖18B)逐漸變小。因此，存儲電容值也從供電側(cè)向終端側(cè)逐漸變小。
本實施例也與實施例1相同，在覆蓋部中，作為每個象素中形狀變化一方的電極的象素電極3以收斂于另一方的掃描電極1的內(nèi)側(cè)來設(shè)計圖案。因此，即使在象素電極3中設(shè)置突出部分371，存儲電容部7周圍的電場和象素孔徑比率也不隨象素變化，可保持一定，可進(jìn)行無顯示不均勻的均勻顯示。
另外，在本實施例中，從存儲電容部7側(cè)連接到存儲電容附近部372上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的掃描電極1。因為存儲電容部7的面積在每個象素中不同，所以涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與表示為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
在本實施例的液晶顯示裝置中，因為在掃描電極1上形成存儲電容部7，所以與實施例6至9的裝置相比，公用電極4的支路40的寬度變窄，具有所謂孔徑比率變高的優(yōu)點(diǎn)。另外，因為構(gòu)成簡單，所以還存在所謂容易設(shè)計或加工的優(yōu)點(diǎn)。
(實施例11)圖19A-B是表示本發(fā)明實施例11中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。該圖中，象素電極3雖然以與圖像信號配線2相同的電極層形成，但為了圖的易見性而省略開關(guān)，另外，用粗線描繪外形線。
在實施例10中，變化每個象素中形成存儲電容部7的象素電極3的面積，但在本實施例中，變化每個象素中掃描電極1的粗細(xì)，存儲電容值從供電側(cè)(圖19A)向終端側(cè)(圖19B)變小。
本實施例也與實施例10相同，在覆蓋部中，每個象素中形狀變化的掃描電極1以收斂于形狀未變化的象素電極3的內(nèi)側(cè)來設(shè)計圖案。因此，即使在掃描電極1中設(shè)置凹部，存儲電容周圍的電場和象素孔徑比率也不隨象素變化，可保持一定，可進(jìn)行無顯示不均勻的均勻顯示。
根據(jù)本實施例的構(gòu)成，從存儲電容部7側(cè)連接到存儲電容附近部381上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的掃描電極1。連接到存儲電容附近部382上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。
因為與上述各實施例相同，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，所以涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與表示為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
在本實施例的液晶顯示裝置中，因為在掃描電極1上形成存儲電容部7，所以公用電極4的支路40的寬度變窄，具有所謂孔徑比率變高的優(yōu)點(diǎn)。
另外，如圖20A-B所示，如果為左右擴(kuò)大存儲電容部7形成部的構(gòu)造，則存儲電容部7變大，提高象素電位的穩(wěn)定性，可得到在由驅(qū)動電壓波形的噪聲引起的圖像紊流方面強(qiáng)的液晶顯示裝置。
(實施例12)圖21A-B是表示本發(fā)明實施例12中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。與實施例10不同，在形成象素電極3中的存儲電容部7的部分中，供電側(cè)(圖21A)和終端側(cè)(圖21B)的共同形狀部分延伸到掃描電極1的外側(cè)，供電側(cè)中追加的部分393收斂于掃描電極1的內(nèi)側(cè)。
根據(jù)本實施例，從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的共同形狀部分的存儲電容附近部392上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部的變化部分的存儲電容附近部391上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的掃描電極1。
因此，在本實施例的構(gòu)成中，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與表示為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
在本實施例的液晶顯示裝置中，因為構(gòu)成存儲電容部7的共同形狀部分的象素電極3突出掃描電極1的外側(cè)構(gòu)成，所以與實施例10相比，存儲電容可變大。因此，象素電位3的穩(wěn)定度高，可得到在驅(qū)動電壓波形的噪聲引起的圖像紊流方面強(qiáng)的液晶顯示裝置。
另外，因為掃描電極1上形成存儲電容7，所以具有所謂可變窄支路40的寬度，孔徑比率變高的優(yōu)點(diǎn)。并且，與實施例7等說明的構(gòu)成相同，也具有所謂在段位差部分中產(chǎn)生斷線的同時，提高制品成品率的優(yōu)點(diǎn)。
(實施例13)圖22A-B是表示本發(fā)明實施例13中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。該圖中，象素電極3雖然以與圖像信號配線2相同的電極層形成，但為了圖的易見性而省略開關(guān)，另外，用粗線描繪外形線。
本實施例的特征在于在形成掃描電極1中的存儲電容部7的部分中，在供電側(cè)(圖22A)和終端側(cè)(圖22B)的共同形狀部分延伸到象素電極3的外側(cè)，終端側(cè)中變細(xì)的部分413收斂于象素電極3的內(nèi)側(cè)，在該部分413中，通過變化掃描電極1的寬度來使存儲電容值不同。
根據(jù)本實施例，從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的變化部分的存儲電容附近部412上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的象素電極3。從存儲電容部7側(cè)連接到對應(yīng)于存儲電容部7的共同形狀部分的存儲電容附近部411上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的掃描電極1。
因此，在本實施例中，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與表示為比較例的圖14的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
另外，因為掃描電極1上形成存儲電容7，所以支路40的寬度變窄，具有所謂孔徑比率變高的優(yōu)點(diǎn)。
(實施例14)圖23A-B是表示本發(fā)明實施例14中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。該圖中，象素電極3雖然以與圖像信號配線2相同的電極層形成，但為了圖的易見性而省略開關(guān)，另外，用粗線描繪外形線。
本實施例的特征在于在象素電極3和作為公用電極的支路40之間形成存儲電容部7，通過使象素電極3和支路40雙方的形狀不同，使存儲電容值因象素而不同。在圖23B中象素電極3的細(xì)的部分424和圖23A中與其對應(yīng)的部分中，支路40延伸到象素電極3的外側(cè)。在圖23B中支路40的細(xì)的部分423和圖23A中與其對應(yīng)的部分中，象素電極3延伸到支路40的外側(cè)。
根據(jù)本實施例，從存儲電容部7側(cè)連接到存儲電容附近部421上的電極為供電側(cè)(圖23A)或終端側(cè)(圖23B)的象素電極3。從存儲電容部7側(cè)連接到存儲電容附近部422上的電極為供電側(cè)或終端側(cè)的支路40。
因此，在本實施例中，存儲電容部7的面積在每個象素中不同，涉及顯示的部分(象素電極3和公用電極4的間隙部)中的電場保持相等。另外，即使不形成遮光膜，孔徑比率也相等。并且，即使在為了提高對比度而形成遮光膜的情況下，與表示為比較例的圖3的構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
在本實施例中，通過變化兩個電極的圖案來變化存儲電容值。一般而言，在液晶顯示裝置的制造中，用光刻法來進(jìn)行電極圖案形成，在該圖案中，發(fā)生很多由制造份額、畫面內(nèi)的位置引起的尺寸不均勻。在變化一個電極的圖案來產(chǎn)生存儲電容差的情況下，該圖案不均勻直接導(dǎo)致存儲電容不均勻。對之相對，在本實施例中，因為使用兩個電極的圖案變化組合，所以圖案加工的尺寸不均勻難以導(dǎo)致存儲電容的不均勻。即，減輕了顯示不均勻的發(fā)生，因為難以產(chǎn)生次品，所以提高了成品率。
另外，本實施例的構(gòu)思對在象素電極3和掃描電極1之間形成存儲電容部7的構(gòu)成也有效。此時，可用圖24A-B的構(gòu)成來代替圖23的構(gòu)成。在圖24B中象素電極3的細(xì)的部分134和圖24A中與其對應(yīng)的部分中，掃描電極1延伸到象素電極3的外側(cè)。在掃描電極1的細(xì)的部分133和圖23A中與其對應(yīng)的部分中，象素電極3延伸到掃描電極1的外側(cè)。
(實施例15)圖25A-B是表示本發(fā)明實施例15中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖，圖26A-B是剖面圖。
在實施例1中，通過由公用電極4的支路40和象素電極3上下夾持層間絕緣膜103來構(gòu)成存儲電容部7，但在本實施例中，在層間絕緣膜上設(shè)置厚度不同的部分105，通過變化其在每個象素上的面積來變化存儲電容值。
本實施例中的液晶顯示裝置的陣列基板例如如下制作。首先，在成為陣列基板的玻璃上用濺射法等成膜以鋁(Al)等金屬為主要成分的第1導(dǎo)電層后，以光刻法以相同平面狀形成圖案，得到掃描配線、公用電極。接著，由CVD法等將氮化硅(SiNx)等絕緣層層積為第1層間絕緣膜后，由CVD法等形成由a-Si構(gòu)成的半導(dǎo)體層。然后，以與第1導(dǎo)電層相同的工序形成第2導(dǎo)電膜層，形成圖案，得到源極配線、象素電極和TFT。之后，以與第1層間絕緣膜相同的工序形成第2層間絕緣膜，對于該層間絕緣膜用光刻法進(jìn)行圖案形成，得到每個象素中膜厚不同的層間絕緣膜。同時形成接觸孔。另外，以與第1導(dǎo)電層相同的工序形成第3導(dǎo)電膜層、形成圖案，得到象素電極、存儲電容部，同時，由接觸孔來進(jìn)行TFT和象素電極的電連接。
根據(jù)本實施例，不改變每個象素中象素電極3或公用電極的支路40的形狀，可改變存儲電容值。因此，可得到與實施例1說明的相同的效果。即，因為電極的外形相同，所以即使變化每個象素的存儲電容值，孔徑比率也一定。
(實施例16)雖然實施例15中構(gòu)成存儲電容部7的第1層間絕緣膜和第2層間絕緣膜使用相同材料，但在本實施例中，以氧化硅(SiO)作為第1層間絕緣膜，以與實施例15相同的氮化硅(SiNx)作為第2層間絕緣膜。
根據(jù)本實施例，通過使用兩層不同的絕緣層，可具有對化學(xué)干蝕刻法等蝕刻的選擇性，容易控制絕緣層的膜厚。
(實施例17)圖27A-B是表示本發(fā)明實施例17中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖，圖28A-B是剖面圖。
在實施例15、16中，在形成存儲電容部7的電極間設(shè)置層間絕緣膜的凸部，對于每個象素中存儲電容的變化，在本實施例中，在層間絕緣膜中設(shè)置凹部，通過改變其面積來改變存儲電容。
根據(jù)本實施例，不改變每個象素中象素電極3或公用電極的支路40的形狀，可改變存儲電容值。因此，與實施例15中說明的相同，因為電極外形相同，所以即使每個象素中存儲電容值變化，孔徑比率也可一定。另外，通過凹部構(gòu)成，可加厚公用電極母線邊緣部分的層間絕緣膜，可防止容易在電極邊緣部分中引起的短路的出現(xiàn)。
(實施例18)圖29A-B是表示本發(fā)明實施例18中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。
在本實施例中，作為存儲電容部7的形成位置，用掃描電極1代替實施例15中的支路40，通過掃描電極1和象素電極3之間夾持的層間絕緣膜來形成存儲電容部7。
在形成存儲電容部7的部分中，在層間絕緣膜上設(shè)置凸部，其面積從供電側(cè)(圖29A)向終端側(cè)(圖29B)逐漸變大。結(jié)果，存儲電容值從供電側(cè)向終端側(cè)逐漸變小，可得到與實施例15相同的效果。
在本實施例的液晶顯示裝置中，因為在掃描電極1上形成存儲電容部7，所以與實施例6至9的裝置相比，沒必要形成公用電極的支路，具有所謂孔徑比率變高的優(yōu)點(diǎn)。另外，因為構(gòu)成簡單，所以還存在所謂容易設(shè)計或加工的優(yōu)點(diǎn)(實施例19)
圖29A-B是表示本發(fā)明實施例18中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。
針對實施例18中在形成存儲電容部7的電極間設(shè)置層間絕緣膜的凸部，變化每個象素中存儲電容，在本實施例中，在層間絕緣膜上設(shè)置凹部，通過改變其面積來改變存儲電容。
根據(jù)本實施例，不改變每個象素中象素電極3或掃描配線1的形狀，可改變存儲電容值。因此，與實施例18中說明的相同，因為電極外形相同，所以即使每個象素中存儲電容值變化，孔徑比率也可一定。另外，通過凹部構(gòu)成，可加厚公用電極母線邊緣部分的層間絕緣膜，可防止容易在電極邊緣部分中引起的短路的出現(xiàn)。
(實施例20)圖31A-B是表示本發(fā)明實施例19中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖，圖32A-B是剖面圖。
在實施例2中，通過由公用電極的支路40和象素電極3上下夾持層間絕緣膜103來構(gòu)成存儲電容部7，但在本實施例中，在層間絕緣膜上設(shè)置厚度不同的部分105，通過變化其在每個象素上的面積來變化存儲電容值。
根據(jù)本實施例，不改變每個象素中象素電極3或公用電極的支路40的形狀，可改變存儲電容值。因此，可得到與實施例2說明的相同的效果。即，因為電極的外形相同，所以即使變化每個象素的存儲電容值，孔徑比率也一定。
(實施例21)圖33A-B是表示本發(fā)明實施例19中的液晶顯示裝置的構(gòu)成的平面圖，圖34A-B是剖面圖。
針對實施例20中在形成存儲電容部7的電極間設(shè)置層間絕緣膜的凸部，變化每個象素中存儲電容，在本實施例中，在層間絕緣膜上設(shè)置凹部，通過改變其面積來改變存儲電容。
根據(jù)本實施例，不改變每個象素中象素電極3或公用電極的支路40的形狀，可改變存儲電容值。因此，因為與實施例20說明的相同，電極的外形可相同，所以即使變化每個象素的存儲電容值，孔徑比率也一定。另外，通過構(gòu)成凹部，可加厚公用電極母線邊緣部分的層間絕緣膜，可防止容易在電極邊緣部分中引起的短路的出現(xiàn)。
如圖35A-B所示，在具有上述各實施例陣列構(gòu)成的液晶面板440上安裝圖像信號驅(qū)動電路441和掃描信號驅(qū)動電路442，由控制器443進(jìn)行控制，構(gòu)成液晶顯示裝置。圖35A表示在液晶面板440的片側(cè)上形成掃描信號驅(qū)動電路442的片側(cè)供電構(gòu)成，圖35B表示在液晶面板440的兩側(cè)上形成掃描信號驅(qū)動電路442的兩側(cè)供電構(gòu)成。在20型以上的大型液晶顯示裝置或掃描線為1000以上的高晰像度的液晶顯示裝置中，圖35B的兩側(cè)供電構(gòu)成對掃描電極的時間常數(shù)降低是有效的。在驅(qū)動這些液晶顯示裝置時，與現(xiàn)有的相比，可進(jìn)行均勻性好的顯示。
因為這些液晶顯示裝置通過象素位置來變化存儲電容，所以供電端的存儲電容值比通常的大，在供電側(cè)會產(chǎn)生充電不足。此時，通過組合每1條線驅(qū)動掃描線的通常驅(qū)動方式以及同時選擇2條掃描線進(jìn)行預(yù)備充電的驅(qū)動方式，可得到良好的結(jié)果。
特別是，對于20型以上的大型液晶顯示裝置或掃描線為1000以上的高晰像度的液晶顯示裝置，在由圖35A的片側(cè)供電構(gòu)成動作的情況下，因為有必要變大存儲電容的變化，所以期望使用同時選擇2條掃描線的驅(qū)動方式。
在上述實施例中，構(gòu)成為存儲電容從掃描電極的供電端向終端逐漸變小。并不限于此，如果是具有存儲電容不同的象素的液晶顯示裝置，也可是其它構(gòu)成的情況，適用本發(fā)明，也可可充分發(fā)揮其效果。例如。在為了補(bǔ)償圖像信號的失真而從圖像信號的供電端向終端逐漸變小存儲電容的構(gòu)成中，可適用本發(fā)明。另外，在為了補(bǔ)償驅(qū)動電路特性差或外部配線電阻差而變化存儲電容的情況下，也可適用本發(fā)明。
另外，液晶顯示模式不限于IPS方式的情況，對于在部分象素區(qū)域中存在未覆蓋象素電極的區(qū)域的構(gòu)成，也可適用本發(fā)明。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，每個象素的存儲電容面積不同，孔徑比率也是一定的，顯示部分的電場保持相等。因此，沒有顯示特性損壞、變得不均勻。另外，在為了提高對比度等而形成遮光膜的情況下，與現(xiàn)有構(gòu)成相比，因為遮光膜的寬度非常窄，所以孔徑比率不會大幅度下降。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，為在每個象素區(qū)域中通過象素電極、絕緣層和公用電極的重疊來形成存儲電容部的、在象素區(qū)域的一部分中包含未覆蓋象素電極的非電極區(qū)域的有源矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于所述存儲電容部與所述非電極區(qū)域連接側(cè)的外緣形狀在各象素之間實質(zhì)上是相同的，所述存儲電容部的存儲電容值在供電側(cè)和終端側(cè)不同，供電側(cè)的值比終端側(cè)的大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述存儲電容部的存儲電容值在供電側(cè)作為100時，在終端側(cè)為10以上不滿100的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述存儲電容部的存儲電容值因在形成所述存儲電容部的電極上形成開口部而不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述存儲電容部的存儲電容值使構(gòu)成所述存儲電容部的象素電極、所述公用電極的供電方向側(cè)或終端方向側(cè)的面積不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的液晶顯示裝置，其特征在于使構(gòu)成所述存儲電容部的象素電極的面積不同的裝置為從所述公用電極的供電方向側(cè)或終端方向側(cè)中的突出部和凹部中選擇的至少一種形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的液晶顯示裝置，其特征在于所述象素電極的面積在供電側(cè)為作100時，在終端側(cè)為10以上不滿100的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于通過使構(gòu)成所述存儲電容部的層間絕緣膜的厚度不同來使所述存儲電容部的存儲電容值不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其特征在于構(gòu)成所述存儲電容部的層間絕緣膜的厚度在供電側(cè)作為100時，在終端側(cè)為100以上不滿300的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其特征在于形成兩層以上的所述層間絕緣膜來使層間絕緣膜的厚度不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的液晶顯示裝置，其特征在于所述兩層以上的層間絕緣膜由第1介質(zhì)層和第2介質(zhì)層形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第2介質(zhì)層上形成開口部，通過改變所述開口部的面積來改變存儲電容值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的液晶顯示裝置，其特征在于所述第2介質(zhì)層由與所述第1介質(zhì)層不同的成分構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述顯示裝置為從水平電場型有源矩陣型液晶顯示裝置和螺旋狀向列(TN)型有源矩陣型液晶顯示裝置中選擇的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述象素電極的寬度比所述公用電極的寬度大。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于所述象素電極的寬度比所述公用電極的寬度小。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于在掃描配線上形成存儲電容部。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于在供電側(cè)和終端側(cè)中使所述存儲電容部的存儲電容值不同的裝置使變形或開口電極的形狀的構(gòu)成和改變層間絕緣膜的厚度的構(gòu)成組合。
全文摘要
液晶顯示裝置,為在每個象素區(qū)域中通過象素電極3、絕緣層和公用電極4的重疊來形成存儲電容部7的、在象素區(qū)域的一部分中包含未覆蓋象素電極的非電極區(qū)域的有源矩陣型液晶顯示裝置,存儲電容部7與非電極區(qū)域連接側(cè)的外緣形狀在各象素之間實質(zhì)上是相同的,存儲電容部7的存儲電容值在供電側(cè)和終端側(cè)不同,供電側(cè)的值比終端側(cè)的大,通過該液晶顯示裝置,在每個象素中變化存儲電容值時,可使孔徑比率保持一定。另外,通過用于水平電場方式的液晶顯示裝置中,不僅能將象素孔徑比率原樣保持一定,改變存儲電容值,還能將施加到顯示部分液晶層上的電場保持相等。因此,顯示特性未破壞,未形成不均勻。另外,在為了提高對比度而使用遮光膜的情況下,因為與現(xiàn)有構(gòu)成相比,使用了寬度窄的遮光膜,孔徑比率也不會大幅度降低。
文檔編號G02F1/1368GK1335532SQ01126000
公開日2002年2月13日 申請日期2001年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月24日
發(fā)明者深海徹夫, 熊川克彥, 木村雅典 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社