專利名稱：同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種液晶顯示單元的制造方法，尤指一種同平面切換模式(In-PlaneSwitching Mode)的液晶顯示單元制造方法。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)的進(jìn)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)已有取代傳統(tǒng)映像管顯示器成為未來(lái)顯示器主流的趨勢(shì)，請(qǐng)參見圖1(a)，其是一液晶顯示器中一像素單元的電路示意圖，其主要由一薄膜晶體管11所完成的切換單元、一顯示單元12與一儲(chǔ)存電容13(storage capacitor)所構(gòu)成。而其中關(guān)于顯示單元12的構(gòu)造，目前主要分為兩大類，一般常見的構(gòu)造是如圖1(b)所示的扭轉(zhuǎn)向列式液晶顯示器(TN-LCD)，其數(shù)據(jù)電極121(Data electrode)與共同電極122(Common electrode)是設(shè)于液晶分子123的兩側(cè)，其上下玻璃間隙(cell gap)為d，通過(guò)控制數(shù)據(jù)電極121(Data electrode)與共同電極122間的電位差大小(圖中虛線表示出電場(chǎng)方向)，使液晶分子123產(chǎn)生豎立而與Z軸的夾角產(chǎn)生變化，進(jìn)而改變其透光率而完成該像素的亮度控制。而由于上述顯示單元構(gòu)造中液晶分子的旋轉(zhuǎn)方式，造成當(dāng)觀看者視角θ不同時(shí)，如圖1(b)的傾斜方向A-A’與B-B’而言，復(fù)折射成分布不一樣，透過(guò)率亦迥異，進(jìn)而有無(wú)法提供較大視角的缺失，因此在顯示器面積尺寸日趨增加之際，上述顯示單元確實(shí)存在其限制。
然相對(duì)于第一類結(jié)構(gòu)(扭轉(zhuǎn)向列式液晶顯示器)中液晶分子旋轉(zhuǎn)方式所具有視角較狹小的缺失，第二類的顯示單元12構(gòu)造則具有較佳的視角范圍，請(qǐng)參見圖1(c)，其是一同平面切換模式(In-Plane Switching Mode，IPS Mode)顯示單元12的構(gòu)造示意圖，由圖可明顯看出，其數(shù)據(jù)電極121(Data electrode)與共同電極122(Commonelectrode)是設(shè)于液晶分子123的同一側(cè)，因此當(dāng)數(shù)據(jù)電極121(Data electrode)與共同電極122(Common electrode)間的電位差產(chǎn)生變化時(shí)(圖中虛線表示出電場(chǎng)方向)，液晶分子123將以Z軸為軸心產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而改變其透光率而完成該像素的亮度控制。而此類顯示單元構(gòu)造中液晶分子的旋轉(zhuǎn)方式，并不會(huì)因觀看者視角θ不同時(shí)而有透光率的變化，因而具有提供較大視角的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于制作大尺寸的顯示面板將有頗大助益。
而一般薄膜晶體管液晶顯示器中一同平面切換模式(In-Plane SwitchingMode，IPS Mode)像素單元的上視構(gòu)造與沿AB線段的剖面示意圖是如圖2(a)(b)所示，其主要依下列步驟來(lái)完成(a)在一基板20上形成第一金屬層并定義出薄膜晶體管的柵極導(dǎo)線21(Gateline)、顯示單元的共同電極22(Common electrode)以及周邊所需的接線墊23(pad)(第一道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(b)沉積柵極絕緣層24、半導(dǎo)體層以及高摻雜半導(dǎo)體層后定義出一信道結(jié)構(gòu)25(第二道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(c)形成第二金屬層并定義出薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域26、數(shù)據(jù)導(dǎo)線27與顯示單元的像素電極28(第三道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(d)沉積一保護(hù)層29并于接線墊23(pad)上定義出接觸孔231(第四道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
而由圖2(a)(b)所示可看出，由于顯示單元的共同電極22(Common electrode)與像素電極28是分別由第一金屬層與第二金屬層來(lái)完成于不同高度的平面，數(shù)據(jù)電壓與穿透率的曲線將呈不對(duì)稱的狀態(tài)(如圖2(c)所示)，因此顯示的影像將會(huì)產(chǎn)生殘影(sticking)或閃爍(flicker))，且由于顯示單元的共同電極22(Common electrode)與像素電極28是分別由第一金屬層與第二金屬層且于不同的光罩微影蝕刻過(guò)程中完成，因此兩電極間亦將不可避免地發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差(misalignment)問(wèn)題，而當(dāng)誤差產(chǎn)生時(shí)將造成透光率不均勻(如圖中所示的L1≠L2)，而且為能容忍對(duì)準(zhǔn)時(shí)所產(chǎn)生的誤差，其設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)將導(dǎo)致組件尺寸無(wú)法縮小。
為改善上述缺失，于是發(fā)展出如圖3(a)(b)所示的另一常用同平面切換模式薄膜晶體管液晶顯示器中像素單元的上視構(gòu)造與沿AB線段的剖面示意圖，而其主要是依下列步驟來(lái)完成(a)于一基板30上形成第一金屬層并定義出薄膜晶體管的柵極導(dǎo)線31(Gateline)、顯示單元的共同電極32(Common electrode)、儲(chǔ)存電容的下電極320以及周邊所需的接線墊33(pad)(第一道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(b)沉積柵極絕緣層34、半導(dǎo)體層以及高摻雜半導(dǎo)體層后定義出一信道結(jié)構(gòu)35(第二道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(c)形成第二金屬層并定義出薄膜晶體管的源/漏極區(qū)域36、數(shù)據(jù)導(dǎo)線37與儲(chǔ)存電容的上電極38(第三道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(d)沉積一保護(hù)層39并于接線墊33(pad)、儲(chǔ)存電容的上電極38以及共同電極32(Common electrode)的上定義出接觸孔331、381以及321(第四道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
(e)形成第三金屬層并定義出兩梳狀電極382、322，分別透過(guò)接觸孔381以及321來(lái)與儲(chǔ)存電容的上電極38以及共同電極32(Common electrode)完成電性接觸(第五道光罩微影蝕刻過(guò)程)。
而由上述敘述可清楚看出，由于兩梳狀電極382、322是形成于同高度的平面上且于同一光罩微影蝕刻過(guò)程中完成，因此兩梳狀電極間無(wú)高度差亦不會(huì)發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差(misalignment)問(wèn)題，有效解決上述技術(shù)的缺失，但缺點(diǎn)在于光罩微影蝕刻過(guò)程(PEP，photo etching process)數(shù)量過(guò)多，導(dǎo)致產(chǎn)能下降與成本提高，而如何消除上述常用技術(shù)的缺失，是為發(fā)展本案的主要目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種同平面切換模式(In-Plane Switching Mode)液晶顯示單元的制造方法，其包含下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造、一共同電極構(gòu)造、一接線墊、一第一梳狀電極以及一第二梳狀電極，其中該共同電極構(gòu)造是連接至該第二梳狀電極；于該絕緣基板上方依序形成一柵極絕緣層以及一半導(dǎo)體層，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)、一絕緣結(jié)構(gòu)、一儲(chǔ)存電容的介電層以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)；于該絕緣基板上方形成一高摻雜半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)體層，以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于上定義出一源漏極構(gòu)造、一數(shù)據(jù)導(dǎo)線、一連接電極以及一儲(chǔ)存電容的上電極，其中該數(shù)據(jù)導(dǎo)線是覆蓋于導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)的上并連接至該漏極結(jié)構(gòu)，該連接電極是連接于該源極結(jié)構(gòu)與該第一梳狀電極間，而該儲(chǔ)存電容的上電極覆蓋于該儲(chǔ)存電容的介電層的上并連接于該第一梳狀電極；以及于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟于該絕緣基板上方形成一保護(hù)層；以一第四光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該保護(hù)層進(jìn)行定義，進(jìn)而形成于該接線墊上具有一接線透孔的一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟以一罩幕沉積法，于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方完成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以于該接線墊上形成一接線透孔。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該絕緣基板是為一透光玻璃基板。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層是選自鉻、鉬、鉬化鉭、鉬化鎢、鉭、鋁、鋁化硅、銅等材質(zhì)或其組合來(lái)完成。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該柵極絕緣層的材質(zhì)可選自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化鉭(TaOx)或氧化鋁(AlOx)等材質(zhì)或其組合。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自本質(zhì)非晶硅(i-a-Si)或本質(zhì)微晶硅(Micro-crystalline silicon)或本質(zhì)多晶硅(Polycrystalline silicon)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該高摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)是選自高摻雜的非晶硅(n+-a-Si)或高摻雜的微晶硅(n+-microcrystaline-Si)或高摻雜多晶硅(n+-Polycrystalline silicon)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)選自氮化硅或氮氧化硅(SiOxNy)來(lái)完成。
本發(fā)明的另一方面是為一種同平面切換模式(In-Plane Switching Mode)液晶顯示單元的制造方法，其包含下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造、一共同電極構(gòu)造、一第一梳狀電極以及一第二梳狀電極，其中該共同電極構(gòu)造是連接至該第二梳狀電極；于該絕緣基板上方依序形成一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一高摻雜半導(dǎo)體層，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該高摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)、一絕緣結(jié)構(gòu)、一儲(chǔ)存電容的介電層以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)；于該絕緣基板上方形成一第二導(dǎo)體層，以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于該高摻雜半導(dǎo)體層定義出一源漏極結(jié)構(gòu)，并于該第二導(dǎo)體層定義出一數(shù)據(jù)導(dǎo)線、一連接電極以及一儲(chǔ)存電容的上電極，其中該數(shù)據(jù)導(dǎo)線是覆蓋于導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)的上并連接至該漏極結(jié)構(gòu)，該連接電極是連接于該源極結(jié)構(gòu)與該第一梳狀電極間，而該儲(chǔ)存電容的上電極覆蓋于該儲(chǔ)存電容的介電層之上并連接于該第一梳狀電極；以及于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟于該絕緣基板上方形成一保護(hù)層；以一第四光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該保護(hù)層進(jìn)行定義，進(jìn)而形成于該接線墊上具有一接線透孔的一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟以一罩幕沉積法，于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方完成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以于該接線墊上形成一接線透孔。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該絕緣基板為一透光玻璃基板。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層選自鉻、鉬、鉬化鉭、鉬化鎢、鉭、鋁、鋁化硅、銅等材質(zhì)或其組合來(lái)完成。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該柵極絕緣層的材質(zhì)可選自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化鉭(TaOx)或氧化鋁(AlOx)等材質(zhì)或其組合。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自本質(zhì)非晶硅(i-a-Si)或本質(zhì)微晶硅(Micro-crystalline silicon)或本質(zhì)多晶硅(Polycrystalline silicon)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該高摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自高摻雜的非晶硅(n+-a-Si)或高摻雜的微晶硅(n+-microcrystaline-Si)或高摻雜多晶硅(n+-Polycrystalline silicon)。
根據(jù)上述構(gòu)想，同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法中該保護(hù)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)選自氮化硅或氮氧化硅(SiOxNy)來(lái)完成。


本發(fā)明通過(guò)下列附圖及詳細(xì)說(shuō)明，俾得一更深入的了解圖1(a)是一液晶顯示器中一像素單元的電路示意圖。
圖1(b)(c)是習(xí)用液晶顯示器的兩類顯示單元的構(gòu)造示意圖。
圖2(a)(b)是第一種常用薄膜晶體管液晶顯示器中一同平面切換模式(In-Plane Switching Mode，IPS Mode)像素單元的上視構(gòu)造與沿AB線段的剖面示意圖。
圖2(c)是常用薄膜晶體管液晶顯示器中數(shù)據(jù)電壓與穿透率的曲線呈不對(duì)稱狀態(tài)的曲線示意圖。
圖3(a)(b)是第二種常用薄膜晶體管液晶顯示器中一同平面切換模式(In-Plane Switching Mode，IPS Mode)像素單元的上視構(gòu)造與沿AB線段的剖面示意圖。
圖4(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)其是本發(fā)明為改善上述常用手段而發(fā)展出來(lái)關(guān)于同平面切換模式(In-Plane Switching Mode)液晶顯示單元的第一較佳實(shí)施例過(guò)程步驟及結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5(a)(b)(c)(d)是本案另一較佳實(shí)施例中與第一較佳實(shí)施例不同處的過(guò)程步驟及結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參見圖4(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)所示，其是本發(fā)明為改善上述常用手段而發(fā)展出來(lái)關(guān)于同平面切換模式(In-Plane Switching Mode)液晶顯示單元的較佳實(shí)施例過(guò)程步驟及結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖4(a)表示出于提供一絕緣基板40后，再于該絕緣基板40上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程(PEP，photo etching process)對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造41、一共同電極構(gòu)造42、一接線墊43、一第一梳狀電極441以及一第二梳狀電極442，其中該共同電極構(gòu)造42連接至該第二梳狀電極442(其沿AB線段的剖面圖如圖4(b)所示)。圖4(c)表示出于該絕緣基板40上方再依序形成一柵極絕緣層以及一半導(dǎo)體層后，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)45、一絕緣結(jié)構(gòu)46、一儲(chǔ)存電容的介電層47以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)48(其沿AB線段的剖面圖如圖4(d)所示)。圖4(e)是表示出于該絕緣基板上方形成一高摻雜半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)體層后，再以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于上定義出一源漏極構(gòu)造49、一數(shù)據(jù)導(dǎo)線50、一連接電極51以及一儲(chǔ)存電容的上電極52(其沿AB線段的剖面圖是如圖4(f)所示)。然后再于該絕緣基板40中除部分接線墊43外區(qū)域之上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)53。至于該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法可選用下列兩種方式中之一種來(lái)完成。第一種方式是如圖4(g)所示，于該絕緣基板40上方形成一保護(hù)層后，再以一第四光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該保護(hù)層進(jìn)行定義，進(jìn)而形成于該接線墊上具有一接線透孔531的一保護(hù)結(jié)構(gòu)53。至于第二種方式如圖4(h)所示，是以一罩幕沉積法來(lái)直接沉積該保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)，而由于中央鏤空罩幕的作用，本發(fā)明人在不需第四光罩微影蝕刻過(guò)程情況下便能將基板周圍遮蓋，而能直接于該絕緣基板中除部分接線墊43外的區(qū)域上方沉積完成一保護(hù)結(jié)構(gòu)53，而露出部分接線墊43供接線之用。
而在另一較佳實(shí)施例中，其與上一較佳實(shí)施例的不同處僅在于第二光罩微影蝕刻過(guò)程與第三光罩微影蝕刻過(guò)程的部分，如圖5(a)(b)(c)(d)所示，本發(fā)明人在該絕緣基板60上方以第一光罩微影蝕刻過(guò)程定義完成柵極導(dǎo)線構(gòu)造61、共同電極構(gòu)造62、接線墊63、第一梳狀電極641以及第二梳狀電極642后后，便再依序形成一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一高摻雜半導(dǎo)體層，而以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該高摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)65、一絕緣結(jié)構(gòu)66、一儲(chǔ)存電容的介電層67以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)68(如圖5(a)(b)所示)，然后再于該絕緣基板60上方形成一第二導(dǎo)體層，而以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于該高摻雜半導(dǎo)體層定義出一源漏極結(jié)構(gòu)69，并于該第二導(dǎo)體層定義出一數(shù)據(jù)導(dǎo)線70、一連接電極71以及一儲(chǔ)存電容的上電極72，其中該數(shù)據(jù)導(dǎo)線70是覆蓋于導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)68之上并連接至該漏極結(jié)構(gòu)，該連接電極71是連接于該源極結(jié)構(gòu)與該第一梳狀電極641間，而該儲(chǔ)存電容之上電極72覆蓋于該儲(chǔ)存電容的介電層67之上并連接于該第一梳狀電極641(如圖5(c)(d)所示)。至于保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法則與第一較佳實(shí)施例相同，故不再贅述。
而上述較佳實(shí)施例中的絕緣基板是可用透光玻璃所完成。至于第一導(dǎo)體層與與第二導(dǎo)體層是可以選自鉻、鉬、鉬化鉭、鉬化鎢、鉭、鋁、鋁化硅、銅等材質(zhì)或其組合來(lái)完成。而柵極絕緣層?xùn)艠O絕緣層的材質(zhì)可選自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化鉭(TaOx)或氧化鋁(AlOx)等材質(zhì)或其組合，該半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自本質(zhì)非晶硅(i-a-Si)或本質(zhì)微晶硅(Micro-crystalline silicon)或本質(zhì)多晶硅(Polycrystalline silicon)，而該高摻雜半導(dǎo)體層可用高摻雜的非晶硅(n+-a-Si)或高摻雜的微晶硅(n+-microcrystaline-Si)或高摻雜多晶硅(n+-Polycrystallinesilicon)來(lái)完成。至于保護(hù)結(jié)構(gòu)大多以氮化硅或氮氧化硅(SiOxNy)來(lái)完成。
由上述較佳實(shí)施例步驟的敘述與所完成的構(gòu)造可知，本案的兩梳狀電極382、322是形成于同高度的平面上且于同一光罩微影蝕刻過(guò)程中完成，因此兩梳狀電極間無(wú)高度差亦不會(huì)發(fā)生對(duì)準(zhǔn)誤差(misalignment)問(wèn)題，且所需的光罩微影蝕刻過(guò)程(PEP，photo etching process)可降低為四道甚至三道，確能提高產(chǎn)能與降低成本，有效改善傳統(tǒng)技術(shù)的缺失，進(jìn)而能達(dá)成發(fā)展本發(fā)明的主要目的。然本發(fā)明通過(guò)熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的人士根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求進(jìn)行的等效改變或修飾，皆不脫離本權(quán)利要求書的范圍。
權(quán)利要求
1.一種同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，包含下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造、一共同電極構(gòu)造、一接線墊、一第一梳狀電極以及一第二梳狀電極，其中該共同電極構(gòu)造是連接至該第二梳狀電極；于該絕緣基板上方依序形成一柵極絕緣層以及一半導(dǎo)體層，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)、一絕緣結(jié)構(gòu)、一儲(chǔ)存電容的介電層以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)；于該絕緣基板上方形成一高摻雜半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)體層，以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于上定義出一源漏極構(gòu)造、一數(shù)據(jù)導(dǎo)線、一連接電極以及一儲(chǔ)存電容的上電極，其中該數(shù)據(jù)導(dǎo)線是覆蓋于導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)之上并連接至該漏極結(jié)構(gòu)，該連接電極連接于該源極結(jié)構(gòu)與該第一梳狀電極間，而該儲(chǔ)存電容的上電極覆蓋于該儲(chǔ)存電容的介電層之上并連接于該第一梳狀電極；以及于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟于該絕緣基板上方形成一保護(hù)層；以一第四光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該保護(hù)層進(jìn)行定義，進(jìn)而形成于該接線墊上具有一接線透孔的一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該保護(hù)結(jié)構(gòu)的形成方法包含下列步驟以一罩幕沉積法，于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方完成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以于該接線墊上形成一接線透孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該絕緣基板為一透光玻璃基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層是選自鉻、鉬、鉬化鉭、鉬化鎢、鉭、鋁、鋁化硅、銅等材質(zhì)或其組合來(lái)完成；該柵極絕緣層的材質(zhì)可選自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉭或氧化鋁等材質(zhì)或其組合；該半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自本質(zhì)非晶硅或本質(zhì)微晶硅或本質(zhì)多晶硅；該高摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自高摻雜的非晶硅或高摻雜的微晶硅或高摻雜多晶硅；以及該保護(hù)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)是選自氮化硅或氮氧化硅或氧化硅來(lái)完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該梳狀共同電極構(gòu)造中所具有的一梳齒構(gòu)造是平行交錯(cuò)設(shè)置于該梳狀像素電極的一梳齒構(gòu)造中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，其特征在于，該儲(chǔ)存電容的介電層覆蓋于該梳狀共同電極構(gòu)造中所具有之一儲(chǔ)存電容的下電極之上。
8.一種可減少光罩?jǐn)?shù)的液晶顯示單元制造方法，其特征在于，包含下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造、一梳狀共同電極構(gòu)造、一接線墊以及一梳狀像素電極；于該絕緣基板上方依序形成一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一高摻雜半導(dǎo)體層，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該高摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)、一絕緣結(jié)構(gòu)、一儲(chǔ)存電容的介電層以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)；于該絕緣基板上方形成一第二導(dǎo)體層，以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于該高摻雜半導(dǎo)體層定義出一源漏極結(jié)構(gòu)，并于該第二導(dǎo)體層定義出一數(shù)據(jù)導(dǎo)線、一連接電極以及一儲(chǔ)存電容的上電極，其中該數(shù)據(jù)導(dǎo)線覆蓋于導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)之上并連接至該漏極結(jié)構(gòu)，該連接電極連接于該源極結(jié)構(gòu)與該第一梳狀電極間，而該儲(chǔ)存電容的上電極覆蓋于該儲(chǔ)存電容的介電層之上并連接于該第一梳狀電極；以及于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可減少光罩?jǐn)?shù)的液晶顯示單元制造方法，其特征在于，該絕緣基板為一透光玻璃基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可減少光罩?jǐn)?shù)的液晶顯示單元制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層是選自鉻、鉬、鉬化鉭、鉬化鎢、鉭、鋁、鋁化硅、銅等材質(zhì)或其組合來(lái)完成，而該柵極絕緣層的材質(zhì)是可選自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉭或氧化鋁等材質(zhì)或其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可減少光罩?jǐn)?shù)的液晶顯示單元制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體層的材質(zhì)是選自本質(zhì)非晶硅或本質(zhì)微晶硅或本質(zhì)多晶硅，而該高摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)是選自高摻雜的非晶硅或高摻雜的微晶硅或高摻雜多晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可減少光罩?jǐn)?shù)的液晶顯示單元制造方法，其特征在于，該梳狀共同電極構(gòu)造中所具有的一梳齒構(gòu)造是平行交錯(cuò)設(shè)置于該梳狀像素電極的一梳齒構(gòu)造，而該儲(chǔ)存電容的介電層是覆蓋于該梳狀共同電極構(gòu)造中所具有的一儲(chǔ)存電容的下電極之上。
全文摘要
本發(fā)明是一種同平面切換模式液晶顯示單元的制造方法，包含下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導(dǎo)體層，以一第一光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)其定義出一柵極導(dǎo)線構(gòu)造、一共同電極構(gòu)造、一接線墊、一第一梳狀電極以及一第二梳狀電極；于該絕緣基板上方依序形成一柵極絕緣層以及一半導(dǎo)體層，以一第二光罩微影蝕刻過(guò)程對(duì)該半導(dǎo)體層以與門極絕緣層進(jìn)行圖案定義，用以形成一信道結(jié)構(gòu)、一絕緣結(jié)構(gòu)、一儲(chǔ)存電容的介電層以及多個(gè)導(dǎo)線交錯(cuò)絕緣結(jié)構(gòu)；于該絕緣基板上方形成一高摻雜半導(dǎo)體層以及一第二導(dǎo)體層，以一第三光罩微影蝕刻過(guò)程于上定義出一源漏極構(gòu)造、一數(shù)據(jù)導(dǎo)線、一連接電極以及一儲(chǔ)存電容的上電極；以及于該絕緣基板中除部分接線墊外的區(qū)域上方形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK1415999SQ01137740
公開日2003年5月7日 申請(qǐng)日期2001年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月1日
發(fā)明者施博盛 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司