專利名稱：板式磁阻感測(cè)片元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造板式磁阻感測(cè)片元件的方法，該磁阻感測(cè)片元件在錄像機(jī)、可攜式攝像機(jī)和類似設(shè)備用于控制主動(dòng)輪電機(jī)的轉(zhuǎn)速。更具體地說，本發(fā)明涉及使用玻璃片簡(jiǎn)單易行地制造板式磁阻感測(cè)片元件。
每個(gè)矩形磁阻感測(cè)片通過粘合劑粘合在鑲嵌注模而成的支架30上。引線框30通過焊接連在磁阻感測(cè)片20的端子部件22上，然后在整個(gè)端子部件上涂上環(huán)氧樹脂50，以隔離引線框30和端子部件22之間的焊接結(jié)合處。
如上所述制造的常規(guī)磁阻感測(cè)片20安裝在電機(jī)板60的磁體70的一邊，磁阻感測(cè)片20如

圖1所示那樣對(duì)著磁體，以控制磁體70的轉(zhuǎn)速。
如以上說明所公開的，常規(guī)磁阻感測(cè)片制造過程很復(fù)雜，包括鑲嵌注射成型固定磁阻感測(cè)片20的支架，為把引線框30連接到磁阻感測(cè)片20的端子部件而進(jìn)行的焊接，以及為隔離焊接區(qū)而涂敷環(huán)氧樹脂。
具體地說，磁阻感測(cè)片20的陶瓷玻璃片11是很昂貴的，這給制造者和使用者都帶來經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)。感測(cè)部件21和端子部件22都一體地做在陶瓷玻璃片11上。但是，因?yàn)槎俗硬考?2從陶瓷玻璃片11的表面凸出，需要在焊區(qū)40上涂敷絕緣環(huán)氧樹脂50，但這個(gè)處理使端子部件22更凸出。當(dāng)固定在支架10上的磁阻感測(cè)片20裝到電機(jī)板60上時(shí)，作為轉(zhuǎn)子的磁體和涂在端子部件上22上的環(huán)氧樹脂的凸起部分之間會(huì)發(fā)生干擾。
一種解決這個(gè)問題的辦法是使用經(jīng)過處理的陶瓷薄片或感光玻璃，它們?cè)试S端子部件做在背面。但是，這個(gè)辦法并不經(jīng)濟(jì)，因?yàn)檫@些襯底很貴，而且制造過程更加復(fù)雜。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種制造板式磁阻感測(cè)片的方法，這種板式磁阻感測(cè)片在其兩面都有端子部件，因此不需要單獨(dú)的支架就能安裝在磁體板上。
在本發(fā)明的基礎(chǔ)上，上述目的可以通過一種制造板式磁阻感測(cè)片的方法得以實(shí)現(xiàn)，這種方法包括以下步驟通過在200℃～500℃的溫度下，在玻璃片的表面淀積一層厚度小于1,000(埃)的特性膜，膜的成分包括NiCo和NiFe，將膜曝光，并將膜蝕刻成預(yù)定的圖形來形成感測(cè)部件；通過在整個(gè)玻璃片上淀積一層0.2～0.7μm厚的SiO2膜，將SiO2膜曝光，并將SiO2膜蝕刻成與感測(cè)部件同樣的圖形來在每個(gè)感測(cè)部件上形成保護(hù)膜；將所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行噴砂，以在感測(cè)部件的每個(gè)角上形成通孔；在通孔于玻璃片兩面開口處的周圍和通孔內(nèi)部淀積一層NiFe膜；將玻璃片切割成單個(gè)的矩形磁阻感測(cè)片，使每個(gè)感測(cè)片有四個(gè)弧形角，在每個(gè)弧形角處玻璃片兩面上都有NiFe導(dǎo)體，所述NiFe導(dǎo)體用作端子部件。
參照?qǐng)D2，其中示出了根據(jù)本發(fā)明制造雙面磁阻感測(cè)片的方法。
一開始，在玻璃片110上淀積一層厚度小于1,000的成分為NiCo和NiFe的特性膜，曝光，并蝕刻成構(gòu)成圖2a所示的感測(cè)部件12的特性膜圖形。
最好在200℃～500℃的溫度下進(jìn)行成分為NiCo和NiFe的特性膜的淀積。例如，如果淀積溫度低于200℃，則特性膜淀積在玻璃片110上的粘著性很差，易于分層并脫離。另一方面，如果在500℃以上進(jìn)行淀積，則特性膜因?yàn)楦邷囟冃巍８鼉?yōu)選的是淀積溫度處于300℃至400℃之間。
接下來，在整個(gè)玻璃片110上淀積一層厚度為0.2～0.7μm厚的SiO2膜，曝光，如圖2a所示，蝕刻成與感測(cè)部件120同樣的圖形，以形成保護(hù)膜。
在玻璃片110上構(gòu)圖的感測(cè)部件120上形成保護(hù)膜130后，進(jìn)行噴砂，以形成圖2b所示的通孔140。為此，在玻璃片上涂敷一層感光干膜，曝光，顯影，使干膜在預(yù)定的部位被去除，例如，去除在感測(cè)部件的每個(gè)角上的干膜，在這些地方受到砂粒的沖擊而形成通孔，而其余部分則受到保護(hù)。后面會(huì)解釋，在玻璃片110的兩面形成端子部件時(shí)，通孔140會(huì)起到很重要的作用。
最好每面進(jìn)行一次噴砂，這樣一共進(jìn)行兩次噴砂，以確保形成通孔140。
接下來，在玻璃片110兩面上環(huán)繞通孔140的局部區(qū)域和通孔的內(nèi)壁上牢固地粘上NiFe金屬膜，以形成充當(dāng)端子部件的導(dǎo)體150。要在通孔140周圍和內(nèi)壁上形成導(dǎo)體150，需要在玻璃片110的每一面淀積一次NiFe，如圖2c和2d所示。淀積在150℃～250℃溫度下進(jìn)行，直到導(dǎo)體150達(dá)到4,500至5,500的厚度。
導(dǎo)體淀積之后，鍍上SnPb。在所形成的結(jié)構(gòu)上的全部區(qū)域上涂上環(huán)氧樹脂保護(hù)層，然后在130℃～150℃溫度下烘烤，使導(dǎo)體牢固粘在通孔上。
圖2e是磁阻感測(cè)片100的示意圖，磁阻感測(cè)片100是將具有覆有導(dǎo)體的通孔的玻璃片進(jìn)行切割而得到的。
參照?qǐng)D3，是板式磁阻感測(cè)片100的透視圖。如圖中所示，磁阻感測(cè)片100是由玻璃片110制成的，其上有感測(cè)部件120，在其弧形角處兩面都有端子連接部件。
如上文所述，根據(jù)本發(fā)明提供的方法，能夠容易地制造在玻璃片兩面都有端子部件的雙面磁阻感測(cè)片。因此，該磁阻感測(cè)片是板式的。這樣的結(jié)構(gòu)使磁阻感測(cè)片能用在印刷電路板(PCB)上，從而無須單獨(dú)的支架就能安裝在磁體板上。另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的方法還具有制造過程簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
以上描述性地說明了本發(fā)明，需要理解的是，所用的術(shù)語是用于說明本身，而不進(jìn)行任何限制。受上面說明的啟發(fā)，可以對(duì)本發(fā)明作出很多的改進(jìn)和變化。因此可以理解，在所附的權(quán)利要求范圍內(nèi)，本發(fā)明能以不同于本說明書具體描述的方式實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種制造板式磁阻感測(cè)片的方法，包括以下步驟通過在玻璃片表面淀積一層成分為NiCo和NiFe的特性膜而形成感測(cè)部件，將這層膜曝光，蝕刻成預(yù)定的圖形；通過在玻璃片上淀積一層SiO2膜而在每個(gè)感測(cè)部件上形成一層保護(hù)膜，將SiO2膜曝光，將SiO2膜蝕刻成與感測(cè)部件同樣的圖形；將所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行噴砂，以在感測(cè)部件的每個(gè)角上形成通孔；在玻璃片兩面圍繞通孔的區(qū)域和通孔內(nèi)部淀積一層NiFe膜；以及，將玻璃片切割成單獨(dú)的矩形磁阻感測(cè)片，使每個(gè)磁阻感測(cè)片都有四個(gè)弧形角，在每個(gè)弧形角處玻璃片的兩面都有NiFe導(dǎo)體，該NiFe導(dǎo)體用作端子部件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中成分為NiCo和NiFe的特性膜的淀積是在200℃～500℃溫度下進(jìn)行的，厚度小于1,000。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中SiO2膜的厚度為0.2～0.7μm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中噴砂步驟是這樣進(jìn)行的在玻璃片上涂上感光干膜，將感光膜曝光，將曝光的感光膜顯影，形成干膜在預(yù)定的部位被去除的圖形，在這些部位受到砂粒的沖擊而形成通孔，而其它的部位被保護(hù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在玻璃片的兩面各進(jìn)行一次噴砂，這樣一共兩次，以確保形成通孔。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中的淀積步驟是在150℃～250℃溫度下，在玻璃片兩面圍繞通孔的局部區(qū)域和通孔內(nèi)壁上鍍上4,500～5,500厚的NiFe金屬掩模，以形成用作端子部件的導(dǎo)體。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括以下步驟在切割步驟之前，通過在通孔上鍍SnPb，使導(dǎo)體牢固粘在通孔上，在導(dǎo)體上涂敷起保護(hù)作用的環(huán)氧樹脂，在130℃～150℃溫度下烘烤玻璃片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種簡(jiǎn)單易行地制造板式磁阻感測(cè)片的方法。首先,在整個(gè)玻璃片上淀積一層成分為NiCo和NiFe的特性膜,曝光,蝕刻成預(yù)定的圖形以形成感測(cè)部件。然后,通過在整個(gè)玻璃片上淀積一層SiO
文檔編號(hào)G03C5/56GK1389936SQ0114151
公開日2003年1月8日 申請(qǐng)日期2001年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月1日
發(fā)明者姜應(yīng)天, 鄭好喆 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社