專利名稱：非線性元件和電光學裝置及其制造方法以及電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及非線性元件的制造方法、電光學裝置的制造方法、電光學裝置和電子儀器，特別是涉及構成非線性元件的絕緣膜的形成技術。
背景技術：
近年來，以液晶裝置和EL(電致發(fā)光)顯示面板為代表的電光學裝置作為便攜式電話機和便攜式計算機、電視攝象機等電子儀器的顯示部廣泛普及。
在上述的電光學裝置中，例如液晶裝置中用薄膜二極管(Thin FilmDiode，以下簡稱TFD)元件作為象素開關元件用的非線性元件進行有源驅動是公知的。
這種液晶裝置中，保持液晶的一對基板在一個基板上形成TFD元件和象素電極，在另一基板上形成條狀對置電極(信號電極)。其中，TFD元件例如通過下述方式制造在基板表面上形成Ta膜或Ta合金膜等第一金屬膜后，通過對該第一金屬膜進行陽極氧化處理在該第一金屬膜的表面上形成絕緣膜，然后在該絕緣膜的表面上形成第二金屬膜。

發(fā)明內(nèi)容
在用TFD元件作為非線性元件的液晶裝置中，TFD元件的電流一電壓特性上非線性高的液晶裝置可將液晶裝置的驅動電壓設定得較低，并且可以進行高對比度高的顯示。根據(jù)這個見解，要對作為使TFD元件的特性提高的技術例如在特開平08-830953號公報中那樣使絕緣膜在水蒸氣氛圍下退火進行絕緣膜的改性這樣的方法作進一步改進。
另外，為抑制在TFD相對施加電壓正負的元件中流過的電流差(極性差)而通常用使TFD元件串聯(lián)的背靠背(Back to Back)的構造的TFD元件。在該背靠背構造的情況下，在用陽極氧化形成絕緣膜的工序中，因為必需向元件部供電而進行流過變成TFD元件的部分和用于陽極氧化的電流的配線必需用橋接部連接的構成進行陽極氧化。因此用陽極氧化的絕緣膜形成后，必需切斷TFD元件和陽極氧化時的供電用配線的橋接部，從而存在引起制造工序數(shù)目的增加這類問題。
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種能使TFD元件的非線性等的電特性進一步提高的非線性元件的制造方法，電光裝置的制造方法，電光學裝置和電子儀器。
另外，本發(fā)明的目的是提供一種能減少非線性元件的制造工序數(shù)、用低成本制造的非線性元件的制造方法。
為了解決上述問題，按照本發(fā)明，在將第一金屬膜，絕緣膜和第二金屬膜按其順序層疊的非線性元件的制造方法中，進行形成上述第一金屬膜的第一金屬膜形成工序，形成上述第二金屬膜的第二金屬膜形成工序，在上述第一金屬膜形成工序以后，直到進行上述第二金屬膜形成工序的期間，在規(guī)定的氛圍中進行在高壓下退火的高壓退火處理。
按照本發(fā)明，在改質通過陽極氧化形成的絕緣膜情況下，在不活潑氣體氛圍、氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中進行退火處理。如上所述，在規(guī)定的氛圍中以高壓進行退火處理時，與在水蒸氣等中在常壓下進行退火處理的情況相比較，可以使非線性元件的電流一電壓特性的非線性更進一步提高，因此可以在液晶裝置中設定低驅動電壓，并且可以提高對比度等，進行高質量的顯示。
在本發(fā)明中，上述第一金屬膜例如由至少含Ta的金屬膜構成。
在本發(fā)明中，例如在上述第一金屬膜形成工序后，進行通過在上述第一金屬膜的表面上進行陽極氧化形成上述絕緣膜的絕緣膜形成工序，接著，在惰性氣體氛圍、氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中進行上述退火處理，然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。這時，上述高壓退火處理在例如在溫度100℃以上、600℃以下，壓力0.5MPa以上、5MPa以下的條件下，最好在溫度150℃以上、300℃以下，壓力0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行。因為一這樣構成，就可以改質通過陽極氧化形成的絕緣膜，所以可以在非線性元件中提高電流一電壓特性的非線性。并且，如在高壓下進行退火處理，則因為與現(xiàn)有技術中的退火處理相比較可以在低溫下獲得同樣的效果，所以可以防止基板的變形等。
例如按照本發(fā)明人進行的實驗結果，在制造背靠背結構的TFD元件時，通過把陽極氧化電壓設定為10V、15V、20V形成陽極氧化薄膜后，研究在含水蒸氣的1MPa的高壓氛圍下進行200℃的高壓退火處理1小時的非線性元件的非線性β，在含水蒸氣的1MPa的高壓氛圍下進行300℃的高壓退火處理1小時的非線性β和在1MPa的高壓氮氣氛圍中進行350℃的高壓處理1小時的非線性它的非線性β，得到分別如圖1(a)用實線C，點B，實線D所示的結果。如該圖1(a)所示，當進行這樣的高壓退火處理時，可以得到良好的非線性β，并且根據(jù)在此所示的實驗結果和發(fā)明人進行的其它實驗結果，作高壓退火處理在溫度大致200℃，壓力約1MPa下得到非線性元件的非線性β良好結果。
在本發(fā)明中，例如上述第一金屬膜形成工序后在含水蒸氣的氛圍中進行上述高壓退火處理，以使上述第一金屬膜的表面氧化，接著進行通過對上述第一金屬膜的表面進行陽極氧化形成上述絕緣膜的絕緣膜形成工序。然后在上述第二金屬膜形成工序中也可以在上述絕緣膜的表面上形成第二金屬膜。這時，高壓退火處理例如在把溫度設定在100℃以上、600℃以下，把壓力設定在0.5MPa以上、3MPa以下，最好是溫度為150℃以上、300℃以下，壓力為0.5MPa以上、2MPa以下的條件進行。如用上述構成，由于可以把通過高壓退火形成的絕緣膜和通過陽極氧化形成的絕緣膜作為非線性元件的絕緣膜使用，可以提高在非線元件中非線性元件中的電流一電壓特性的非線性。
在本發(fā)明中，最好是例如在上述第一金屬膜形成工序后，使含水蒸氣的氛圍中進行高壓退火處理以使上述第一金屬表面氧化而形成上述絕緣膜，然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜表面上形成第二金屬膜。如按照這樣構成，則因為可以用由高壓退火形成的絕緣膜作為非線性元件的絕緣膜，所以可以提高非線元件的電流一電壓特性的非線性。另外因為通過高壓退火處理形成絕緣膜，所以不用進行陽極氧化。因此，在背靠背結構的TFD元件的情況下，因為沒有必要形成陽極氧化時的供電用的橋部，從而可以省去除去該橋部的工序。
例如根據(jù)本發(fā)明人進行過的實驗結果，如圖1(a)的點A所示那樣，不對Ta膜進行陽極氧化，即在圖1(a)中在陽極氧化電壓為OV的條件下進行350℃的高壓退火處理時，獲得非線性元件的非線性β約5.5這樣好的效果。而且，根據(jù)本發(fā)明人實際進行的實驗結果，作為高壓退火處理，在溫度約為350℃、壓力約為1MPa下，在非線性元件的非線性β上獲得了良好的效果。
在圖1(b)示出了上述高壓退火的條件與通過該處理進行Ta膜表面氧化形成的Ta氧化膜的厚度的關系。在該條件下氛圍的水蒸氣是100％。在溫度350℃、壓力1MPa進行1小時處理的情況下，形成具有約250厚的Ta氧化膜。而在溫度350℃，壓力為1.5MPa進行1小時處理時的情況下，形成具有約320厚度的Ta氧化膜。
按照本發(fā)明，最好在進行上述高壓退火處理后在比該高壓退火處理低的壓力下，對上述絕緣膜進行退火處理的再退火處理。
按照本發(fā)明，最好例如在進行上述第一金屬膜形成后，在該第一金屬膜的表面上進行形成第三金屬膜的第三金屬膜形成工序，接著在含水蒸氣的氛圍中進行上述高壓退火處理以使上述第三金屬膜氧化形成上述絕緣膜，然后在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。這時，上述第三金屬膜例如是至少含Ta的金屬膜。如按照這樣的構成，因為可以用通過高壓退火形成的絕緣膜作為非線性元件的絕緣膜，所以可以提高非線性元件的電流一電壓特的非線性。另外，因為通過高壓退火處理形成絕緣膜，所以不用進行陽極氧化。因此在背靠背結構的TFD元件的情況下沒有必要形成陽極化時的供電用的橋部，從而可以省去除去該橋部的工序。
按照本發(fā)明，最好在上述高壓退火處理后，在比該高壓退火處理低的壓力下進行對上述氧化膜進行退火處理的再退火處理。
按照本發(fā)明，在把通過高壓退火處理形成的絕緣膜本身作為非線性元件的絕緣膜用的情況下，例如在溫度250℃以上、400℃以下，壓力0.5MPa以上、3MPa以下的條件，最好在溫度300℃以上、400℃以下，壓力0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行。如進行這樣的高壓退火處理，與在比其低的壓力下(例如大氣壓)下進行退火處理的情況相比較，可以促進金屬膜的表面氧化，把均勻而優(yōu)良的氧化膜作為絕緣膜獲得。因此在通過該方法形成絕緣膜的TFD元件中，可以使電流一電壓特性的非線性進一步提高。
按照本發(fā)明，關于上述再退火處理，最好在進行上述第二金屬膜形成工序之前進行。也就是說，最好在進行上述再退火處理后，在形成上述第二金屬膜工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
按照本發(fā)明，上述再退火處理最好是通過在含水蒸氣或氮氣的氛圍中進行以使上述絕緣膜結晶。這樣，由于可使絕緣膜結晶化，可以提高非線性元件的電流一電壓特性的非線性。
按照本發(fā)明，上述再退火處理最好在溫度100℃以上、500℃以下的條件下進行。
按照本發(fā)明，在具有保持電光學物質的基板的電光學裝置的制造方法中，利用本發(fā)明的非線性元件的制造方法把非線性元件作為象素開關元件形成，并在該基板上形成與上述非線性元件連接的象素電極。
按照本發(fā)明方法制造的電光學裝置具有保持電光學物質的基板，同時在該基板上保持上述電光學物質一側的面上把由絕緣膜和第二金屬膜構成的非線性元件作為象素開關元件持有，并且上述絕緣膜通過對上述第一金屬膜進行退火處理形成。
另外，按照本發(fā)明另外方法制造的電光學裝置，具有保持電光學物質的基板，同時在該基板上保持上述電光學物質一側的面上把由絕緣膜和第二金屬膜構成的非線性元件作象素開關元件持有，并且上述絕緣膜通過對在上述第一金屬膜的表面上形成的第三金屬膜進行退火處理形成。
按照本發(fā)明，上述電光學物質例如是液晶。
按照本發(fā)明，因為用簡單的工序就可以形成具有良好特性的TFD元件，按照適用于該制造方法的電光學裝置的制造方法，可以通過簡單的工序制造出能實現(xiàn)在使驅動電壓降低的同時具有高對比度的電光學裝置。
適用本發(fā)明的電光學裝置可以作為便攜電話機和移動計算機等電子儀器的顯示部等利用。
如以上說明那樣，按照本發(fā)明，在改質通過陽極氧化形成的絕緣膜的情況下，在不活潑氣體氛圍、氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中進行高壓退火處理；在使金屬膜的表面氧化的情況下，在規(guī)定的氛圍中進行高壓退火處理。這樣，在規(guī)定的氛圍中進行高壓退火處理時，與在水蒸氣的氛圍中進行常壓的退火處理的情況相比，可以使非線性元件的電流一電壓特性的非線性進一步提高，因此可以降低液晶裝置的驅動電壓，并且可以進行高質量的顯示。
另外，在只用高壓處理形成的絕緣膜構成非線性元件的絕緣膜的情況下，由于在制造背靠背結構的TFD元件的情況下也不需要連接多個第一金屬膜的供電用橋部，而可以省去除去橋部工序等，可以實現(xiàn)制造工序簡單化。


圖1(a)是表示用適用本發(fā)明的非線性元件的制造方法進行的高壓退火處理效果一例的曲線。(b)是表示用適用本發(fā)明的非線性元件的制造方法進行的高壓退火處理效果一例的曲線。
圖2是模擬的適用本發(fā)明的液晶裝置的電構成的方框圖。
圖3是表示圖2所示的液晶裝置構造的分解斜視圖。
圖4(a)、(b)、(c)分別是在液晶裝置中夾持液晶的一對基板中元件基板上的一份象素的平面圖，沿圖4(a)的III-III′線剖切的斷面圖，形成在各象素上的TFD元件的斜視圖。
圖5是表示本發(fā)實施方式1的液晶裝置的元件基板的制造方法的工序圖。
圖6是表示在圖5中所示的各制造工序中從底層形成工序到除去橋部工序的工序斷面圖。
圖7是表示圖5中所示的各制造工序中從第二金屬膜形成工序到象素電極形成工序的工序斷面圖。
圖8是表示本發(fā)明的第二實施方式的液晶裝置的基板制造方法的工序圖。
圖9是表示在圖8中所示的制造工序中從底層形成工序到橋部除去工序的工序斷面圖。
圖10是表示本發(fā)明實施方式3的液晶裝置元件基板的制造方法的工序圖。
圖11是表示在圖10所示的制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成工序的工序斷面圖。
圖12是表示本發(fā)明第四實施方式的液晶裝置的元件基板的制造方法的工序圖。
圖13是表示的圖12中所示的各制造工序中從底層形成工序到在常壓下再退火處理工序的工序斷面圖。
圖14是表示本發(fā)明實施方式5中液晶裝置的元件基板的制造方法的工序圖。
圖15是表示在圖14中所示的各制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成工序(高壓退火處理)的工序斷面圖。
圖16是表示本發(fā)明實施方式6的液晶裝置的元件基板的制造方法的工序圖。
圖17是表示在圖16中所示的各制造工序中從底層形成工序到在常壓下的再退火處理工序的工序斷面圖。
圖18是表示利用本發(fā)明的液晶裝置的各種電子儀器構成的方框圖。
圖19是表示作為利用本發(fā)明的液晶裝置的電子儀器的一實施方式的移動式個人計算機的說明圖。
圖20是作為本發(fā)明液晶裝置的電子儀器的一實施方式的便攜式電話機的說明圖。
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明的實施方式。在說明實施方式時，在各種電光學裝置中利用液晶作電光學物質并且以例子說明利用TFD為有源元件的有源陣列方式的裝置。另外，以下說明的各實施方式的基本構成是共用的，所以在大體上說明共通的構成后說明各實施方式的特征的構成。
共同的構成(液晶顯示裝置的構成)圖2是模擬地表示適用本發(fā)明的液晶裝置的電構成的方框圖。圖3是表示該液晶顯示裝置構造的分解斜視圖。
如圖2所示，液晶裝置1具有在行方向(X方向)延伸的多個掃描線51、在列方向(Y方向)延伸的多個數(shù)據(jù)線52，形成在與掃描線51和數(shù)據(jù)線52的各交叉的位置E上的象素53。各掃描線51被掃描驅動電路57驅動，各數(shù)據(jù)線52被數(shù)據(jù)線驅動電路58驅動。另外，各象素53具有使液晶層54和象素開關用的TFD元件56串聯(lián)連接的構成。
如圖3所示，液晶裝置1具有在通過密封件(未示出)互相貼合的對置基板10與元件基板20之間保持液晶6的構成。對置基板10和元件基板20是具有透光性的基板。在這兩個基板中的元件基板20上的面上形成上述的多條掃描線51，象素電極66通過象素電極56連接在各掃描線51上。
在對置基板10的面上形成與紅(R)、綠(G)和青(B)的各色對的濾色層2R、2G、2B，和覆蓋這些濾色層的平坦化層(未示出)。另外在該平坦層的面上形成在與掃描線51交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線52。各數(shù)據(jù)線52是通過ITO(銦錫氧化物)等的透明導電材料形成的帶狀電極，并與在元件基板20上構成的多個象素電極66對置。
將掃描信號供給形成在該結構下的元件基板20的面上的各個掃描線51，并且將數(shù)據(jù)信號供給形成在對置基板10上的各個數(shù)據(jù)線52，借此使夾在上述象素電極66和數(shù)據(jù)線52對置的部分的液晶6取向方向變化。從而使從背照光裝置3射出的光透過元件基板20和象素電極66入射在液晶6上并被該液晶6逐個象素調(diào)制。于是該調(diào)制的光如用箭頭L所示那樣透過數(shù)據(jù)線52和對置基板10射出到觀察側。這時光因通過濾色器層2R、2G、2B著色而可以進行彩色顯示。
在用通常的TN(Twisted Nematic)型的液晶作液晶6的情況下，這種液晶6通過改變光的偏振方向進行光調(diào)制，在元件基板20和對置基板10的外側表面上分別貼著偏振片8和9。
在圖2和圖3所示的例子中，在元件基板20上形成掃描線51，在對置基板10上形成數(shù)據(jù)線52，也可與此相反，在元件基板20上形成數(shù)據(jù)線，在對置基板10上形成掃描線。
接著參照圖4(a)至(c)，就構成一個象素53的各構成要素中形成在元件基板20上的要素進行說明。圖4(a)是表示對應一個象素的元件基板20上的構成的平面圖，圖4(b)是在(a)中的III-III′線上的斷面圖，圖4(c)是表示對應各象素的TFD元件的構成的斜視圖。
如圖4(a)至(c)所示，在元件基板20的表面上形成底層61，該底層61是由厚度50nm～200nm左右的氧化鉭(Ta2O5)構成的薄膜。上述的TFD元件56通過形成在底層61上的第一TFD元件56a和第二TFD元件56b構成的兩個TFD元件要素作為所謂背靠背構造構成。因此TFD元件56的電源一電壓的非線性特性在正負兩個方向是對稱的。
第一TFD元件56a和第二TFD元件56b由第一金屬膜62、形成在該第一金屬膜62的表面上的絕緣膜63、在該絕緣膜63的表面上互相離開形成的第二金屬膜64a和64b構成。第一金屬膜62是由Ta(鉭)單質或Ta-W(鎢合金)等的至少Ta合金構成。另外，絕緣膜63是通過使Ta氧化形成在第一金屬膜62的表面上的厚度10nm至35nm左右的膜。也就是說，絕緣膜63五氧化鉭(Ta2O5)等構成。
第二金屬膜64a和64b是由鉻(Cr)等金屬形成為50nm～300nm左右厚的薄膜。其中第二金屬膜64a是從掃描線51分杈的部分。另外，第二金屬膜64b與由ITO的透明導電材料構成的象素電極66相連接。如圖4(a)和(b)所示，底層61中應形成象素電極66的區(qū)域被除去。
另外，象素電極66也可由Al(鋁)等這樣的反射光材料形成，這時因為來自對置基板10側的入射光被象素電極66的表面反射后射出到對置基板10側，所以可實現(xiàn)所謂反射型顯示。另外在象素電極由反射光材料形成的情況下，構成使光在該象素中透過的窄縫，或者通過使象素電極66的厚度變薄，還往往使其具有反射光和透射光兩方面的性質。另外，用透明導電器材構成象素電極66，也可在構成象素電極66的基板或與其對置的基板上形成由Al(鋁)等這樣的反射光材料的反射光板。這時構成使光透射在反射光板中透射的窄縫，或使反射光板的厚度變薄也往往使具有反射光和透射光兩方的性質。
實施方式1下面參照5至圖7說明本發(fā)明的實施方式1。
圖5、圖6和圖7分別是表示在圖2中示出的元件基板20的制造方法的工序圖，在從底層形成工序到橋部除去工序的斷面圖和從第二金屬膜形成工序到象素形成工序的斷面圖。
當制造液晶裝置1的元件基板20時，如圖所示，順序進行底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)、絕緣膜形成工序(c)、高壓退火處理工序(c1)、橋部除去工序(d)、第二金屬膜形成工序(e)、底層除去工序(f)和象素電極形成工序(g)。下面參照圖6和圖7說明這些工序。雖然在制造元件基板20和對置基板10時，在取出多塊與各液晶裝置1的尺寸相對應的單件基板的大型原基板的狀態(tài)下進行TFD元件56等的各要素的形成，但在以下說明中不區(qū)分單件基板與原基板，都稱為素件基板20和對置基板10。
首先，在圖6中，在底層形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成一樣厚度的Ta氧化物，例如Ta2O5，厚度例如50nm～200nm左右的底層61。
接著在第一金屬膜形成工序(b)中，通過濺射形成一樣厚度的鉭薄膜，其厚度例如100nm～500nm左右，另外利用蝕刻技術同時形成掃描線51的第一層和第一金屬膜62等。這時由橋部69使掃描線51的第一層和第一金屬膜62相連。
接著在絕緣膜形成工序(c)中，將掃描線51的第一層作為陽極進行氧極氧化處理，在該掃描線51和第一金屬膜52的表面上形成作為絕緣膜起作用的一樣厚度的陽極氧化膜，其厚度例如10nm～35nm。借此在掃描線51的表面上形成絕緣膜(第二層)。同時形成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的絕緣膜63。
接著，在本實施方式中，對絕緣膜63在規(guī)定的氛圍中在高壓下退火的高壓退火處理(c1)。在此進行的高壓退火處理(c1)是在不活潑氣體氛圍、氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中，溫度100℃以上600℃以下，最好在150℃以上300℃以下，壓力0.5MPa以上、3MPa以下，最好在0.5MPa以上、2MPa以下條件下進行從30分到2小時。
接著，在橋部除去工序(d)中，利用蝕刻技術從元件基板20上除去橋部69。借此把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63從掃描線51上分斷成島狀。
接著在圖7所示的第二金屬膜形成工序(e)中，通過濺射等形成一樣厚度的Cr薄膜，其厚度例如為50nm～300nm左右，然后利用光刻技術形成掃描線51的第三層、第一TFD元件56a的第二金屬膜64a、和第二TFD元件56b的第二金屬膜64b。從而形成作為有源元件的TFD元件。
在此，橋部除去工序(d)和第二金屬膜形成工序(e)也可按相反順序進行。
在底層除去工序(f)中，除去象素電極66的形成預定區(qū)域的底層61后，在象素電極形成工序(g)中通過濺射以一樣的厚度制成用于形成象素電極66的ITO，再利用光刻技術形成相當一象素大小的規(guī)定形狀的象素電極66，以使其一部分重疊在第二金屬膜64b上。通過這樣的一系列工序形成圖3和圖4所示的TFD元件56和象素電極66。
在此，底層除去工序(f)也可以與橋部除去工序(d)同時進行。
然后，雖然圖中未示出，但在元件基板20的表面上通過形成一樣厚度的聚酰亞胺、聚乙烯醇等形成取向膜后，對取向膜進行磨擦處理和其它的取向處理。
與此相對，為了制造圖3中所示的對置基板10，在形成濾色器2R、2G、2B后在濾色器2R、2G、2B上形成平坦化層(未示出)。然后利用ITO膜等形成條狀的對置電板即數(shù)據(jù)線52。接著在數(shù)據(jù)線52等上由聚酰胺形成一樣厚度的取向膜(未示出)后，對取向膜進行磨擦處理等這樣的取向處理。從而完成對置基板20。
然后將元件基板20和對置基板10位置對中后通過夾著密封件使基板彼此貼合，然后將液晶6注入兩基板之間的空間，對液晶注入口(未示出)涂敷樹脂等密封材料，如果密封則完成液晶裝置1。
這樣，按照本實施方式，在形成元件基板20時，在不活潑氣體氛圍中，氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中通過對由陽極氧化形成的絕緣膜63進行高壓退火處理(c1)，改質通過陽極氧化形成的絕緣膜63。因此與在水蒸氣氛圍中在常壓下進行退火處理的情況相比可以提高液晶裝置1的電流一電壓特性的非線性，從而可以把液晶裝置1的驅動電壓設定得低，并且可以進行高性能的顯示。
另外，如果在高壓下進行退火處理，則由于與現(xiàn)有技術的退火處理相比可在低溫度下獲得同等以上的效果，而可以防止元件基板20的變形等。
另外，按照本實施方式，雖然第一金屬膜64a、64b為Cr，但不限于此，也可以Ti、Mo、Al等其它金屬。
另外，按照本實施方式，雖然是TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b的由兩個TFD元件部組成的背靠背結構，但不限于此，也可把TFD元件56制成一個TFD元件組成的構造。這時在第一金屬膜形成工序(b)中，把第一金屬膜62形成為配線狀，將其作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中只形成第二金屬膜64b即可。并且，這時不需要橋部除去工序(d)。
實施方式2按照實施方式1，通過在第一金屬膜62的表面上進行陽極氧化形成絕緣膜63后，進行高壓退火處理作為對該絕緣膜63的改質處理。但按照本實施方式，將如參照圖8和圖9所說明那樣，在通過陽極氧化形成絕緣膜63之前進行高壓退火處理作為對第一金屬膜62的前處理。
圖8和圖9分別是表示本發(fā)明的第二實施方式的制造工序中元件基板制造方法的工序圖，和表示圖8所示的各制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成的斷面圖。另外，在本實施方式和以后描述的各實施方式中液晶裝置、元件基板和TFD元件等的構造是與實施方式1的構造相同，所以省略關開共同部分的詳細說明，并在說明制造工序時，參照圖7說明。
按照本實施方式，在制造液晶裝置的元件基板20時，如圖8所示，順次進行底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)、高壓退火處理(c2)，絕緣膜形成工序(c)、橋部除去工序(d)、第二金屬膜形成工序(e)、底層除去工序(f)和圖象電極形成工序(g)。
也就是說，按照本實施方式與實施方式1同樣，首先在圖9所示的底層形成工序(a)中在元件基板20的表面上形成例如一樣厚度的Ta2O5作為底層61，在第一金屬膜形成工序(b)中，通過濺射Ta等形成一樣厚度的例如100nm～500nm左右厚度的膜，再利用光刻技術同時形成掃描線51的第一層和第一金屬膜62等。
接著按照本實施方式對掃描線51的第一層61和第一金屬膜62在規(guī)定的氛圍中在高壓下進行退火處理(c2)。在此進行的高壓退火處理(c2)是在含水蒸氣的氛圍中，溫度在100℃以上、600℃以下，壓力0.5MPa以上、3MPa以下的條件下進行從30分到2小時。結果使掃描線第一層和第一金屬膜62的表面氧化形成薄的絕緣膜63′。
接著在絕緣膜形式工序(c)中，以掃描線51的第一層作為陽極進行陽極氧化處理，在該掃描線51和第一金屬膜52的表面上形成作為絕緣膜63起作用的陽極氧化膜，該陽極氧化膜具有一樣的厚度例如10nm～35nm的厚度。從而在掃描線51的表面上形成絕緣膜(第二層)，并且形成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的絕緣膜63。
接著在橋部除去工序(a)中，利用光刻技術將第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63從掃描線51分割成島狀。
此后與實施方式1相同，進行參照圖7說明的第二金屬膜形成工序(e)，通過濺射Cr形成一樣厚度的膜后利用光刻技術形成掃描線51的三層，第一TFD元件56a的第二金屬膜64a和第二TFD元件56b的第二金屬膜64b。通過以上工序形成作為有源元件的TFD元件56。另外，與實施方式1相同，在底層除去工序(f)中在除去象素電極66的形成預定區(qū)域的底層61之后，在象素電極形成工序(g)中形成象素電極66。在此也可以按照與橋部除去工序(d)和第二金屬膜形成工序(e)的順序相反的順序進行。另外底層除去工序(f)與橋部除去工序(d)也可同時進行。
如上所述，按照本實施方式，因為把通過高壓退火處理(c2)形成的絕緣膜63′和通過陽極氧化形成的絕緣膜作為TFD元件56的絕緣膜63使用，所以可以提高TFD元件56的電流一電壓特性的非線性。從而可以把液晶裝置1設定低的驅動電壓，并且可以進行高質量的顯示。
另外，按照本實施方式雖然使用Cr作為第二金屬膜64a、64b；但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金屬。
另外，按照本實施方式，雖然把TFD元件56制成為由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的兩個TFD元件部分組成的背靠背結構，但不限于此，也可把TFD元件56制成由一個TFD元件組成的結構。這時在第一金屬膜形成工序(b)中將第一金屬膜形成為配線狀，將其作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中只形成第二金屬膜64b即可。并且在這時不需要橋部除去工序(d)。
實施方式3按照實施方式1、2，雖然進行高壓退火處理(c1、c2)作為對通過陽極氧化在第一金屬膜62的表面上形成的絕緣膜63的改質處理或通過陽極氧化形成絕緣膜63之前的前處理，但按照本實施方式，進行高壓退火處理作為如參照圖10和圖11說明那樣的絕緣膜形成工序(c)，省略陽極氧化。
圖10和圖11分別表示本發(fā)明實施方式3的液晶裝置制造工序中元件基板的制造方法的工序圖和圖10所示的各制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成工序的斷面圖。
按照本實施方式，在制造液晶裝置的元件基板時，如圖9所示，順次進行底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)，作為絕緣膜形成工序(c)的高壓退火處理、第二金屬膜形成工序(e)，底層除去工序(f)、絕緣膜除去工序(f)和象素電極形成工序(g)。這樣，按照本實施方式，因為在絕緣膜形成工序(c)中不進行陽極氧化，所以不需在進行陽極氧化時的供電用橋部，因此不用進行在實施方式1、2中進行的橋部除去工序。
也就是說，在本實施方式中，首先在圖11所示底層形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物例如Ta2O5厚度一樣的膜作為底層61后，在第一金屬膜形成工序(b)中通過濺射Ta等形成一樣厚度的例如100nm～500nm左右的膜，再利用光刻技術形成第一金屬膜62。在該第一金屬膜形成工序(a)中，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62作為一個TFD元件的島與另一TFD元件分別分離成島狀的狀態(tài)下形成。
按照本實施方式，作為絕緣膜形成工序(c)，對第一金屬膜62在含有水蒸氣的氛圍中進行在高溫高壓下處理的高壓退火處理。在此高壓退火處理在溫度250℃以上，600℃以下，壓力在0.5MPa以上、3MPa以下的條件下，最好是高壓退火處理在溫度300℃以上，400℃以下，壓力在0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行從30分到2小時。其結果在第一金屬膜52的表面上形成第一TFD元件65a和第二TFD元件56b的絕緣膜63，該絕緣膜具有一樣的厚度例如10nm～35nm。
在這時，因為第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63在作為一個TFD元件的島與另一TFD元件分離成島狀的狀態(tài)下，所以不需要進行實施方式1、2中說明的橋部處理工序。
因此，按照本實施方式，在進行絕緣膜形成工序(c)后，進行參照圖7說明的第二金屬膜形成工序(e)，通過對Cr濺射等形成一種厚度的膜后，利用光刻技術形成掃描線51，第一TFD元件56a的第二金屬膜64a和第二TFD元件56b的第二金屬膜64b。通過以上工序形成作為有源元件的TFD元件56。此后與實施方式1、2同樣，在底層除去工序(f)中除去象素電極66形成預定區(qū)域的底層61后，在象素電極形成工序(g)中形成象素電極66。在此，底層除去工序(f)也可以與第一金屬膜形成工序(b)或第二金屬膜形成工序(e)同時進行。
如上所述，按照本實施方式，因為在絕緣膜形成工序(c)中通過進行高壓退火處理形成絕緣膜63，所以可以提高TFD元件56的電流一電壓特性的非線性。因此液晶裝置1的電壓可以設定得低，并且可以進行高質量的顯示。
另外，按照本實施方式，在絕緣膜形成工序(c)中通過高壓退火處理形成絕緣膜63，不用進行陽極氧化。因此與實施方式1、2不同，由于不需要形成在陽極氧化時的供電用橋部(見圖6)，所以可以省去除去該橋部的工序。
另外，按照本實施方式，雖然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的兩個TFD元件部分組成的背靠背結構，但不限于此，也可以把TFD元件56制成由一個TFD元件組成的構造。這時在第一金屬膜形成工序(b)中，將第一金屬膜62形成為配線狀，將其作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中只形成第二金屬膜64b即可。
實施方式4圖12和圖13分別是本發(fā)明實施方式4的液晶裝置的制造工序中元件基板制造方法的工序圖和圖12所示的各制造工序中從底層形成工序到常壓下的再退火處理的工序斷面圖。
按照本實施方式，在制造液晶裝置元件基板時，如圖12所示，在進行了底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)、作為絕緣膜形成工序(c)的高退火處理、在常壓下的再退火處理(c3)后，進行第二金屬膜形成工序(e)、底層除去工序(f)和象素電極形成工序(g)。如上所述，但照本實施方式，因為不需要在絕緣膜形成工序(c)中進行陽極氧化，所以不需要進行陽極氧化時的供電用橋部，所以不需要進行在實施方式1、2中進行的橋部工序。
按照本實施方式，在圖13中所示的底層形成工序(a)中，在元件基板20的表面上通過形成一樣厚度的Ta氧化物例如Ta2O5的膜作為底層61后，在第一金屬形成工序(b)中對Ta進行濺射等形成一樣厚度例如100nm～500nm左右厚度的膜，再利用光刻技術形成第一金屬電極62。在第一金屬膜形成工序(b)中把構成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62作為一個TFD元件的島，與另一TFD元件在分別分離成島狀的狀態(tài)下形成。
接著在絕緣膜形成工序(b)中，對第一金屬膜62在含水蒸氣的氛圍中在高溫高壓下進行高壓退火處理。
具體地說，溫度250℃以上，600℃以下，壓力在0.5MPa以上、3MPa以下最好溫度在300℃以上，400℃以下，并且壓力在0.5MPa以上、2MPa以下這樣的條件下對第一金屬膜62進行高壓退火處理。結果在第一金屬膜62的表面上形成具有一樣厚度的第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的絕緣膜63，其厚度例如10nm～35nm厚。在這時，第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63處在各個被單獨分離成島狀的狀態(tài)下，所以不需要進行包含上述陽極氧化制造方法中的橋部除去工序。
接著在水蒸氣或包含氮氣氛圍中對絕緣膜63進行在常壓下的再退火處理(c3)，該再退火處理在例如100℃以上，500℃以下的條件下進行。結果使通過絕緣膜形成工序(c)形成的絕緣膜63的結晶性提高。
這樣在進行常壓下的再退火處理(c3)后，進行參照圖7說明的第二金屬膜形成工序(e)，通過濺射Cr形成一樣厚度的膜后，利用光刻技術形成掃描線51、第一TFD元件56a的第二金屬膜64a和第二TFD元件56b的第二金屬膜64b。通過以上工序形成作為元件的TFD元件56。此后與實施方式1相同，在底層除去工序(f)除去象素電極66的形成預定區(qū)域的底層61后，在象素電極形成工序(g)中形成象素電極66。在此底層除去工序(f)也可以第一金屬膜形成工序(b)或第二金屬膜形成工序(e)同時進行。
因此，在本實施方式的制造方法中，因為在絕緣膜形成工序(c)中通過進行高壓退火處理形成絕緣膜63，通過在常壓下的再退火處理(c3)使絕緣膜的結晶性提高，所以可以提高TFD元件56的電流一電壓特性的非線性?？梢允挂壕аb置1的驅動電壓降低，并且進行高質量的顯示。
另外，在本方法中，在絕緣膜形成工序(c)中通過高壓退火處理形成絕緣膜63，不需要陽極氧化處理。因此與上述的包含陽極氧化處理的制造方法不同，因為不需要形成在陽極氧化處理的供電用的橋部69(見圖6)，所以也不需要除去該橋部69的工序。
按照本實施方式，雖然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的兩個TFD元件部分組成的背靠背結構，但不限于此，也可以把TFD元件56制成由一個TFD元件組成的結構。這時在第一金屬膜形成工序(b)中，把第一金屬膜62和第三金屬膜62′形成為配線狀，將它們作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中，只形成第二金屬膜64b即可。另外，按照本發(fā)明，雖然用Cr作為第二金屬膜64a、64b，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金屬。
實施方式5按照實施方式3，雖然通過高壓退火處理使第一金屬膜62的表面變成絕緣膜63，但也可如參照圖14和圖15說明那樣，通過高壓退火處理使在第一金屬膜62的表面上形成的另一層金屬膜氧化，將其作為TFD元件56的絕緣膜利用。
圖14和圖15分別是表示本發(fā)明實施方式5的液晶裝置的制造工序中元件基板的制造方法的工序圖，和圖14中所示的制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成工序的工程斷面圖。
在本實施方式中，當制造液晶裝置的元件基板20時，如圖14所示，順次進行底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)、第三金屬膜形成工序(b′)、作為絕緣膜形成工序(c)的高壓退火處理工序，第二金屬膜形成工序(e)、底層除去工序(f)和象素電極形成工序(g)。這樣，按照本實施方式，因為在絕緣膜形成工序(c)中不進行陽極氧化，所以不需要進行陽極氧化時供電用的橋部，因此不需要進行在實施方式1、2中進行的橋部除去工序。
也就是說按照本實施方式，首先在圖15所示的底層形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物例如Ta2O5一樣厚度的膜作為底層61后，在第一金屬膜形成工序(b)中例如通過濺射Ta等這樣的金屬膜形成例如100nm～500nm左右厚度的膜，利用光刻技術同時形成掃描線51的第一層和第一金屬膜62等。在該第一金屬膜形成工序中，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62作為一個島，在與另一TFD元件分離成島狀的狀態(tài)下形成。
另外，在第三金屬膜形成工序(b′)中通過濺射Ta形成一樣厚度的膜，利用光刻技術形成第三金屬膜62′，以使其重合在第一金屬膜62上。
在此，也可以連續(xù)形成第一金屬膜62和第三金屬膜62′后使這兩個金屬膜62、62′成批地形成圖形。因為在任何的情況下，按照本實施方式不進行陽極化，所以在分離成島狀態(tài)下形成第一金屬膜62和第三金屬膜62′。
接著，作為絕緣膜形成工序(c)，按本實施方式對第三金屬膜62′進行在含水蒸氣的氛圍中在高溫高壓下處理的高壓退火處理，在此，高壓退火處理在溫度250℃以上，600℃以下，壓力在0.5MPa以上、3MPa以下的條件下，最好高壓退火處理溫度在350℃以上，400℃以下，并且壓力在0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行30分至2小時。結果使第三金屬膜62′通過被完全氧化形成具有一樣厚度的例如10nm～35nm的絕緣膜63。
在這時，因為第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63處在從掃描線51分離成島狀的狀態(tài)，所以不需要進行在實施方式1、2中說明的橋部除去工序。
因此按照本實施方式，在進行絕緣膜工序(c)之后，進行參照圖7說明的第二金屬膜形成工序(e)，通過濺射Cr形成一樣厚度的膜后，利用光刻技術形成掃描線51、第一TFD元件56a的第二金屬膜64a和第二TFD元件56的第二金屬膜64b。通過以上工序形成作為有源元件的TFD元件56。此后與實施方式1、2同樣在底層除去工序(f)中除去象素電極66形成預定區(qū)域的底層61后，在象素電極形成工序(g)中形成象素電極66。在此，底層除去工序(f)也可以與第一金屬膜形成工序(b)或第二金屬膜形成工序(e)同時進行。
這樣，按照本實施方式，因為在絕緣膜形成工序(e)中通過高壓退火處理形成絕緣膜63，所以可以提高TFD元件56的電流一電壓特性的非線性。從而可以降低液晶裝置1的驅動電壓，并且可以進行高質量的顯示。
另外，按照本實施方式，在絕緣膜形成工序(c)中通過進行高壓退火處理形成絕緣膜63，不進行陽極氧化。因此與實施方式1、2不同，因為不需要形成在陽極氧化時供電用的橋部，所以可省去除去該橋部的工序。
按照本實施方式，雖然是用Cr作為第二金屬膜64a、64b為，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金屬。
另外，按照本實施方式，雖然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b兩個TFD元件部組成的背靠背結構，但不限于此，也可把TFD元件56制成一個TFD元件組成的結構。這時在第一金屬膜形成工序(b)中，把第一金屬膜62和第三金屬膜62′形成為配線狀，將其作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中只形成第二金屬膜64b即可。
另外，因為絕緣膜63通過對第三金屬膜62′氧化形成，所以第一金屬膜62未必非得是Ta膜，也可以使用Cr膜等其它金屬膜。
實施方式6圖16和圖17分別是表示本發(fā)明實施方式6的液晶裝置的制造工序中元件基板制造方法的工序圖，和圖16所示的各制造工序中從底層形成工序到絕緣膜形成工序的斷面圖。
按照本實施方式，與實施方式5同樣，在第一金屬膜62的表面上形成與該第一金屬膜62不同的金屬膜后，通過高壓退火處理使該金屬膜氧化，從而作為TFD元件56的絕緣膜63使用。也就是說，按照本實施方式，當制造液晶元件基板20時，如圖16所示，進行底層形成工序(a)、第一金屬膜形成工序(b)、第三金屬膜形成工序(b′)、作為絕緣膜形成工序(c)的高壓退火處理，在進行常壓的再退火處理(c3)后的第二金屬膜形成工序(e)、底層除去工序(f)和象素電極形成工序(g)。這樣，按照本實施方式，因為在絕緣膜形成工序(c)中不進行陽極氧化，所以不需要進行陽極氧化時供電用的橋部，因此不需要進行在實施方式1、2中進行的橋部除去工序。
按照本實施方式，首先在圖17所示的底層形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物，例如Ta2O5形成一樣厚度的膜作為底層61。接著在第一金屬膜形成工序(b)中通過濺射等形成一樣厚度的Ta等金屬膜例如100nm～500nm左右厚度的膜后，利用光刻技術對該金屬膜制作圖形，形成第一金屬膜62，在該第一金屬膜形成工序中，與上述的包含陽極化的制造方法不同，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b構成的第一金屬膜62作為一個TFD元件島，并在與其他TFD元件彼此獨立地分離成島狀的狀態(tài)下形成。
接著，在第三金屬膜形成工序(b′)中，通過濺射至少含有Ta的合金等形成一樣厚度的膜后，利用光刻技術制成圖形，形成第三金屬膜62′，使其重合在第一金屬膜62上。另外，在此，雖然是在第一金屬膜62和第三金屬膜62′的各個形成工序后進行制作圖形，但也可以在使成為第一金屬膜62的金屬膜和成為第三金屬膜62′的金屬膜層疊合后，通過使這些金屬膜成批形成圖形，形成第一金屬膜62和第三金屬膜62′。不管按任何順序，都可以使第一金屬膜62和第三金屬膜62′形成為各自獨立地分離成島狀的狀態(tài)。
作為絕緣膜形成工序(c)，對第三金屬膜62′在含水蒸氣的氛圍中進行在高溫高壓下處理的高壓退火處理。具體地說，在250℃以上，600℃以下的溫度，在0.5MPa以上、3MPa以下的壓力，最好在350℃以上，400℃以下的溫度，在0.5MPa以上、2MPa以下的壓力這樣的條件下對第三金屬膜62′進行高壓退火處理從30分到2小時。結果使第三金屬膜62′全部氧化，形成厚度一樣的例如10nm～35nm厚度的絕緣膜63。在這時，因為第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金屬膜62和絕緣膜63層疊形成的部分處在彼此單分離成島狀的狀態(tài)，所以不需要進行在上述包含陽極氧化的制造方法的橋部除去工序。
接著對絕緣膜63在含水蒸氣或氮氣的氛圍中進行在常壓下的再退火處理(c3)。該再退火處理在例如100℃以上，500℃以下的條件下進行。結果使通過高壓退火處理形成的絕緣膜63的結晶性提高。
這樣在進行常壓下的退火處理(c3)后，進行參照圖7說明的第二金屬膜形成工序(e)，通過濺射等形成一樣厚度的Cr膜以后，利用光刻技術形成掃描線51、第一TFD元件56a的第二金屬膜64a和第二TFD元件56的第二金屬膜64b。通過以上工序形成作為有源元件的TFD元件56。此后與實施方式1、2同樣在底層除去工序(f)中，除去象素電極66形成預定區(qū)域的底層61后，在象素電極形成工序(g)中形成象素電極66。在此，底層除去工序(f)也可以與第一金屬膜形成工序(b)或第二金屬膜形成工序(e)同時進行。
這樣，在本實施方式的制造方法中，在絕緣膜形成工序(c)中，通過對第三金屬膜62′進行高壓退火處理形成絕緣膜63，通過在常壓下的再退火處理(c3)使該絕緣膜63的結晶性提高，因此可以提高TFD元件56的電流一電壓特性的非線性。從而可以降低液晶裝置1的驅動電壓，并且進行高質量的顯示。
另外，在本方法中，在絕緣膜形成工序(c)中通過在高壓下對第三金屬膜62′進行高壓退火處理形成絕緣膜63，所以不需要陽極氧化處理。因此與上述的包含陽極氧化的制造方法不同，因為不需要形成陽極氧化的供電用的橋部69(見圖6)，所以也不需要除去該橋部69的工序。結果只用成膜工序、退火處理、圖形工序這樣的半導體工藝就可以高效率形成包含TFD元件56的元件基板20上的各元件。
另外，按照本實施方式，雖然用Cr作為第三金屬膜64a、64b，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金屬。
按照本實施方式，雖然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b兩個TFD元件部組成的背靠背結構，但不限于此，也可把TFD元件56制成一個TFD元件組成的結構。這時在第一金屬膜形成工序(b)中，把第一金屬膜62和第三金屬膜62′形成為配線狀，將其作為掃描線51，在第二金屬膜形成工序(e)中只形成第二金屬膜64b即可。
另外，因為絕緣膜63通過對第三金屬膜62′氧化形成，所以不一定用Ta形成第一金屬膜62，也可以用Cr等其它金屬形成。
其它實施方式另外，按照上述實施方式，雖然利用Ta或Ta合金和Cr膜，制造Ta/Ta2O5/Cr構造的TFD元件56，但只要能通過高壓退火處理形成絕緣膜63，則也可以用Nb、Al、Ti等其它的金屬。
另外，按照上述實施方式，雖然例示利用液晶作電光學物質的液晶裝置使用本發(fā)明的情況，但本發(fā)明也可以適用于采用EL元件作為電光學物質的EL顯示面板和采用氣體作為電光學物質的等離子顯示面板等其它各種電子儀器中。這樣，只要是具有由第一金屬膜、絕緣膜和第二金屬膜組成的薄膜兩極管非線性的裝置，則可以不管其它構成元件的狀態(tài)如何、都可以使用發(fā)明。
電子儀器的實施方式圖18示出了把本發(fā)明的液晶裝置作為各種電子儀器使用時的一實施方式。所示的電子儀器具有顯示信息輸出源70，顯示信息處理電路71、電源電路72、定時發(fā)生器73、以及液晶裝置74。另外液晶裝置74具有液晶顯示面板75和驅動電路76?？梢岳蒙鲜龅囊壕аb置1作為液晶裝置74和液晶裝置75。
顯示信息輸出源70具有ROM(Read Only Memory)RAM(Random AccessMemory)等這樣的存儲器，各種數(shù)據(jù)等這樣的存儲單元，使數(shù)字圖象信號調(diào)諧輸出的調(diào)諧電路等，根據(jù)由定時發(fā)生器73生成的各種時鐘信號把規(guī)定格式的圖象信號等這樣的顯示信息供給顯示信息處理電路71。
顯示信息處理電路71具有串聯(lián)一并聯(lián)變換電路、放大倒向電路、邏輯電路、γ校正電路、箍位電路等這樣公知的各種電路，進行輸入的顯示信息的處理，使該圖象信號與時鐘信號CLK一起供給驅動電路76。驅動電路76是圖2中的掃描線驅動電路57、數(shù)據(jù)線驅動電路58和檢查電路等的總稱。另外，電源電路72把規(guī)定的電壓供給各構成元件。
圖19示出了作為本發(fā)明的電子儀器的一實施方式的移動式個人計算機，在此示出的個人計算機具有裝備有鍵盤81的本體部82，液晶顯示單元83。液晶顯示單元83由含上述的液晶裝置1構成。
圖20示出了作為本發(fā)明的電子儀器的其他實施方式的便攜式電話機，在此示出的便攜式電話機90具有多個操作組91和液晶顯示裝置1。
權利要求
1.一種非線性元件的制造方法，該非線性元件是將第一金屬膜，絕緣膜和第二金屬膜按其順序層疊而成的，其特征在于進行形成上述第一金屬膜的第一金屬膜形成工序，形成上述第二金屬膜的第二金屬膜形成工序，在上述第一金屬膜形成工序以后，直到進行上述第二金屬膜形成工序的期間，在規(guī)定的氛圍中進行在高壓下退火的高壓退火處理。
2.如權利要求1所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述第一金屬膜由至少含Ta的金屬膜構成。
3.如權利要求1或2所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在上述第一金屬膜形成工序后，進行在上述第一金屬膜的表面上進行陽極氧化以形成上述絕緣膜的絕緣膜形成工序；接著，在惰性氣體氛圍、氮氣氛圍中或含水蒸氣的氛圍中進行上述退火處理；然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
4.如權利要求1或2所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在上述第一金屬膜形成工序后，在含水蒸氣的氛圍中進行上述退火處理使上述第一金屬膜的表面氧化；接著，通過對上述第一金屬表面進行陽極氧化進行形成上述絕緣膜的絕緣膜形成工序；然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
5.如權利要求3或4所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述高壓退火處理在溫度100℃以上、600℃以下，壓力0.5MPa以上、3MPa以下的條件下進行。
6.如權利要求5所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述高壓退火處理在溫度150℃以上、300℃以下，壓力0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行。
7.如權利要求1或2所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在上述第一金屬膜形成工序后，在含水蒸氣氛圍中進行上述高壓退火，使上述第一金屬膜的表面氧化以形成上述絕緣膜；然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
8.如權利要求7所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在進行上述高壓退火處理后，在低于該高壓退火處理的壓力下進行對上述絕緣膜退火的再退火處理。
9.如權利要求1或2所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在進行上述第一金屬膜形成工序后，進行在上述第一金屬的表面上形成第三金屬膜的第三金屬膜形成工序；接著，在含水蒸氣的氛圍中進行高壓退火處理，使上述第三金屬膜氧化以形成絕緣膜；然后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
10.如權利要求9所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述第三金屬膜由至少含Ta的金屬膜構成。
11.如權利要求9或10所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在進行上述高壓退火處理后，在低于該高壓退火處理的壓力下進行對上述絕緣膜退火的再退火處理。
12.如權利要求8或11所述的非線性元件的制造方法，其特征在于在進行上述再退火處理后，在上述第二金屬膜形成工序中，在上述絕緣膜的表面上形成上述第二金屬膜。
13.如權利要求8、11或12所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述再退火處理通過在含水蒸氣或氮的氛圍中進行而使上述絕緣膜結晶化。
14.如權利要求8、11、12或13所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述再退火處理在溫度100℃以上、500℃以下的條件下進行。
15.如權利要求7至14中任一項所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述高壓退火處理在溫度250℃以上、600℃以下，壓力在0.5MPa以上、3MPa以下的條件下進行。
16.如權利要求15所述的非線性元件的制造方法，其特征在于上述高壓退火處理在溫度300℃以上、400℃以下，壓力在0.5MPa以上、2MPa以下的條件下進行。
17.一種電光學裝置的制造方法，是一種具有保持電光學物質的基板的電光學裝置的制造方法，其特征在于通過權利要求1～16中任意一項所述的制造方法把非線性元件作為象素開關元件形成在上述基板上保持上述電光學物質一側的面上，同時在該基板上形成與上述非線性元件連接的象素電極。
18.如權利要求17所述的電光學裝置的制造方法，其特征在于上述電光學物質是液晶。
19.一種具有保持電光學物質的基板的電光學裝置，其特征在于通過權利要求1～16中任意一項所述的制造方法把非線性元件作為象素開關元件形成在上述基板保持上述電光學物質一側的面上。
20.一種電光學裝置，具有保持電光學物質的基板，在該基板上保持上述電光學物質一側的面上把由第一金屬膜、絕緣膜和第二金屬膜構成的非線性元件作為象素開關配置，其特征在于上述絕緣膜通過對上述第一金屬膜進行退火處理形成。
21.一種電光學裝置，具有保持電光學物質的基板，在該基板上保持上述電光學物質一側的面上把由第一金屬膜、絕緣膜和第二金屬膜構成的非線性元件作為開關元件配置，其特征在于上述絕緣膜通過對形成在上述第一金屬膜的表面上的第三金屬膜進行退火處理形成。
22.如權利要求19～21中任意一項所述的電光學裝置，其特征在于上述電光學物質是液晶。
23.一種電子儀器，其特征在于把權利要求19～22中任意一項所述的電光學裝置作為顯示部配置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能使非線性元件的非線性進一步提高的非線性元件的制造方法,電光學裝置和電子儀器。在形成液晶裝置的元件基板(20)時,在底層形成工序(a)中在元件基板(20)的表面上形成底層(61)后在第一金屬膜形成工序(b)中形成由至少含Ta的金屬膜構成的第一金屬膜(62)。接著在絕緣膜形成工序(c)中對第一金屬膜(62)在含水蒸氣的氛圍中進行高壓退火處理,從而在第一金屬膜(62)的表面上形成絕緣膜(63)。然后在第二金屬膜形成工序中,在絕緣膜(63)的表面上形成第二金屬膜,制造非線性元件。
文檔編號G02F1/1365GK1384395SQ0212171
公開日2002年12月11日 申請日期2002年4月3日 優(yōu)先權日2001年4月4日
發(fā)明者渡邊吉祥, 關琢巳, 直野秀昭, 田口聰志 申請人:精工愛普生株式會社