專利名稱：曝光掩模的制造方法及其應用的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體領域的曝光掩模的制造方法、掩?；逍畔⑸煞椒?、半導體裝置的制造方法、掩?；濉⑵毓庋谀＜胺掌?。
背景技術：
隨著半導體器件的微細化的進展，對光刻工序的微細化的要求日益提高。器件的設計規(guī)則的微細化已達0.13μm，必須控制的圖形尺寸精度要求達到10nm程度的極嚴格的精度。其結(jié)果是，近年來，半導體制造過程中采用的光刻工序中的問題日益凸現(xiàn)。
問題有作為圖形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩?；宓钠秸?。就是說，在伴隨微細化的光刻工序中的焦點容限減小中，掩?；宓钠秸纫呀?jīng)不能忽視。
經(jīng)過本發(fā)明人等對掩?；宓钠秸鹊姆磸脱芯康慕Y(jié)果，搞清楚了以下問題。
掩?；宓谋砻嫘螤钋Р钊f別，即使是同樣的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各種形狀。因此，例如是同樣的平整度，在利用真空吸盤將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺的場合，根據(jù)掩模臺和真空吸盤的性質(zhì)配合情況的不同，可出現(xiàn)在吸附時掩?；灏l(fā)生大變形的場合，幾乎不變形的場合或相反平整度良好的場合。
這是因為吸附后的掩模基板的平整度與吸附前的掩?；宓谋砻嫘螤钣嘘P，于是，即使是同樣的掩?；逡矔驗檎婵瘴降牟课徊煌淖?。然而，由于過去只對平整度進行管理，由于掩?；宓谋砻嫘螤疃沟迷趯⒀谀；逦降骄毓庋b置的掩模臺時出現(xiàn)掩?；迤秸却鬄閻夯膱龊?。
于是，顯而易見，利用在這種平整度劣化的掩?；迳闲纬蓤D形而得到的曝光掩模制造半導體器件，就成為制品成品率低的重要原因。
發(fā)明概述如上所述，本發(fā)明人等，在對將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺前后的掩模基板的平整度進行比較時，確認存在由于掩?；宓谋砻嫘螤疃沟梦胶蟮钠秸葠夯瑥亩l(fā)現(xiàn)這一平整度惡化是制品成品率低的主要原因。
本發(fā)明正是考慮到上述情況而提出的，其目的在于提供可以解決在將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺后掩?；宓钠秸葠夯鹁毓庋b置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩模基板信息生成方法，半導體裝置的制造方法，掩?；?，曝光掩模及服務器。
本發(fā)明的第一方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌膶P系，從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息的工序；將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；?，以與上述多個掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第二方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的對多個掩?；宓膶P系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；?，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第三方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜鲂畔⒌膶P系的工序；從作成的對應關系中選擇表示凸狀的表面形狀的信息工序；從上述多個掩模基板中選擇具有與所選擇的此信息有著上述對應關系的掩?；宓倪x擇工序；以及在所選擇的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第四方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據(jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩?；逶O置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩?；搴驮撋鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌膶P系的工序；從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；?，以與上述多個掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第五方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎靖鶕?jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的對多個掩?；宓膶P系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩?；逵袆e的方式制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
本發(fā)明的第六方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括取得表示各掩?；甯餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒌墓ば颍蝗〉帽硎靖鶕?jù)上述掩?；宓闹髅娴钠秸群推毓庋b置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及判斷根據(jù)上述模擬所取得的上述掩?；宓闹髅娴钠秸仁欠窈虾跻?guī)格并在判斷合乎規(guī)格時處理上述掩?；逍纬善毓庋谀５墓ば颉?br> 本發(fā)明的第七方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽Χ鄠€掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒓吧鲜龅诙畔⒌墓ば?。
本發(fā)明的第八方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽Χ鄠€掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；以及存儲在所取得的信息中表示主面的表面形狀為凸狀的信息及與其相對應的掩?；宓墓ば颉?br> 本發(fā)明的第九方面的掩?；逍畔⑸煞椒ǖ奶卣髟谟诎▽Χ鄠€掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據(jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及對應存儲上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的工序。
本發(fā)明的第十方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括將利用上述第一至第三方面任何一個的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統(tǒng)對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，在所希望的基板上成像形成上述圖形的像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
本發(fā)明的第十一方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，將上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統(tǒng)對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)使上述圖形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
本發(fā)明的第十二方面的掩?；宓奶卣髟谟诰邆溆删哂兄髅娴幕搴透采w上述主面的遮光體組成的圖形，上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
本發(fā)明的第十三方面的曝光掩模的特征在于具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
本發(fā)明的第十四方面的服務器的特征在于包括用來對包含表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的多個掩?；宓膶P系的信息的頁面，進行存儲處理的單元；對來自客戶機的要求提供上述頁面的消息進行接收處理的單元；以提出要求的客戶機側(cè)可以顯示的形式對上述頁面進行發(fā)送處理的單元；以及對從上述頁面發(fā)送到的上述客戶機側(cè)發(fā)來的上述基板掩模的申請消息進行處理的單元。
對于本發(fā)明的上述以及其他的目的和新特征，根據(jù)本說明書的記載和附圖可以得到清楚的了解。


圖1為示出本發(fā)明的第1實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
圖2(a)為掩?；?的主面的平面圖，用于說明第1及第2區(qū)域；圖2(b)為用于說明掩模基板的第1區(qū)域1的斷面圖；圖2(c)為用于說明掩模基板的第1區(qū)域1的另一斷面圖；圖2(d)為用于說明掩模基板的第2區(qū)域2的斷面圖。
圖3(a)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的概略斜視圖；圖3(b)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖；圖3(c)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖；圖3(d)為用于說明掩?；?的第1區(qū)域1的另一概略斜視圖。
圖4為示出本發(fā)明的第3實施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖5為示出本發(fā)明的第4實施方案的曝光掩模的制造方法的流程的流程圖。
圖6為示出本發(fā)明的第6實施方案的服務器的示意圖。
實施發(fā)明的具體方式下面參照附圖對本發(fā)明的實施方案予以說明。
(第1實施方案)圖1為示出本發(fā)明的第1實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
首先，制備由在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成涂覆它的遮光體而構(gòu)成的11片掩模基板A～K，對這些掩?；錋～K的每一個，都利用基板平整度測定裝置(ニデック公司制)測定主面，并取得在利用真空吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺之前的11片掩?；錋～K的主面的形狀及平整度(步驟S1)。
此處，測定在圖2(a)中除掉掩?；宓闹芫墔^(qū)域的142mm見方的區(qū)域(第1區(qū)域)1的平整度。第1區(qū)域1實際上是形成圖形的圖形形成區(qū)域。
另外，在此實施方案中，第1區(qū)域1的表面形狀的凸凹，分別如圖2(b)，圖2(c)所示，意味著相對第1區(qū)域1的兩端的連線L1為上凸及下凹的形狀。圖3(a)，圖3(b)分別大概示出表面形狀為上凸及下凹的情況。
另一方面，第2區(qū)域2的表面形狀的凸凹，如圖2(d)所示，意味著朝著掩模基板的周緣部，高度較之第1區(qū)域1的表面低的形狀情況(凸)或高的形狀的情況(凹)。另外，對于第2區(qū)域2將在第2實施方案中予以詳細描述。
之后，根據(jù)所取得的上述結(jié)果，對11片掩?；錋～K按照其各自的表面形狀進行分類(步驟S2)。其結(jié)果如表1所示。表面形狀的種類(第1信息)，可根據(jù)上述的測定結(jié)果分類為凸型、凹型、鞍型及半圓錐型。另外，在利用吸盤吸附到曝光裝置的掩模臺之前的第1區(qū)域1的平整度的測定值(第2信息)在0.4～0.5μm的范圍內(nèi)。圖3(c)、圖3(d)分別大概示出表面形狀為鞍型、半圓錐型的情況。
表1

之后，利用真空吸盤依次將上述11片掩?；錋～K吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺上，并對利用真空吸盤吸附后的各掩?；宓闹髅娴钠秸冗M行測定(步驟S3)。此處，測定除掉掩?；宓闹芫墔^(qū)域的142mm見方的區(qū)域第1區(qū)域1(圖2(a))的平整度。其后如表1所示，對11片掩?；錋～K，生成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的平整度的值的對應關系(步驟S4)。
從表1可知，表面形狀為凸型的掩?；錋～C的吸附后的平整度與吸附前相同或稍好，而表面形狀為凹型或鞍型的掩?；錎～G的平整度在吸附后大大惡化。
另外，對于表面形狀為半圓錐型的掩模基板，平整度是分別對掩?；宓呐渲梅较虬凑瘴降囊?guī)定方向配置(掩?；錒，I)和在與規(guī)定方向正交即旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置而改變吸附掩?；宓牟课?掩?；錔、K)兩種的情況進行測定的。
可以看到，其結(jié)果，如表1所示，半圓錐型的掩?；錒～K的真空吸附后平整度隨掩模基板相對吸附的配置方向而改變。
就是說，可以看到，半圓錐型的掩?；錒～K的真空吸附后平整度因吸附掩?；宓牟课徊煌淖?。
具體而言，象掩模基板H、I那樣，如果在掩模臺上的掩?；宓呐渲梅较蛳鄬ξ绞前凑找?guī)定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度幾乎無改善，另一方面，如掩?；錔、K，如在旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度小于0.3μm，可以確認平整度有改善(表1)。另外，在表1未示出其他的表面形狀的掩?；錋～G旋轉(zhuǎn)情況的理由是，即使旋轉(zhuǎn)平整度也沒有改善。
之后，在以上述方式預先了解了真空吸附的吸附前后的表面形狀的種類及平整度的值的11片掩?；錋～K組成的掩?；褰M中，選擇出具有符合規(guī)格的平整度掩模基板，并另外制備與其表面形狀種類相同的11片掩?；錋～K(步驟S5)。此處，作為這種另外制備的掩?；?，選擇與掩?；錔形狀相同的掩?；宓膱龊线M行說明。
另外，因為掩?；錋～K與上述另外制備的掩?；迨窃趫D形形成區(qū)域的平整度處于規(guī)定的規(guī)格內(nèi)的情況下形成的，但表面形狀會因為標準偏差而產(chǎn)生差異。
之后，在上述另外制備的掩?；迳贤扛补饪棠z。
其后，接著進行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩?；迳系墓饪棠z掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖案，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩模基板的遮光體進行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩?；灞砻?，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模(步驟S6)。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形、或是包含電路圖形及對準用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測定平整度時可確認為0.2μm的良好值。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統(tǒng)對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實施方案，可解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，從而實現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩?；錋～K及上述另外制備的掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_的裝置，也不限于真空吸盤。
(第2實施方案)在第1實施方案中，只是對示于圖2(a)的掩?；?的主面的第1區(qū)域1取得表面形狀及平整度(步驟S1)，而在本實施方案中是對第1區(qū)域1和包圍此第1區(qū)域1的第2區(qū)域這2兩個區(qū)域取得表面形狀及平整度。
此處，第1區(qū)域1為以掩?；逯行臑閰^(qū)域中心，一邊的長度為142mm的矩形區(qū)域，第2區(qū)域2為包圍第1區(qū)域1，一邊的長度為150mm的口狀區(qū)域(從矩形區(qū)域中去掉以此矩形區(qū)域的中心為區(qū)域中心且較其為小的矩形區(qū)域后的區(qū)域)。在將掩?；?設置于曝光裝置的掩模臺上之際，利用真空吸盤吸附的區(qū)域(掩模吸附區(qū)域)大致包含第2區(qū)域2。就是說，用來將掩?；逦降窖谀Ｅ_上的力大體作用在第2區(qū)域2上。
在現(xiàn)有技術的延長線上，如果不僅考慮管理圖形形成區(qū)域，也包括掩模吸附區(qū)域的平整度，則第1區(qū)域1變大，由此就變成管理包含掩模吸附區(qū)域的區(qū)域的平整度。
然而，在現(xiàn)在的掩模制造技術中，要使掩?；?的主面整個平整是非常困難的，現(xiàn)在的情況是掩模基板1的主面的平整度在端部急劇惡化，因此如果加大第1區(qū)域1，掩?；?的中心部的平整度良好，但掩?；?的端部的平整度很壞，因此掩?；?的主面的整體的平整度的測定結(jié)果下降。因此，在本實施方案中，如上所述，對包含掩模中心的第1區(qū)域1和包圍它的第2區(qū)域2分別取得平整度及表面形狀。
對在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的掩?；宓闹髅娴钠秸取⒓氨砻嫘螤罾没迤秸葴y定裝置(ニデック公司制)進行測定，并制備第1區(qū)域1的平整度和表面形狀、第2區(qū)域2的平整度和表面形狀分別不同的13片掩?；錋～M。
之后，依次將上述13片掩?；錋～M吸附到ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模臺上，并對利用真空吸盤吸附后的各掩?；宓闹髅娴钠秸冗M行測定。
之后，對13片掩?；錋～M，作成表面形狀的種類和利用真空吸盤吸附前后的第1及第2區(qū)域的平整度的值的對應關系，其結(jié)果如表2所示。
表2

之后，對13片掩?；錋～M的第1及第2區(qū)域的表面形狀分類為凸型、凹型、鞍型及半圓錐型。表面形狀為單純凸型形狀的掩?；錋的第1及第2區(qū)域的表面形狀都為凸形。另一方面，帶邊帽子形狀的掩?；錌的表面形狀在第1區(qū)域為凸形，而在第2區(qū)域為凹形。
從表2可知，通過利用真空吸盤吸附，第一區(qū)域的平面形狀惡化的掩?；宓牡?區(qū)域的表面形狀為凹形和鞍形。另外，表面形狀為半圓錐型的掩?；錍、D、H、I、L、M根據(jù)掩模臺上的掩?；宓呐渲梅较虻牟煌@示不同的結(jié)果。
具體而言，如果在掩模臺上的掩模基板的配置方向相對吸附是按照規(guī)定方向配置，則描繪半圓錐形弧線的邊為位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度低下，另一方面，如果在旋轉(zhuǎn)90度的方向上配置，則描繪半圓錐形弧線的邊不位于曝光裝置的掩模臺的吸附部位，平整度小于0.4μm，可以確認在此方向(旋轉(zhuǎn)90度的方向)上配置的大部分的掩模基板的平整度有改善。
另外，還確認在利用真空吸盤吸附后的第1區(qū)域的平整度幾乎與吸附前的第1區(qū)域的表面形狀沒有關系。就是說，在利用真空吸盤吸附前后的掩?；宓闹髅娴男螤钭兓瘞缀跏怯傻?區(qū)域的表面形狀決定。
此外，可以確認，盡管第2區(qū)域的平整度與第1區(qū)域的平整度相比較，數(shù)值格外地差，在第2區(qū)域的表面形狀為凸形的場合，在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓牡?區(qū)域的表面形狀幾乎不改變。
從以上看出，通過對多個掩?；逍纬善涞?區(qū)域1及第2區(qū)域2的表面形狀的種類和在利用真空吸盤吸附前后的掩?；逯髅娴钠秸鹊闹档膶P系，就不需要為了掩模吸附區(qū)域的平整度進行管理而將掩?；宓牡?區(qū)域1擴大到必要以上，可以不必將第1區(qū)域1的平整度提高到必要以上的嚴格的數(shù)值，而可以將其設定為現(xiàn)實的數(shù)值。并且，通過考慮第2區(qū)域2的表面形狀，可以更可靠地選擇在利用真空吸盤吸附前后的掩?；逯髅娴牡钠秸鹊淖兓〉难谀；濉?br> 之后，在以上述方式預先了解了真空吸附的吸附前的第1區(qū)域1及第2區(qū)域2的表面形狀的種類及掩?；逯髅娴奈胶蟮钠秸鹊闹档?3片掩?；錋～M組成的掩?；褰M中，選擇出具有符合規(guī)格的平整度掩?；?，并另外制備與其表面形狀種類相同的13片掩模基板A～M。
此處，作為這種另外制備的掩?；?，制備與掩模基板F表面形狀(第1區(qū)域為凹，第2區(qū)域為凸)相同的掩模基板。對此掩?；宓臏y定結(jié)果為，第1區(qū)域的平整度在0.3μm以下，第2區(qū)域的平整度在4μm以下。
之后，在掩模基板上涂覆光刻膠。
其后，接著進行眾所周知的制造方法的曝光掩模制作工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩?；迳系墓饪棠z掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩?；宓恼诠怏w進行蝕刻加工而形成遮光體圖形。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩模基板表面，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模。另外，上述的所希望的圖形，例如包含電路圖形，或是包含電路圖形及位置對準用圖形。
將這樣得到的曝光掩模置于ArF晶片曝光裝置中，測定第1區(qū)域1的平整度時，可確認為0.2μm的良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統(tǒng)對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實施方案，與第1實施方案同樣，可解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，實現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩?；錋～M及上述另外制備的掩模基板，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_的裝置也不限于真空吸盤。
另外，從表2可知，第2區(qū)域的表面形狀為凸狀時在利用真空吸盤吸附后的第1區(qū)域的平整度良好，所以也可以作成并使用第2區(qū)域的表面形狀為凸狀的掩?；寤蚱毓庋谀！?br> 在第2區(qū)域2中，具有如上表面形狀即凸狀的掩?；寤蚱毓庋谀＃梢岳美?，與石英基板的周緣區(qū)域及其內(nèi)側(cè)區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)相比中央?yún)^(qū)域的研磨速率高這一點來得到。具體而言，利用研磨裝置對石英基板的主面以比過去長的時間進行研磨而得到。其后，按照眾所周知的方法，使遮光體成膜而得到掩?；?，并且通過遮光體圖形化而得到曝光掩模。
于是，如果采用將形成具有這種表面形狀(此處為凸狀)的第2區(qū)域的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統(tǒng)對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，與第1實施方案一樣，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
另外，過去對石英基板進行研磨是要使整個主面盡量平整。為此，力求控制研磨速率使其不要有明顯的差別，使研磨時間長。所以，即使是由于研磨的標準偏差而引起第2區(qū)域的表面形狀變成凸狀或凹狀，其程度較之本實施方案的的掩?；寤蚱毓庋谀５某潭让黠@地小。
(第3實施方案)在本實施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钕喈?shù)难谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤钍抢媚M取得的。
首先，通過利用基板平整度測定裝置(ニデック公司制)進行測定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的掩模基板的主面的表面形狀及平整度、圖形形成區(qū)域(圖2(a)的第1區(qū)域1)的平整度，并制備表面形狀和平整度分別不同的13片掩?；錋～M。
之后，根據(jù)ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結(jié)構(gòu)和上述13片掩?；錋～M的主面的上述測定的平整度，利用有限元法對利用真空吸盤將13片掩?；錋～M順序吸附到ArF晶片曝光裝置的掩模臺上時的掩?；錋～M的主面的平整度經(jīng)模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。接著，為確認這一模擬是否正確，將上述13片掩?；錋～M利用真空吸盤順序?qū)嶋H吸附到ArF晶片曝光裝置，并測定在利用真空吸盤吸附后的各掩?；宓闹髅娴钠秸??？梢源_認，其結(jié)果為，由模擬取得的掩?；錋～M的主面的平整度與實際上置于ArF晶片曝光裝置中利用基板平整度測定裝置進行測定而得到的掩模基板A～M的平整度，如表3所示，在掩?；錋～M的大部分的掩?；逯邢嗖钤?.1μm以下。
表3

就是說，對于掩?；澹谏鲜鰧嵤┓桨钢?，在作成表面形狀和利用真空吸盤吸附前后的平整度的值的對應關系時，利用真空吸盤吸附前后的平整度的值可以用由模擬取得的值來置換。
由此結(jié)果可以看出，掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤羁赏ㄟ^利用基板平整度測定裝置(ニデック公司制)對圖形形成區(qū)域(圖2(a)的第1區(qū)域1)的平整度進行測定而求得，之后，根據(jù)曝光裝置的掩模吸盤結(jié)構(gòu)和已經(jīng)取得的掩?；宓闹髅娴纳鲜銎秸?，對利用真空吸盤將掩?；屙樞蛭降狡毓庋b置的掩模臺上時的掩模基板的主面的表面形狀解析模擬，可以預測實際上將掩?；逯糜诰毓庋b置中時的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤睢Ｒ虼?，可以對比過去格外高的精度的掩模基板的主面的表面形狀及平整度進行管理。
圖4為示出本發(fā)明的第3實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。在圖4的流程圖中，在步驟S3中，通過模擬取得在利用真空吸盤吸附掩?；鍟r的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤?。于是，在步驟S4中，生成利用表面形狀和基板平整度測定裝置取得的平整度和通過模擬取得的平整度的對應關系。步驟S1、S2、S5、S6與圖1中的相同。
之后，在步驟S5中利用基板平整度測定裝置測定掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤?，并且在上述13片掩模基板A～M之外，另外制備利用真空吸盤將掩?；逡来挝降狡毓庋b置的掩模臺時的掩模基板的主面的表面形狀通過模擬為0.2μm的平整度的掩?；濉?br> 之后，在步驟S6中，繼續(xù)眾所周知的制造方法的曝光掩模制造工序。就是說，利用電子束掃描裝置對掩模基板上的光刻膠掃描出所希望的圖形。然后，將光刻膠顯影而形成光刻膠圖形，之后以此光刻膠圖形作為掩模，利用反應離子蝕刻裝置對掩?；宓恼诠怏w進行蝕刻加工而形成遮光體圖形(掩模圖形)。其后，剝離光刻膠圖形，清洗掩?；灞砻?，就完成具有所希望的掩模圖形的曝光掩模。將此曝光掩模實際置于ArF晶片曝光裝置中，利用基板平整度測定裝置測定其主面的表面形狀及平整度時為與模擬值相同的0.2μm的平整度，可確認為良好的平整度。于是，如果采用將這種平整度高的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上，利用照明光學系統(tǒng)對在上述曝光掩模上形成的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)將上述圖形的像成像于所希望的基板(例如涂覆光刻膠的基板)上的曝光方法，可格外增加晶片曝光時的焦點容限，大大提高DRAM等的半導體制品的成品率。
這樣，根據(jù)本實施方案，也可與第1實施方案、第2實施方案一樣，解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，實現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
掩?；錋～M及上述另外制備的掩?；?，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩?；逦降窖谀Ｅ_的裝置也不限于真空吸盤。
在上述各實施方案中，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測定掩?；宓闹髅娴钠秸?，從該測定數(shù)據(jù)通過模擬取得在將掩?；逯糜谄毓庋b置時的掩模基板的主面的表面形狀也可以。由此，在形成掩模圖形時生成的掩?；宓闹髅娴淖冃我部杉{入通過模擬取得的結(jié)果，可以管理更高精度的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?。此外，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第4實施方案)在本實施方案中，與在利用真空吸盤吸附后的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤钕喈?shù)难谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤钍抢媚M取得的。
圖5為示出本實施方案的曝光掩模的制造方法的流程圖。
在步驟S1中，通過利用基板平整度測定裝置(ニデック公司制)進行測定而求出在大小為152mm見方、厚度為約6mm的石英基板上形成遮光體而構(gòu)成的一片掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸?、圖形形成區(qū)域(圖2(a)的第1區(qū)域1)的平整度。
之后，在步驟S2中，根據(jù)ArF晶片曝光裝置(尼康公司制)的掩模吸盤結(jié)構(gòu)和上述一片掩模基板主面的上述測定的平整度，利用有限元法對利用真空吸盤將上述一片掩模基板順序吸附到ArF晶片曝光裝置的掩模臺上時的掩?；宓闹髅娴钠秸冉?jīng)模擬而取得。另外，也可采用解析法代替有限元法。
接著，在步驟S3，判斷經(jīng)模擬取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規(guī)格，在判斷為合乎規(guī)格的場合，在步驟S4中，進入曝光掩模制造工序。
另一方面，在步驟S3中，在判斷上述掩?；宓钠秸炔缓虾跻?guī)格的場合，在步驟S5中，剝離上述掩?；宓氖⒒迳系恼诠怏w薄膜。接著，在步驟S6中，對石英基板的表面進行研磨。接著，在步驟7中，在石英基板的經(jīng)過研磨的表面上形成新的遮光體薄膜，返回到步驟S1的平整度測定。
本實施方案，也可與第1實施方案、第2實施方案、第3實施方案一樣，解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}而實現(xiàn)有效的曝光掩模的制造方法。
另外，上述掩?；?，最好預先形成位置對準用的標記。另外，作為將掩模基板吸附到掩模臺的裝置也不限于真空吸盤。
另外，例如，晶片曝光裝置也可以不是ArF晶片曝光裝置。另外，在掩模圖形形成之后，再測定掩模基板的主面的平整度，從該測定數(shù)據(jù)通過模擬取得在將掩?；逯糜谄毓庋b置時的掩模基板的主面的表面形狀也可以。由此，在形成掩模圖形時生成的掩?；宓闹髅娴淖冃我部杉{入通過模擬取得的結(jié)果，可以管理更高精度的掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤罴捌秸取４送?，掩模也不限定ArF用或KRF用的，例如，也可應用真空紫外線曝光用的反射型掩模、X射線曝光用掩模、電子束曝光掩模等掩模。
(第5實施方案)下面對本發(fā)明的第5實施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ㄓ枰哉f明。
本實施方案的掩模基板信息生成方法包括對表1的11片掩模基板A～K的每一個，按照圖1的流程圖的例如步驟S1～S3，取得主面的表面形狀和吸附前后的主面的平整度的工序；對11片掩模基板A～K，如表1所示，對應列出掩?；搴捅砻嫘螤畹姆N類和平整度的值的工序；以及在個人計算機(PC)中存儲該對應關系的工序。
此外，也可將存儲于個人計算機(PC)等之中的上述對應關系顯示出來。具體而言，例如，可以在存放11片掩?；錋～K的容器上貼上印刷有顯示內(nèi)容的貼紙。
通過采用上述的對應關系的顯示方法，可解決由于將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺之后使掩模基板的主面的平整度惡化所引起的制品成品率低的問題，容易進行有效的掩?；宓墓芾?。
此外，在圖1的流程圖的步驟S2之后，在圖1的流程圖的步驟S2中取得的信息中，將表示主面的表面形狀為凸狀的信息和與其相對應的掩?；逑鄬?，通過將這種對應關系存儲于個人計算機(PC)中，可實施與本實施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ú煌难谀；逍畔⑸煞椒?。在此場合也可與本實施方案的掩?；逍畔⑸煞椒ㄍ瑯拥貙⒃搶P系利用貼紙等顯示，同樣可很容易地進行掩?；宓墓芾怼?br> 此處是以表1中的11片掩?；錋～K為例對掩模基板信息生成方法進行說明的，對表2的1片掩模基板A～M也可以同樣地實施掩?；逍畔⑸?。
(第6實施方案)圖6為示出本發(fā)明的第6實施方案的服務器的示意圖。在第5實施方案中，作為顯示的示例舉出的是貼紙，在本實施方案中是顯示于服務器(服務器裝置)上，因此本實施方案的掩模基板信息生成方法可應用于電子商務(電子信函商務)。
首先，例如，通過光纖11生成表示對應關系的表1或表2或表3那樣的表，將包含其作為信息的頁面上傳到服務器12。服務器12將上述頁面存儲于硬盤等存儲單元中。
服務器12，通過因特網(wǎng)連接到多個客戶機(客戶機裝置)13。也可以以專線代替因特網(wǎng)?；蛘咭部梢允且蛱鼐W(wǎng)與專線的組合。
服務器12包括對來自客戶機13的要求提供上述頁面的消息進行接收處理的眾所周知的單元；以提出要求的客戶機側(cè)可以顯示的形式對上述頁面進行發(fā)送處理的單元；以及對從上述頁面發(fā)送到的上述客戶機13側(cè)發(fā)來的上述基板掩模的申請消息進行處理的單元。這些眾所周知的單元，例如由局域網(wǎng)卡，存儲裝置，服務器軟件，CPU等構(gòu)成，將這些裝置協(xié)調(diào)起來進行所希望的處理。
服務器12，如接收到來自客戶機13的要求提供上述頁面的消息，就向客戶機13發(fā)送在客戶機13的顯示器上顯示如圖6所示的畫面14所必需的信息。在畫面14中顯示有具有表1所示的內(nèi)容的表15，用來通過核選選擇所希望的基板的核選框16以及將買入在核選框16中核選的掩?；宓臎Q定傳送到服務器12決定圖標17。在圖6中，為簡單起見，示出的是具有示于表1的內(nèi)容的表15，也可以使用具有示于表2的內(nèi)容或示于表3的內(nèi)容的表。
根據(jù)本實施方案，因為可以購入在將掩模基板吸附到曝光裝置的掩模臺之后平整度高的掩?；?，可以解決由于將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺而使掩?；宓闹髅娴钠秸葠夯鸬闹破烦善仿实偷膯栴}，實現(xiàn)有效的服務器。
以上對本發(fā)明的實施方案進行了說明，但本發(fā)明不限于這些實施方案。例如，在上述實施方案中，凸型形狀的掩?；瀚@得良好結(jié)果，但由于置放掩?；宓钠毓庋b置的不同，也有凹型形狀的掩?；瀚@得良好結(jié)果的場合。就是說，因為真空吸附后的掩?；宓钠秸仁艿窖谀Ｎ脚_和掩模吸附面的形狀和性質(zhì)配合情況的很大影響，應該選擇的主面的形狀隨所使用的掩模吸附臺而改變。
此外，在上述各實施方案中，是針對ArF晶片曝光裝置用的掩?；宓膱龊线M行說明的，但作為其他的掩?；逡部梢岳美纾琄rF晶片曝光裝置用的掩?；?、真空紫外線曝光用的反射型掩模基板、X射線曝光用掩?；濉㈦娮邮毓庥醚谀；宓?。
此外還有，在上述各實施方案中，包含各種階段的發(fā)明，通過公開的多個結(jié)構(gòu)要件的適宜組合可抽出多種發(fā)明。例如，在即使是從實施方案所示的全部結(jié)構(gòu)要件中去掉幾個結(jié)構(gòu)要件也可以解決在發(fā)明概述中提出的課題的場合，就可以將這種去掉結(jié)構(gòu)要件的結(jié)構(gòu)作為發(fā)明而抽出。此外，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可實施種種變形。
如以上的詳細說明所述，根據(jù)本發(fā)明，可實現(xiàn)解決在將掩?；逦降骄毓庋b置的掩模臺后掩?；宓钠秸葠夯鹁毓庋b置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩?；逍畔⑸煞椒?，半導體裝置的制造方法，掩?；?，曝光掩模及服務器。
權利要求
1.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括對多個掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒑蜕鲜龅诙畔⒌膶P系的工序；從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；澹耘c上述多個掩?；逵袆e的方式進行另外制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
2.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括從表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的對多個掩?；宓膶P系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式進行另外制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。
3.如權利要求1或2中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，上述所希望的圖形包含電路圖形。
4.如權利要求3中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，上述所希望的圖形還包含位置對準用圖形。
5.如權利要求1或2中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，上述多個掩?；寮吧鲜隽硗庵苽涞难谀；孱A先形成位置對準用的標記。
6.如權利要求1或2中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，利用真空吸盤將上述多個掩?；寮吧鲜隽硗庵苽涞难谀；逦降缴鲜銎毓庋b置的掩模臺。
7.如權利要求1或2中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，對于上述多個掩?；宓闹辽僖徊糠指淖兩鲜銎毓庋b置的掩模臺上的上述那些掩模基板的方向，并取得將該改變方向的上述那些掩?；逦降缴鲜鲅谀Ｅ_前后的上述主面的平整度。
8.如權利要求1或2中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，對上述主面分別取得包含其中心的第1區(qū)域和包圍該第1區(qū)域的第2區(qū)域的上述第1及第2信息。
9.如權利要求8中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，用來將上述掩?；逦降缴鲜鲅谀Ｅ_上的力作用在第2區(qū)域的一部分上。
10.如權利要求9中所記載的曝光掩模的制造方法，其特征在于，上述第2區(qū)域的表面形狀為朝著上述掩?；宓闹芫壊康钠涓叨缺壬鲜龅?區(qū)域的表面低的形狀。
11.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括對多個掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示凸狀的表面形狀的信息，從上述多個掩?；逯羞x擇具有與所選擇的此信息有著上述對應關系的掩?；宓倪x擇工序；以及在所選擇的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
12.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息、和表示根據(jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩?；逶O置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板以與上述多個掩?；逵袆e的方式進行另外制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
13.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括從表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔?、和表示根據(jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的上述主面的平整度的第二信息的對多個掩模基板的對應關系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩?；逡耘c上述多個掩?；逵袆e的方式進行另外制備的工序；以及在制備的此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形的工序。
14.一種曝光掩模的制造方法，其特征在于包括取得表示各掩模基板各掩?；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔⒌墓ば颍蝗〉帽硎靖鶕?jù)上述掩?；宓闹髅娴钠秸群推毓庋b置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及判斷根據(jù)上述模擬所取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規(guī)格，并在判斷合乎規(guī)格時處理上述掩?；逍纬善毓庋谀５墓ば?。
15.一種掩模基板信息生成方法，其特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒓吧鲜龅诙畔⒌墓ば?。
16.如權利要求15的掩?；逍畔⑸煞椒?，其特征在于，顯示上述對應存儲的各掩模基板和上述第1信息和上述第2信息。
17.如權利要求15或16的掩?；逍畔⑸煞椒ǎ涮卣髟谟?，對上述主面分別取得包含其中心的第1區(qū)域和包圍該第1區(qū)域的第2區(qū)域的上述第1及第2信息。
18.一種掩?；逍畔⑸煞椒?，其特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；以及存儲在所取得的信息中表示主面的表面形狀為凸狀的信息及與其相對應的掩?；宓墓ば?。
19.如權利要求18的掩?；逍畔⑸煞椒ǎ涮卣髟谟?，顯示上述存儲的掩?；搴蜕鲜鲂畔?。
20.一種掩模基板信息生成方法，其特征在于包括對多個掩?；宓拿恳粋€，取得表示主面的表面形狀的第一信息、和表示根據(jù)測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結(jié)構(gòu)將各掩?；逶O置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述各掩?；搴蜕鲜龅谝恍畔⒓吧鲜龅诙畔⒌墓ば?。
21.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括將用上述權利要求1，2或11中記載的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統(tǒng)對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，在所希望的基板上成像而形成上述圖形的像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
22.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，將上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀朝向上述基板的周緣側(cè)，高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統(tǒng)對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，利用投影光學系統(tǒng)使上述圖形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根據(jù)上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。
23.如權利要求21中記載的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述所希望的基板為涂覆光刻膠的基板。
24.一種掩?；?，其特征在于包括具有主面的基板；以及覆蓋上述主面的遮光體；上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，其高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
25.如權利要求24中記載的掩?；?，其特征在于，上述主面的上述周邊區(qū)域的內(nèi)側(cè)區(qū)域為圖形形成的區(qū)域。
26.如權利要求24或25中記載的掩模基板，其特征在于，上述周邊區(qū)域的一部分為用來將上述基板吸附到曝光裝置的掩模臺的力的作用區(qū)域。
27.一種曝光掩模，其特征在于包括具有主面的基板；以及在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形；上述主面的周邊區(qū)域的表面形狀為朝向上述基板的周緣側(cè)，其高度較上述主面的中央?yún)^(qū)域的表面低的形狀。
28.如權利要求27中記載的曝光掩模，其特征在于，上述圖形是在上述主面的上述周邊區(qū)域的內(nèi)側(cè)區(qū)域中形成的。
29.如權利要求27或28中記載的曝光掩模，其特征在于，上述周邊區(qū)域的一部分為用來將上述基板吸附到曝光裝置的掩模臺的力的作用區(qū)域。
30.一種服務器，其特征在于包括用來對包含表示各掩?；搴透餮谀；宓闹髅娴谋砻嫘螤畹牡谝恍畔ⅰ⒑捅硎疚降狡毓庋b置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的多個掩?；宓膶P系的信息的頁面，進行存儲處理的單元；對來自客戶機的要求提供上述頁面的消息進行接收處理的單元；以提出要求的客戶機側(cè)可以顯示的形式對上述頁面進行發(fā)送處理的單元；以及對從上述頁面發(fā)送來的上述客戶機側(cè)發(fā)來的上述基板掩模的申請消息進行處理的單元。
31.如權利要求22中所記載的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述所希望的基板為涂覆光刻膠的基板。
全文摘要
提供有效的曝光掩模的制造方法、掩?；逍畔⑸煞椒?、半導體裝置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服務器,可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩?；宓钠秸葠夯鹁毓庋b置制品成品率低的問題。包括對多個掩模基板的每一個,取得表示主面的表面形狀及吸附到曝光裝置的掩模臺前后的主面的平整度;制備在吸附到曝光裝置的掩模臺之前后都具有平整度良好的表面形狀的掩?；?在此掩?；迳闲纬伤Ｍ膱D形而生成曝光掩模。
文檔編號G03F1/68GK1389902SQ02121780
公開日2003年1月8日 申請日期2002年5月31日 優(yōu)先權日2001年5月31日
發(fā)明者伊藤正光 申請人:株式會社東芝