專利名稱：曝光掩模的圖案修正方法和半導體器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種曝光掩模的圖案修正方法、圖案形成方法和程序，具體而言，涉及一種減小鄰近效應影響的曝光掩模的圖案修正方法、圖案形成方法和計算機可讀取的記錄媒體。
背景技術：
近年來，對半導體器件的電路圖案尺寸細微化的要求加速。同時，即使按設計圖案制作曝光掩模，在晶片上也會產(chǎn)生所謂不能按設計圖案形成圖案的現(xiàn)象。該現(xiàn)象被稱為晶片上的OPE(光學鄰近效應)。
所述OPE大致起因于掩模工序、平版印刷工序、蝕刻工序。具體而言，若為所述平版印刷工序的情況，則起因于光刻膠的顯影，若為所述蝕刻工序的情況，則起因于加載效應。雖然所述平版印刷工序是所述OPE的光學主要原因，但所述掩模工序、所述蝕刻工序不是所述OPE的光學的主要原因。
作為修正所述OPE的技術，提出了各種OPC(光學鄰近修正)技術。

圖16表示進行所述OPC的修正規(guī)則(在規(guī)則庫OPC的情況下，下面稱為OPC規(guī)則。)或修正模塊(在規(guī)則庫OPC的情況下，下面稱為OPC模塊。)的制作順序和所述OPC規(guī)則或所述OPC模塊(OPC規(guī)則/模塊)對制品的反饋。
如圖16所示，當制作OPC規(guī)則/模塊時，使用設計數(shù)據(jù)和與所述制品相同的蝕刻工序來制作被稱為OPC TEG掩模的評價掩模。接著，使用所述評價掩模和與所述制品相同的平版印刷工序，在晶片上形成抗蝕劑圖案。之后，使用所述抗蝕劑圖案和與所述制品相同的蝕刻工序來加工所述晶片，制作評價晶片。然后，對所述評價晶片進行OPE評價，制作使形成于所述評價晶片上的圖案和所述設計數(shù)據(jù)的圖案一致的規(guī)則/模塊，即OPC規(guī)則/模塊。所述OPC規(guī)則/模塊適用于制品的主體掩模的制作。
圖17表示現(xiàn)有的得到OPC模塊的方法。在所述方法中，選擇復高斯函數(shù)G的系數(shù)Ci、ΔLi，使實驗所得的晶片尺寸(CDexp)和計算所得的晶片尺寸(CDsim)一致(CDexp＝CDsim)。
實施OPC的制品單元工序組(掩模工序、平版印刷工序、蝕刻印刷工序等)與為了獲得OPC規(guī)則/模塊而制作的評價掩模的單元工序組必須相同。
理由如下當這些單元工序組不同時，所述評價晶片的OPE與所述制品的OPE不同，有可能制作的OPC規(guī)則/模塊變得無效。
構成所述制品的所述單元工序組的多個單元工序(掩模工序、平版印刷工序、蝕刻印刷工序)與開發(fā)的流程同時進步。因此，在暫時確定OPC規(guī)則/模塊后，在所述制品的所述多個單元工序的任一個工序中都會產(chǎn)生變更。
此時，在現(xiàn)有技術中，使用與包含產(chǎn)生變更的單元工序的制品相同的單元工序組來制作新的評價晶片，從所述評價晶片的OPE評價結果來制作新的OPC規(guī)則/模塊。
但是，因為在OPC規(guī)則/模塊的制作中花費時間，在實施反映所述新的OPC規(guī)則/模塊的制品的圖案形成方法之前，存在花費時間的問題。
發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明的一個方面的曝光掩模的圖案修正方法包括準備包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序，關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)；使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的半導體器件的制造方法包括準備包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序，關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)；使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正；使用實施了所述鄰近效應修正的所述曝光掩模，在所述襯底上形成所述圖案。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的計算機程序產(chǎn)品包括計算機可讀媒體；所述媒體上記錄有將包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組讀入計算機的第一程序指令，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；所述媒體上記錄有在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊的第二程序指令，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
附圖的簡要描述圖1是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖；圖2是表示根據(jù)第一實施例的新的OPC規(guī)則/模塊的取得方法的流程圖；圖3A-3C是說明改寫一維OPC的圖；圖4A-4D是說明改寫二維OPC的圖；圖5A和5B是說明根據(jù)新舊掩模工序中的掩模數(shù)據(jù)和舊掩模工序中的晶片數(shù)據(jù)，而取得新的掩模工序的晶片數(shù)據(jù)的方法的圖；
圖6是說明MEF定義的圖；圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖；圖8是表示根據(jù)第二實施例的新的OPC規(guī)則/模塊的取得方法的流程圖；圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖；圖10是表示根據(jù)第三實施例的新的OPC規(guī)則/模塊的取得方法的流程圖；圖11是表示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的曝光掩模的圖案修正方法的流程圖；圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的曝光掩模的圖案修正方法的流程圖；圖13A和13B是說明不考慮覆蓋率圖案的OPC的圖；圖14A和14B是說明考慮覆蓋率圖案的OPC的圖；圖15A到15D是說明根據(jù)本發(fā)明第六實施例的考慮了圖案覆蓋率的曝光掩模圖案修正方法的圖；圖16是表示現(xiàn)有的單元工序組的一部分中存在變更的情況下的圖案形成方法的流程圖；圖17表示現(xiàn)有的OPC模塊化方法的圖；圖18是說明本發(fā)明其它實施例的圖。
實施發(fā)明的具體方式下面參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。
(第一實施例)圖1是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖。這里，說明構成單元工序組的多個單元工序中關于曝光掩模制造的工序(掩模工序)中存在變更的情況。
這里所稱的掩模工序的變更是曝光掩模制作時的描繪工序、平版印刷工序、曝光掩模(玻璃襯底上的遮光膜)的蝕刻工序等工序，還包含變更構成這些各工序的子工序的情況。另外，作為對象的圖案是在例如Si襯底(Si晶片)上形成的電路圖案。
在單元工序(這里為掩模工序)中產(chǎn)生變更的情況下，因為曝光掩模的圖案修正方法，所以有必要重新更改OPC規(guī)則/模塊。
本實施例的特征在于該新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法，其它的內(nèi)容與公知的圖案形成方法相同。因此，在下面的說明中，主要說明新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法。
在本實施例中，首先根據(jù)變更前的掩模工序(舊掩模工序)中所得的評價掩模鄰近效應數(shù)據(jù)和關于變更后的曝光掩模制造的掩模工序(新掩模工序)中所得的評價掩模的鄰近效應數(shù)據(jù)，制作新掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)。
之后，將掩模工序變更前的OPC規(guī)則/模塊(舊OPC規(guī)則/模塊)中掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊改寫成上述新掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊。
將由此得到的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)用于實際制品的電路圖案形成中使用的曝光掩模(主體掩模)的制作中，更新制品的圖案工序。
作為新掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊的制作所必需的信息，如圖2所示，最好存在舊OPC規(guī)則/模塊和新舊掩模工序之間的掩模的尺寸差或掩模的形狀差(截面形狀差、平面形狀差)。
已取得舊OPC規(guī)則/舊OPC模塊。因此，制作新OPC規(guī)則/模塊所必需的新的評價項目僅通過新舊掩模工序之間的掩模尺寸差、掩模形狀差的評價來完成。因此，根據(jù)本實施例，與現(xiàn)有方法相比，可較容易地在短時間內(nèi)制作新OPC規(guī)則/模塊。
下面用圖3A-3C來具體說明變更掩模工序時的OPC模塊/工序的改寫(一維OPC改寫)。這里，所謂OPC規(guī)則/模塊的改寫是指不進行評價晶片的制作、評價，而僅用新舊掩模的制作、評價來將舊掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊變更為新掩模工序中的OPC規(guī)則/模塊。這里，作為評價圖案，如圖3所示，使用使測定圖案到最接近圖案的距離S(設計距離)變化的圖案。
首先，使用舊掩模工序，制作具有圖3A的評價圖案的曝光掩模，取得舊掩模工序中的曝光掩模上的測定圖案寬度CD和到其最接近圖案的距離S(設計距離)的關系(一維OPE間隙(步驟1)。寬度CD是實測值，距離S(設計距離)是設計值。同樣，使用新掩模工序，取得新掩模工序中曝光掩模上的CD和設計距離的關系(步驟2)。圖3B中表示這些步驟1、2。
下面，根據(jù)步驟1、2的結果(新舊掩模工序之間的掩模尺寸差)，通過計算得到新掩模工序中的晶片上的CD和設計距離之間的關系(步驟3)。圖3C中表示步驟3的結果。
下面，根據(jù)步驟3中取得的晶片上的CD和設計距離的關系，制作新OPC規(guī)則/模塊(步驟4)。
下面，用圖4A-4D來說明掩模工序變更時的OPC規(guī)則/模塊的改寫(二維OPC改寫)。這里，作為評價圖案，如圖4A和圖4B所示，使用使最接近的兩個長方形圖案面對面之間距離S(設計距離)變化的圖案。
首先，使用舊掩模工序來制作具有圖4A的評價圖案的曝光掩模，求出該曝光掩模上因實測引起的面對面間距離(掩模上距離)和舊掩模工序中的設計上的面對面間距離(設計距離)的關系(步驟1)。同樣，使用新掩模工序來制作具有圖4B的評價圖案的曝光掩模，求出因實測引起的面對面間距離(掩模上距離)和新掩模工序中的設計上的面對面間距離(設計距離)的關系(二維OPE間隙)(步驟2)。圖4C中表示這些步驟1、2的結果。
下面根據(jù)步驟1、2的結果(新舊掩模工序之間的掩模尺寸差)，通過計算取得獲得新掩模工序中的晶片上面對面間距離(掩模上距離)和設計值上的面對面間距離(設計距離)關系的CD和設計距離的關系(步驟3)。在步驟3中，使用被稱為MEF的因子來進行從掩模尺寸到晶片尺寸的變換，這在后面說明(圖5、6)。圖4D中表示步驟3的結果。
接著，根據(jù)步驟3中取得的晶片上的面對面間距離(掩模上距離)和設計值上的面對面間距離(設計距離)的關系，制作新OPC規(guī)則/模塊(步驟4)。
圖5A和5B中表示根據(jù)新舊掩模工序中的掩模數(shù)據(jù)(CD-S關系)和舊掩模工序中的晶片數(shù)據(jù)(CD-S關系)，而取得新的掩模工序的晶片數(shù)據(jù)的方法。該方法在一維OPC改寫、二維OPC改寫中都適用。
該方法是利用將掩模上的新舊掩模工序之間的CD-S關系的差別(ΔCDm)反映在晶片上的新舊掩模工序之間的CD-S關系的差別(ΔCDw)上。具體而言，ΔCDw可通過用ΔCDm除以MEF(掩模CD誤差因子)來推定。如圖6所示，所謂MEF是表示圖案間距一定條件下的掩模尺寸和晶片尺寸的相關的因子(變更后的單元工序和其后工序的單元工序之間的相關系數(shù))?？芍ㄟ^該因子可將掩模上的尺寸差大致變成晶片上的尺寸差。
(第二實施例)圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖。這里，說明構成單元工序組的多個單元工序中的平版印刷工序中存在變更的情況。這里所稱的平版印刷工序的變更是曝光裝置的照明條件、抗蝕劑工序、掩模條件(例如通常掩模或移相掩模等)等工序，還包含變更構成這些各工序的子工序的情況。
在單元工序(這里是平版印刷工序)中產(chǎn)生變更的情況下，有必要重新更改OPC規(guī)則/模塊。本實施例的特征在于該新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法，其它內(nèi)容與公知的半導體器件的制造方法一致。因此，在下面的說明中，主要說明新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法。
在本實施例中，首先根據(jù)由使用變更前的平版印刷工序(舊平版印刷工序)的單元工序組制作的評價掩模的鄰近效應數(shù)據(jù)和由使用變更后的平版印刷工序(新平版印刷工序)的單元工序組制作的評價掩模的鄰近效應數(shù)據(jù)，求出新平版印刷工序中的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)。
之后，將平版印刷工序變更前的OPC規(guī)則/模塊(舊OPC規(guī)則/模塊)中平版印刷工序中的OPC規(guī)則/模塊改寫成上述新平版印刷工序中的OPC規(guī)則/模塊。將由此得到的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)用于實際制品的圖案形成中使用的曝光掩模(主體掩模)的制作中，更新制品的圖案工序。
作為新平版印刷工序中的OPC規(guī)則/模塊的制作所必需的信息，如圖8所示，最好存在舊OPC規(guī)則/模塊和新舊平版印刷工序之間的抗蝕劑圖案的尺寸差或抗蝕劑圖案的形狀差(截面形狀差、平面形狀差)。
已取得舊OPC規(guī)則/舊OPC模塊。因此，制作新OPC規(guī)則/模塊所必需的新的評價項目僅通過新舊平版印刷工序之間的抗蝕劑圖案尺寸差、抗蝕劑圖案形狀差的評價來完成。因此，根據(jù)本實施例，與現(xiàn)有方法相比，可較容易地在短時間內(nèi)制作新OPC規(guī)則/模塊。
(第三實施例)圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的單元工序組的一部分變更的情況下的圖案形成方法的流程圖。這里，說明構成單元工序組的多個單元工序中的蝕刻工序中存在變更的情況。這里所稱的蝕刻工序的變更是蝕刻裝置、蝕刻條件、被蝕刻材料(還包含成膜條件的變更)等，還包含變更構成這些各工序的子工序的情況。
在單元工序(這里是蝕刻工序)中產(chǎn)生變更的情況下，有必要重新更改OPC規(guī)則/模塊。本實施例的特征在于該新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法，其它內(nèi)容與公知的半導體器件的制造方法一致。因此，在下面的說明中，主要說明新的OPC規(guī)則/模塊的制作方法。
在本實施例中，首先根據(jù)由使用變更前的蝕刻工序(舊蝕刻工序)的單元工序組制作的評價掩模的鄰近效應數(shù)據(jù)和由使用變更后的蝕刻工序(新蝕刻工序)的單元工序組制作的評價掩模的鄰近效應數(shù)據(jù)，求出新蝕刻工序中的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)。
之后，將蝕刻工序變更前的OPC規(guī)則/模塊(舊OPC規(guī)則/模塊)中蝕刻工序中的OPC規(guī)則/模塊改寫成上述新蝕刻工序中的OPC規(guī)則/模塊。將由此得到的OPC規(guī)則/模塊(新OPC規(guī)則/模塊)用于實際制品的圖案形成中使用的曝光掩模(主體掩模)的制作中，更新制品的圖案工序。
作為新蝕刻工序中的OPC規(guī)則/模塊的制作所必需的信息，如圖10所示，最好存在舊OPC規(guī)則/模塊和新舊蝕刻工序之間的被蝕刻部件的尺寸差或被蝕刻部件的形狀差(截面形狀差、平面形狀差)。
已取得舊OPC規(guī)則/舊OPC模塊。因此，制作新OPC規(guī)則/模塊所必需的新的評價項目僅通過新舊蝕刻工序之間的被蝕刻部件(例如絕緣膜、金屬膜、半導體膜)的尺寸差、被蝕刻部件的形狀差的評價來完成。因此，根據(jù)本實施例，與現(xiàn)有方法相比，可較容易地在短時間內(nèi)制作新OPC規(guī)則/模塊。
(第四實施例)圖11是表示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的曝光掩模的圖案修正方法的流程圖。
在第一至第三實施例中，說明了將作為構成單元工序組的單元工序的掩模工序、平版印刷工序、蝕刻工序中的一個作為OPC對象的情況。在本實施例中，說明將這三個單元工序全部作為OPC對象的情況。
具體而言，對每個單元工序設定OPC規(guī)則/模塊，對每個單元工序進行曝光掩模圖案的鄰近效應修正。在圖11中，表示按照掩模工序、平版印刷工序、蝕刻工序的順序來設定OPC規(guī)則/模塊，進行鄰近效應修理的方法。此時，也可僅對產(chǎn)生變更的單元工序進行OPC規(guī)則/模塊的改寫。
經(jīng)過這一連串的鄰近效應修正，得到實際制品的圖案形成中使用的曝光掩模(主體掩模)制作所必需的描繪數(shù)據(jù)。另外，圖17右側的流程表示評價晶片和制品雙方。
通過單元工序存在OPC規(guī)則庫、OPC模塊庫中哪一個良好不同的可能性。該判斷可根據(jù)圖11所示的OPE的設計距離(圖中省略為距離)的依賴性來進行判斷。選擇適于每個單元工序的OPC方式(OPC規(guī)則庫或OPC模塊庫)，實現(xiàn)OPC的模塊或規(guī)則的最佳化，可實現(xiàn)OPC的高精度化。
(第五實施例)圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的曝光掩模的圖案修正方法的流程圖。
本實施例與第四實施例的不同之處在于，為蝕刻OPC對象的工序和將掩模工序和平版印刷工序合為一個工序的兩個工序。經(jīng)驗上，掩模工序的OPE比其它單元工序(平版印刷工序和蝕刻工序)小。圖12表示按照蝕刻工序、(平版印刷工序+掩模工序)的順序設定OPC規(guī)則/模塊、進行鄰近效應修正的方法。因此，通過適當?shù)腛PC方式將相同的單元工序合為一個，可實現(xiàn)OPC處理的簡化。特別是，在包含掩模工序等鄰近效應小的情況下非常有效。
這里，選擇適于蝕刻工序的OPC方式和適于(平版印刷工序+掩模工序)的OPC方式，但通常在前者中選擇規(guī)則庫，在后者中選擇模塊庫。這是因為蝕刻OPE通常很大程度依賴于至鄰近圖案的距離，且(平版印刷工序+掩模工序)的OPE與光學模塊大致。
另外，此時與第四實施例相同，也可僅對產(chǎn)生變更的工序進行OPC的改寫，對每個工序選擇適當?shù)膸?OPC規(guī)則庫或OPC模塊庫)，實現(xiàn)OPC的高精度化。
(第六實施例)近年來，對于圖案覆蓋率的鄰近效應變得顯著，考慮到該圖案覆蓋率，重要的是進行OPC。在不考慮覆蓋率圖案的情況下(以前)，制作覆蓋率固定的評價掩模，使用該評價掩模來取得一維(1D)OPE間隙(圖13A)，據(jù)此來制作OPC規(guī)則/模塊，在制品中展開(圖13B)。
與此相反，在考慮了覆蓋率圖案的本實施例的情況下，對多個覆蓋率分別制作評價掩模，使用這些評價掩模，對多個覆蓋率分別取得1D OPE間隙(圖14A)，從這些1D OPE間隙中選擇相當于制品覆蓋率的1D OPE間隙，根據(jù)該選擇到的1D OPE間隙來制作OPC規(guī)則/模塊，在實際的制品圖案形成中展開(圖14B)。
圖15A-15D表示考慮了圖案覆蓋率的曝光掩模的圖案修正方法的流程。這里說明構成單元工序組的多個單元工序中的蝕刻工序中存在變更的情況。
圖15A表示舊掩模工序中掩模上的覆蓋率不同的多個1D OPE間隙(舊1DOPE間隙)。
圖15B表示通過從上述多個舊1D OPE間隙中選擇對應于與制品覆蓋率相當?shù)?D OPE間隙的OPC規(guī)則/模塊(舊OPC規(guī)則/模塊)來獲得晶片上充分的工序能力。這里所稱的工序能力是用相對于OPE的允許值(距離Spec.)、相對于鄰近效應修正后的OPE的比來表示的。圖15C、圖15D的橫軸為根據(jù)晶片上CD-S關系得到的CD的最大值和最小值的差(CD參差不齊的大小)。
在掩模工序中產(chǎn)生變更的情況下，首先，如圖15C所示，取得新掩模工序中在掩模上覆蓋率不同的多個1D OPE間隙(新1D OPE間隙)。
接著，如圖15D所示，取得新掩模工序和舊OPC規(guī)則/模塊中晶片上的工序能力。此時，若工序能力在允許值(距離Spec.)內(nèi)，則使用舊OPC規(guī)則/模塊。當不在允許值內(nèi)的情況下，更改OPC規(guī)則/模塊，使工序能力充分大。該更改可根據(jù)第一實施例的新OPC規(guī)則/模塊的取得方法。
這里，說明了掩模工序中產(chǎn)生變更的情況，但即使在平版印刷工序或蝕刻工序中也產(chǎn)生變更的情況下，本發(fā)明仍有效。
本發(fā)明不限于上述實施例。例如，襯底除由Si襯底(Si晶片)等半導體材料形成外，也可使用例如玻璃襯底形成。
另外，本發(fā)明可作為記錄在計算機中執(zhí)行上述實施例的曝光掩模圖案修正方法的程序的計算機程序產(chǎn)品來實施。上述計算機程序產(chǎn)品是例如CD-ROM。
具體而言，如圖18所示，上述CD-ROM包括將包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組讀入計算機12中的第一程序指令13，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序，關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊的第二程序指令14，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
上述計算機程序產(chǎn)品不限于CD-ROM，也可是DVD等記錄媒體。
對于本領域的技術人員而言，其它的優(yōu)點和變更是顯而易見的。因此，本發(fā)明在其寬的方面不限于這里所示和所述的特定細節(jié)和代表性的實施例。因此，在不脫離下面權利要求及其等效定義的一般發(fā)明概念的精神或范圍下，可進行各種變更。
權利要求
1.一種曝光掩模的圖案修正方法，包括準備包含使用曝光掩模在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)；以及使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正。
2.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含實驗數(shù)據(jù)或模擬數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含使用相關系數(shù)取得的數(shù)據(jù)，所述相關系數(shù)是在產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序和產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序后執(zhí)行的單元工序之間的系數(shù)。
4.根據(jù)權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含使用相關系數(shù)取得的數(shù)據(jù)，所述相關系數(shù)是在產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序和產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序后執(zhí)行的單元工序之間的系數(shù)。
5.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。
6.根據(jù)權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。
7.根據(jù)權利要求3所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。
8.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元工序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統(tǒng)一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。
9.根據(jù)權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統(tǒng)一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。
10.根據(jù)權利要求3所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元工序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統(tǒng)一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。
11.根據(jù)權利要求1所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含關于起因于所述襯底上的所述圖案覆蓋率的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權利要求2所述的曝光掩模的圖案修正方法，其中，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含關于起因于所述襯底上的所述圖案覆蓋率的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
13.一種半導體器件的制造方法，包括準備包含使用曝光掩模在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)；使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊，在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正；以及使用實施了所述鄰近效應修正的所述曝光掩模，在所述襯底上形成所述圖案。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含實驗數(shù)據(jù)或模擬數(shù)據(jù)。
15.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含使用相關系數(shù)取得的數(shù)據(jù)，所述相關系數(shù)是在產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序和產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序后執(zhí)行的單元工序之間的系數(shù)。
16.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。
17.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述多個單元工序中的兩個以上的單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對平均一個所述曝光掩模實施修正起因于所述兩個以上單元程序的鄰近效應的兩個以上的鄰近效應修正。
18.根據(jù)權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其中，在關于所述曝光掩模的制造的所述單元工序、關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序和關于所述襯底的蝕刻的所述單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，對所述曝光掩模實施修正起因于關于所述襯底蝕刻的所述單元工序的鄰近效應的鄰近效應修正，對所述曝光掩模實施修正起因于將關于所述曝光掩模制造的所述單元工序和關于使用所述曝光掩模的平版印刷的所述單元工序統(tǒng)一成一個的工序的鄰近效應的鄰近效應修正。
19.根據(jù)權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其中，所述第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)包含關于起因于所述襯底上的所述圖案覆蓋率的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
20.一種操作計算機的程序產(chǎn)品，該計算機程序產(chǎn)品包括計算機可讀媒體；所述媒體上記錄的將包含使用曝光掩模而在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組讀入計算機的第一程序指令，所述多個單元工序包括關于所述曝光掩模制造的單元工序，關于使用所述曝光掩模的平版印刷的單元工序和關于所述襯底的蝕刻的單元工序；所述媒體上記錄的在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下，使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊的第二程序指令，所述第一鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更前的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)，所述第二鄰近效應數(shù)據(jù)是關于起因于產(chǎn)生所述變更后的所述至少一個單元工序的鄰近效應的數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種曝光掩模的圖案修正方法,包括:準備包含使用曝光掩模在襯底上形成圖案的多個單元工序的單元工序組;在所述多個單元工序中的至少一個單元工序中產(chǎn)生變更的情況下,使用第一和第二鄰近效應數(shù)據(jù)來設定在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正用的修正規(guī)則或修正模塊;以及使用所述修正規(guī)則或所述修正模塊,在所述曝光掩模中實施鄰近效應修正。還涉及使用上述修正方法的半導體器件的制造方法。
文檔編號G03F1/68GK1383188SQ0212180
公開日2002年12月4日 申請日期2002年4月23日 優(yōu)先權日2001年4月23日
發(fā)明者橋本耕治, 井上壯一, 田中聰, 臼井聰 申請人:株式會社東芝