專(zhuān)利名稱(chēng)：曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光方法，特別涉及降低半導(dǎo)體制造的平版印刷工序的象差的影響的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著電路圖案的微細(xì)化，曝光裝置的投影透鏡的象差的影響已成為問(wèn)題。
如果減小投影透鏡的象差，則由于需要進(jìn)行物理光學(xué)的處理，故要將光學(xué)系統(tǒng)的象差變換成波面象差的形式。作為用瞳坐標(biāo)的函數(shù)表示波面象差的方法，目前廣泛使用Zernike多項(xiàng)式。該Zernike多項(xiàng)式的前16項(xiàng)可表示為Z11Z2rcosθZ3rsinθZ42r2-1Z5r2cos2θZ6r2sin2θZ7(3r2-2r)cosθZ8(3r2-2r)sinθZ96r4-6r2+1Z10r3cos3θZ11r3sin3θZ12(4r4-3r2)cos2θZ13(4r4-3r2)sin2θZ14(10r5-12r3+3r)cosθ
Z15(10r5-12r3+3r)sinθZ1620r6-30r4+12r2-1這里，Z10以及Z11一般被稱(chēng)為3θ象差，是圖案的非對(duì)稱(chēng)或DOF(焦點(diǎn)的深度，Depth of Focus)低下的原因。下面參照?qǐng)D12以及圖13對(duì)它們進(jìn)行說(shuō)明。
圖12是原理地給出Z10的瞳面上的分布的圖，以X軸的正方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，在圓周方向上0度、120度以及240度處超前相位為最大值，60度、180度以及360度處滯后相位為最大值。
這里，如果考慮根據(jù)形成在標(biāo)線(xiàn)片(reticule)上的圖案在X軸方向產(chǎn)生了衍射光的情況，則如圖13所示的那樣，晶片上的0次光和1次衍射光的成像位置將不同。為此，由于晶片上的光強(qiáng)分布呈左右非對(duì)稱(chēng)，故將把左右非對(duì)稱(chēng)的圖案轉(zhuǎn)印在晶片上，不能得到所期望的圖案。
對(duì)于由透鏡象差導(dǎo)致不能得到所期望的圖案的問(wèn)題，以往是通過(guò)進(jìn)行透鏡調(diào)整來(lái)謀求解決。但是，對(duì)于3θ象差，進(jìn)行透鏡調(diào)整極其困難，故要解決上述這樣的轉(zhuǎn)印左右非對(duì)稱(chēng)的圖案之類(lèi)的問(wèn)題極其困難。
特別地，在標(biāo)線(xiàn)片上形成有方格柵形的圖案時(shí)，如后述的那樣，起因于衍射光的瞳面上的強(qiáng)度分布，3θ象差的影響將被增強(qiáng)，轉(zhuǎn)印左右非對(duì)稱(chēng)的圖案之類(lèi)的問(wèn)題將成為更為深刻的問(wèn)題。
這樣，伴隨著電路圖案的微細(xì)化，因投影透鏡的象差而在晶片上難以得到所期望的圖案，特別是降低3θ象差的影響極為困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而形成的，其目的在于提供可降低3θ象差等的影響并能夠精度良好地轉(zhuǎn)印所期望的圖案的曝光方法。
涉及本發(fā)明的曝光方法是一種將來(lái)自光源系統(tǒng)的照明光照射到形成有掩膜圖案的曝光掩膜上，進(jìn)而中介于投影透鏡將透過(guò)該曝光掩膜的光的像投影到基板上的曝光方法，其特征在于上述掩膜圖案包含排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案和配置在該單位電路圖案間的多個(gè)單位輔助圖案，配置上述輔助圖案，使在基于對(duì)應(yīng)上述多個(gè)單位電路圖案以及上述多個(gè)單位輔助圖案所產(chǎn)生的衍射光的上述投影透鏡的瞳面上的多個(gè)光點(diǎn)中，光強(qiáng)最強(qiáng)的4個(gè)光點(diǎn)在上述瞳面上以90度周期分布。
如已經(jīng)敘述過(guò)的那樣，例如，3θ象差以60度周期在瞳面上分布著相位偏移(相位超前或相位滯后)的最大值位置。此外，如后述的那樣，在將形成在曝光掩膜上的方格柵形圖案轉(zhuǎn)印到基板上時(shí)，起因于衍射光的瞳面上的強(qiáng)度分布，3θ象差的影響被強(qiáng)烈地反映出來(lái)。在本發(fā)明中，由于通過(guò)設(shè)置上述這樣的單位輔助圖案，可以修正由方格柵形的圖案造成的在衍射光的瞳面上的強(qiáng)度分布，故可以降低3θ象差的影響，大幅度地降低圖案尺寸的變動(dòng)。
另外，涉及本發(fā)明的曝光方法是一種將來(lái)自光源系統(tǒng)的照明光照射到形成有掩膜圖案的曝光掩膜上，進(jìn)而中介于投影透鏡將透過(guò)該曝光掩膜的光的像投影到基板上的曝光方法，其特征在于上述照明系統(tǒng)是具有遮光區(qū)域的照明形狀，通過(guò)調(diào)整上述照明系統(tǒng)和上述投影透鏡的上述投影透鏡的圓周方向的相對(duì)角度，可以使上述遮光區(qū)域重疊在分布在上述投影透鏡的圓周方向的象差的相位偏離量達(dá)到最大的至少一個(gè)位置上。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)如上述這樣調(diào)整照明系統(tǒng)和投影透鏡的圓周方向的相對(duì)角度，可以抑制3θ象差的影響，大幅度地降低圖案尺寸的變動(dòng)。


圖1是原理地示出本發(fā)明的第1以及第2實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2是示出本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的在曝光掩膜上形成的掩膜圖案的圖。
圖3是示出本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的由圖2所示的掩膜圖案造成的衍射光的、在投影透鏡的瞳面上的強(qiáng)度分布的圖。
圖4是示出第1實(shí)施形態(tài)的比較例的在曝光掩膜上形成的掩膜圖案的圖。
圖5是示出第1實(shí)施形態(tài)的比較例的由圖4所示的掩膜圖案造成的衍射光的、在投影透鏡的瞳面上的強(qiáng)度分布的圖。
圖6是示出本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的比較例的在曝光掩膜上形成的掩膜圖案的圖。
圖7是示出本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的在曝光掩膜上形成的掩膜圖案的圖。
圖8是原理地示出本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖9是示出本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的3θ象差與照明系統(tǒng)的遮光區(qū)域的對(duì)應(yīng)關(guān)系的圖。
圖10是示出本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的遮光區(qū)域的變更例的圖。
圖11是示出本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的遮光區(qū)域的變更例的圖。
圖12是示出現(xiàn)有技術(shù)的在瞳面上的3θ象差的強(qiáng)度分布圖。
圖13是示出現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)的圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)1)圖1所示是原理地給出的涉及本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖?；旧吓c通常的曝光裝置是同樣的，即，是將來(lái)自由光源1以及照明光學(xué)系統(tǒng)2組成的照明系統(tǒng)的照明光照射到形成有期望的掩膜圖案的曝光掩膜3上，并經(jīng)由投影透鏡(投影光學(xué)系統(tǒng))4將由通過(guò)了曝光掩膜(標(biāo)線(xiàn)片)3的光所形成的圖案圖像投影到晶片(半導(dǎo)體基板)5上的曝光裝置。此外，這里所說(shuō)的投影透鏡4在投影光學(xué)系統(tǒng)包含有多個(gè)透鏡時(shí)，意味著是這多個(gè)透鏡的集合，可認(rèn)定為具有與通過(guò)這些多個(gè)透鏡所得到的光學(xué)特性等價(jià)的光學(xué)特性的透鏡。
首先，為了明確化本實(shí)施形態(tài)的特征，我們對(duì)圖4以及圖5所示的比較例進(jìn)行說(shuō)明。
圖4是在比較例中給出了在曝光掩膜3上形成有掩膜圖案的圖。掩膜圖案由排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案11組成，各單位電路圖案11在X方向以及Y方向均按一定的周期排列(X方向的周期為Px，Y方向的周期為Py)。各單位電路圖案11是在半導(dǎo)體集成電路中廣為應(yīng)用的、所謂的2條線(xiàn)圖案。即，各單位電路圖案11是基本形狀為長(zhǎng)方形的同一形狀的2個(gè)長(zhǎng)方形狀圖案在X方向排列而成的圖案。此外，雖然實(shí)際上各單位電路圖案11為實(shí)施了光鄰近效應(yīng)校正的復(fù)雜的多角形狀，但這里為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，將對(duì)沒(méi)有實(shí)施光鄰近效應(yīng)校正的情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖5所示是利用圖4所示的掩膜圖案獲得的衍射光的、在投影透鏡4的瞳面上的強(qiáng)度分布圖。這里，為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，給出的是將光源1作為點(diǎn)光源進(jìn)行了模擬的結(jié)果。此外，設(shè)在0次光的瞳面上的光點(diǎn)21為XY坐標(biāo)的原點(diǎn)(0，0)。本坐標(biāo)系給出的是將投影透鏡的數(shù)值孔徑作為1并標(biāo)準(zhǔn)化了的相對(duì)的位置關(guān)系。
如圖5所示的那樣，衍射光的光點(diǎn)22之中光強(qiáng)度相對(duì)強(qiáng)的衍射光光點(diǎn)分布在坐標(biāo)(1.2，0)、(-1.2，0)、(0.3，0.7)、(0.3，-0.7)、(-0.3，0.7)、以及(-0.3，-0.7)的6個(gè)位置上。為此，在將圖4所示的那樣的掩膜圖案轉(zhuǎn)印到晶片上時(shí)，會(huì)強(qiáng)烈地受到按60度周期相位偏離(相位超前以及相位滯后)為最大值(參照?qǐng)D12)的3θ象差的影響。因而，晶片上的光強(qiáng)度分布呈左右非對(duì)稱(chēng)，且左右非對(duì)稱(chēng)的圖案被轉(zhuǎn)印到晶片上，圖案尺寸的變動(dòng)變大。
于是，在本實(shí)施形態(tài)中，增加使瞳面上的衍射光的強(qiáng)度分布發(fā)生變化的輔助圖案。
圖2是示出在本實(shí)施形態(tài)中在曝光掩膜3上形成的掩膜圖案的圖。掩膜圖案除了有排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案11(與圖4的比較例同一的圖案)外，還由配置在單位電路圖案11間的線(xiàn)狀的多個(gè)單位輔助圖案12組成。這里，與比較例同樣，雖然實(shí)際上各單位電路圖案11為實(shí)施了光鄰近效應(yīng)校正的復(fù)雜的多角形狀，但這里為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，將對(duì)沒(méi)有實(shí)施光鄰近效應(yīng)校正的情況進(jìn)行說(shuō)明。
各單位輔助圖案12在晶片5的表面是達(dá)到分辨極限以下的線(xiàn)寬，具體地，單位輔助圖案12的線(xiàn)寬W在光源1產(chǎn)生的照明光的波長(zhǎng)為λ，投影透鏡4的數(shù)值孔徑為NA時(shí)，滿(mǎn)足W≤0.4×λ/NA的關(guān)系。此外，單位輔助圖案12的長(zhǎng)度L與單位電路圖案11的X方向的邊的長(zhǎng)度L相等。這里，在圖所給出的例中，單位輔助圖案12為連續(xù)的1條的圖案，但也可以是使之對(duì)應(yīng)構(gòu)成單位電路圖案11的二個(gè)長(zhǎng)方形狀圖案的各自的短邊(對(duì)峙)分割成為二個(gè)的圖案。
另外，單位輔助圖案12與單位電路圖案11同樣地，在X方向以及Y方向均按一定的周期排列(X方向的周期為Px，Y方向的周期為Py)。并且，單位輔助圖案12的中心和夾住該單位輔助圖案12的二個(gè)單位電路圖案11各自的中心的距離相互相等。即，在X方向的各中心間的距離為Px/2，在Y方向的各中心間的距離為Py/2。
圖3所示是利用圖2所示的掩膜圖案獲得的衍射光的、在投影透鏡4的瞳面上的強(qiáng)度分布圖。與比較例同樣，給出的是將光源1作為點(diǎn)光源進(jìn)行了模擬的結(jié)果，并以0次光的瞳面上的光點(diǎn)21為XY坐標(biāo)的原點(diǎn)(0，0)。
如圖3所示的那樣，在由衍射光產(chǎn)生的衍射光光點(diǎn)22之中光強(qiáng)度相對(duì)強(qiáng)的衍射光光點(diǎn)分布在坐標(biāo)(1.2，0)、(-1.2，0)、(0，1.4)以及(0，-1.4)4個(gè)位置上。即，這些衍射光光點(diǎn)22在瞳面的圓周方向按90度周期分布著。因此，可以緩和按60度周期相位偏離(相位超前以及相位滯后)為最大值的3θ象差的影響。從而，可以抑制由3θ象差造成的晶片上的光強(qiáng)度分布的非對(duì)稱(chēng)性，能夠大幅度地降低晶片上的圖案尺寸的變動(dòng)。
此外，在本例中，作為單位電路圖案11使用了2條線(xiàn)圖案，但也可以是進(jìn)一步增加了線(xiàn)的條數(shù)的圖案。另外，關(guān)于單位輔助圖案12的形狀、條數(shù)、長(zhǎng)度等也并非僅限于上述的例子，只要瞳面上的多個(gè)光點(diǎn)中，光強(qiáng)度最強(qiáng)的4個(gè)光點(diǎn)在瞳面上是按90度周期分布這樣的單位輔助圖案即可。
(實(shí)施形態(tài)2)下面對(duì)第2實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。關(guān)于曝光裝置的構(gòu)成，與圖1所示的第1實(shí)施形態(tài)的裝置同樣。
圖6是示出在本實(shí)施形態(tài)的比較例中在曝光掩膜3上形成的掩膜圖案的圖。掩膜圖案13由排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案13組成，各單位電路圖案13在X方向以及Y方向均按一定的周期排列著(X方向的周期為Px，Y方向的周期為Py)。各單位電路圖案13是在半導(dǎo)體集成電路中被廣泛應(yīng)用的、布線(xiàn)用的所謂的線(xiàn)圖案，是在X方向細(xì)長(zhǎng)的長(zhǎng)方形狀。這里，雖然實(shí)際上各單位電路圖案13為實(shí)施了光鄰近效應(yīng)校正的復(fù)雜的多角形狀，但與第1實(shí)施形態(tài)同樣，為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，給出的是沒(méi)有實(shí)施光鄰近效應(yīng)校正的圖案。
圖6所示的利用掩膜圖案獲得的衍射光的、在投影透鏡4的瞳面上的強(qiáng)度分布也顯示出與圖5所示的第1實(shí)施形態(tài)的比較例類(lèi)似的趨勢(shì)。因此，由于強(qiáng)烈地受到3θ象差的影響，晶片上的光強(qiáng)度分布呈左右非對(duì)稱(chēng)，故左右非對(duì)稱(chēng)的圖案將被轉(zhuǎn)印在晶片上，圖案尺寸的變動(dòng)變大。
于是，在本實(shí)施形態(tài)中，增加使瞳面上的衍射光的強(qiáng)度分布發(fā)生變化的輔助圖案。
圖7是示出在本實(shí)施形態(tài)中在曝光掩膜3形成的掩膜圖案的圖。掩膜圖案除了有排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案13(與圖6的比較例同一的圖案)外，還由配置在單位電路圖案13間的線(xiàn)狀的多個(gè)單位輔助圖案14組成。這里，與比較例同樣，雖然實(shí)際上各單位電路圖案13為實(shí)施了光鄰近效應(yīng)校正的復(fù)雜的多角形狀，但這里為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，給出的是沒(méi)有實(shí)施光鄰近效應(yīng)校正的圖案。
各單位輔助圖案14在晶片5的表面是達(dá)到分辨極限以下的線(xiàn)寬，與第1實(shí)施形態(tài)一樣，單位輔助圖案14的線(xiàn)寬W滿(mǎn)足W≤0.4×λ/NA的關(guān)系。此外，單位輔助圖案14的長(zhǎng)度L與單位電路圖案13的Y方向的邊的長(zhǎng)度L相等。
此外，各單位輔助圖案14與單位電路圖案13同樣地，在X方向以及Y方向上均按一定的周期排列著(X方向的周期為Px，Y方向的周期為Py)。并且，單位輔助圖案14的中心與夾住該單位輔助圖案14的二個(gè)單位電路圖案13各自的中心的距離相互相等。即，在X方向的各中心間的距離為Px/2，在Y方向的各中心間的距離為Py/2。
在本實(shí)施形態(tài)中，利用圖7所示的掩膜圖案獲得的衍射光的、在投影透鏡4的瞳面上的強(qiáng)度分布也顯示出與圖3所示的第1實(shí)施形態(tài)類(lèi)似的趨勢(shì)。即，在由衍射光產(chǎn)生的衍射光光點(diǎn)之中，光強(qiáng)度相對(duì)最強(qiáng)的4個(gè)衍射光光點(diǎn)在瞳面的圓周方向按90度周期分布著。為此，與第1實(shí)施形態(tài)同樣，可以緩和3θ象差的影響。因而，可以抑制由3θ象差造成的晶片上的光強(qiáng)度分布的非對(duì)稱(chēng)性，大幅度地降低晶片上的圖案尺寸的變動(dòng)。
進(jìn)而，在本實(shí)施形態(tài)中與第1實(shí)施形態(tài)同樣，單位輔助圖案14的形狀、條數(shù)、長(zhǎng)度等也并非僅限于上述的例子，只要在瞳面上的多個(gè)光點(diǎn)中，光強(qiáng)度最強(qiáng)的4個(gè)光點(diǎn)在瞳面上是按90度周期分布這樣的單位輔助圖案即可。
(實(shí)施形態(tài)3)圖8所示是原理地給出涉及本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖8所示的曝光裝置的基本構(gòu)成雖然與圖1所示的曝光裝置同樣，但在本實(shí)施形態(tài)中，除了圖1所示的各構(gòu)成要素之外，還具有用于調(diào)整由光源1以及照明光學(xué)系統(tǒng)2組成的照明系統(tǒng)和投影透鏡4的旋轉(zhuǎn)方向(投影透鏡4的圓周方向)的相對(duì)角度的調(diào)整系統(tǒng)(調(diào)整機(jī)構(gòu))6。此外，照明系統(tǒng)為具有遮光區(qū)域的照明形狀。
在作為曝光掩膜3的圖案使用第1實(shí)施形態(tài)給出的圖4的圖案或者第2實(shí)施形態(tài)給出的圖6的圖案時(shí)，如已經(jīng)敘述過(guò)的那樣，由于強(qiáng)烈地受到投影透鏡4的3θ象差的影響，故晶片上的光強(qiáng)度分布為非對(duì)稱(chēng)，圖案尺寸的變動(dòng)變大。
于是，在本實(shí)施形態(tài)中，采用如圖9所示那樣的做法，降低了3θ象差的影響。如圖9(a)所示的那樣，3θ象差按60度周期相位偏移(相位超前以及相位滯后)呈現(xiàn)最大值(最大值位置(最大值角度)A1～A6)。在本實(shí)施形態(tài)中，如圖9(b)所示的那樣，可通過(guò)調(diào)整系統(tǒng)6調(diào)整照明系統(tǒng)和投影透鏡的旋轉(zhuǎn)方向的相對(duì)角度，使照明系統(tǒng)的遮光區(qū)域31對(duì)應(yīng)至少一個(gè)的最大值位置(重疊在該位置)。
這樣，通過(guò)調(diào)整照明系統(tǒng)和投影透鏡的位置關(guān)系，可以抑制3θ象差的影響。因而，可以修正由3θ象差造成的晶片上的光強(qiáng)度分布的非對(duì)稱(chēng)性，大幅度地降低晶片上的圖案尺寸的變動(dòng)。
這里，在上述的例子中使用了圖9(b)所示那樣的四重極照明，但除此以外，還可以使用圖10所示的二重極照明或圖11所示的五重極照明等各種照明形狀。此外，關(guān)于遮光區(qū)域31以及開(kāi)口區(qū)域32的形狀也可以使用各種形狀。另外，在增加照明系統(tǒng)和投影透鏡的旋轉(zhuǎn)方向的相對(duì)角度的調(diào)整的同時(shí)，還可以進(jìn)一步調(diào)整相對(duì)曝光掩膜的照明系統(tǒng)以及投影透鏡的旋轉(zhuǎn)方向的相對(duì)角度。
上面說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，但本發(fā)明并非僅限定于上述實(shí)施形態(tài)，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種變形實(shí)施。進(jìn)而，在上述實(shí)施形態(tài)中，包含有種種階段的發(fā)明，通過(guò)適當(dāng)?shù)亟M合所公開(kāi)的構(gòu)成要件，可以抽出并得到種種發(fā)明。例如，即使從所開(kāi)示的構(gòu)成要件中去除若干個(gè)構(gòu)成要件，只要是可以得到規(guī)定效果的實(shí)施形態(tài)，均可以作為發(fā)明抽取并獲得。
按照本發(fā)明，由于可以降低3θ象差等的影響，故可以高精度地將所期望的圖案轉(zhuǎn)印到基板上。
權(quán)利要求
1.一種曝光方法，將來(lái)自光源系統(tǒng)的照明光照射到形成有掩膜圖案的曝光掩膜上，經(jīng)由投影透鏡將透過(guò)該曝光掩膜的光的圖像投影到基板上，其特征在于上述掩膜圖案包含排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案和配置在該單位電路圖案間的多個(gè)單位輔助圖案，配置上述輔助圖案，以便在基于根據(jù)上述多個(gè)單位電路圖案以及上述多個(gè)單位輔助圖案所產(chǎn)生的衍射光的、上述投影透鏡的瞳面上的多個(gè)光點(diǎn)之中，使光強(qiáng)最強(qiáng)的4個(gè)光點(diǎn)在上述瞳面上按90度周期分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記述的曝光方法，其特征在于上述單位輔助圖案是線(xiàn)狀的輔助線(xiàn)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所記述的曝光方法，其特征在于上述輔助線(xiàn)圖案的線(xiàn)寬為在上述基板表面中小于分辨極限那樣的線(xiàn)寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所記述的曝光方法，其特征在于上述線(xiàn)寬W在上述照明光的波長(zhǎng)為λ、上述投影透鏡的數(shù)值孔徑為NA時(shí)為W≤0.4×λ/NA。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所記述的曝光方法，其特征在于上述輔助線(xiàn)圖案的長(zhǎng)度等于與上述單位電路圖案的上述輔助線(xiàn)圖案平行的邊的長(zhǎng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所記述的曝光方法，其特征在于使與夾住該單位輔助圖案的二個(gè)上述單位電路圖案的各距離互相相等地配置上述單位輔助圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所記述的曝光方法，其特征在于上述單位電路圖案是基本形狀為長(zhǎng)方形狀的同一形狀的多個(gè)長(zhǎng)方形狀圖案排列在與該長(zhǎng)方形狀圖案的短邊平行的方向而成的圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所記述的曝光方法，其特征在于上述單位輔助圖案是平行于上述長(zhǎng)方形狀圖案的短邊地配置的線(xiàn)狀圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所記述的曝光方法，其特征在于上述單位電路圖案是基本形狀為長(zhǎng)方形狀的長(zhǎng)方形狀圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所記述的曝光方法，其特征在于上述單位輔助圖案是平行于上述長(zhǎng)方形狀圖案的短邊地配置的線(xiàn)狀圖案。
11.一種曝光方法，將來(lái)自光源系統(tǒng)的照明光照射到形成有掩膜圖案的曝光掩膜上，經(jīng)由投影透鏡將透過(guò)該曝光掩膜的光的像投影到基板上，其特征在于上述照明系統(tǒng)是具有遮光區(qū)域的照明形狀，通過(guò)調(diào)整上述照明系統(tǒng)和上述投影透鏡之間的上述投影透鏡的圓周方向的相對(duì)角度，可以使上述遮光區(qū)域重疊在分布于上述投影透鏡的圓周方向的象差的相位偏離量達(dá)到最大時(shí)的至少一個(gè)位置上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所記述的曝光方法，其特征在于上述掩膜圖案包含排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案。
全文摘要
提供可降低3θ象差等的影響并高精度地轉(zhuǎn)印所期望的圖案的曝光方法。采用將來(lái)自光源系統(tǒng)的照明光照射到形成有掩膜圖案的曝光掩膜上，經(jīng)由投影透鏡將透過(guò)該曝光掩膜的光的像投影到基板上，且掩膜圖案包含排列成方格柵形的多個(gè)單位電路圖案(11)和配置在該單位電路圖案(11)間的多個(gè)單位輔助圖案(12)，配置上述輔助圖案(12)，以便在基于對(duì)應(yīng)上述多個(gè)單位電路圖案(11)以及上述多個(gè)單位輔助圖案(12)所產(chǎn)生的衍射光的上述投影透鏡的瞳面上的多個(gè)光點(diǎn)之中，使光強(qiáng)最強(qiáng)的4個(gè)光點(diǎn)在上述瞳面上按90度周期分布。
文檔編號(hào)G03F1/36GK1400506SQ02123399
公開(kāi)日2003年3月5日 申請(qǐng)日期2002年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月27日
發(fā)明者小峰信洋, 淺沼慶太, 東木達(dá)彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝