專利名稱：光學(xué)模件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)模件及其制造方法，尤其涉及這樣一種光學(xué)模件，在該光學(xué)模件中有一個或多個形成的不同深度的槽，在槽中安裝有多個光纖或光學(xué)部件，并且制造有止動孔(stopper hole)，此止動孔是為了防止鈍角現(xiàn)象，以使得光軸被精確地調(diào)校，并且還涉及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著光通訊網(wǎng)絡(luò)中傳輸數(shù)據(jù)的增加，光通訊系統(tǒng)中的傳輸方法已經(jīng)被波分復(fù)用(WDM)傳輸方法所取代。因為在WDM系統(tǒng)中需要網(wǎng)絡(luò)之間的連接，因此光學(xué)交叉連接器(optical crossing connector)(OXC)即光學(xué)模件就成為基本元件。
參照圖1A，光學(xué)模件包括微反射鏡10；調(diào)節(jié)器15，用于驅(qū)動微反射鏡10；輸入光纖20，用于向調(diào)節(jié)器15周圍的微反射鏡10傳輸光信號；輸出光纖22，用于接收微反射鏡所反射的光信號并傳輸該光信號；和光學(xué)模件30，其中對準以聚焦光線的球面透鏡25和27被設(shè)置在輸入光纖20和輸出光纖22與微反射鏡10之間。輸入光纖20和輸出光纖22設(shè)置在V形槽35中，球面透鏡25和27設(shè)置在與V形槽35相通的微坑40中。光纖20和22、球面透鏡25以及微反射鏡10都調(diào)校的與光軸重合。
在具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)模件中，從輸入光纖20傳輸?shù)墓庑盘柎┻^球面透鏡25，被微反射鏡10所反射，然后穿過球面透鏡27，經(jīng)輸出光纖22輸出，并傳輸至預(yù)定位置。球面透鏡25和27聚焦光信號，以減少光損耗并將光路減至最短。
如圖1B所示，在用于安裝調(diào)節(jié)器15的孔17與微坑40連接并且微坑40與V形槽35連接的部分形成鈍角45。由于調(diào)節(jié)器15、球面透鏡25和27以及光纖20和22的尺寸不同，因此用于容納這些元件的孔17、V形槽35以及微坑40的深度就必須有不同，以將它們的中心對準在光軸上。
但是，當通過蝕刻來制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)模件時，根據(jù)要被蝕刻的槽的寬度或深度，進行蝕刻的最佳條件例如時間或溫度是不同的。換句話說，由于孔17、V形槽35以及微坑40的寬度和深度不同，就必須對孔17、V形槽35以及微坑40在不同的條件下進行蝕刻。但是在現(xiàn)有技術(shù)中，蝕刻在僅僅是對孔17、V形槽35以及微坑40的其中之一來說是理想的條件下、或者是在對孔17、V形槽35以及微坑40的平均理想條件通過一次圖案成形來進行的。因此在這種情況下，當將槽作為標準時，用于蝕刻的條件對于槽以外的其他區(qū)域來說就是不適合的，并且不能按照所形成的圖案進行蝕刻；即使是在平均條件下也會產(chǎn)生蝕刻缺陷。
尤其是在微坑40或孔17的鈍角45中，發(fā)生了微坑40或孔17的形狀沒有被精確的蝕刻并且它們的圖案形狀被損壞的鈍角現(xiàn)象。圖1B表示蝕刻之前的鈍角45的圖案在蝕刻之后被極大地損壞。由于鈍角45的損壞，就不能獲得所設(shè)計的正確尺寸標準，因此光學(xué)元件例如光纖20和22或球面透鏡25和27的布局就發(fā)生改變。結(jié)果，元件的光軸沒有對準，光信號不能被精確的傳輸，從而導(dǎo)致光損耗。
因此，為了防止鈍角效應(yīng)導(dǎo)致的圖案損壞，需要如圖2所示特定的角補償圖案50和52。即，考慮到鈍角效應(yīng)，在蝕刻掩模65上形成用于補角用的補償圖案，從而抑制了蝕刻過程中的這種現(xiàn)象，使光學(xué)模件得以按照理想的形狀制造。在此，附圖標記17’和40’分別表示在蝕刻掩模65上形成的孔區(qū)域和微坑區(qū)域。
下面說明采用角補償圖案50和52制造光學(xué)模件的方法。
如圖3A和3B所示，二氧化硅(SiO2)63覆著在(100的)上硅片60上，該上硅片60的兩個表面被磨光，采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法在上硅片60的兩個表面上沉積氮化硅(Si3N4)65，從而二氧化硅63可以作為上硅片60上的硅蝕刻掩模。
接下來，如圖3C所示，上硅片60兩個表面上的氮化硅(Si3N4)層65采用活性離子蝕刻(RIE)方法來形成圖案。角補償圖案50和52加在氮化硅(Si3N4)層65上，從而圖案形狀不會在蝕刻過程中被鈍角效應(yīng)而損壞。
如圖4A和4B所示，在下硅片70上分別沉積氧化硅(SiO)72和氮化硅(Si3N4)75，并采用RIE方法來形成圖案，如圖4C所示。
然后采用KOH水溶液，對上硅片60和下硅片70進行各向異性的濕法蝕刻，由此形成V形槽區(qū)域67、微坑區(qū)域68和孔區(qū)域69以及69’，如圖3D和4D所示。上硅片60和下硅片70粘合在一起，如圖5A和5B所示。
微反射鏡的調(diào)節(jié)器15安裝在光學(xué)模件的孔17內(nèi)，光纖20和22以及球面透鏡25和27分別安裝在V形槽35和微坑40中，與光軸對準。
現(xiàn)在，采用上述制造方法，利用角補償圖案50和52，制造光學(xué)模件。但是，只有當V形槽35和微坑40的深度相差較小，并且它們的長度是蝕刻深度的3倍時，角補償圖案50和52才是適合的。角補償圖案50和52使用于制造光學(xué)模件的整個圖案變得復(fù)雜并使其變大。
另外，如果光軸的位置改變，蝕刻深度必須也改變，就需要新的補償圖案。換句話說，必須根據(jù)微坑40或孔17的寬度或深度來設(shè)計角補償圖案50和52。因此無論光軸何時發(fā)生變化，都需要制備新的補償圖案。
特別是，由于在光纖的輸入/輸出終端相鄰之處或在顯著發(fā)生鈍角效應(yīng)之處補償圖案50和52變得復(fù)雜，光路不能被最小化，因此由于光路差異會導(dǎo)致光損耗。另外，隨著光學(xué)模件的通道數(shù)量增加，難以形成補償圖案，即使使用補償圖案，鈍角45’部分也可能被損壞，如圖6的照片所示，因此不能滿足光學(xué)元件小型化的需要。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種光學(xué)模件，該模件中包括一個或多個不同深度的槽以防止沒有補償圖案時的鈍角效應(yīng)，并且基板穿過該槽或被蝕刻成預(yù)定的深度以形成止動孔，本發(fā)明還提供其制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種制造光學(xué)模件的方法。該方法包括如下步驟第一蝕刻，以在晶片的第一表面上形成一個或多個槽；以及第二蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而對晶片的第二表面進行蝕刻以貫通該晶片。
該方法還包括在晶片的第一和第二表面上沉積第一蝕刻掩模層的步驟，在晶片的第一表面上的第一蝕刻掩模層上制作一個或多個槽區(qū)域圖案，以形成第一圖案，從晶片的第一表面根據(jù)第一圖案進行第一圖案的第一蝕刻，在晶片的第二表面上沉積第二蝕刻掩模層并制作至少一個止動孔區(qū)域圖案以形成第二圖案，進行第二圖案的第二蝕刻，使得晶片的第二表面根據(jù)第二圖案蝕刻以貫穿該晶片。
在制作圖案以形成第一圖案的步驟中，由于制作圖案，用于安裝光纖的V形槽區(qū)域、用于安裝光學(xué)部件的微坑區(qū)域、以及用于裝配調(diào)節(jié)器的孔區(qū)域根據(jù)圖案曝光。
在第一蝕刻步驟，V形槽區(qū)域、微坑區(qū)域、以及孔區(qū)域被蝕刻至不同深度。
第一蝕刻掩模層由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)形成。
第二蝕刻掩模層由二氧化硅(SiO2)、鋁(Al)或光致抗蝕劑形成。
第一蝕刻是選擇采用KOH、NH4OH或(CH3)4NOH的濕法蝕刻。
第二蝕刻是通過選自干法刻蝕、噴砂和激光打孔的一種或多種方法來進行的。
在第二蝕刻掩模層上再沉積濕法蝕刻掩模層。
該方法還包括在第二蝕刻之前，在晶片的第一表面上沉積Al或氧化物或光致抗蝕劑。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造光學(xué)模件的方法。該方法包括如下步驟第一蝕刻，以在晶片的第一表面上形成一個或多個槽；第二蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而晶片的第一表面被蝕刻而貫通該晶片或被蝕刻至預(yù)定深度。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光學(xué)模件，該模件具有基板、用于在基板上安裝光纖的V形槽、用于安裝光學(xué)部件的微坑以及用于裝配調(diào)節(jié)器的孔。該光學(xué)模件包括形成為與V形槽和微坑相通的第一止動孔，基板在其中沿豎直方向貫穿，以及包括形成為與微坑和孔相通的第二止動孔，基板在其中沿豎直方向貫穿。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光學(xué)模件，具有一個或多個用于在基板上安裝一個或多個光學(xué)部件的槽。該光學(xué)模件包括與槽中預(yù)定區(qū)域相對應(yīng)的貫通基板底表面而形成的止動孔。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造光學(xué)模件的方法。該方法包括如下步驟第一蝕刻，以形成一個或多個止動孔，使得晶片的底表面被蝕刻而貫通該晶片，以及第二蝕刻，以形成一個或多個用于在晶片的頂表面上安裝光學(xué)元件的槽。


本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點將從以下結(jié)合附圖的優(yōu)選實施例詳細說明中了解得更加清楚。
圖1A表示傳統(tǒng)光學(xué)模件的示意圖；圖1B比較了傳統(tǒng)光學(xué)模件在蝕刻前后的狀態(tài)；圖2表示在傳統(tǒng)光學(xué)模件制造過程中形成鈍角補償圖案的情況；圖3A-3D表示傳統(tǒng)光學(xué)模件的制造過程；圖4A-4D表示傳統(tǒng)光學(xué)模件的制造過程；圖5A-5B表示傳統(tǒng)光學(xué)模件的制造過程；圖6為顯示傳統(tǒng)光學(xué)模件鈍角損壞的掃描電子顯微鏡(SEM)照片；圖7表示本發(fā)明光學(xué)模件的局部剖面圖；圖8A、8B和8D參照圖7I-I、III-III和V-V剖面圖表示本發(fā)明第一實施例的光學(xué)模件的制造過程；圖8C和8E參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第一實施例的光學(xué)模件的制造過程；圖9A、9B和9D參照圖7I-I、III-III和V-V剖面圖表示本發(fā)明第二實施例的光學(xué)模件的制造過程；圖9C和9E參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第二實施例的光學(xué)模件的制造過程；圖10A和10B參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第三實施例的光學(xué)模件的制造過程；圖11是本發(fā)明光學(xué)模件的光具座的SEM照片。
具體實施例方式
圖7表示本發(fā)明光學(xué)模件的局部剖面圖。參照圖7，該光學(xué)模件在基板中包括一個或多個具有不同深度的槽。該槽包括例如用于在基板101上安裝光纖100的V形槽105、用于在基板101上安裝光學(xué)部件110例如格林透鏡(greenlens)和球面透鏡的微坑115、以及其中安裝了調(diào)節(jié)器(未顯示)的孔。
在V形槽105和微坑115之間形成寬度小于V形槽105的第一止動孔107。在微坑115和孔125之間形成寬度小于微坑115的第二止動孔117。第一止動孔107和第二止動孔117應(yīng)當被穩(wěn)定的安裝，而不會使得光纖105和光學(xué)部件例如格林透鏡和球面透鏡移動。而且V形槽105、微坑115和孔125彼此通過第一止動孔107和第二止動孔117相通。因此通過裝在V形槽105內(nèi)的光纖100傳輸?shù)墓鈱W(xué)信號就通過了第一止動孔107的上部、并通過微坑115中的光學(xué)部件110，然后沒有任何障礙的通過第二止動孔117而傳輸至調(diào)節(jié)器(未顯示)。
以下說明本發(fā)明優(yōu)選實施例的光學(xué)模件的制造方法。
圖8A、8B和8D參照圖7I-I、III-III和V-V剖面圖表示本發(fā)明第一實施例的光學(xué)模件的制造過程。圖8C和8E參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第一實施例的光學(xué)模件的制造過程。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例制造光學(xué)模件的方法包括在晶片128的第一和第二表面上覆著第一蝕刻掩模層130和140的步驟，如圖8A所示。晶片128的第一和第二表面分別代表晶片128的頂表面和底表面。采用氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)的硅濕法蝕刻掩模層130可以沉積在晶片128的頂表面上，采用SiO2、鋁或光致抗蝕層的干法蝕刻掩模層140可以沉積在晶片128的底表面上?；蛘邼穹ㄎg刻掩模層可以沉積在晶片的頂表面和底表面上。
然后晶片128頂表面上的第一蝕刻掩模層130經(jīng)曝光程序和活性離子蝕刻(RIE)程序而進行第一圖案制作，如圖8B所示。用于安裝光纖的V形槽區(qū)域132、用于安裝光學(xué)部件例如格林透鏡和球面透鏡的微坑區(qū)域是134、以及用于裝配調(diào)節(jié)器的孔區(qū)域136被形成為第一圖案。如圖8C所示，對晶片128底表面上的第一蝕刻掩模層140進行第二圖案制作，由此形成第一止動孔區(qū)域152、第二止動孔區(qū)域154和孔區(qū)域156，然后在第一止動孔區(qū)域152、第二止動孔區(qū)域154和孔區(qū)域156上沉積濕法蝕刻掩模層150作為第二蝕刻掩模層。
如圖8B所示的被按第一圖案曝光的表面132、134和136進行第一蝕刻。例如利用KOH、NH4OH或(CH3)4NOH的水溶液進行濕法蝕刻，由此形成V形槽105、微坑115和孔125a。根據(jù)光學(xué)部件110例如格林透鏡和球面透鏡的直徑以及光學(xué)軸C的位置來確定蝕刻深度。然后，根據(jù)V形槽105的寬度確定其蝕刻深度，由此將V形槽105蝕刻至預(yù)定深度，并且將其寬度大于V形槽105的用于安裝光學(xué)部件的微坑115被連續(xù)蝕刻至比V形槽105深的深度。
然后如圖8C所示，利用第二圖案152、154和156，通過選自干法刻蝕、噴砂和激光打孔的一種或多種方法進行第二蝕刻。干法蝕刻可以是例如RIE方法。如圖8E所示，晶片128的底表面被進行第一蝕刻以貫通晶片128的頂表面，由此形成第一止動孔107、第二止動孔117和用于裝配調(diào)節(jié)器的孔125。
此處可以改變第一蝕刻和第二蝕刻步驟的次序。即在晶片128的底表面被首先蝕刻而貫通晶片128的頂表面、并形成第一止動孔107和第二止動孔117之后，可以形成用于在晶片128頂表面安裝光學(xué)部件的一個或多個槽。
以下說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例制造光學(xué)模件的方法。
圖9A、9B和9D參照圖7I-I、III-III和V-V剖面圖表示本發(fā)明第二實施例的光學(xué)模件的制造過程。圖9C和9E參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第二實施例的光學(xué)模件的制造過程。
如圖9A和9B所示，分別在晶片155的頂表面和底表面上沉積第一蝕刻掩模層160和170，然后在晶片155底表面上的第一蝕刻掩模層170上覆著第二蝕刻掩模層180。第一蝕刻掩模層160和170是濕法蝕刻掩模層，第二蝕刻掩模層180是用于深度活性離子蝕刻(DRIE)的掩模層。
然后，對晶片155頂表面上的第一蝕刻掩模層160制作圖案，通過曝光程序和RIE程序形成第一圖案，由此形成V形槽區(qū)域162、微坑區(qū)域164和孔區(qū)域166。然后對晶片155底表面上的第二蝕刻掩模層180制作圖案，以形成第二圖案，由此形成第一止動孔182、第二止動孔184和孔區(qū)域186。
如圖9C所示，在晶片155的底表面的第二圖案上沉積第三蝕刻掩模層185。該第三蝕刻掩模層185是濕法蝕刻掩模層。如圖9D所示，根據(jù)第一圖案在晶片155的頂表面上進行濕法蝕刻，由此形成V形槽105和微坑115。然后如圖9C所示，除去第三蝕刻掩模層185，通過深度活性離子蝕刻法(DRIE)蝕刻第二圖案，從晶片128的底表面至頂表面貫通。結(jié)果，就形成了用于裝配調(diào)節(jié)器的第一止動孔109、第二止動孔119和孔125。
此處晶片155的頂表面上的第一蝕刻掩模層160可以由SiO2或SixNy，例如Si3N4形成，作為硅干法蝕刻過程的蝕刻掩模的第二蝕刻掩模層180可以由SiO2、Al或光致抗蝕劑形成。
同時，在第一和第二實施例中，在第一蝕刻時，即在硅濕法蝕刻時，可以在晶片128和155的底表面上覆著保護夾具(protective jig)或鈍化材料，來代替濕法蝕刻掩模層150和180。
根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造光學(xué)模件的方法包括制作用于在晶片頂表面上安裝光纖的V形槽區(qū)域的圖案和用于安裝光學(xué)部件的微坑區(qū)域圖案的步驟，以形成第一圖案和進行第一蝕刻，制作用于在晶片頂表面上裝配調(diào)節(jié)器的孔的第一和第二止動孔區(qū)域及孔的圖案，以形成第二圖案和進行第二蝕刻。第一圖案制作和第一蝕刻的步驟類似第一和第二實施例進行，因此省略了第一圖案制作和第一蝕刻的詳細描述。
圖10A和10B參照圖7II-II、IV-IV和V-V剖面圖表示本發(fā)明第三實施例的光學(xué)模件的制造過程。在晶片128’的頂表面和底表面上分別沉積第一蝕刻掩模層130’和140’。對第一蝕刻掩模層130’和140’進行第一蝕刻之后，在晶片128’頂表面上的第一蝕刻掩模層130’上沉積第二蝕刻掩模層150’。然后如圖10A所示，對第二蝕刻掩模層150’進行第二蝕刻，由此形成第一止動孔152’和第二止動孔154’以及孔區(qū)域156’。第二蝕刻掩模層150’是利用干法蝕刻過程從晶片128’的頂表面根據(jù)第二圖案進行蝕刻的，由此形成第一止動孔109和第二止動孔119。
第一止動孔109和第二止動孔119貫通晶片128’。而且在從晶片128’頂表面進行第二蝕刻的情況下，晶片128’可以只蝕刻至預(yù)定深度而不是貫通。因此如圖7所示，當光學(xué)信號通過光纖100傳輸至光學(xué)部件110例如格林透鏡和球面透鏡內(nèi)時，或從光學(xué)部件110傳輸至調(diào)節(jié)器(未顯示)內(nèi)時，光學(xué)信號能夠不被第一止動孔107和第二止動孔117阻止或擾亂而進行傳輸。
而且，在第一、第二和第三實施例中，在第二蝕刻之前，用于制造光學(xué)模件的方法還包括在晶片128和155頂表面上沉積鋁(Al)、氧化物或光致抗蝕劑的步驟，由此防止被深度活性離子氣體蝕刻的晶片頂表面上的槽105或微坑115的損壞，其中當從晶片底表面進行第二蝕刻即進行深度活性離子蝕刻(DRIE)時，晶片的部分頂表面被貫穿。
而且在第一、第二和第三實施例中，作為濕法蝕刻的第一蝕刻和作為干法蝕刻的第二蝕刻的步驟次序可以改變。即為了實現(xiàn)本發(fā)明的光傳輸，在從晶片的頂表面或底表面通過干法蝕刻預(yù)形成了止動孔之后，可以通過濕法蝕刻形成V形槽區(qū)域、微坑區(qū)域和孔區(qū)域。
止動孔包括在V形槽和微坑之間形成的至少第一止動孔，以及在微坑和孔之間形成的第二止動孔。每個止動孔用于固定光學(xué)部件，并使得光傳輸順暢。
如上所述，在本發(fā)明的光學(xué)模件及其制造方法中，第一圖案制作、第二圖案制作、以及第一和第二蝕刻是單獨進行的，因此不會發(fā)生鈍角現(xiàn)象。類似地，不需要掩模補償圖案來補償鈍角效應(yīng)，由此將光輸入/輸出終端的光路減少到最短。結(jié)果，光損耗可以最小化，可以形成多個輸入/輸出通道，并且可以集成輸入/輸出通道。而且可以形成V形槽和用于安裝光學(xué)部件的微坑，從而即使在不能施加補償圖案處的復(fù)雜鈍角中也不會發(fā)生鈍角現(xiàn)象，因此對應(yīng)用范圍沒有限制。
而且濕法刻蝕過程的數(shù)量減少至一次，避免了因掩模層定位而導(dǎo)致的光學(xué)性能誤差，改善了光信號的傳輸可靠性。
圖11是本發(fā)明光學(xué)模件的光具座的SEM照片。以止動孔為中心的鈍角圖案按照設(shè)計準確的形成。附圖標記105、107和115分別表示V形槽、第一止動孔和微坑。
盡管已經(jīng)參照優(yōu)選實施例而顯示和描述了本發(fā)明，但是可以理解，通過本領(lǐng)域的技術(shù)可以容易的對形式和細節(jié)作各種改變，而不會脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造光學(xué)模件的方法，包括以下步驟第一蝕刻，以在晶片的第一表面上形成一個或多個槽；以及第二蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而晶片的第二表面被蝕刻而貫通該晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造光學(xué)模件的方法，還包括以下步驟在晶片的第一和第二表面上沉積第一蝕刻掩模層；在晶片的第一表面上的第一蝕刻掩模層上制作一個或多個槽區(qū)域圖案，以形成第一圖案；從晶片的第一表面根據(jù)第一圖案進行第一圖案的第一蝕刻；在晶片的第二表面上沉積第二蝕刻掩模層并制作至少一個止動孔區(qū)域圖案以形成第二圖案；以及進行第二圖案的第二蝕刻，從而晶片的第二表面根據(jù)第二圖案被蝕刻以貫穿該晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造光學(xué)模件的方法，其中在制作圖案以形成第一圖案的步驟中，使得用于安裝光纖的V形槽區(qū)域、用于安裝光學(xué)部件的微坑區(qū)域以及用于裝配調(diào)節(jié)器的孔區(qū)域通過構(gòu)圖而暴露。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造光學(xué)模件的方法，其中在第一蝕刻步驟，V形槽區(qū)域、微坑區(qū)域以及孔區(qū)域被蝕刻至不同深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4之一所述的制造光學(xué)模件的方法，其中第一蝕刻掩模層由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至4之一所述的制造光學(xué)模件的方法，其中第二蝕刻掩模層由二氧化硅(SiO2)、鋁(Al)或光致抗蝕劑形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至2所述的制造光學(xué)模件的方法，其中第一蝕刻是選擇采用KOH、NH4OH或(CH3)4NOH的濕法蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造光學(xué)模件的方法，其中第二蝕刻是通過選自干法刻蝕、噴砂和激光打孔的一種或多種方法來進行的。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造光學(xué)模件的方法，其中在第二蝕刻掩模層上再沉積濕法蝕刻掩模層。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造光學(xué)模件的方法，還包括，在第二蝕刻之前，在晶片的第一表面上沉積Al或氧化物或光致抗蝕劑的步驟。
11.一種光學(xué)模件的制造方法，包括以下步驟第一蝕刻，以在晶片的第一表面上形成一個或多個槽；以及第二蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而晶片的第一表面被蝕刻而被貫通或被蝕刻至預(yù)定深度。
12.一種光學(xué)模件，具有基板、用于在基板上安裝光纖的V形槽、用于安裝光學(xué)部件的微坑以及用于裝配調(diào)節(jié)器的孔，該光學(xué)模件包括第一止動孔，形成為與V形槽和微坑相通，基板在其中沿豎直方向貫穿；以及第二止動孔，形成為與微坑和孔相通，基板在其中沿豎直方向貫穿。
13.一種光學(xué)模件，具有在基板上用于安裝一個或多個光學(xué)部件的至少一個或多個的槽，其中該光學(xué)模件包括通過與槽中預(yù)定區(qū)域相對應(yīng)的基板底表面貫通而形成的止動孔。
14.一種制造光學(xué)模件的方法，包括以下步驟第一蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而晶片的底表面被蝕刻而貫通該晶片；以及第二蝕刻，以形成一個或多個用于在晶片的頂表面上安裝光學(xué)元件的槽。
全文摘要
提供一種光學(xué)模件，其中其上安裝有多個光纖或光學(xué)部件的一個或多個槽以不同的深度形成，并制造止動孔，以防止鈍角現(xiàn)象，從而光軸被準確的對準，還提供了其制造方法。該制造光學(xué)模件的方法包括第一蝕刻，以在晶片的第一表面上形成一個或多個槽；以及第二蝕刻，以形成一個或多個止動孔，從而晶片的第二表面被蝕刻而貫通該晶片。該光學(xué)模件在基板上具有一個或多個用于安裝一個或多個光學(xué)部件的槽，包括通過與槽中預(yù)定區(qū)域相對應(yīng)的中心區(qū)域的底表面貫通而形成的止動孔。
文檔編號G02B6/32GK1402035SQ0212863
公開日2003年3月12日 申請日期2002年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月8日
發(fā)明者金相采, 崔鎣, 金容誠 申請人:三星電子株式會社