專利名稱：光掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光掩模(Mask)結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種可以防止靜電放電的光掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制作工藝一般區(qū)分為四個模塊(Module)，包括擴散(Diffusion)模塊、蝕刻(Etching)模塊、薄膜(Thin film)模塊與黃光(Photo)模塊，其中黃光模塊負責光刻制作工藝，其主要的工作是將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移至晶片(Wafer)上，以提供蝕刻模塊良好的蝕刻圖案，或是提供薄膜模塊良好的摻雜(Implant)圖案，因此光刻制作工藝及光掩模的好壞，直接控制著半導(dǎo)體制作工藝的優(yōu)與劣。
一般而言，光掩模的主體由不導(dǎo)電的石英基底與具有曝光圖案的鉻金屬層所構(gòu)成，因此，當光掩模處于外加電場的情形下，容易于鉻金屬層中感應(yīng)產(chǎn)生靜電電荷，進而發(fā)生電荷極化的現(xiàn)象。
又，隨著集成電路集成度的提高，光掩模上的曝光圖案的密度也隨之提高，進而大幅度降低位線、字符線甚至摻雜區(qū)及電容器之間的線距寬(pitch)。當曝光圖案之間的空間極小時，鉻金屬層上感應(yīng)產(chǎn)生的靜電電荷，極易發(fā)生靜電放電Electron Static Discharge，ESD)的現(xiàn)象。
由于靜電放電通常會伴隨著高溫高能的釋放，因此將會使光掩模上的鉻金屬層發(fā)生高溫熔融，導(dǎo)致由鉻金屬層所構(gòu)成的曝光圖案產(chǎn)生變形，進而影響曝光結(jié)果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光掩模結(jié)構(gòu)，以防止光掩模上發(fā)生電荷積聚的現(xiàn)象，進而防止靜電放電的產(chǎn)生。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，即提出一種光掩模結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)至少包括透明基底、位于透明基底上的遮蔽層以及覆蓋于遮蔽層與透明基底之上的透明導(dǎo)電薄膜，其中遮蔽層具有曝光圖案。
本發(fā)明還提供一種光掩模的制造方法，此方法包括在透明基底上形成具有曝光圖案的遮蔽層，以及在透明基底與遮蔽層上均勻覆蓋透明導(dǎo)電薄膜。
本發(fā)明還提供一種光掩模結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)至少包括透明基底、位于透明基底上的透明導(dǎo)電薄膜、以及位于透明導(dǎo)電薄膜上的遮蔽層，其中遮蔽層具有曝光圖案。
本發(fā)明提供一種光掩模的制造方法，此方法包括在透明基底上形成透明導(dǎo)電薄膜，以及在透明導(dǎo)電薄膜上形成具有曝光圖案的遮蔽層。
另外，在上述本發(fā)明的光掩模結(jié)構(gòu)及其制造方法中，還包括于透明導(dǎo)電薄膜的邊緣連接接地線。
本發(fā)明的光掩模結(jié)構(gòu)，由于具有曝光圖案的遮蔽層與透明導(dǎo)電薄膜電連接，因此當遮蔽層上感應(yīng)產(chǎn)生靜電電荷時，此透明導(dǎo)電薄膜可將電荷由遮蔽層經(jīng)過接地線導(dǎo)離光掩模，以有效地防止光掩模受到靜電放電效應(yīng)的影響。


圖1至圖3為本發(fā)明第一較佳實施例的光掩模的制造方法的示意圖；圖4至圖5為本發(fā)明第二較佳實施例的光掩模的制造方法的示意圖。
具體實施例方式
第一較佳實施例圖1至圖3所示為本發(fā)明第一較佳實施例的光掩模的制造方法的示意圖。請參照圖1所示，提供透明基底100，再利用濺鍍法，在透明基底100上形成一層遮蔽層102a。其中透明基底100的材料例如是石英(Quartz)，遮蔽層102a的材料例如是鉻(Chromium，Cr)。另外，本發(fā)明的透明基底100的材料雖以石英為例進行說明，然而本發(fā)明并不以此為限，而可改用氟化鈣(CaF2)。又，本發(fā)明的形成遮蔽層102a的方法雖以濺鍍法為例，然并不以此為限，而可改用化學(xué)氣相沉積法或其它的物理氣相沉積法。
接著，請參照圖2所示，利用激光刻印的方式，將曝光圖案刻畫在遮蔽層102a上，以形成具有曝光圖案的遮蔽層102b。本發(fā)明的曝光圖案的形成方法雖以激光刻印為例進行說明，然而并不以此為限，而可改用其它現(xiàn)有的曝光圖案形成方法。
之后，請參照圖3所示，利用濺鍍法，在遮蔽層102b與透明基底100之上均勻覆蓋透明導(dǎo)電薄膜104，其中透明導(dǎo)電薄膜104的材料例如是三氧化二鋁鈀(PdAl2O3)。另外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電薄膜104的材料雖以三氧化二鋁鈀為例進行說明，然而并不以此為限，也可以改用其它具有導(dǎo)電性能且可透光的材料。又，本發(fā)明的形成透明導(dǎo)電薄膜104的方法雖以濺鍍法為例，然而并不以此為限，而可改用化學(xué)氣相沉積法或其它的物理氣相沉積法。
綜上所述，本發(fā)明的光掩模結(jié)構(gòu)至少由透明基底100、位于透明基底100上且具有曝光圖案的遮蔽層102b、以及覆蓋于遮蔽層102b與透明基底100上的透明導(dǎo)電薄膜104所構(gòu)成。
另外，在透明導(dǎo)電薄膜104的邊緣也可與接地線(未繪示)相互電連接，以使存在于透明導(dǎo)電薄膜104上的電荷可迅速經(jīng)由接地線而導(dǎo)離光掩模。
再者，由于透明導(dǎo)電薄膜104與遮蔽層102b相互電連接，因此當遮蔽層102b的表面受到外加電場的影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷時，此電荷可迅速由遮蔽層102b導(dǎo)至透明導(dǎo)電薄膜104上，再經(jīng)過連接于透明導(dǎo)電薄膜104邊緣的接地線導(dǎo)離光掩模，而有效地避免在遮蔽層102b中積聚電荷的情形，進而有效地防止光掩模受到靜電放電效應(yīng)之影響。第二較佳實施例圖4至圖5所示為本發(fā)明的第二較佳實施例的光掩模的制造方法的示意圖。請參照圖4所示，提供透明基底200，再利用濺鍍法，在透明基底200上形成一層透明導(dǎo)電薄膜202，其中透明基底200的材料例如是石英，透明導(dǎo)電薄膜202的材料例如是三氧化二鋁鈀。另外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電薄膜202的材料雖以三氧化二鋁鈀為例進行說明，然而并不以此為限，也可以改用其它具有導(dǎo)電性能且可透光的材料。又，本發(fā)明的形成透明導(dǎo)電薄膜202的方法雖以濺鍍法為例，然而并不以此為限，而可改用化學(xué)氣相沉積法或其它的物理氣相沉積法。再者，本發(fā)明的透明基底200的材料雖以石英為例進行說明，然而本發(fā)明并不以此為限，而可改用氟化鈣。
之后，利用濺鍍法，在透明導(dǎo)電薄膜202上形成一層遮蔽層204a，遮蔽層204a的材料例如是鉻。另外，本發(fā)明的形成遮蔽層204a的方法雖以濺鍍法為例，然而并不以此為限，而可改用化學(xué)氣相沉積法或其它的物理氣相沉積法。
接著，請參照圖2所示，利用激光刻印的方式，將曝光圖案刻畫于遮蔽層204a上，以形成具有曝光圖案的遮蔽層204b。本發(fā)明的曝光圖案的形成方法雖以激光刻印為例進行說明，然而并不以此為限，而可改用其它現(xiàn)有的曝光圖案的形成方法。
綜上所述，本發(fā)明的光掩模結(jié)構(gòu)至少由透明基底200、位于透明基底200上的透明導(dǎo)電薄膜202、以及位于透明導(dǎo)電薄膜202上且具有曝光圖案的遮蔽層204b所構(gòu)成。
另外，在透明導(dǎo)電薄膜202的邊緣也可與接地線(未繪示)相互電連接，以使存在于透明導(dǎo)電薄膜202上的電荷可迅速經(jīng)由接地線而導(dǎo)離光掩模。
再者，由于透明導(dǎo)電薄膜202與遮蔽層204b相互電連接，因此當遮蔽層204b的表面受到外加電場的影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷時，此電荷可迅速由遮蔽層204b導(dǎo)至透明導(dǎo)電薄膜202上，再經(jīng)過連接于透明導(dǎo)電薄膜202邊緣的接地線導(dǎo)離光掩模，而有效地避免在遮蔽層204b中積聚電荷的情形，進而有效地防止光掩模受到靜電放電效應(yīng)的影響。
雖然結(jié)合以上一較佳實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種光掩模結(jié)構(gòu)，包括一透明基底；一遮蔽層，位于該透明基底上，且該遮蔽層具有一曝光圖案；以及一透明導(dǎo)電薄膜，覆蓋于該遮蔽層與該透明基底之上。
2.如權(quán)利要求1所述的光掩模結(jié)構(gòu)，還包括一接地線，連接于該透明導(dǎo)電薄膜的邊緣。
3.如權(quán)利要求1所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明導(dǎo)電薄膜的材料包括三氧化二鋁鈀。
4.如權(quán)利要求1所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層的材料包括鉻。
5.如權(quán)利要求1所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明基底的材料包括石英。
6.如權(quán)利要求1所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明基底的材料包括氟化鈣。
7.一種光掩模之制造方法，該方法包括在一透明基底上形成具有一曝光圖案的一遮蔽層；以及在該透明基底與該遮蔽層上均勻覆蓋一透明導(dǎo)電薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的光掩模的制造方法，還包括于該透明導(dǎo)電薄膜的邊緣連接一接地線。
9.如權(quán)利要求7所述的光掩模的制造方法，其中該透明導(dǎo)電薄膜的材料包括三氧化二鋁鈀。
10.一種光掩模結(jié)構(gòu)，包括一透明基底；一透明導(dǎo)電薄膜，位于該透明基底上；以及一遮蔽層，位于該透明導(dǎo)電薄膜上，且該遮蔽層具有一曝光圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的光掩模結(jié)構(gòu)，還包括一接地線，連接于該透明導(dǎo)電薄膜的邊緣。
12.如權(quán)利要求10所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明導(dǎo)電薄膜的材料包括三氧化二鋁鈀。
13.如權(quán)利要求10所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層的材料包括鉻。
14.如權(quán)利要求10所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明基底的材料包括石英。
15.如權(quán)利要求10所述的光掩模結(jié)構(gòu)，其中該透明基底的材料包括氟化鈣。
16.一種光掩模之制造方法，該方法包括在一透明基底上形成一透明導(dǎo)電薄膜；以及在該透明導(dǎo)電薄膜上形成具有一曝光圖案的一遮蔽層。
17.如權(quán)利要求16所述的光掩模的制造方法，還包括于該透明導(dǎo)電薄膜的邊緣連接一接地線。
18.如權(quán)利要求16所述的光掩模的制造方法，其中該透明導(dǎo)電薄膜的材料包括三氧化二鋁鈀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光掩模結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)至少包括透明基底、位于透明基底上的遮蔽層、以及覆蓋于遮蔽層與透明基底的上的透明導(dǎo)電薄膜，其中遮蔽層具有曝光圖案。再者，此光掩模的制造方法，此方法是在透明基底上形成具有曝光圖案之遮蔽層，以及在透明基底與遮蔽層上均勻覆蓋透明導(dǎo)電薄膜。
文檔編號G03F7/09GK1428652SQ02140920
公開日2003年7月9日 申請日期2002年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月26日
發(fā)明者高健富, 黃瑞禎 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司