專利名稱：一種新型反光膜及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜及其制備方法，具體來說是一種反光膜及其制備方法。
背景技術：
目前，用于太陽能反光材料的一般是在玻璃基體上鍍鋁膜、銀膜，也有在滌綸上面鍍鋁薄膜再加上保護薄膜的反光材料。它們的主要缺點是酎磨性能較差，壽命短?，F(xiàn)在利用CVD法制備ZrN、TiN等工藝，其主要缺點是其沉積溫度高，工藝參數(shù)復雜且不易重復。

發(fā)明內容
為了解決現(xiàn)有反光材料及其制備方法中存在的以上所述的缺點，本發(fā)明的目的是提供一種新型反光膜及其制備方法，具體的，所述的新型反光膜材料是氮化鋯，所述的反光膜制備方法是用磁控濺射的方法，在所述的磁控濺射方法中反應氣體采用氮氣，靶材料是鋯，基體的加熱溫度在200℃-450℃之間，所述的基體為陶瓷，在所述的基體上施加負50V-負300V的偏壓。進一步的，所述的基體為玻璃，所述的基體為合金材料，所述的基體為高分子材料，所述的高分子材料耐溫300℃。
本發(fā)明所述新型材料的有益效果是本發(fā)明提出這種新型的反光材料具有工藝簡單，成本低廉，物理性能及化學性能穩(wěn)定，機械性能良好以及鏡反射率高，壽命長等特點。用它作太陽能聚光裝置的反光面，如太陽灶，太陽爐，聚光的光電池的反光面等室外使用的裝置，其使用壽命比現(xiàn)有的可提高一倍至數(shù)倍。
具體實施例方式一種新型反光膜及其制備方法，具體的，所述的新型反光膜材料是氮化鋯，所述的反光膜制備方法是用磁控濺射的方法，在所述的磁控濺射方法中反應氣體采用氮氣，靶材料是鋯，基體的加熱溫度在200℃-450℃之間，所述的基體為陶瓷，在所述的基體上施加負50V-負300V的偏壓。進一步的，所述的基體為玻璃，所述的基體為合金材料，所述的基體為高分子材料，所述的高分子材料耐溫300℃。
權利要求
1.一種新型反光膜及其制備方法，其特征在于所述的新型反光膜材料是氮化鋯，所述的反光膜制備方法是用磁控濺射的方法，在所述的磁控濺射方法中反應氣體采用氮氣，靶材料是鋯，基體的加熱溫度在200℃-450℃之間，所述的基體為陶瓷，在所述的基體上施加負50V-負300V的偏壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種新型反光膜及其制備方法，其特征在于所述的基體為玻璃。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種新型反光膜及其制備方法，其特征在于所述的基體為合金材料。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種新型反光膜及其制備方法，其特征在于所述的基體為高分子材料，所述的高分子材料耐溫300℃。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種在不銹鋼、碳鋼、合金、玻璃、陶瓷及高分子材料涂層上用磁控濺射方法制備太陽能反光膜及制備技術。在膜生成的磁控濺射過程中通過對基體如偏壓來提高膜的反光率，改善表面狀況，本發(fā)明提出這種新型的反光材料具有工藝簡單，成本低廉，物理性能及化學性能穩(wěn)定，機械性能良好以及鏡反射率高，壽命長等特點。用它作太陽能聚光裝置的反光面，如太陽灶，太陽爐，聚光的光電池的反光面等室外使用的裝置，其使用壽命比現(xiàn)有的可提高一倍至數(shù)倍。
文檔編號G02B1/10GK1506697SQ0215492
公開日2004年6月23日 申請日期2002年12月11日 優(yōu)先權日2002年12月11日
發(fā)明者吳賀然 申請人:上海純青實業(yè)有限公司