專利名稱：抗蝕劑剝離用組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體集成電路、液晶板的半導(dǎo)體元件電路等的光致抗蝕劑剝離用組合物。特別涉及，從基板上有效地剝離光致抗蝕劑，并抑制對(duì)硅基板的腐蝕，或者抑制作為薄膜晶體管構(gòu)成金屬的非晶硅(以下記為“a-Si”)以及多晶硅(以下記為“p-Si”)溶解的光致抗蝕劑剝離用組合物。
背景技術(shù)：
從基板上剝離用于制造半導(dǎo)體集成電路、液晶板的半導(dǎo)體元件電路等的光致抗蝕劑時(shí)，使用剝離用組合物。例如，制造半導(dǎo)體元件電路或附帶的電極部時(shí)，按照如下方式進(jìn)行。首先，將光致抗蝕劑均勻地涂敷在由CVD或?yàn)R射形成于硅、玻璃等基板上的金屬膜或SiO2膜等絕緣膜上，經(jīng)過(guò)曝光、顯影處理形成抗蝕劑圖案。以形成圖案的光致抗蝕劑為掩模，對(duì)上述金屬膜或絕緣膜進(jìn)行蝕刻。然后，用剝離用組合物剝離并除去不再需要的光致抗蝕劑膜。反復(fù)進(jìn)行這樣的操作，由此形成上述電路或電極部。在此，上述金屬膜使用例如鋁(Al)、鋁-硅-銅(Al-Si-Cu)等鋁合金；鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)等鈦合金；或a-Si、p-Si等硅。在基板上，形成有一層或多層這些金屬膜或絕緣膜。
目前，光致抗蝕劑的剝離單獨(dú)使用有機(jī)堿、無(wú)機(jī)堿、有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸等化合物，或?qū)⑵鋬煞N以上組合并溶解于有機(jī)溶劑或水中，并根據(jù)需要配合添加物的剝離用組合物。
例如，人們熟知的有，用于在半導(dǎo)體元件電路等制造工藝中除去配線形成時(shí)所生成的抗蝕劑殘?jiān)?、以烷基胺以及氫氧化烷基銨的至少一種和有機(jī)溶劑或水為主要成份的抗蝕劑剝離用組合物。
其中，現(xiàn)在經(jīng)常使用的由一乙醇胺(MEA)與有機(jī)溶劑的混合液構(gòu)成的無(wú)水剝離液不會(huì)對(duì)a-Si和p-Si造成腐蝕。但是，這樣的無(wú)水剝離液與含水剝離液相比，在剝離和除去抗蝕劑方面要差。而且，在剝離以及除去變質(zhì)的抗蝕劑膜(經(jīng)熱、酸等的藥液處理、或暴露在等離子狀態(tài)下而變質(zhì)的光致抗蝕劑)方面也比含水剝離液要差。另外，無(wú)水剝離液必須在與比含水剝離液更高的溫度條件下使用。另一方面，由一乙醇胺和水的混合液構(gòu)成的含水剝離液會(huì)腐蝕a-Si和p-Si(它們是液晶顯示器(liquid crystal display、LCD)的薄膜晶體管(thin filmtransistor、TFT)元件的構(gòu)成金屬)，因此不宜選用。另外，因?yàn)樵搫冸x液會(huì)腐蝕硅基板，所以在半導(dǎo)體集成電路的制造中，會(huì)導(dǎo)致基板粉末或微粒的產(chǎn)生，而降低合格率，因此不宜選用。
在特開平5-259066號(hào)公報(bào)中，記載了由含有選自芳香環(huán)酚化合物以及芳香環(huán)羧酸化合物的至少一種化合物與有機(jī)胺的水溶液構(gòu)成的抗蝕劑剝離用組合物。但是，該剝離液也不能抑制對(duì)硅基板、a-Si以及p-Si的腐蝕。
另外，在特開平8-202051號(hào)公報(bào)中，記載有在含有烷醇胺類、烷氧基胺類、烷氧基烷醇胺類以及酸胺的抗蝕劑剝離用組合物中，將糖類以及糖醇作為金屬防腐劑。但是，該剝離液同樣也不能抑制對(duì)硅基板、a-Si以及p-Si的腐蝕。
基于上述理由，人們期望一種具有有效除去抗蝕劑殘?jiān)?、并且具有硅基板、a-Si以及p-Si的防腐功能的剝離用組合物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于解決上述目前的課題，提供一種能抑制或防止對(duì)用于制造半導(dǎo)體集成電路的硅基板的腐蝕、以及能抑制或防止薄膜晶體管元件的構(gòu)成金屬a-Si、p-Si的溶解的抗蝕劑剝離用組合物。
發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是發(fā)現(xiàn)在抗蝕劑剝離用組合物中再添加具有硝基的有機(jī)化合物，就能有效除去抗蝕劑殘?jiān)?，并能很好地抑制?duì)硅基板的腐蝕并抑制a-Si和p-Si的溶解，從而完成本發(fā)明。
本發(fā)明的抗蝕劑剝離用組合物中含有具有硝基的有機(jī)化合物(A)以及抗蝕劑剝離劑(B)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述具有硝基的有機(jī)化合物為選自芳香環(huán)硝基化合物以及雜環(huán)硝基化合物中的至少一種化合物。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述抗蝕劑剝離劑(B)含有選自烷基胺、烷醇胺以及季銨化合物中的至少一種胺類和水。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述組合物還含有水溶性有機(jī)溶劑(C)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述含有硝基的有機(jī)化合物(A)的含量為0.01～10重量％，胺類的含量為1～94重量％，水的含量為5～85重量％，而其余為水溶性有機(jī)溶劑(C)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述組合物還含有鋁或銅的防腐劑。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的組合物含有如上所述的含有硝基的有機(jī)化合物(A)(以下有時(shí)也稱為“化合物A”)。
作為含有硝基的有機(jī)化合物(A)可使用以下的化合物硝基乙烷、2-硝基乙醇、2-(羥甲基)-2-硝基-1，3-丙二醇等脂肪族硝基化合物；鄰硝基苯胺、間硝基苯胺、對(duì)硝基苯胺、鄰硝基苯酚、間硝基苯酚、對(duì)硝基苯酚、鄰硝基苯甲酸、間硝基苯甲酸、對(duì)硝基苯甲酸、2-硝基茴香醚、3-硝基茴香醚、4-硝基茴香醚、鄰硝基苯磺酸、間硝基苯磺酸、對(duì)硝基苯磺酸、2-甲氧基-4-硝基苯胺、2-氨基-5-硝基噻唑、2，3-二甲基硝基苯、3，4-二甲基硝基苯、4-硝基苯肉桂酸、4-羥甲基硝基苯、4-羥乙基硝基苯、4-硝基苯乙酸、4-甲基-2-硝基苯胺、4-甲基-3-硝基苯甲酸、2，6-二溴-4-硝基苯胺、4-乙基硝基苯、4’-硝基乙酰苯、4’-乙酰替硝基苯胺、4-硝基苯酰胺、3-硝基鄰苯二甲酸、4-硝基鄰苯二甲酸、4-硝基芐腈、3-硝基三氟甲基苯、4-硝基芐基氯化物、6-硝基間甲酚、5-硝基愈瘡木酚、2-硝基-1，2-苯二胺、4-硝基-1，2-苯二胺、4-硝基-1，3-苯二胺、1，3-二氨基-2，4，6-三硝基苯等芳香環(huán)硝基化合物；5-硝基吲唑、2-甲基-5-硝基咪唑-1-乙醇、5-硝基苯咪唑、2-氨基-5-硝基吡啶、4-硝基咪唑、1-(4-硝基苯基)-3-甲基-吡啶啉-5-酮等雜環(huán)硝基化合物等。其中，優(yōu)選使用芳香環(huán)硝基化合物和雜環(huán)硝基化合物。
化合物(A)的抗蝕劑剝離用組合物中的含量?jī)?yōu)選為0.01～10重量％，更優(yōu)選為0.1～5重量％。當(dāng)化合物(A)的含量不足0.01重量％時(shí)，有可能不能得到對(duì)硅基板、a-Si以及p-Si的防腐效果。另一方面，當(dāng)超過(guò)10重量％時(shí)，有加劇對(duì)鋁的腐蝕的可能。
作為本發(fā)明所含有的抗蝕劑剝離劑(B)，可以將抗蝕劑剝離劑中常用于該領(lǐng)域的化合物，例如酸、堿等化合物、或這些化合物的混合物等的溶液，與水一起使用。所用的堿優(yōu)選使用含有烷基胺、烷醇胺以及季銨化合物中的至少一種胺類以及水的抗蝕劑剝離劑。上述胺類可舉出如下的化合物三乙撐四胺、N，N，N’，N’-四甲基乙撐二胺等烷基胺；一乙醇胺(MEA)、二乙二醇胺(DGA)等1級(jí)烷醇胺；N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N，N-二乙醇胺等2級(jí)烷醇胺；N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N，N-二丁基乙醇胺、N-甲基-N，N-二乙醇胺、N，N-二(2-羥乙基)環(huán)己胺等3級(jí)烷醇胺；氫氧化四甲銨、氫氧化三甲基(2-羥乙基)銨等季銨化合物。
其中，優(yōu)選使用一乙醇胺和二乙醇胺等1級(jí)烷醇胺。
該抗蝕劑剝離劑(B)中所含有的胺類在組合物中的含量?jī)?yōu)選為1～94重量％，更優(yōu)選為5～80重量％?？刮g劑剝離劑中的胺類含量不足1重量％時(shí)，有可能難于充分除去抗蝕劑殘?jiān)?。另一方面，?dāng)含量超過(guò)94重量％時(shí)，因?yàn)槠渌煞莸暮繙p小，有可能不能除去抗蝕劑殘?jiān)Ｋ诮M合物中所含比率優(yōu)選為5～85重量％，更優(yōu)選為5～60重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為5～40重量％。當(dāng)水的含量不足5重量％時(shí)，有可能難以除去抗蝕劑殘?jiān)?。另一方面，?dāng)超過(guò)85重量％時(shí)，因?yàn)槠渌煞莸暮繙p少，有可能難以得到充分除去抗蝕劑殘?jiān)男Ч蛯?duì)硅基板、a-Si以及p-Si的防腐蝕效果。
作為本發(fā)明的組合物中可含有的水溶性有機(jī)溶劑(C)，可使用以下的化合物二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丙醚、二甘醇一丁醚(BDG)、N，N-二甲替乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡啶烷酮、γ-丁內(nèi)酯、二甲亞砜(DMSO)、乙二醇、丙二醇等。
作為本發(fā)明的組合物中可含有的、鋁、銅等金屬的防腐劑，可使用以下的化合物兒茶酚(鄰苯二酚)、4-t-丁基鄰苯二酚、1，2，3-苯并三唑、2-巰基苯并咪唑、2，3-二羥基萘、D-山梨糖醇、苯甲酸等。
水溶性有機(jī)溶劑(C)的含量沒(méi)有特別限制。上述化合物(A)、抗蝕劑剝離劑(B)以及根據(jù)需要而含有的防腐劑等化合物的其余部分是水溶性有機(jī)溶劑(C)。
上述化合物(A)、抗蝕劑剝離劑(B)以及水溶性有機(jī)溶劑(C)可分別使用至少一種化合物。
含有上述化合物(A)、抗蝕劑剝離劑(B)以及根據(jù)需要而含有的水溶性有機(jī)溶劑(C)的本發(fā)明的抗蝕劑剝離用組合物用于從基板上剝離抗蝕劑。
其次，舉出使用半導(dǎo)體基板或液晶用玻璃基板制作半導(dǎo)體元件的實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明組合物的使用方法。例如，通過(guò)CVD、噴涂等在基材上形成a-Si以及p-Si等金屬膜或SiO2等絕緣膜。接著，在其上面形成光致抗蝕劑膜并載置遮光模，經(jīng)過(guò)曝光、顯影等處理后形成圖案。以形成圖案的光致抗蝕劑作為蝕刻掩模，對(duì)上述金屬薄膜進(jìn)行蝕刻。然后，用灰化工藝(ashing)對(duì)抗蝕劑進(jìn)行灰化處理。再用本發(fā)明的組合物剝離、除去灰化時(shí)殘留的抗蝕劑殘?jiān)?。具體為通過(guò)將灰化后的基板浸漬到本發(fā)明的組合物中溶解或剝離，以除去抗蝕劑殘?jiān)＝n溫度一般為24～75℃，浸漬時(shí)間為30秒～30分鐘。由此制造表面形成有配線等的半導(dǎo)體元件。
使用本發(fā)明的組合物時(shí)，光致抗蝕劑殘?jiān)子谟苫灞砻嫔蟿冸x，而且不會(huì)腐蝕硅基板，也不會(huì)剝離形成的a-Si以及p-Si等金屬膜。使用這種組合物時(shí)，就能形成精度高的圖案化基板。
實(shí)施例以下闡示實(shí)施例以及比較例，以進(jìn)一步明確說(shuō)明本發(fā)明的特征。當(dāng)然，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
(實(shí)施例1)將硅基板浸漬到0.5％HF水溶液(24℃)中5分鐘，通過(guò)除去硅基板表面上的自然氧化膜進(jìn)行基板的前處理。然后，將實(shí)施過(guò)該前處理的硅基板浸漬到由表1所示的化合物(A)、抗蝕劑剝離劑組合物(B)以及水溶性有機(jī)溶劑(C)組合物剝離用組合物中，在70℃下浸漬1小時(shí)。然后用純水洗凈該硅基板，用氮?dú)馐怪匀桓稍?。用掃描顯微鏡(SEM)觀察Si表面狀態(tài)并比較硅的防腐蝕性能，用以下的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)價(jià)。
○沒(méi)有腐蝕△在整個(gè)面上可觀察到點(diǎn)蝕×整個(gè)面被均勻腐蝕其結(jié)果如表1所示。
為了更詳細(xì)地確認(rèn)對(duì)硅的防腐蝕效果，測(cè)定進(jìn)行上述操作時(shí)的硅基板的重量變化。用硅基板的重量變化量除以硅的比重和基板面積，求得膜厚變化。并由該膜厚變化量和浸漬時(shí)間求得單位時(shí)間的膜厚變化量，即單位時(shí)間的硅蝕刻量(蝕刻率；單位埃/分鐘)。
另外，將Cr基板上所覆有的1μm膜厚的抗蝕劑在10℃下烘烤2分鐘并曝光，然后，用2.38重量％的氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液顯影。再在140℃下烘烤2分鐘后，在室溫下，在硝酸鈰銨類的Cr蝕刻液中浸漬1分鐘。接著，在50℃下，在具有表1所示組成的剝離用組合物中浸漬1分鐘。用純水洗凈基板，用空氣噴槍吹去純水，使之自然干燥。用光學(xué)顯微鏡觀察抗蝕劑除去的程度，用以下的標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)。
○沒(méi)有殘?jiān)魃杂袣堅(jiān)翈缀跛袣堅(jiān)細(xì)埩粝聛?lái)其結(jié)果在表1中表示抗蝕劑剝離性。
(實(shí)施例2～9)除改變表1所示的化合物(A)、抗蝕劑剝離劑(B)以及水溶性有機(jī)溶劑(C)的化合物及其用量以外，其它和實(shí)施例1一樣。
(比較例1～18)除改變表1所示的化合物(A)、抗蝕劑剝離劑(B)以及水溶性有機(jī)溶劑(C)的化合物及其用量以外，其它和實(shí)施例1一樣。
表1

MEA一乙醇胺 BDG二甘醇一丁醚TETA三乙撐四胺DMSO二甲亞砜實(shí)施例1～9是含有具有硝基的有機(jī)化合物(A)、用作抗蝕劑剝離劑(B)的烷醇胺和水、以及根據(jù)需要的水溶性有機(jī)溶劑(C)的組合物。由表1可知含有這樣的成份的組合物的除抗蝕劑的性能高，并具有較高的硅的防腐蝕性。
上述實(shí)施例1～4是在比較例1或比較例2的組合物中添加芳香環(huán)硝基化合物的組成(但是，調(diào)整了溶劑量；下同)。在使用比較例1的組合物的情況下，硅的蝕刻率為281埃/分鐘，與之相比，實(shí)施例1和2中的硅的蝕刻率約為零。同樣，在使用比較例2的組合物的情況下，硅的蝕刻率為419埃/分鐘，與之相比，實(shí)施例3和4中的硅的蝕刻率約為零。由此可知芳香環(huán)硝基化合物可很好地防止硅的蝕刻。同樣，比較例4的組合物中添加芳香環(huán)硝基化合物而得到的實(shí)施例5以及6的組合物；比較例5的組合物中添加芳香環(huán)硝基化合物而得到的實(shí)施例7的組合物；用芳香環(huán)硝基化合物取代比較例6的組合物中的胺類的一部分而得到的實(shí)施例8的組合物；以及用雜環(huán)硝基化合物取代比較例7的組合物中的胺類的一部分而得到的實(shí)施例9的組合物；在使用上述任一種組合物的情況下，硅的蝕刻率也約為零。
比較例1以及2是由實(shí)施例1～4所示的組成中除去含有硝基的有機(jī)化合物(A)的組合物。在使用這樣的組合物的情況下，其結(jié)果是充分地除去了抗蝕劑，但會(huì)造成對(duì)硅的強(qiáng)烈腐蝕。
比較例3是僅由一乙醇胺構(gòu)成的組合物。在使用該組合物的情況下，盡管沒(méi)有發(fā)現(xiàn)硅的腐蝕，但抗蝕劑殘?jiān)某ゲ怀浞帧?br> 比較例4～6是在一乙醇胺中添加水而得到的組合物。在使用這樣的組合物的情況下，盡管充分地除去了抗蝕劑，但會(huì)造成對(duì)硅的強(qiáng)烈腐蝕。
比較例7是使用胺類中的烷醇胺、再將水添加到其中而得到的組合物。在使用這樣的組合物的情況下，盡管充分地除去了抗蝕劑，但會(huì)造成對(duì)硅的強(qiáng)烈腐蝕。
比較例8是僅由水溶性有機(jī)溶劑得到的組合物。在使用這樣的組合物的情況下，盡管沒(méi)有對(duì)硅的腐蝕，但幾乎不能除去抗蝕劑殘?jiān)?br> 比較例9是將水添加到水溶性有機(jī)溶劑中得到的組合物。在使用該組合物的情況下，盡管沒(méi)有對(duì)硅的腐蝕，但幾乎未除去抗蝕劑。
比較例10是由一乙醇胺和二甘醇一丁醚的混合物構(gòu)成的組合物。在使用該組合物的情況下，結(jié)果是盡管沒(méi)有對(duì)硅的腐蝕，但未能充分地除去抗蝕劑殘?jiān)?br> 比較例11～18是將一般已知的金屬防腐劑添加到抗蝕劑剝離劑(B)中而得到的組合物。在使用這樣的組合物的情況下，盡管可充分地除去抗蝕劑殘?jiān)荒芤种乒韪g。
(實(shí)施例10～13)在具有氮化硅薄膜的基板的該氮化硅薄膜上以Al以及Ti的順序進(jìn)行膜覆蓋，接著，在該表面上覆蓋1μm厚的膜。在100℃下烘烤2分鐘，載置光掩模并曝光后，使用2.38重量％氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液顯影。并在140℃下烘烤2分鐘后，通過(guò)Cl2以及BCl3氣體對(duì)上述Al/Ti膜進(jìn)行干蝕刻，得到具有規(guī)定圖案的Al膜的基板。接著，用氧使光致抗蝕劑輕度灰化。
將該基板浸漬具有表2所示組成的剝離用組合物(剝離液)中，在40℃下浸漬10分鐘后，用純水洗凈，使用空氣噴槍用氮?dú)獯等ゼ兯?，使之自然干燥。接著，用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察光致抗蝕劑除去的程度和Al的防腐蝕性能，用以下的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)其進(jìn)行評(píng)價(jià)。
抗蝕劑剝離性○沒(méi)有殘?jiān)饔猩倭繗堅(jiān)翚堅(jiān)鼛缀跞繗埩鬉l的防腐蝕性◎Al未被腐蝕○觀察到少量Al被腐蝕。但Al線寬度沒(méi)有減少×可觀察到Al線寬度減少(比較例19)除將剝離液的組成按表2所示進(jìn)行改變以外，其它和實(shí)施例10一樣。
其結(jié)果如表2所示。
表2

MEA一乙醇胺BDG二甘醇一丁醚
(制造例)使用實(shí)施例1的抗蝕劑剝離用組合物，按照如下方式制造半導(dǎo)體元件。首先，通過(guò)濺射在半導(dǎo)體基板上形成a-Si金屬膜，再經(jīng)退火處理，形成p-Si金屬膜。在該p-Si膜上形成光致抗蝕劑膜，載置掩模，并進(jìn)行曝光。使之顯像并形成圖案。以形成圖案的光致抗蝕劑為蝕刻掩模對(duì)金屬薄膜進(jìn)行蝕刻。之后，進(jìn)行氧等離子灰化，將抗蝕劑灰化。將該基板在70℃下、在實(shí)施例1的抗蝕劑剝離用組合物中浸漬20分鐘。由此，除去殘留的抗蝕劑殘?jiān)?。這樣，就得到表面上形成所期望的圖案的半導(dǎo)體元件。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明提供含有具有硝基的有機(jī)化合物(A)、抗蝕劑剝離液(B)以及根據(jù)需要而含有的水溶性有機(jī)溶劑(C)的抗蝕劑剝離用組合物。
通過(guò)使用本發(fā)明的抗蝕劑剝離用組合物除去在半導(dǎo)體或液晶用元件電路等制造工藝中形成配線時(shí)所生成的抗蝕劑殘?jiān)?，能以很高的性能除去抗蝕劑殘?jiān)６夷茏柚够虼蠓种茖?duì)半導(dǎo)體集成電路制造中所用的硅基板或薄膜晶體管的構(gòu)成金屬a-Si以及p-Si的腐蝕。
本發(fā)明的抗蝕劑剝離用組合物適用于半導(dǎo)體或液晶用電子電路等制造工藝等。
權(quán)利要求
1.一種抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于含有具有硝基的有機(jī)化合物(A)以及抗蝕劑剝離劑(B)。
2.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于所述具有硝基的有機(jī)化合物(A)是選自芳香環(huán)硝基化合物和雜環(huán)硝基化合物的至少一種的化合物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于抗蝕劑剝離劑(B)含有選自烷基胺、烷醇胺以及季銨化合物的至少一種胺類和水。
4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于還含有水溶性有機(jī)溶劑(C)。
5.如權(quán)利要求4所述的抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于所述具有硝基的有機(jī)化合物(A)的含量為0.01～10重量％，胺類的含量為1～94重量％，水的含量為5～85重量％，其余為水溶性有機(jī)溶劑(C)。
6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的抗蝕劑剝離用組合物，其特征在于還含有對(duì)鋁或銅的防腐劑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種含有具有硝基的有機(jī)化合物(A)以及抗蝕劑剝離劑(B)的抗蝕劑剝離用組合物。使用該組合物時(shí)，可在半導(dǎo)體或液晶用元件電路等的制造工藝中，高性能地除去配線形成時(shí)所生成的抗蝕劑殘?jiān)?，并能抑制硅基板的腐蝕，或者能很好地防止構(gòu)成薄膜晶體管的構(gòu)成金屬a－Si以及p－Si的腐蝕。
文檔編號(hào)G03F7/42GK1496497SQ0280640
公開日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2002年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月13日
發(fā)明者武井瑞樹, 內(nèi)田惠未, 小谷武, 未 申請(qǐng)人:長(zhǎng)瀬化成株式會(huì)社, 長(zhǎng) 化成株式會(huì)社