專利名稱：通過施加電場在光固化組合物中加工納米級圖形的方法和系統(tǒng)的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明大體上涉及低成本，高分辨率，高生產(chǎn)能力的光刻領(lǐng)域，它有生產(chǎn)尺度小于100nm結(jié)構(gòu)的潛在能力。
相關(guān)技術(shù)光刻技術(shù)當(dāng)前被用于生產(chǎn)微電子器件。但是這些方法正接近它們的分辨率極限。亞微米尺度光刻一直是微電子工業(yè)的關(guān)鍵過程。采用亞微米光刻使使造者滿足將更小更密集地組合的電子元件置于芯片上的益增長的需要。當(dāng)今微電子工業(yè)能產(chǎn)生的最精細(xì)結(jié)構(gòu)在0.13μm的數(shù)量級上，預(yù)計(jì)在今后的幾年中微電子工業(yè)將尋求小于0.05μm(50nm)的結(jié)構(gòu)。此外，在光電子和磁存儲器的領(lǐng)域會出現(xiàn)納米級光刻的應(yīng)用。例如，每平方英寸數(shù)兆兆字節(jié)數(shù)量級的光子晶體和高密度圖形磁存儲器需要納米級光刻。
對于制造亞-50nm的結(jié)構(gòu)而言，光刻技術(shù)會需要采用波長非常短的光(如13.2nm)。在這短的波長下，即使有的話，也很少有材料是光學(xué)上透明的，因此成象系統(tǒng)典型地必須使用復(fù)雜的反射光學(xué)來構(gòu)造[1]。要獲得一個(gè)光源能在這些光波長下有足夠的輸出強(qiáng)度是困難的。這樣的系統(tǒng)導(dǎo)致極其復(fù)雜的設(shè)備和過程，看來昂貴得沒有人敢買。高分辨率電子束光刻技術(shù)雖然非常精密，但典型地對高生產(chǎn)能力的工業(yè)應(yīng)用來說太慢。
目前的壓印光刻技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)是需要模板(原版)與基底的直接接觸。這樣會導(dǎo)致缺陷，產(chǎn)量低，模板壽命短。此外，壓印光刻的模板尺寸典型地與基底上最終的結(jié)構(gòu)尺寸相同(IX)，而光刻中使用的掩模典型地是4X。制備模板的成本和模板壽命是使得壓印光刻不那末現(xiàn)實(shí)的難點(diǎn)。因此存在著一種需要來改進(jìn)光刻技術(shù)以應(yīng)對光刻，電子束光刻和壓印光刻所提出的挑戰(zhàn)來形成非常高的分辨率的特征。
發(fā)明綜述在一個(gè)實(shí)施例中，用壓印光刻在一基底上形成圖形結(jié)構(gòu)。該過程涉及把一種可聚合的組合物施于基底的上表面上，基底可以是用于制造半導(dǎo)體器件的一種基底。基底的例子包括但不限于硅晶片，GaAs晶片，SiGeC晶片或InP晶片。可聚合的組合物可以是一種紫外光固化組合物。紫外光固化組合物可包括可聚合單體和光引發(fā)劑。該組合物可旋涂于基底上。
在基底被涂覆上可聚合組合物后，可將一塊模板置于可聚合組合物上。模板由一種導(dǎo)電材料制成。模板也可實(shí)質(zhì)上對可見光和/或紫外光是透明的。模板可由導(dǎo)電材料結(jié)合非導(dǎo)電材料制成。該導(dǎo)電材料和非導(dǎo)電材料都基本上是對光透明的。在一個(gè)實(shí)施例中，模板可由氧化銦錫和熔凝石英制成。模板包含有結(jié)構(gòu)圖形。該結(jié)構(gòu)圖形與要在基底上生成的結(jié)構(gòu)圖形互補(bǔ)。至少有一部分的結(jié)構(gòu)會有小于約100nm的特征尺度。
在模板與基底之間可施加電場。所加的電場可產(chǎn)生靜電力至少把一部分的可聚合組合物吸引向模板。這部分被吸引到模板的可聚合組合物與壓印在模板上的結(jié)構(gòu)圖形互補(bǔ)。在一個(gè)實(shí)施例中，被吸引到模板的這部分可聚合組合物與模板接觸，而剩下的部分則不與模板接觸?；蛘呖删酆辖M合物的被吸引的部分及剩下的部分都不與模板接觸。但是被吸引的部分朝著模板伸展，而未被吸引的部分不如被吸引的部分朝著模板的伸展程度那樣伸展。
可以采用一種合適的固化技術(shù)使可聚合組合物聚合。例如，可聚合組合物可包含有光引發(fā)劑，在對模板和基底施加電場的同時(shí)在活化光下曝光固化。這里所用的“活化光”指的是可引起化學(xué)變化的光?；罨饪砂ㄗ贤夤?如波長在約300nm至400nm之間的光)，光合光，可見光或紅外光。通常能引起化學(xué)變化的任何波長的光都可歸入活化光?；瘜W(xué)變化可以若干形式表現(xiàn)出來?；瘜W(xué)變化可包括，但不限于任何引起聚合反應(yīng)或交聯(lián)反應(yīng)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)?；罨饪稍谶_(dá)到組合物之前先穿過模板。用這種方式，可聚合組合物可被固化形成結(jié)構(gòu)與在模板上形成了的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)?；蛘?，可聚合組合物可通過對組合物加熱而被固化，而同時(shí)對模板和基底施加電場。
可聚合組合物固化后，結(jié)構(gòu)可通過對固化了的可聚合合物進(jìn)行蝕刻而被進(jìn)一步確定。蝕刻可改善結(jié)構(gòu)的寬高比。任何通常使用的蝕刻技術(shù)都可使用，包括反應(yīng)性離子蝕刻。
在一個(gè)實(shí)施例中，模板被定位在離可聚合組合物不到約1μm。因此該基底的平坦度應(yīng)小于約1μm，最好是小于0.25μm。這里所用的平坦度被定義為在基底表面上曲率的偏差值。例如，1μm的平坦度指的是表面曲率的變化范圍為高于和/或低于決定平面表面的中心點(diǎn)1μm以內(nèi)。
為了要實(shí)現(xiàn)表面的平坦度小于約1μm，可把基底放在構(gòu)造成改變基底形狀的一種設(shè)備上。該設(shè)備可包括一個(gè)夾具，它與基底連接在一起并支撐著基底。該設(shè)備還可包括數(shù)個(gè)與夾具連在一起的加壓裝置。加壓裝置可被構(gòu)造成向夾具施加形變力因而夾具的形狀被改變?；卓膳c夾具連接在一起，這樣夾具的形狀變化可以傳遞給基底。用這樣的方式可使基底的平坦度與所需要的平坦度一致。該設(shè)備可包括一個(gè)可編程控制器?？删幊炭刂破骺砂ㄒ粋€(gè)探測裝置來確定基底的平坦度?？刂破鬟€可進(jìn)一步設(shè)置成來操作加壓裝置，它根據(jù)測得的平坦度來改變基底的平坦度。
附圖簡述閱讀以下的詳細(xì)說明以及參照附圖，即可明暸本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)，附圖中

圖1描繪一個(gè)置于基底上的模板上施加電場并采用紫外固化組合物的光刻；圖2描繪采用與模板直接接觸形成納米級結(jié)構(gòu)的過程示意圖；圖3描繪采用與模板不直接接觸形成納米級結(jié)構(gòu)的過程示意圖；圖4描繪一個(gè)基底夾具，構(gòu)造成可改變基底的平坦度；圖5描述一個(gè)把摸板定位在基底上的設(shè)備。
盡管本發(fā)明能容許多種改變和變形，其具體實(shí)施方案以舉例形式示于附圖并詳細(xì)說明。但是應(yīng)該理解，附圖和詳細(xì)說明并無意把本發(fā)明限制于披露的具體形式，相反，本發(fā)明將涵在權(quán)利要求出所規(guī)定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的所有的改變，等價(jià)物和替換。
發(fā)明的詳細(xì)說明最近已經(jīng)描述了用紫外固化液體[2、3、4、5]和用聚合物[6]的壓印光刻技術(shù)來制備納米級結(jié)構(gòu)。這些技術(shù)的成本對亞-50nm分辨率來說可能潛在地要比光刻技術(shù)低得多。最近的研究[7，8]也已研究了在具有表面形貌拓?fù)涞哪０迮c含有聚合物的基底之間施加電場和范德瓦爾引力來形成納米級結(jié)構(gòu)的可能性。該研究一直是針對聚合物系統(tǒng)，它可以被加熱到稍高于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度。這些粘性的聚合物傾向于對電場作出很緩慢的反應(yīng)(要好幾分鐘)這使得它們作為工業(yè)的應(yīng)用是不理想的。
這里介紹的實(shí)施例可潛在地迅速形成光刻圖形結(jié)構(gòu)(在不到1秒鐘的時(shí)間里)。結(jié)構(gòu)的尺度可以是數(shù)十納米。在電場存在下可通過使可聚合組合物(如一種旋涂的紫外固化液體)固化來形成結(jié)構(gòu)。固化可聚合組合物然后把結(jié)構(gòu)的圖形印到基底上去。圖形的產(chǎn)生可以通過將具有特定納米級表面形貌拓?fù)涞哪０宸旁诨咨蟻韺?shí)現(xiàn)，模板離開基底上的薄層液體表面的距離是經(jīng)過仔細(xì)控制的納米級。如果需要的結(jié)構(gòu)的全部或部分是有規(guī)則地重復(fù)的圖形(如點(diǎn)的陣列)，模板上的圖形要比想要的重復(fù)結(jié)構(gòu)的尺寸可以大得多。模板可通過采用直接寫入電子來光刻來形成?？梢栽诟呱a(chǎn)能力的過程中反復(fù)使用該模板來將納米結(jié)構(gòu)復(fù)制到基底上。在一個(gè)實(shí)施例中，模板可從加工對紫外光也透明的如氧化銦錫那樣的導(dǎo)電材料得到。模板加工方法與移相掩模光刻的方法相類似；移相掩模需要一個(gè)蝕刻步驟在模板上形成表面形貌拓?fù)鋱D。
通過在模板與基底之間施加電場可實(shí)現(xiàn)模板上圖形的復(fù)制。因?yàn)橐后w與空氣(或真空)的介電常數(shù)不同，以及由于存在模板的表面形貌拓?fù)湟鸬碾妶龅木植孔兓?，會產(chǎn)生一靜電力把液體的區(qū)域往模板吸引。在高電場強(qiáng)度下，可聚合組合物會附著在模板上并在某些點(diǎn)上會從基底上發(fā)生去濕潤現(xiàn)象。通過組合物的聚合反應(yīng)，可聚合組合物會在適當(dāng)位置上硬化?？梢杂玫湍芰孔越M裝單層膜(如一種氟化表面活性劑)來處理模板以幫助從模板上除去已聚合了的組合物。
還可能控制電場，模板表面形貌拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)以及模板對液體表面的貼近來在不與模板表面接觸的可聚合組合物中形成圖形。該技術(shù)可不需要將模板與可聚合組合物進(jìn)行機(jī)械分離。該技術(shù)也消除了圖形缺陷的潛在來源。但是在不接觸時(shí)，液體可能不象接觸時(shí)能那樣明確形成清晰的高分辨率結(jié)構(gòu)。這個(gè)問題可這樣來解決，即先在可聚合組合物中形成結(jié)構(gòu)，在一定電場下這些結(jié)構(gòu)是部分確定的。接著可增加模板與基底間的間隙且同時(shí)加大電場把液體“拉出來”以形成十分確定的結(jié)構(gòu)而無需接觸。
可聚合組合物可沉積在硬的耐烘烤材料的頂部導(dǎo)致一種雙層工藝。這樣的雙層工藝可以用電場形成低寬高比高分辨率的結(jié)構(gòu)，然后通過各向異性蝕刻形成高寬高比高分辨率結(jié)構(gòu)。還可以用這樣的雙層工藝來進(jìn)行一“金屬剝離工藝”把金屬沉積在基底上，這樣的話金屬在剝離之后就被留在原來已形成的結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域中。
通過采用低粘度的可聚合組合物，由于電場作用的圖形形成很快(不到1秒鐘)，結(jié)構(gòu)可迅速固化。避免基底和可聚合組合物中的溫度偏差可避免不希望發(fā)生的圖形畸變，這種畸變使得納米級分辨率的層與層的對準(zhǔn)變得不現(xiàn)實(shí)。此外，如上所述，有可能不與模板接觸而迅速形成圖形，這樣就消除了與壓印方法相關(guān)的缺陷，壓印方法是需要直接接觸的。
圖1描繪了模板與基底設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)施例。模板可用對活化光透明的材料制成，可以通過對活化光曝光來使可聚合組合物固化。用透明材料制成模板還可允許用已確立的光學(xué)技術(shù)來測量模板與基底間的間隙以及測量覆蓋標(biāo)記以進(jìn)行結(jié)構(gòu)形成過程中的覆蓋對準(zhǔn)和放大校正。模板可以是熱穩(wěn)定和機(jī)械穩(wěn)定的以提供形成納米級分辨率圖形的能力。模板還可包含有導(dǎo)電材料使得在模板-基底界面上產(chǎn)生電場。
在圖1描繪的一個(gè)實(shí)施例中，一塊厚的熔凝石英毛坯被選作模板的基材?？砂蜒趸熷a(ITa)沉積在熔凝石英上。ITa對可見光和紫外光是透明的，還是一種導(dǎo)電材料?？捎酶叻直媛孰娮邮饪绦g(shù)來使ITa形成圖形?？蓪⒁环N低表面能的涂料(如一種含氟的自組裝單層)涂覆在模板上以改善模板與已聚合的組合物之間的剝離特性?；卓砂?biāo)準(zhǔn)的晶片材料，如Si，GaAs，SiGeC和InP。紫外固化液體可用作可聚合組合物?？蓪⒖删酆辖M合物旋涂到晶片上。一個(gè)可選的過渡層可置于晶片與液體層之間。該過渡層可被用于雙層工藝。選擇該過渡層材料的性質(zhì)和厚度使從固化了的液體材料中產(chǎn)生的低寬高比結(jié)構(gòu)形成高寬高比結(jié)構(gòu)。通過使ITO與電壓源連接可在模板與基底之間產(chǎn)生電場。
圖2和圖3呈現(xiàn)了上述工藝的兩個(gè)變體。在每個(gè)變體中都假定在模板與基底之間可維持所要求的均勻間隙?？杉由弦粋€(gè)所要求強(qiáng)度的電場使得可聚合組合物朝著模板的凸起部分吸引過去。圖2中，間隙和場強(qiáng)使得可聚合組合物與模板直接接觸并粘附在模板上。采用紫外固化法將液體硬化成那種結(jié)構(gòu)形式。結(jié)構(gòu)一旦形成就用增加均勻間隙直至分離的方法，或用剝拉動作，即從模板的一條邊緣開始把模板從基底上剝離的方法來使模板與基底分離。在使用這些方法之前，假定模板用低表面能量的單層處理以幫助分離。
圖3中，間隙和場強(qiáng)被選擇成使液體實(shí)現(xiàn)基本上與模板表面形貌拓?fù)湎嗤谋砻嫘蚊餐負(fù)?。該表面形貌拓?fù)涞膶?shí)現(xiàn)是不讓與模板直接接觸?？刹捎米贤夤袒▽⒁后w硬化成那種結(jié)構(gòu)形式。在圖2和圖3的兩個(gè)工藝中都可再接著用蝕刻工藝來除去被紫外光固化的材料的殘留層。如圖2和圖3所示，若紫外固化了的材料與晶片之間存在過渡層則可使用進(jìn)一步的蝕刻。如前所述，這樣的過渡層可用來從紫外固化了的材料中產(chǎn)生的低寬高比結(jié)構(gòu)中獲得高寬高比的結(jié)構(gòu)。
圖4說明可提高基底平坦度和機(jī)械裝置。模板可形成自熔凝石英的高質(zhì)量光學(xué)平面，在熔凝石英上沉積有氧化銦錫。因此，模板典型地具有極高的平坦度?；椎湫偷鼐哂械推教苟取；椎牡推教苟仍醋杂诟鞣N差異包括晶片背面精加工不良，俘獲在晶片與晶片吸盤之間特殊污染物的存在，以及晶片熱加工造成的晶片形變。在一實(shí)施例中可將基底裝在一吸盤上，吸盤的頂表面形狀可被一長列的壓電執(zhí)行元件來改變。吸盤厚度可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確校正表面的表面形貌拓?fù)渲翈讉€(gè)微米?；卓蛇@樣裝在吸盤上使得它實(shí)質(zhì)上與吸盤的形狀一致。等把基底置于吸盤上之后可用一傳感系統(tǒng)(如光學(xué)表面形貌拓?fù)錅y量系統(tǒng))來準(zhǔn)確地勘測基底的頂部表面。一旦知道了表面形貌拓?fù)洌悴倏v一列的壓電執(zhí)行元件來矯正表面形貌拓?fù)涞牟町愂够椎纳媳砻娉尸F(xiàn)出小于1μm的平坦度。因?yàn)榧俣０迨怯霉鈱W(xué)平面材料制成，這就導(dǎo)致模板與基底都是高質(zhì)量的平坦表面。
可用圖5中的機(jī)械裝置來執(zhí)行模板-基底界面的高分辨率間隙控制。該裝置可控制兩個(gè)傾斜自由度(模板平面上大致正交的兩個(gè)軸)和模板的垂直平移自由度。實(shí)時(shí)測量模板與基底之間的間隙大小。這些實(shí)時(shí)測量值可用來識別有關(guān)傾斜自由度和垂直位移自由度所需的矯正模板動作。用寬帶光學(xué)干涉儀方法可獲得三個(gè)間隙測量值，該儀器類似于用來測量薄膜和薄膜組厚度的儀器。這種電容式傳感方法也可用于測量此三個(gè)間隙。
鑒于這些描述，本發(fā)明各個(gè)方面的進(jìn)一步的修改和替換的實(shí)施例對業(yè)內(nèi)的技術(shù)人士將是顯而易見的。因此，該描述只是用作說明的，目的是教會技術(shù)人員執(zhí)行本發(fā)明的一般方式。需要理解的是，此地顯示的和描述的本發(fā)明的各種形式將作為目前優(yōu)選的實(shí)施例。元件和材料可代替這里說明和描述的元件和材料，另件和工藝可變得相反，本發(fā)明的某些特點(diǎn)可被獨(dú)立運(yùn)用，在得益于本發(fā)明的該描述之后，對技術(shù)技術(shù)人員來說所有都會是顯而易見的。只要不違反如下權(quán)利要求書所述的本發(fā)明的精神和范圍，對這里所描述的各要素可以進(jìn)行變化。
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權(quán)利要求
1.在基底上形成圖形結(jié)構(gòu)的方法，它包括將可聚合組合物涂覆在該基底的表面上；將模板定位于近接該可聚合組合物，其中模板的至少一部分是導(dǎo)電的；以及在模板與基底之間施加電場，其中施加的電場產(chǎn)生靜電力，把一部分的可聚合組合物往模板吸引。
2.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合的過程。
3.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是一種液體。
4.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是一種低粘度液體。
5.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是一種低粘度液體，該可聚合組合物的粘度為當(dāng)施加不到約1秒種時(shí)間的電場時(shí)在可聚合組合物中形成圖形。
6.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合，其中在使可聚合組合物發(fā)生聚合反應(yīng)時(shí)在導(dǎo)電的模板和基底上施加電場。
7.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述模板對可見光和紫外光基本上是透明的。
8.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基底對可見光和紫外光基本上是透明的。
9.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述模板還包含低表面能涂層。
10.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述模板還包含低表面能涂層，所述低表面能涂層是一含氟涂層。
11.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是熱固化組合物。
12.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是活化光固化組合物。
13.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述可聚合組合物包含光引發(fā)劑。
14.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電模板包含氧化銦錫。
15.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，在模板和基底上施加電場使一部分可聚合組合物接觸部分模板。
16.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，當(dāng)在模板與基底上施加電場時(shí)，可聚合組合物被吸引往模板但不接觸模板。
17.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合，并蝕刻已聚合了的可聚合組合物。
18.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基底是硅晶片。
19.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基底是GaAs晶片。
20.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基底是SiGeC晶片。
21.如權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述基底是InP晶片。
22.一種基底，它包含有用權(quán)利要求1的方法形成的圖形結(jié)構(gòu)。
23.一種在基底上形成圖形結(jié)構(gòu)的方法，包括把可聚合組合物涂覆在基底的表面上；將導(dǎo)電模板定位于近接該可聚合組合物；以及在導(dǎo)電模板與基底之間施加電場，該施加的電場產(chǎn)生靜電力把一部分可聚合組合物往模板吸引。
24.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合。
25.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合，在使可聚合組合物聚合時(shí)，在導(dǎo)電模板和基底上施加電場。
26.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是一種活化光固化組合物。
27.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述模板對活化光基本上是透明的。
28.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述基底對活化光基本上是透明的。
29.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述模板還包含低表面能涂層。
30.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述模板還包含低表面能涂層，所述低表面能涂層是含氟涂層。
31.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是熱固化組合物。
32.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電模板包含氧化銦錫。
33.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，在模板和基底上施加電場使一部分的可聚合組合物接觸部分的模板。
34.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，當(dāng)電場被施加到模板與基底時(shí)，可聚合組合物被吸引往模板但不接觸模板。
35.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合，并蝕刻已聚合的可聚合組合物。
36.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述基底是硅晶片。
37.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述基底是GaAs晶片。
38.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述基底是SiGeC晶片。
39.如權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述基底是InP晶片。
40.一種基底，它包含采用權(quán)利要求23的方法形成的圖形結(jié)構(gòu)。
41.一種在基底上形成圖形結(jié)構(gòu)的方法，包括把液體可聚合組合物涂覆在基底的表面上；將模板定位于近接該可聚合組合物，其特征在于，至少一部分的模板是導(dǎo)電的；以及在模板與基底之間施加電場，該施加的電場產(chǎn)生靜電力把一部分可聚合組合物往模板吸引。
42.如權(quán)利要求41的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合步驟。
43.如權(quán)利要求41的方法，其特征在于，所述液體可聚合組合物是活化光固化組合物。
44.如權(quán)利要求41的方法，其特征在于，所述液體可聚合組合物是低粘度液體。
45.如權(quán)利要求41的方法，其中液體可聚合組合物是低粘度液體，該液體可聚合組合物的粘度為當(dāng)施加不到約1秒種時(shí)間的電場時(shí)，在可聚合組合物中形成圖形。
46.一種在基底上形成圖形結(jié)構(gòu)的方法，包括把一種可聚合組合物涂覆在基底的表面上；向基底施加多個(gè)力，使基底的形狀發(fā)生改變；把一塊模板定位近接該可聚合組合物，其中至少一部分的模板是導(dǎo)電的；以及在模板與基底之間施加一電場，該施加的電場產(chǎn)生靜電力把一部分可聚合組合物往模板吸引。
47.如權(quán)利要求46的方法，進(jìn)一步還包括使可聚合組合物發(fā)生聚合反應(yīng)。
48.如權(quán)利要求46的方法，其中可聚合組合物是活化光固化組合物。
49.如權(quán)利要求46的方法，其中可聚合組合物是低粘度液體。
50.如權(quán)利要求46的方法，其中可聚合組合物是液體。
51.如權(quán)利要求46的方法，其中液體可聚合組合物是低粘度液體，該液體可聚合組合物的粘度為當(dāng)電場被施加不到約1秒鐘的時(shí)間在可聚合組合物中形成圖形。
52.一種在基底上形成圖形結(jié)構(gòu)的方法，包括把一種可聚合組合物涂覆在基底的表面上；將數(shù)個(gè)力施加在基底上使基底形狀改變；把一塊導(dǎo)電模板定位近接可聚合組合物；以及在導(dǎo)電模板與基底之間施加電場，該施加的電場產(chǎn)生靜電力把一部分可聚合組合物往模板吸引。
53.如權(quán)利要求52的方法，其特征在于，所述方法還包括使可聚合組合物聚合步驟。
54.如權(quán)利要求52的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是活化光固化組合物。
55.如權(quán)利要求52的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是低粘度液體。
56.如權(quán)利要求52的方法，其特征在于，所述可聚合組合物是液體。
57.如權(quán)利要求52的方法，其特征在于，所述液體可聚合組合物是低粘度液體，該液體可聚合組合物的粘度為當(dāng)施加不到約1秒鐘時(shí)間的電場時(shí)，在可聚合組合物中形成圖形。
58.一種改變基底形狀的裝置，包括夾具，構(gòu)造成與基底連接并支撐著基底；數(shù)個(gè)與夾具連在一起的加壓裝置，其中加壓裝置被構(gòu)造成向夾具施加形變力使得夾具的形狀在使用時(shí)發(fā)生變化；其中基底與夾具連在一起，使得在使用時(shí)基底的形狀基本上與夾具的形狀一致。
59.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述夾具包括真空吸盤。
60.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述加壓裝置包括壓電執(zhí)行元件。
61.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述裝置還包括一個(gè)探測器，構(gòu)造成測量基底在使用中的平坦度。
62.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述基底是硅晶片。
63.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述基底是GaAs晶片。
64.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于基底是SiGeC晶片。
65.如權(quán)利要求58的裝置，其特征在于，所述基底是InP晶片。
全文摘要
描述了一種高生產(chǎn)能力的光刻過程，通過使用仔細(xì)控制的電場再令可聚合組合物固化，在可聚合的組合物中產(chǎn)生高分辨率的圖形。該過程采用包含有所要圖形的模板。令該模板精密地近接基底上的可聚合組合物。在模板——基底的界面上施加外電場同時(shí)保持模板與基底之間存在均勻的仔細(xì)控制的間隙。這使得可聚合的組合物被吸引到模板的凸出部分。通過適當(dāng)?shù)剡x擇過程參數(shù)，如可聚合組合物的粘度，電場的大小和模板與基底之間的距離，在該液體中形成的結(jié)構(gòu)的分辨率可被控制成與模板結(jié)構(gòu)的分辨率一致。
文檔編號G03F7/00GK1729428SQ02810019
公開日2006年2月1日 申請日期2002年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月16日
發(fā)明者C·G·威爾森, S·V·斯里尼維圣, R·T·博納卡茲 申請人:德克薩斯州大學(xué)系統(tǒng)董事會