專利名稱：剝離抗蝕劑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體集成電路、液晶板、有機(jī)EL板、印刷電路板等的制造中使用的除去抗蝕劑的組合物與方法。
背景技術(shù)：
在集成電路如IC和LSI、顯示器件如LCD和EL器件、印刷電路板、微型機(jī)器、DNA芯片和微型裝置的平版印刷生產(chǎn)中廣泛使用光致抗蝕劑。
含有機(jī)堿和水溶性溶劑的溶液常規(guī)用作抗蝕劑剝離組合物。特別地，胺化合物常用作有機(jī)堿，和作為抗蝕劑剝離組合物，已使用例如含烷醇胺和二甲亞砜的非含水溶液；含烷醇胺、水溶性溶劑和糖醇的水溶液；含烷醇胺、羥胺和兒茶酚的水溶液。這些堿性抗蝕劑剝離組合物在除去包括含酚羥基化合物和含酯鍵化合物的抗蝕劑方面是相當(dāng)有效的。
這些抗蝕劑剝離組合物已用于在室溫-100℃下主要除去在非銅基質(zhì)如鋁和鋁合金上的抗蝕劑。
最近，低電阻銅開始用作布線材料，特別地日益用作以LSI為代表的半導(dǎo)體用布線材料。同時(shí)，低介電層開始用作絕緣材料。在常規(guī)方法中，形成抗蝕劑，進(jìn)行干蝕和灰化，然后除去。然而灰化工藝易于改變低介電層的表面性質(zhì)，有損電路的功能。因此，要求不進(jìn)行灰化工藝的方法。由于干蝕抗蝕劑其性質(zhì)顯著變化，所以不可能采用已知的含胺化合物作為有效成分的抗蝕劑剝離組合物來充分除去抗蝕劑。此外，由于含胺化合物的抗蝕劑剝離組合物產(chǎn)生銅胺絡(luò)合物，因此容易腐蝕銅線。
發(fā)明公開本發(fā)明的目的是提供在沒有腐蝕銅，特別地銅線情況下，通過使用含胺化合物的抗蝕劑剝離組合物，除去抗蝕劑的方法。本發(fā)明另一目的是提供在除去抗蝕劑的方法中使用的含胺化合物的抗蝕劑剝離組合物。
本發(fā)明者對在除去銅線基質(zhì)上的抗蝕劑進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，含胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿和水的組合物，在沒有腐蝕銅或銅合金的情況下，可除去抗蝕劑。
此外，本發(fā)明者深入研究了在沒有腐蝕銅的情況下，除去抗蝕劑的最佳條件。結(jié)果，與胺化合物腐蝕銅的一般知識相反，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，溶解在抗蝕劑剝離組合物內(nèi)的氧氣氧化銅，和氧化的銅被轉(zhuǎn)化成可溶的銅胺絡(luò)合物，促進(jìn)銅的腐蝕，也就是說，已發(fā)現(xiàn)，溶解在抗蝕劑剝離組合物內(nèi)的氧氣是腐蝕銅的主要原因。
因此，本發(fā)明提供一種抗蝕劑剝離方法，它包括以下步驟在含比例為2％體積或更低的氧氣的氛圍中，使在蝕刻后具有殘留抗蝕劑的布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，在用過氧化氫預(yù)處理殘留的抗蝕劑層之后進(jìn)行與抗蝕劑剝離組合物的接觸。
此外，本發(fā)明提供一種抗蝕劑剝離組合物，它包括胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿和水，它可在以上的抗蝕劑剝離方法中使用。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式抗蝕劑剝離組合物包括胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿(任選組分)和水。
胺化合物的實(shí)例包括氨、單烷胺、二烷胺、三烷胺、烷醇胺、多胺、羥胺化合物和環(huán)胺。
單烷胺可包括甲胺、乙胺、正丙胺、異丙胺、正丁胺、仲丁胺、異丁胺、叔丁胺、戊胺、2-氨基戊烷、3-氨基戊烷、1-氨基甲基丁烷、2-氨基-2-甲基丁烷、3-氨基-2-甲基丁烷、4-氨基-2-甲基丁烷、己胺、5-氨基-2-甲基戊烷、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十一烷胺、十二烷胺、十三烷胺、十四烷胺、十五烷胺、十六烷胺、十七烷胺和十八烷胺；二烷胺可包括二甲胺、二乙胺、二丙胺、二異丙胺、二正丁胺、二異丁胺、二仲丁胺、二叔丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、甲基乙胺、甲基丙胺、甲基異丙胺、甲基正丁胺、甲基異丁胺、甲基仲丁胺、甲基叔丁胺、甲基戊胺、甲基異戊胺、乙基丙胺、乙基異丙胺、乙基正丁胺、乙基異丁胺、乙基仲丁胺、乙基叔丁胺、乙基異戊胺、丙基正丁胺和丙基異丁胺；和三烷胺可包括三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺和甲基二丙胺。
烷醇胺可包括包括乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-(氨基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-氨基丙烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丙烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丙烷-1-醇、1-氨基丙烷-3-醇、N-甲基-1-氨基丙烷-3-醇、N-乙基-1-氨基丙烷-3-醇、1-氨基丁烷-2-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-2-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丁烷-1-醇、3-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-3-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-3-氨基丁烷-1-醇、1-氨基丁烷-4-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-4-醇、N-乙基-1-氨基丁烷4-醇、1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇、1-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇、2-氨基己烷-1-醇、3-氨基庚烷-4-醇、2-氨基辛烷-2-醇、5-氨基辛烷-4-醇、1-氨基丙烷-2，3-二醇、2-氨基丙烷-1，3-二醇、三(氧甲基)氨基甲烷、1，2-二氨基丙烷-3-醇、1，3-二氨基丙烷-2-醇和2-(2-氨基乙氧基)乙醇。
多胺可包括乙二胺、丙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、1，3-二氨基丁烷、2，3-二氨基丁烷、五亞甲基二胺、2，4-二氨基戊烷、六亞甲基二胺、七亞甲基二胺、八亞甲基二胺、九亞甲基二胺、N-甲基乙二胺、N，N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N，N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1，2，3-三氨基丙烷、肼、三(2-氨基乙基)胺、四(氨基甲基)甲烷、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺、七亞乙基八胺、九亞乙基十胺、二氮雜雙環(huán)十一碳烯、肼、二甲基肼、甲基肼和羥乙基肼。
羥胺化合物可包括羥胺、N-甲基羥胺、N-乙基羥胺和N，N-二乙基羥胺。
環(huán)胺可包括吡咯、2-甲基吡咯、3-甲基吡咯、2-乙基吡咯、3-乙基吡咯、2，3-二甲基吡咯、2，4-二甲基吡咯、3，4-二甲基吡咯、2，3，4-三甲基吡咯、2，3，5-三甲基吡咯、2-吡咯啉、吡咯烷、2-甲基吡咯烷、3-甲基吡咯烷、吡唑、咪唑、1，2，3-三唑、1，2，3，4-四唑、哌啶、2-甲基哌啶、3-甲基哌啶、4-甲基哌啶、2，4-二甲基哌啶、2，6-二甲基哌啶、3，5-二甲基哌啶、哌嗪、2-甲基哌嗪、2，5-二甲基哌嗪、2，6-二甲基哌嗪和嗎啉。
在以上所述的胺化合物當(dāng)中，優(yōu)選至少一種選自下述的化合物乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-(氨基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、乙二胺、丙二胺、丁二胺、二亞乙基三胺、哌嗪、嗎啉、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺和五亞乙基六胺。
強(qiáng)堿優(yōu)選至少一種選自下述物質(zhì)中的化合物四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氫氧化膽堿和氫氧化乙酰膽堿，其中更優(yōu)選四甲基氫氧化銨和氫氧化膽堿。
溶劑優(yōu)選可與胺化合物混溶，和其實(shí)例包括醚溶劑如乙二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚、二甘醇二甲醚和二丙二醇二甲醚；酰胺溶劑如甲酰胺、單甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、單乙基甲酰胺、二乙基甲酰胺、乙酰胺、單甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺、單乙基乙酰胺、二乙基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮和N-乙基吡咯烷酮；醇溶劑如甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇和丙二醇；亞砜溶劑如二甲亞砜；砜溶劑如二甲砜、二乙砜、雙(2-羥基砜)和四亞甲基砜；咪唑烷酮溶劑如1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，3-二乙基-2-咪唑烷酮和1，3-二異丙基-2-咪唑烷酮；和內(nèi)酯溶劑如γ-丁內(nèi)酯和δ-戊內(nèi)酯。
在上述溶劑當(dāng)中，優(yōu)選二甲亞砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甘醇單甲醚、二甘醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單丁醚和丙二醇，這是因?yàn)樗鼈內(nèi)菀撰@得且由于高沸點(diǎn)導(dǎo)致容易處理的性質(zhì)所致。另外，上述胺化合物可用作溶劑。
為了在沒有腐蝕銅線的情況下除去抗蝕劑，抗蝕劑剝離組合物優(yōu)選含有5-95wt％的胺化合物，3-85wt％的溶劑，0.01-5wt％的強(qiáng)堿，和1-25wt％的水；更優(yōu)選含有10-40wt％的胺化合物，50-80wt％的溶劑，0.1-3wt％的強(qiáng)堿，和5-20wt％的水。本發(fā)明的抗蝕劑剝離組合物可含有用量不負(fù)面影響本發(fā)明效果的常規(guī)添加劑，如表面活性劑和包括山梨醇和兒茶酚在內(nèi)的抗腐蝕劑。
可毫無具體限制地通過常規(guī)已知的方法生產(chǎn)抗蝕劑剝離組合物。
在本發(fā)明中，通過在20-60℃下，使在蝕刻之后和優(yōu)選在灰化之前的殘留抗蝕劑，與抗蝕劑剝離組合物接觸1-30分鐘，其中所述抗蝕劑剝離組合物包括胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿(任選的組分)和水。通常通過將具有殘留抗蝕劑的基質(zhì)浸漬在抗蝕劑剝離組合物內(nèi)進(jìn)行接觸操作。
例如，廣泛使用的含酚羥基的抗蝕劑因干蝕工藝而變化其表面性質(zhì)。已知的抗蝕劑剝離組合物通過利用在胺化合物與酚羥基之間形成的鹽，和胺化合物與通過氧化形成的羰基的加成反應(yīng)，從而除去抗蝕劑，然而，對其性質(zhì)顯著變化的抗蝕劑的除去不那么有效。在這種情況下，使用含強(qiáng)堿的抗蝕劑剝離組合會提高與酚羥基形成鹽的能力和除去在干蝕工藝中生成的鹵素的能力，和還增加水解功能。
如上所述，溶解在抗蝕劑剝離組合物內(nèi)的氧氣是銅與銅合金腐蝕的主要原因。在3％或更高的堿含量(胺化合物+強(qiáng)堿)和在抗蝕劑除去操作中氛圍的高氧氣濃度下，腐蝕作用變得顯著。因此，在本發(fā)明中，在2％體積或更小，優(yōu)選1％體積或更小的氧氣濃度下，除去抗蝕劑，以便有效防止銅與銅合金的腐蝕。通過使用氮?dú)?、氬氣或氫氣，?yōu)選使用氮?dú)?，?shí)現(xiàn)低氧氛圍。更優(yōu)選地，為了有效防止銅與銅合金的腐蝕，在2％體積或更小的氧氣濃度下，同時(shí)通過向其中吹入諸如氮?dú)狻鍤夂蜌錃庵悮怏w維持抗蝕劑剝離組合物內(nèi)已溶解的氧氣含量為3ppm或更小的情況下，除去抗蝕劑?？稍谑褂弥俺タ刮g劑剝離組合物內(nèi)的空氣。如上所述，本發(fā)明的抗蝕劑剝離組合物可最有效地除去在具有銅層或銅合金層的基質(zhì)上殘留的抗蝕劑。
此外，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過過氧化氫預(yù)處理可有效地除去其性能顯著變化的抗蝕劑。用過氧化氫預(yù)處理會氧化其性能顯著變化的抗蝕劑表面，降低分子量，從而促進(jìn)羰基的形成。如上所述，這加速抗蝕劑的除去。
通過在蝕刻之后和用抗蝕劑剝離組合物處理之前，例如在20-60℃下，通過將布線基質(zhì)浸漬在含0.5wt％或更高，優(yōu)選1-10wt％過氧化氫的溶液中1-30小時(shí)，使布線基質(zhì)與過氧化氫接觸，從而進(jìn)行用過氧化氫的預(yù)處理。過氧化氫溶液可以是水溶液。添加劑如螯合劑和表面活性劑可加入到過氧化氫溶液中。直接或在用水洗滌之后對用過氧化氫預(yù)處理的布線基質(zhì)進(jìn)行抗蝕劑除去操作。
通過參考下述實(shí)施例，更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，其中實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)解釋為限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例1-6和對比實(shí)施例1與2在具有按照以下所述順序在硅基質(zhì)上層壓銅層、氮化硅層、二氧化硅層間絕緣層和抗蝕劑層的6英寸晶片上干蝕，形成通路孔結(jié)構(gòu)。該通路孔結(jié)構(gòu)到達(dá)銅層。在70℃下，將基質(zhì)浸漬在具有以下所示配方的抗蝕劑剝離組合物中30分鐘。在用水漂洗之后，在掃描電子顯微鏡下檢驗(yàn)抗蝕劑的除去程度和銅層的腐蝕。結(jié)果見表2。
在氮?dú)夥諊鷥?nèi)，用獲自N.T.Corporation的數(shù)字氧氣分析儀(DO-5509型號，檢測下限為0.5ppm)，測量抗蝕劑剝離組合物內(nèi)溶解的氧氣含量。
表1

EA 乙醇胺1A2P1-氨基-2-丙醇TETA三亞乙基四胺PEHA五亞乙基六胺AEEA氨基乙基乙醇胺TMAH四甲基氫氧化銨CH 氫氧化膽堿DMSO二甲亞砜NMP N-甲基吡咯烷酮PG 丙二醇DGME二甘醇單甲醚DGBE二甘醇單丁醚MEA N-甲基乙醇胺表2

實(shí)施例7-12和對比實(shí)施例3與4在具有按照以下所述順序在硅基質(zhì)上層壓銅層、氮化硅層、二氧化硅層間絕緣層和抗蝕劑層的12英寸晶片上干蝕，形成通路孔結(jié)構(gòu)。該通路孔結(jié)構(gòu)到達(dá)銅層。在60℃下，將基質(zhì)浸漬在具有以下表3所示的溶液中15分鐘，對基質(zhì)進(jìn)行預(yù)處理，然后，在70℃下，將基質(zhì)浸漬在具有以下表3所示配方的抗蝕劑剝離組合物中30分鐘。在用水漂洗之后，在掃描電子顯微鏡下檢驗(yàn)抗蝕劑的除去程度和銅層的腐蝕。結(jié)果見表4。
表3

EA乙醇胺1A2P 1-氨基-2-丙醇TETA 三亞乙基四胺PEHA 五亞乙基六胺AEEA 氨基乙基乙醇胺TMAH 四甲基氫氧化銨CH氫氧化膽堿DMSO 二甲亞砜NMP N-甲基吡咯烷酮PG丙二醇DGME 二甘醇單甲醚DGBE 二甘醇單丁醚
MEA N-甲基乙醇胺EDTA乙二胺四乙酸表4

從表2和4看出，采用本發(fā)明的抗蝕劑剝離方法，在銅層沒有腐蝕的情況下可除去布線基質(zhì)上的抗蝕劑。另外，通過用過氧化氫預(yù)處理，甚至當(dāng)僅通過抗蝕劑剝離組合物難以除去抗蝕劑時(shí)，加速了抗蝕劑的除去。
實(shí)施例13-15和對比實(shí)施例5在50℃下，將銅層為400埃厚的硅基質(zhì)浸漬在具有下述配方的抗蝕劑剝離組合物中，測量銅層的腐蝕速度。結(jié)果見表5。
抗蝕劑剝離組合物乙醇胺 45wt％二甘醇單甲醚20wt％水 32wt％山梨醇 3wt％
表5

發(fā)現(xiàn)，銅的腐蝕速度大大地受到氧氣的影響。若持續(xù)供應(yīng)空氣，則同樣持續(xù)促進(jìn)銅的腐蝕。因此，應(yīng)當(dāng)除去氧源，防止銅的腐蝕。實(shí)施例16和17與對比實(shí)施例6在50℃下，將銅層為400埃厚的硅基質(zhì)浸漬在具有下述配方的抗蝕劑剝離組合物中，測量銅層的腐蝕速度。在配有大氣氧氣分析儀的球狀盒中進(jìn)行測量。結(jié)果見表6。
抗蝕劑剝離組合物乙醇胺40wt％二甘醇單丁醚 38wt％水20wt％兒茶酚2wt％表6

實(shí)施例18和對比實(shí)施例7在50℃下，將銅層為400埃厚的硅基質(zhì)浸漬在具有下述配方的抗蝕劑剝離組合物中，測量銅層的腐蝕速度。在配有大氣氧氣分析儀的球狀盒中進(jìn)行測量?？刮g劑剝離組合物乙醇胺 30wt％N-甲基吡咯烷酮 55wt％水 10wt％兒茶酚 5wt％在施加光致抗蝕劑、構(gòu)圖并干蝕之后，在50℃下，將硅基質(zhì)浸漬在抗蝕劑剝離組合物中。測量除去殘留抗蝕劑所要求的時(shí)間，并同時(shí)在光學(xué)顯微鏡下觀察。結(jié)果見表7。
表7

通過在氮?dú)庵羞M(jìn)行抗蝕劑的除去(在低氧氛圍中)，可在沒有影響抗蝕劑除去能力的情況下防止銅的腐蝕。
工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，可在沒有腐蝕銅的情況下除去干蝕之后的抗蝕劑。因此，本發(fā)明使得可能采用常規(guī)的抗蝕劑剝離組合物，而所述常規(guī)的抗蝕劑剝離組合物有損于具有圖象的基質(zhì)的處理。另外，可通過用過氧化氫預(yù)處理，容易地除去難以除去的抗蝕劑。
權(quán)利要求
1.一種抗蝕劑剝離方法，它包括下述步驟在含比例為2％體積或更低的氧氣的氛圍中，使在蝕刻后具有殘留抗蝕劑層的布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸。
2.權(quán)利要求1的抗蝕劑剝離方法，其中在從抗蝕劑剝離組合物中驅(qū)逐已溶解氣體的同時(shí)，進(jìn)行使布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸的步驟。
3.權(quán)利要求1的抗蝕劑剝離方法，其中在使抗蝕劑剝離組合物脫氣之后，進(jìn)行使布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸的步驟。
4.權(quán)利要求1-3任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中在使布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸之前，通過與過氧化氫接觸對殘留的抗蝕劑層進(jìn)行預(yù)處理。
5.權(quán)利要求4的抗蝕劑剝離方法，其中通過使殘留的抗蝕劑層與過氧化氫濃度為0.5wt％或更高的溶液接觸，進(jìn)行預(yù)處理。
6.權(quán)利要求1-5任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中在抗蝕劑剝離組合物內(nèi)，已溶解的氧氣的濃度為3ppm或更低。
7.權(quán)利要求1-6任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中抗蝕劑剝離組合物包括胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿和水。
8.權(quán)利要求7的抗蝕劑剝離方法，其中抗蝕劑剝離組合物包括5-95wt％的胺化合物，3-85wt％的溶劑，0.01-5wt％的強(qiáng)堿和1-25wt％的水。
9.權(quán)利要求7或8的抗蝕劑剝離方法，其中胺化合物是至少一種選自下列化合物的化合物乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-(氨基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、乙二胺、丙二胺、丁二胺、二亞乙基三胺、哌嗪、嗎啉、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺和五亞乙基六胺。
10.權(quán)利要求7-9任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中強(qiáng)堿是至少一種選自下列化合物的化合物四甲基氫氧化銨、氫氧化膽堿、四乙基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨。
11.權(quán)利要求7-10任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中溶劑是至少一種選自下列化合物的化合物二甲亞砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甘醇單甲醚、二甘醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單丁醚和丙二醇。
12.權(quán)利要求7-11任何一項(xiàng)的抗蝕劑剝離方法，其中布線基質(zhì)具有銅層或銅合金層。
全文摘要
在本發(fā)明的抗蝕劑剝離方法中，在氧氣比例為2％體積或更低的氛圍中，使具有殘留抗蝕劑層的布線基質(zhì)與抗蝕劑剝離組合物接觸。優(yōu)選在用過氧化氫預(yù)處理殘留的抗蝕劑層之后除去抗蝕劑。在本發(fā)明的抗蝕劑剝離方法中優(yōu)選使用含胺化合物、溶劑、強(qiáng)堿和水的抗蝕劑剝離組合物。
文檔編號G03F7/42GK1578932SQ02821688
公開日2005年2月9日 申請日期2002年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月2日
發(fā)明者清水英貴, 松永裕嗣, 大戶秀, 池本一人 申請人:三菱瓦斯化學(xué)株式會社