專利名稱：在0相與180相區(qū)域周圍形成邊界區(qū)域以增強(qiáng)透明電場相移位光罩的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要關(guān)于集成電路和制造集成電路的方法。更具體的，本發(fā)明關(guān)于產(chǎn)生相移位圖案來改善柵極和其它各層、結(jié)構(gòu)或需要次名義尺寸(sub-nominal dimensions)的區(qū)域的圖案化。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置或集成電路(IC)可包括數(shù)百萬個(gè)諸如晶體管的組件。超大規(guī)模集成電路(ULSI)可包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)場效晶體管(FET)。雖然現(xiàn)有的系統(tǒng)和工藝具有在IC上制造數(shù)百萬個(gè)IC組件的能力，但是仍然需要減小IC組件細(xì)微結(jié)構(gòu)的尺寸，來增加IC上組件的數(shù)目。
欲達(dá)成較小尺寸IC組件細(xì)微結(jié)構(gòu)的一個(gè)限制是現(xiàn)有的光刻技術(shù)的能力。光刻技術(shù)是一種將圖案和影像從一個(gè)媒介轉(zhuǎn)印到另一個(gè)媒介的工藝?，F(xiàn)有的IC光刻技術(shù)使用對(duì)紫外光(UV)敏感光阻。紫外光通過光柵(reticle)或光罩(mask)投射到光阻，以在IC上建立組件圖案?，F(xiàn)有的IC光刻技術(shù)工藝受限于他們轉(zhuǎn)印諸如接點(diǎn)、溝渠、多晶硅線條或門級(jí)結(jié)構(gòu)的小的細(xì)微結(jié)構(gòu)的能力。
一般而言，現(xiàn)有的光刻技術(shù)工藝(例如，投射光刻技術(shù)和遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù))沒有足夠的分辨率和正確性來一致地制造最小尺寸的小細(xì)微結(jié)構(gòu)。分辨率會(huì)受許多不利現(xiàn)象的影響，這些現(xiàn)象包括光的繞射、透鏡像差、機(jī)械穩(wěn)定度、污染、光阻材料的光的性質(zhì)、光阻對(duì)比、光阻膨脹、光阻的熱流等，而使諸如接點(diǎn)、溝渠、柵極和因此而得的IC組件受限于他們能夠達(dá)到有多小的極限。
舉例而言，當(dāng)集成電路設(shè)計(jì)細(xì)微結(jié)構(gòu)的尺寸為0.5微米(μm)或更小，而光學(xué)光刻技術(shù)的最佳分辨率需要有透鏡系統(tǒng)的最大可獲得的數(shù)值孔徑(NA)。當(dāng)獲得好的分辨率時(shí)，并不能獲得優(yōu)越的聚焦能力，反之亦然，因?yàn)橥哥R系統(tǒng)的場的深度反比于NA，且集成電路的表面不能夠光學(xué)上平坦。結(jié)果，當(dāng)于半導(dǎo)體工藝中最小可實(shí)現(xiàn)的尺寸減小時(shí)，則達(dá)到了現(xiàn)有的光學(xué)光刻技術(shù)的極限。尤其是，當(dāng)最小尺寸趨近于0.1微米時(shí)，則傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)不能夠再有效地使用。
為了希望減小細(xì)微結(jié)構(gòu)的尺寸，集成電路(IC)制造商建立了一種稱的為″相移位″的技術(shù)。在相移位中，由在光學(xué)光刻技術(shù)光罩上的二個(gè)鄰近的透明區(qū)域所引起的破壞性干涉，用來建立在光阻層上非曝光的區(qū)域。相移位利用一種現(xiàn)象，其中光通過光罩上的透明區(qū)域呈現(xiàn)出一種波的特征，而使得從光罩材料出來的光的相位為透過光罩材料的光的行程距離的函數(shù)。此距離等于光罩材料的厚度。
相移位可增進(jìn)由光罩產(chǎn)生的影像的品質(zhì)。透過從鄰近的透明區(qū)域來的干涉光而產(chǎn)生在光阻層上所希望的非曝光區(qū)域，該透明區(qū)域具有光通過鄰近孔徑的相位而相對(duì)于彼此移位180度的性質(zhì)。黑暗的未曝光區(qū)域?qū)⒀刂嘁莆粎^(qū)域的邊界而形成在光阻層上，該相移位區(qū)域?qū)⒂赏高^他們的光的破壞性干涉所引起。
相移位光罩為已知而已經(jīng)使用于各種組態(tài)中，如由B.J.Lin所提出的文章″相移位光罩增益邊緣(Phase-Shifting Masks Gain anEdge)″發(fā)表于″電路與裝置″，1993年3月號(hào)，第28-35頁。上述的組態(tài)稱之為交替相移位光罩(PSM)。
在一些情況中，用來設(shè)計(jì)相移位光罩的相移位算法定義了僅些許延伸出作用層的作用區(qū)域的相移位區(qū)域。舉例而言，多晶硅的剩余長度一般由場(field)或修整(trim)光罩所界定。然而，此方法本身并非沒有問題。例如，當(dāng)相移位光罩和場光罩從相移位區(qū)域轉(zhuǎn)移至場光罩區(qū)域時(shí)，他們之間的對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)償可能在多晶硅襯底產(chǎn)生扭結(jié)(kink)或擠壓的(pinched)區(qū)域。而且，因?yàn)閳龉庹钟脕碓谧饔脜^(qū)域外轉(zhuǎn)印多晶硅的密集、窄的線條，則場光罩變得如同相移位光罩般的嚴(yán)格與嚴(yán)謹(jǐn)。
多晶硅或″聚硅(poly)″配置的相移位圖案化已經(jīng)證明可增進(jìn)制造和使能獲得較小的圖案化線條和窄的間距。這些項(xiàng)目能因所希望的線寬和間距收縮而進(jìn)一步增強(qiáng)，但是這樣有些冒險(xiǎn)和具復(fù)雜性。
現(xiàn)有的用相移位器來圖案化已通過僅移位最小的所希望的尺寸區(qū)域而達(dá)成--通常為作用圖案上的聚硅柵極或窄聚硅。離開作用區(qū)域的圖案化的聚硅線通常使用與在作用區(qū)域上圖案化的聚硅線相似的設(shè)計(jì)規(guī)則來布置。當(dāng)如此布置時(shí)，可在相移位圖案化和二進(jìn)制圖案化之間作許多的轉(zhuǎn)移。轉(zhuǎn)移區(qū)域可能造成線寬損失，和增加裝置遺漏。
現(xiàn)用的交替相移位光罩(PSM)設(shè)計(jì)用于多晶硅層，通常重點(diǎn)擺在使得能夠通過應(yīng)用在柵極區(qū)域周圍的交替相移位區(qū)域(也就是說，多晶硅和作用區(qū)域的相交區(qū)域)而使得柵極縮小。一種如此的交替PSM設(shè)計(jì)揭示于美國專利第5,573,890號(hào)，由Christopher A.Spence(本申請(qǐng)案發(fā)明人其中之一)所申請(qǐng)的案名為″使用相移位光罩的光學(xué)光刻技術(shù)方法(METHOD OF OPTICAL LITHOGRAPHY USING PHASE SHIFT MASKING)″，該案轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人。
發(fā)展出一種增強(qiáng)相移位的方法，來減少轉(zhuǎn)移區(qū)域，并將這些區(qū)域從作用邊緣移開以加寬聚硅或聚硅圖案的角，在此線寬損失將會(huì)減小或不受影響。這種增強(qiáng)相移位方法的范例揭示于美國專利申請(qǐng)序號(hào)第09/772,577號(hào)中，案名為″相移位光罩及制造此相移位光罩的系統(tǒng)與方法(PHASE SHIFT MASK AND SYSTEM AND METHOD FOR MAKING THE SAME)″，由Todd P.Lukane(本申請(qǐng)案發(fā)明人其中之一)在2001年1月30日提出申請(qǐng)，并轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人，該申請(qǐng)案將結(jié)合本說明書作為參考。
Lukane專利申請(qǐng)的說明書說明二元光罩和相位光罩，該相位光罩界定了多晶硅圖案的部分和必須具有極受控制的臨界尺寸(CD)(最小線寬)。相位光罩基本上具有很容易圖案化的長窄的開口，但是二元光罩在隔離區(qū)域和密集區(qū)域具有小的開口和小的線。因此，二元光罩的圖案化可能很復(fù)雜而此技術(shù)的制造界限將受到限制。在這兩種簡單相位和增強(qiáng)相位方法中，二種光罩受到嚴(yán)格要求和有不同的最佳化顯示和圖案化狀況。
其它已知的系統(tǒng)使用″節(jié)點(diǎn)″為基礎(chǔ)的方法而不是使用特定柵極的方法，來產(chǎn)生嘗試使用相移位至所有最小多晶硅幾何區(qū)域(場與門級(jí)二者)的指示。二個(gè)以″節(jié)點(diǎn)″為基礎(chǔ)的方法的例子，包括例如Galan等人發(fā)表的″對(duì)于多晶硅層級(jí)用于隨機(jī)邏輯電路的交替型相移位光罩的應(yīng)用(Application of Alternating-Type Phase Shift Mask toPolysilicon Level for Random Logic Circuit)″，發(fā)表于1994年12月出刊的日本應(yīng)用物理期刊第33(1994)冊(cè)，第6779-6784頁；和由Liebmann等人獲準(zhǔn)的美國專利第5,807,649號(hào)，案名為″光刻技術(shù)圖案化方法和用此方法制成的具有光場修整光罩的光罩組(LITHOGRAPHICPATTERNING METHOD AND MASK SET THEREFOR WITH LIGHT FIELD TRIMMASK)″。
考慮到這個(gè)已知的技術(shù)，須對(duì)透明場相移位光罩(PSM)和場或修整光罩方法作改良，而獲得簡單、更可靠的光罩制造，和較佳的晶圓成像。再者，須通過封閉相移位光罩細(xì)微結(jié)構(gòu)而使變化或光鄰近修正(OPC)的使用為最小。又再者，須產(chǎn)生相移位圖案以改善柵極圖案化和其它需要次名義尺寸的層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于一種將邊界區(qū)域加到界定多邊形的0相位圖案末端，以及加到180相區(qū)域的外側(cè)邊緣的技術(shù)。此技術(shù)能改善線端圖案界定和改善制造能力和圖案化工藝界限。增加的邊界區(qū)域可更容易作光罩檢查、用鉻界定相位蝕刻區(qū)域、平衡像差(coma)和其它的圖案化事件、和平衡線端二側(cè)的光，而得到更可預(yù)測的最終光阻圖案。
一個(gè)實(shí)施例關(guān)于設(shè)計(jì)相移位光罩的方法。此方法可包括識(shí)別相移位光罩的第一相位區(qū)域的邊緣；擴(kuò)張所識(shí)別的邊緣以沿著第一相位區(qū)域的邊緣界定窄線；和沿著第一相位區(qū)域的邊緣在窄線上形成相位區(qū)域邊界。第一相位區(qū)域位于鄰近關(guān)鍵的多晶硅區(qū)域，而確認(rèn)的區(qū)域并非鄰近關(guān)鍵的多晶硅區(qū)域的第一相位區(qū)域的邊緣。
另一個(gè)實(shí)施例關(guān)于產(chǎn)生相移位圖案的方法，以改善柵極的圖案化和需要次名義尺寸的其它各層。此方法可包括界定關(guān)鍵的柵極區(qū)域；在關(guān)鍵的柵極區(qū)域的每一側(cè)建立相位區(qū)域；對(duì)于關(guān)鍵的柵極區(qū)域的每一側(cè)的相位區(qū)域指定相反的相位極性；用指定的相位極性增強(qiáng)相位區(qū)域；界定相位轉(zhuǎn)移可能發(fā)生的破裂區(qū)域；產(chǎn)生多邊形以界定其它的邊緣并排除已界定的破裂區(qū)域；以及組構(gòu)0相區(qū)域外的邊界區(qū)域以形成相移位邊界。
另一個(gè)實(shí)施例關(guān)于用0相區(qū)域和180相區(qū)域的外側(cè)邊緣周圍的鉻邊界來增強(qiáng)透明場相移位光罩的方法。此方法可包括將相位極性指定到包括第一相位區(qū)域和第二相位區(qū)域的相位區(qū)域；界定指定的相位區(qū)域的邊緣；在第一相位區(qū)域增加的邊緣的周圍建立第一邊界區(qū)；在第一相位區(qū)域的第一邊界區(qū)形成鉻邊界；在第二相位區(qū)域的增加的邊緣的周圍建立第二邊界區(qū)；以及在第二相位區(qū)域周圍的第二邊界區(qū)形成相移位邊界。
另一個(gè)實(shí)施例關(guān)于一種組構(gòu)成以用于集成電路工藝的光罩。此光罩可包括由0相區(qū)域的第一邊緣和180相區(qū)域的第一邊緣所界定的關(guān)鍵多晶硅區(qū)段；位于180相區(qū)域的第二邊緣外側(cè)的第一鉻邊界區(qū)域；以及0相區(qū)域的第二邊緣的周圍的第二鉻邊界區(qū)域。180相區(qū)域的第二邊緣不同于180相區(qū)域的第一邊緣，其中該鉻邊界區(qū)域包括不透明的材料。0相區(qū)域的第二邊緣不同于0相區(qū)域的第一邊緣。
本領(lǐng)域一般技術(shù)人員參閱下列的圖式、詳細(xì)說明、和所附權(quán)利要求后，本發(fā)明的其它原理特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更為清楚。


下面將參照所附圖式，而說明下文中的實(shí)施例，其中相同的參考數(shù)字表示相同的組件。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，形成相移位光罩方法的步驟的流程圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，相移位光罩設(shè)計(jì)的上平面視圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，組構(gòu)成以用于圖2的相移位光罩設(shè)計(jì)，場或修整光罩設(shè)計(jì)的上平面視圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，分離180相區(qū)域和0相區(qū)域和對(duì)應(yīng)的修整光罩的部分的多晶硅線的方塊圖；以及圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，分離180相區(qū)域和0相區(qū)域和對(duì)應(yīng)的修整光罩的部分的多晶硅線的方塊圖。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示描述形成或設(shè)計(jì)相移位光罩(PSM)和場或修整光罩的范例步驟的流程圖100。一組在相位光罩上先前界定的0相區(qū)域或180相區(qū)域，可有助于識(shí)別關(guān)鍵多晶硅區(qū)段。這些0相區(qū)域或180相區(qū)域能由手繪建立，或由使用現(xiàn)存的軟件程序建立，或由創(chuàng)造一最佳程序以界定這些區(qū)域而建立。
在步驟110，在先前界定的180相區(qū)域的180相區(qū)域邊緣外測的相位光罩上形成鉻邊界區(qū)域，該先前界定的180相區(qū)域并未界定最終多晶硅圖案?？捎檬掷L制或由使用計(jì)算機(jī)軟件程序來界定該鉻邊界區(qū)域。此鉻邊界區(qū)域所具有的優(yōu)點(diǎn)是，可使檢查光罩變得容易，和容易圖案化此制造光罩的相位蝕刻步驟。在步驟120，將所有未界定的區(qū)域(最終多晶硅圖案、或180相區(qū)域、或鉻邊界區(qū)域)定義為0相位。
在步驟130，在鄰近關(guān)鍵多晶硅區(qū)段0相區(qū)域所最初界定的外側(cè)周圍，加上鉻邊界區(qū)。加上這樣的鉻邊界區(qū)有助于將圖案化所產(chǎn)生的問題降至最少。
在步驟140，將光罩上鉻圖案化和蝕刻。當(dāng)部分的鉻界定工藝或?qū)t圖案化以后，涂上一層光阻并選擇性地去除180相區(qū)段將形成的區(qū)域的各區(qū)段的光阻。在一個(gè)具體實(shí)施例中，定義過大的180相位圖案或相位蝕刻區(qū)，以使得光阻可被去除和石英可被蝕刻。此過大的光阻圖案覆蓋了在鉻上的任何希望避免蝕刻的開口。可使用干或濕蝕刻以將180相形成區(qū)域的石英蝕刻至較薄的厚度?？蓞⒖紙D2而進(jìn)一步說明形成的180相區(qū)域和相位蝕刻區(qū)域。
在步驟150，形成具有開口的修整光罩，這些開口在最后多晶硅圖案外側(cè)邊界鉻區(qū)域有過大的形式。此修整光罩有過大的開口是因?yàn)樗麄兊拇笮∫晕⒋笥谶吔鐓^(qū)域的范圍。在修整光罩工藝中，將修整光罩的各開口放置在這些稍微較小的邊界區(qū)域上?？蓞⒄?qǐng)D3說明一個(gè)修整光罩的范例。
圖2顯示利用參照?qǐng)D1說明的工藝而形成或設(shè)計(jì)的相位光罩200的平面視圖。相位光罩200包括多晶硅區(qū)域210、180相區(qū)域220、0相區(qū)域230、和180相邊界區(qū)域240。多晶硅區(qū)域210(圖2的點(diǎn)線區(qū)域所示者)為關(guān)鍵多晶硅區(qū)段。180相區(qū)域220和0相區(qū)域230有助于界定多晶硅區(qū)域210，或能夠用手或使用組構(gòu)成用來設(shè)計(jì)相位光罩的計(jì)算機(jī)軟件程序而建立。180相邊界區(qū)域240能夠形成界定180相區(qū)域220的外側(cè)邊緣，該180相邊界區(qū)域240未界定該多晶硅圖案。
相位光罩200可包括界定的范圍外側(cè)的區(qū)域250。在一具體實(shí)施例中，區(qū)域250(如圖2中所示)指定為0相位。
相位蝕刻框260(圖2中使用粗短劃線所繪示)為用于形成180相區(qū)域220界定圖案的區(qū)域。所具的優(yōu)點(diǎn)是，相位蝕刻框260的位置為自行對(duì)準(zhǔn)鉻圖案，以避免蝕刻圖案相對(duì)于原來的鉻圖案發(fā)生錯(cuò)位。在一替代實(shí)施例中，可以制造蝕刻輪廓，而使得蝕刻可部分在鉻下方進(jìn)行以便部分地隱藏蝕刻輪廓。部分隱藏的蝕刻輪廓可讓側(cè)壁輪廓有一些變化。
修整光罩開口270(圖2中用點(diǎn)線所繪示者)界定一個(gè)當(dāng)使用場或修整光罩時(shí)則曝露的區(qū)域。參照?qǐng)D3說明對(duì)應(yīng)于修整光罩開口270的范例修整光罩。
相位光罩200能包括0相區(qū)域230的外側(cè)周圍鉻邊界區(qū)域290。對(duì)應(yīng)于相位光罩200的修整光罩可包括過大的在最終多晶硅圖案外側(cè)的所有的鉻區(qū)域。
圖3顯示場或修整光罩300的平面視圖。修整光罩300組構(gòu)成可與參照?qǐng)D2中的相位光罩200使用。修整光罩300包括對(duì)應(yīng)于圖2中修整光罩開口270的開口310。
圖4顯示多晶硅線光罩400和修整光罩405。多晶硅線光罩400分離180相區(qū)域410和0相區(qū)域420。鉻邊界430沿著180相區(qū)域410的邊緣而定位。鉻邊界430能通過允許鉻光罩完全界定了石英蝕刻而改善光罩生產(chǎn)。然而，像如此的組構(gòu)方式，多晶硅線光罩400為非對(duì)稱的和具有在鄰近線之間橋接的風(fēng)險(xiǎn)。
圖5顯示多晶硅線光罩500和修整光罩505。多晶硅線光罩500分離180相區(qū)域510和0相區(qū)域520。鉻邊界530沿著180相區(qū)域510的邊緣而定位。相位區(qū)域540沿著0相區(qū)域520的邊緣而定位。通過放置相位區(qū)域540或假線(dummy lines)在0像區(qū)域的邊緣，如此可以增進(jìn)對(duì)稱性，而可以改善晶圓的圖案制作。
用于鉻邊界530的范例材料，可包括任何不透明特性的材料?；蛘撸谶吔?30使用其它適當(dāng)?shù)牟煌该鞑牧?，諸如該領(lǐng)域一般技術(shù)人員已知的可滿足所須相位規(guī)格的任何材料。鉻邊界530能具有鄰近最小柵極寬度尺寸的寬度，或形成關(guān)鍵柵極的0相區(qū)域和180相區(qū)域之間的寬度。
所具有的優(yōu)點(diǎn)是，參照各圖式中所說明的工藝，改善了柵極寬度控制、線端圖案界定、和圖案化工藝界限。而且，各工藝能使修整光罩的關(guān)鍵件相似于相位光罩的關(guān)鍵件，也就是說，在鉻光罩(或溝渠)中相對(duì)窄的開口。使修整光罩的關(guān)鍵件相似于相位光罩而具有的優(yōu)點(diǎn)為，可使相位光罩的最佳顯示狀況更相似于或相同于修整光罩。通過這樣，步進(jìn)器不須改變?cè)O(shè)定(例如，數(shù)值孔徑或部分相干或聚焦或暴光劑量)。
雖然以上已通過圖式顯示實(shí)施例并作了說明，但應(yīng)了解這些實(shí)施例僅提供作說明用。其它的實(shí)施例可以包括例如建立相移位區(qū)域的不同的技術(shù)。而且，其它的實(shí)施例可以使用不同于0和180度而仍保有相差180度的相位角。本發(fā)明并不限于特定的實(shí)施例，而可擴(kuò)展至各種不同的修飾、組合、和交換，而仍落于本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)計(jì)相移位光罩的方法，該方法包括識(shí)別相移位光罩的第一相位區(qū)域的邊緣，該第一相位區(qū)域位于鄰近關(guān)鍵多晶硅區(qū)域，而該所識(shí)別的邊緣并非為鄰近該關(guān)鍵多晶硅區(qū)域的該第一相位區(qū)域的邊緣；擴(kuò)張?jiān)撍R(shí)別的邊緣以沿著該第一相位區(qū)域的該邊緣界定窄線；以及沿著該第一相位區(qū)域的該邊緣在該窄線上形成相位區(qū)域邊界。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括識(shí)別相移位光罩的180相區(qū)域的邊緣，該180相區(qū)域位于鄰近關(guān)鍵多晶硅區(qū)域，而該所識(shí)別的邊緣并非為鄰近該關(guān)鍵多晶硅區(qū)域的該180相區(qū)域的邊緣；擴(kuò)張?jiān)撍R(shí)別的邊緣以沿著該180相區(qū)域的該邊緣界定窄線；以及在該窄線上形成鉻以沿著該180相區(qū)域的該邊緣形成鉻邊界。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括指定相位極性至相位區(qū)域；界定指定的相位區(qū)域的邊緣；在增加的邊緣周圍建立邊界；以及在建立的邊界的外側(cè)區(qū)域指定具有0相位。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該相位區(qū)域指定為0或180相位角，進(jìn)一步包括產(chǎn)生修整光罩以去除0相位和180相位區(qū)域之間不需要的圖案。
5.一種產(chǎn)生相移位圖案的方法，以改善柵極的圖案化和需要次名義尺寸的其它各層，該方法包括界定關(guān)鍵的柵極區(qū)域；在關(guān)鍵的柵極區(qū)域的每一側(cè)建立相位區(qū)域；對(duì)于關(guān)鍵的柵極區(qū)域的每一側(cè)的相位區(qū)域指定相反的相位極性；用指定的相位極性增強(qiáng)相位區(qū)域；界定相位轉(zhuǎn)移可能發(fā)生的破裂區(qū)域；產(chǎn)生多邊形以界定其它的邊緣并排除已界定的破裂區(qū)域；以及組構(gòu)0相區(qū)域外側(cè)的邊界區(qū)域以形成相移位邊界。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括修正違反規(guī)則的設(shè)計(jì)；以及將光學(xué)鄰近和工藝修正應(yīng)用到相位區(qū)域，以允許適當(dāng)?shù)膱D案產(chǎn)生。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括產(chǎn)生修整光罩以去除所需的圖案外側(cè)的0相位和180相位區(qū)域之間的不需要的圖案。
8.一種設(shè)定用于集成電路工藝的光罩，該光罩包括一關(guān)鍵性多晶硅區(qū)段，其由0相區(qū)域的第一邊緣與180相區(qū)域的第一邊緣所界定；一第一鉻邊界區(qū)域，其位于該180相區(qū)域的第二邊緣外側(cè)，該180相區(qū)域的第二邊緣不同于該180相區(qū)域的第一邊緣，其中，該鉻邊界區(qū)域包含一不透明材料；一第二鉻邊界區(qū)域，其位于該0相區(qū)域的第二邊緣周圍，該0相區(qū)域的第二邊緣不同于該0相區(qū)域的第一邊緣。
9.如權(quán)利要求8所述的光罩，進(jìn)一步包括具有0相位的位于界定區(qū)域外側(cè)的一區(qū)域。
10.如權(quán)利要求8所述的光罩，其中該第二邊界區(qū)域包括不透明材料。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種將第一邊界區(qū)域加到界定為多邊形的0相位圖案的各末端，而將第二邊界區(qū)域加到180相位圖案的各末端的技術(shù)。此技術(shù)可改善線末端圖案界定和改善制造能力和圖案化工藝界限。此增加的邊界區(qū)域平衡線末端兩側(cè)的光而造成更可預(yù)測的最終光阻圖案。
文檔編號(hào)G03F1/08GK1602448SQ02824773
公開日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2002年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月11日
發(fā)明者T·P·盧康科, C·A·斯彭斯 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司