專利名稱：電光裝置和電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置等的電光裝置和具備該電光裝置的電子機(jī)器的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
至今，我們知道備有夾持液晶等的電光物質(zhì)的一對基板，和設(shè)置在用于將電場加到上述電光物質(zhì)上的上述一對基板的各個(gè)基板上的電極等的電光裝置。這里，利用上述電極將電場加到上述電光物質(zhì)上，適當(dāng)?shù)馗淖冊撾姽馕镔|(zhì)的狀態(tài)。而且，如果根據(jù)這種電光裝置，則例如將從光源發(fā)出的光等入射到該裝置，并且如果如上所述適當(dāng)?shù)馗淖冸姽馕镔|(zhì)的狀態(tài)，則可以控制該光的透過率，可以進(jìn)行圖象顯示。
而且，我們知道在這種電光裝置中，在上述一對基板的一方上，備有矩陣狀配列的象素電極作為上述電極，并且備有與該象素電極的各個(gè)電極連接的薄膜晶體管(Thin Film Transistor；以下為了簡便起見，稱為“TFT” )，和與各個(gè)該TFT連接，分別與行和列方向平行設(shè)置的掃描線和數(shù)據(jù)線等，可以進(jìn)行所謂的有源矩陣驅(qū)動(dòng)。因此，對于上述象素電極，或者由上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線劃出的一個(gè)一個(gè)的象素中的每一個(gè)，可以控制加在上述電光物質(zhì)上的電壓。
又，在上述電光裝置中，一般備有可以顯示更高品質(zhì)的圖象的上述以外的種種構(gòu)成。例如，具有代表性的是，設(shè)置由上述象素電極和與上述TFT連接的象素電位側(cè)電容電極，和通過電介質(zhì)膜與該電極相對配置的固定電位側(cè)電容電極構(gòu)成的存儲(chǔ)電容。利用它使加在電光物質(zhì)上的電壓保持所定的時(shí)間。
但是，在已有的電光裝置中，存在下列那樣的問題。即，在上述那樣的電光裝置中，為了可以顯示更明亮的圖象，一般希望通過使上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線，或者上述存儲(chǔ)電容等在基板上占據(jù)的面積更小，使在各象素中作為由于透過或反射實(shí)際對圖象顯示有貢獻(xiàn)的光射出的區(qū)域的光透過區(qū)域更大，來提高孔徑率。此外，這里所謂的“孔徑率”指的是占據(jù)的光透過區(qū)域與一個(gè)象素的全部區(qū)域的比率。此外，為了達(dá)到節(jié)省功率等的目的，同時(shí)要求電光裝置的高精細(xì)化或小型化。從這種觀點(diǎn)出發(fā)，一般要求必須微細(xì)地形成上述各種構(gòu)成要素等。
這里特別成為問題的是必須使上述存儲(chǔ)電容窄小化這一點(diǎn)。當(dāng)通過窄幅地形成構(gòu)成該存儲(chǔ)電容的各電極實(shí)現(xiàn)這種窄小化時(shí)，導(dǎo)致該各電極的高電阻化，在最壞的情形中，會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_和燒蝕等。此外，在已有技術(shù)中，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的上述象素電位側(cè)電容電極一般例如是由多晶硅和硅化鎢(WSi)等形成的，但是這些材料決不能說是低電阻的，所以使上述問題變得更加嚴(yán)重。
又，如上所述為了達(dá)到各種構(gòu)成要素微細(xì)化·窄小化的目的，也必須對到上述TFT的光入射給予充分地注意。所以這樣說是因?yàn)楫?dāng)光入射到構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域時(shí)，會(huì)發(fā)生光漏電流，因此在圖象上產(chǎn)生閃爍等，導(dǎo)致圖象品質(zhì)下降。尤其是當(dāng)將上述電光裝置用作投射型顯示裝置中的光閥時(shí)，一般地說，特別存在著因?yàn)閷姆浅?qiáng)的光源發(fā)出的光入射到該光閥上，所以進(jìn)一步增加了光入射到TFT上的擔(dān)心這樣的問題。
在已有技術(shù)中，為了防止光入射到這種TFT上，采取在上述一對基板中不備有TFT等的基板一側(cè)上設(shè)置遮光層的方法。但是，在這種方法中，存在著因?yàn)樵撜诠鈱优cTFT的距離比較大，所以不能期望得到對于斜入射光的有效的遮光功能這樣的問題。為了對付這個(gè)問題，不得不考慮寬幅地形成遮光層，但是這導(dǎo)致孔徑率下降，幾乎不可能滿足上述一般的要求或解決上述課題。
又，作為防止光入射到TFT上的方法，除了上述方法外，已經(jīng)提出了將上述數(shù)據(jù)線用作遮光層的方法?？墒牵谶@種方法中，為了盡可能地減少信號(hào)傳輸?shù)膿p失，一般用低電阻的材料，例如Al等構(gòu)成數(shù)據(jù)線，從而產(chǎn)生具有高光反射率的問題。即，如果用這種方法，則即便能夠確實(shí)地遮住直接入射到數(shù)據(jù)線的入射側(cè)面上的光，也要考慮由于從數(shù)據(jù)線反射的反射光成為雜散光，或者從該數(shù)據(jù)線的另一面反射的光成為雜散光等，最終達(dá)到TFT的這種事態(tài)。
此外，在這種方法，也存在著為了提高遮光功能，增大數(shù)據(jù)線寬度，與上述遮光層同樣地導(dǎo)致孔徑率下降的問題，鑒于上述雜散光的問題，由于相反地增大了雜散光量，對于防止發(fā)生光漏電流來說很可能產(chǎn)生相反的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述問題提出來的，本發(fā)明的課題是提供一面能夠防止發(fā)生由存儲(chǔ)電容窄小化引起的串?dāng)_和燒蝕等，并且也能夠防止在TFT中發(fā)生光漏電流，一面能夠滿足提高孔徑率等的一般要求的電光裝置和具備該電光裝置的電子機(jī)器。
本發(fā)明的電光裝置是在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線與上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線。
如果根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，則通過掃描線和數(shù)據(jù)線將掃描信號(hào)和圖象信號(hào)供給薄膜晶體管，能夠用有源矩陣驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)象素電極。這里，因?yàn)榕c象素電位側(cè)電容電極和固定電位側(cè)電容電極相對配置的存儲(chǔ)電容與象素電極連接，所以能夠在象素電極上長期保持寫入的圖象信號(hào)電壓。
又，通過在薄膜晶體管下側(cè)，備有遮蔽入射到該薄膜晶體管的光的下側(cè)遮光膜，能夠防止對構(gòu)成該薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，特別是它的溝道區(qū)域的光入射于未然，從而能夠極力防止發(fā)生光漏電流。
而且特別是，在本發(fā)明中，通過上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，并且上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線，不會(huì)導(dǎo)致該電容線的高電阻化。這是因?yàn)橥ㄟ^下側(cè)遮光膜和固定電位側(cè)電容電極的電連接，下側(cè)遮光膜還可以作為固定電位側(cè)電容電極或電容線發(fā)揮功能。即，如果根據(jù)本發(fā)明，則即便當(dāng)由于裂紋等使電容線破損時(shí)，因?yàn)橄聜?cè)遮光膜也繼續(xù)起著作為電容線的功能，所以可以減少對裝置全體工作造成障礙的可能性。
此外，在所謂的“將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線”的情形中，這個(gè)“固定電位側(cè)電容電極”既可以構(gòu)成“電容線”的一部分，又可以看作從“電容線”延伸設(shè)置的連接部分。
這種情況特別是當(dāng)作為用于電容線的材料，由傳統(tǒng)上使用的高熔點(diǎn)金屬，例如白金，鐐，Ti(鈦)，Cr(鉻)，W(鎢)，Ta(鉭)，Mo(鉬)等的金屬單體，合金，金屬硅化物，多晶硅化物，和它們的沉積層等構(gòu)成時(shí)，就更加合適，因此在這種情形中，能夠更有效地發(fā)揮本發(fā)明的作用效果。所以這樣說是因?yàn)楫?dāng)利用上述各種材料時(shí)，作用于電容線內(nèi)部的收縮力或壓縮力變得比較大。
但是，當(dāng)用低溫過程制造與本發(fā)明有關(guān)的電光裝置時(shí)，也可以用Al(Al)構(gòu)成電容線。
又，本發(fā)明對于實(shí)現(xiàn)電容線的窄小化，即存儲(chǔ)電容的窄小化，因此造成的孔徑率的提高，或電光裝置的高度精細(xì)化等也是有益的，這是很清楚的。因?yàn)?，即便使電容線的窄小化，通過下側(cè)遮光膜同時(shí)起著作為電容線的功能，也不會(huì)導(dǎo)致該電容線的高電阻化。相反地可以說，如果根據(jù)本發(fā)明，則意味著能夠容易地實(shí)現(xiàn)提高孔徑率或電光裝置的高度精細(xì)化等。又，通過這樣做，可以防止發(fā)生成為已有問題的，由電容線的高電阻化引起的串?dāng)_和燒蝕等。
進(jìn)一步，如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)橄聜?cè)遮光膜和包含固定電位側(cè)電容電極的電容線具有上述那樣的冗長關(guān)系，所以可以提高裝置全體的可靠性。
此外，在本發(fā)明中，因?yàn)橄聜?cè)遮光膜，如上所述，同時(shí)具有防止對薄膜晶體管的光入射的作用，和代替固定電位側(cè)電容電極具有的功能的作用，所以不需要為了防止對薄膜晶體管的光入射的作用，設(shè)置一個(gè)部件，為了上述代替作用，設(shè)置別的部件等那樣的構(gòu)成，從而也可以得到有益于降低制造成本，或提高裝置的可靠性等的效果。
在本發(fā)明的電光裝置的一個(gè)樣態(tài)中，上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極通過設(shè)置在存在于該下側(cè)遮光膜和該固定電位側(cè)電容電極之間的層間絕緣膜中的第1接觸孔電連接。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則可以比較容易地實(shí)現(xiàn)下側(cè)遮光膜和固定電位側(cè)電容電極之間的電連接。
在這個(gè)樣態(tài)中，最好將上述第1接觸孔配置在上述數(shù)據(jù)線的下方。
如果根據(jù)這樣的構(gòu)成，則通過使第1接觸孔位于數(shù)據(jù)線的下方，可以提高孔徑率。即，一般地說，在具有上述那樣構(gòu)成的電光裝置中，數(shù)據(jù)線成為規(guī)定非開孔區(qū)域的部件，但是如果在這樣的非開孔區(qū)域內(nèi)設(shè)置上述第1接觸孔，則因?yàn)椴粫?huì)導(dǎo)致發(fā)生該非開孔區(qū)域的新增大那樣的事態(tài)，所以盡管設(shè)置了第1接觸孔，但是結(jié)果也可以提高孔徑率。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述固定電位側(cè)電容電極和上述下側(cè)遮光膜中的至少一方在上述基板上形成島狀。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，更具體地說，如果取固定電位側(cè)電容電極為例，則當(dāng)矩陣狀地存在著多個(gè)上述象素電極時(shí)，例如，以由一個(gè)該象素電極規(guī)定的一個(gè)象素為單位，存在著島狀的固定電位側(cè)電容電極。結(jié)果，固定電位側(cè)電容電極由于它內(nèi)部發(fā)生的應(yīng)力容易受到破壞。這可以從考慮如果假定地設(shè)想在基板的整個(gè)面上較好地形成固定電位側(cè)電容電極那樣的極限情況，則在這樣的固定電位側(cè)電容電極內(nèi)部具有非常大的應(yīng)力使該固定電位側(cè)電容電極自身破損，又，該應(yīng)力使設(shè)置在該固定電位側(cè)電容電極外的其它構(gòu)成(例如，層間絕緣膜等)破損等的事態(tài)了解到。如果根據(jù)本樣態(tài)，則通過使固定電位側(cè)電容電極形成島狀，與上述那種情形比較，能夠考慮分散了內(nèi)部應(yīng)力，從而可以防止上述那樣的破損等于未然。順便地說，在使下側(cè)遮光膜形成島狀的情形中，當(dāng)然也能夠產(chǎn)生這種優(yōu)點(diǎn)。
此外，在上面的述說中，我們談到了以一個(gè)象素為單位的島狀，但是本發(fā)明不只限定于這種形態(tài)。例如，也可以存在當(dāng)在基板上，想象地設(shè)定如左(或上)半平面和右(或下)半平面那樣的兩個(gè)具有比較大面積的區(qū)域，使固定電位側(cè)電容電極在上述這兩個(gè)區(qū)域中形成島狀時(shí)，即，固定電位側(cè)電容電極與這兩個(gè)區(qū)域中的一個(gè)電連接，但是與這兩個(gè)區(qū)域中的另一個(gè)之間不形成電連接的情形。此外，也存在著種種形成方法，這是不言而喻的。不管怎么樣，如果形成這樣的島狀，則能夠與它相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)與上述那樣的本樣態(tài)有關(guān)的作用效果。
在這個(gè)樣態(tài)中特別是，當(dāng)矩陣狀地存在著多個(gè)上述象素電極時(shí)，最好使上述島狀的固定電位側(cè)電容電極或下側(cè)遮光膜的各個(gè)邊緣部分的位置處于各象素電極具有的寬度的中間。
如果根據(jù)這樣的構(gòu)成，則這里如果以固定電位側(cè)電容電極為例(下面，在說明關(guān)于“島狀”的各種樣態(tài)中，以“固定電位側(cè)電容電極”為例進(jìn)行說明。)，則通過使上述島狀的固定電位側(cè)電容電極的各個(gè)邊緣部分的位置處于各象素電極具有的寬度的中間，即象素的寬度的中間，可以有效地形成固定電位側(cè)電容電極，進(jìn)而有效地形成存儲(chǔ)電容。
如果根據(jù)這樣的構(gòu)成，則能夠更確實(shí)地享受上述應(yīng)力分散的作用效果。這是因?yàn)閸u狀的固定電位側(cè)電容電極的各個(gè)邊緣部分的位置處于象素電極具有的寬度的中間，一般地說，由于這些島狀的各固定電位側(cè)電容電極全都可以具有大致同樣的形狀，或者可以是平衡很好的配置等，這些電極中內(nèi)在的應(yīng)力對設(shè)置在該電極外的其它構(gòu)成或電光裝置全體的影響可以是均等的或者很好平衡的。即，如果根據(jù)這本構(gòu)成，則在電光裝置內(nèi)，因?yàn)椴粫?huì)產(chǎn)生惹起應(yīng)力極端集中的地方，所以能夠更確實(shí)地享受上述作用效果。
此外，所謂上述的“象素電極具有的寬度的中間” 中的“中間”并不意味著只是嚴(yán)格意義上的“中間”或者“象素電極具有的寬度的1/2” 等。不用說，當(dāng)然也包含這樣的情況，但是例如說，即便上述邊緣部分位于從“真正的中間位置”有若干偏離的位置上，也能夠大致同樣地達(dá)到上述作用效果。
需要時(shí)，上述的“中間”可以與“大致中間”的意義符合。這時(shí)，所謂的“大致”由象素電極，薄膜晶體管等的形成樣態(tài)或配置樣態(tài)等具體決定，它的本質(zhì)不過是設(shè)計(jì)上能夠適當(dāng)決定而已。
又，最好上述邊緣部分具有位于象素電極具有的寬度中間的構(gòu)成，進(jìn)一步，上述數(shù)據(jù)線穿過鄰接的上述象素電極間的大致中間延伸，當(dāng)平面地觀看各個(gè)上述島狀的固定電位側(cè)電容電極或下側(cè)遮光膜時(shí)，它們具有夾著上述數(shù)據(jù)線的線對稱形狀。
如果根據(jù)這種構(gòu)成，則因?yàn)楫?dāng)平面地觀看時(shí)，各個(gè)島狀的固定電位側(cè)電容電極具有夾著上述數(shù)據(jù)線的線對稱形狀，所以在基板上的整個(gè)面，能夠?qū)崿F(xiàn)具有幾乎同樣的并且線對稱的形狀的固定電位側(cè)電容電極的設(shè)計(jì)。因此，即便在組合液晶旋轉(zhuǎn)方向不同的電光裝置進(jìn)行圖象顯示的復(fù)板式投影儀裝置中采用與本構(gòu)成有關(guān)的電光裝置，也不會(huì)產(chǎn)生由顏色不均勻等引起的畫質(zhì)惡化。又，線對稱地形成固定電位側(cè)電容電極，結(jié)果也可以將存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)成對于數(shù)據(jù)線線對稱的圖案。
此外，上述的“線對稱”的形狀，具體地說例如與T字型和十字型等相當(dāng)，所謂的“夾著上述數(shù)據(jù)線的線對稱”相當(dāng)于該數(shù)據(jù)線與T字型和十字型等的縱豎一致的情形。
又，在上述固定電位側(cè)電容電極和上述下側(cè)遮光膜中至少一方形成島狀的樣態(tài)(包含它的各種樣態(tài))中，從上述邊緣部分觀看時(shí)在包含該邊緣部分的上述固定電位側(cè)電容電極或上述下側(cè)遮光膜的外部位置中，最好進(jìn)一步備有連接上述薄膜晶體管和上述象素電極的第2接觸孔。
如果根據(jù)這種構(gòu)成，則能夠更有效地實(shí)現(xiàn)與上述分散應(yīng)力有關(guān)的作用效果。這是以下列情況為基礎(chǔ)的。
即，在本樣態(tài)中，在連接薄膜晶體管和象素電極的第2接觸孔中，一般地說，最容易產(chǎn)生在上述固定電位側(cè)電容電極中內(nèi)在的應(yīng)力的影響(即，最容易產(chǎn)生該應(yīng)力的釋放)，所以容易發(fā)生以該第2接觸孔為基點(diǎn)的裂紋等。
然而，在本構(gòu)成中，從上述邊緣部分觀看時(shí)因?yàn)樵谏鲜龉潭娢粋?cè)電容電極或上述下側(cè)遮光膜的外部位置中，存在上述那樣的第2接觸孔，所以出現(xiàn)這種應(yīng)力的影響難以達(dá)到該第2接觸孔的狀況。即，在本構(gòu)成中，能夠防止由電容線或固定電位側(cè)電容電極的應(yīng)力產(chǎn)生的影響，具體地說，能夠防止發(fā)生以第2接觸孔為基點(diǎn)的裂紋等。
進(jìn)一步，在上述固定電位側(cè)電容電極和下側(cè)遮光膜中至少一方形成島狀的樣態(tài)(包含它的各種樣態(tài))中，從上述邊緣部分觀看時(shí)在包含該邊緣部分的上述固定電位側(cè)電容電極或上述下側(cè)遮光膜的外部位置中，最好進(jìn)一步備有連接上述薄膜晶體管和上述數(shù)據(jù)線的第3接觸孔。
如果根據(jù)這種構(gòu)成，則能夠?qū)崿F(xiàn)與關(guān)于備有上述第2接觸孔的構(gòu)成所述的作用效果大致相同的作用效果。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述存儲(chǔ)電容在構(gòu)成上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域和上述數(shù)據(jù)線之間，并且，通過層間絕緣膜與各個(gè)該溝道區(qū)域和該數(shù)據(jù)線一起進(jìn)行配置。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則例如，設(shè)想在基板上，以從下而上的順序，具有薄膜晶體管的溝道區(qū)域，層間絕緣膜，存儲(chǔ)電容，層間絕緣膜和數(shù)據(jù)線這樣的層積構(gòu)造。這時(shí)，當(dāng)數(shù)據(jù)線例如由Al膜等的高反射膜形成時(shí)，如已經(jīng)述說的那樣，在該數(shù)據(jù)線里面反射的光成為雜散光，恐怕會(huì)入射到薄膜晶體管，特別是溝道區(qū)域，但是因?yàn)樵谠摂?shù)據(jù)線的下方存在著由固定電位側(cè)電容電極，電介質(zhì)膜和象素電位側(cè)電容電極構(gòu)成的存儲(chǔ)電容，所以因此可以遮蔽上述光。即，如果根據(jù)本樣態(tài)，則可以有效地防止在薄膜晶體管中發(fā)生光漏電流。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，通過層間絕緣膜將上述存儲(chǔ)電容配置在上述掃描線的上方。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則從平面觀看時(shí)能夠使存儲(chǔ)電容和掃描線重合。因此，可以大幅度地提高孔徑率，并且可以確保足夠的存儲(chǔ)電容。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，與構(gòu)成上述薄膜晶體管的漏區(qū)電連接的漏極兼而用作構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的上述象素電位側(cè)電容電極。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則為了構(gòu)成形成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，不需要?jiǎng)e的特別的材料。從而，可以與此相應(yīng)地，降低制造成本。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述固定電位側(cè)電容電極由具有遮光性的材料構(gòu)成。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則因?yàn)楣潭娢粋?cè)電容電極具有遮光性，所以除了上述下側(cè)遮光膜外，可以實(shí)施作為防止對薄膜晶體管的光入射的上側(cè)遮光膜的功能。
此外，作為這種材料，例如，可以用已經(jīng)述說的，Al，Ti，Cr，W，Ta，Mo等的金屬單體，合金，金屬硅化物，多晶硅化物，和它們的沉積層等。
又，在本樣態(tài)中，特別是通過以與數(shù)據(jù)線寬度相同的寬度形成構(gòu)成沿?cái)?shù)據(jù)線方向的存儲(chǔ)電容的各電極的寬度，可以有效地防止在數(shù)據(jù)線里面反射的雜散光照射到溝道區(qū)域。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述下側(cè)遮光膜位于上述掃描線的下方，并且，沿該掃描線的方向延伸設(shè)置，在上述數(shù)據(jù)線的方向上突出。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則可以適當(dāng)?shù)嘏渲孟聜?cè)遮光膜。特別是，因?yàn)榕c本樣態(tài)有關(guān)的下側(cè)遮光膜在上述數(shù)據(jù)線的方向上突出，所以可以適當(dāng)?shù)貨Q定上述第1接觸孔的配置，也可以適當(dāng)?shù)貨Q定裝置全體的設(shè)計(jì)。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述下側(cè)遮光膜位于上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的下方，并且，沿該掃描線和該數(shù)據(jù)線格子狀地進(jìn)行配設(shè)。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則可以進(jìn)一步增加對于固定電位側(cè)電容電極的下側(cè)遮光膜的冗長性。即，如上所述，當(dāng)在固定電位側(cè)電容電極或電容線中發(fā)生裂紋等，下側(cè)遮光膜發(fā)揮它的代替作用時(shí)，即便在該下側(cè)遮光膜的一部分中發(fā)生任何不適合的情況，因?yàn)樵撓聜?cè)遮光膜位于上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的下方，并且，沿該掃描線和該數(shù)據(jù)線格子狀地進(jìn)行配設(shè)，所以由于存在著許多它的電傳導(dǎo)路徑，能夠更確實(shí)地實(shí)現(xiàn)上述作用效果。
在本發(fā)明的電光裝置的其它樣態(tài)中，上述下側(cè)遮光膜位于圖象顯示區(qū)域的外側(cè)與定電位源連接。
如果根據(jù)這個(gè)樣態(tài)，則下側(cè)遮光膜起著向固定電位側(cè)電容電極供給定電位的，可以說是饋線的作用。如上所述，這只不過是以下側(cè)遮光膜與固定電位側(cè)電容電極電連接為基礎(chǔ)。這樣，如果使固定電位側(cè)電容電極處于固定電位，則能夠達(dá)到使存儲(chǔ)電容等穩(wěn)定化的目的，又，如果使下側(cè)遮光膜處于固定電位，則幾乎不需要擔(dān)心當(dāng)該膜的電位變動(dòng)時(shí)給予薄膜晶體管的惡劣影響。
此外，這里所述的“圖象顯示區(qū)域”指的是在基板上的實(shí)際能夠透過顯示圖象所必需的光的區(qū)域，具體地說，指的是由于存在上述薄膜晶體管，象素電極，掃描線和數(shù)據(jù)線等而被規(guī)定的區(qū)域。更具體地說或?qū)嶋H上，當(dāng)假定在基板上設(shè)置畫框狀的遮光膜時(shí)，規(guī)定該圖象顯示區(qū)域?yàn)樵摦嬁驙畹恼诠饽?nèi)側(cè)的區(qū)域。
在本樣態(tài)中特別是，最好上述定電位源是由向用于驅(qū)動(dòng)上述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路供給定電位的定電位源，向用于驅(qū)動(dòng)上述掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路供給定電位的定電位源，和向設(shè)置在與上述基板相對配置的對置基板上的對置電極供給定電位的定電位源中的任何一個(gè)構(gòu)成的。
與這種構(gòu)成有關(guān)的上述各種定電位源是通常需要的用于驅(qū)動(dòng)與本發(fā)明有關(guān)的電光裝置的定電位源，所以，通常設(shè)置在該電光裝置中。而且，在本構(gòu)成中，使用于向上述下側(cè)遮光膜，進(jìn)而固定電位側(cè)電容電極供給定電位的定電位源與上述各種定電位源中的任何一個(gè)共用。
所以，如果根據(jù)本構(gòu)成，不需要設(shè)置對于下側(cè)遮光膜或固定電位側(cè)電容電極的專用的定電位源，從而，可以與此相應(yīng)地降低制造成本，又，也可以使裝置構(gòu)造簡略化。
本發(fā)明的第2電光裝置，在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該上述薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線，并且上述固定電位側(cè)電容電極形成島狀，該島狀的固定電位側(cè)電容電極的平面的外形形狀是由配置在它外側(cè)的，將構(gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和上述數(shù)據(jù)線之間電連接起來的接觸孔，和將上述象素電極和上述象素電位側(cè)電容電極之間電連接起來的接觸孔規(guī)定的。
如果根據(jù)本發(fā)明的第2電光裝置，則通過將固定電位側(cè)電容電極或電容線和下側(cè)遮光膜電連接起來，兩者具有冗長關(guān)系，即便在前者發(fā)生裂紋等，后者也能夠起到作為固定電位側(cè)電容電極或電容線的功能。又，可以說，通過上述固定電位側(cè)電容電極形成島狀，可以分散該固定電位側(cè)電容電極或電容線中的內(nèi)在應(yīng)力。進(jìn)一步，該島狀的固定電位側(cè)電容電極的平面的外形形狀是由最容易產(chǎn)生上述應(yīng)力釋放的接觸孔，從它的外側(cè)規(guī)定的，即島狀的固定電位側(cè)電容電極，由于在它的邊緣部分不包含該接觸孔，出現(xiàn)這種應(yīng)力的影響難以達(dá)到上述接觸孔的狀況，從而能夠防止發(fā)生以該接觸孔為基點(diǎn)的裂紋等于未然。
此外，作為與本發(fā)明有關(guān)的固定電位側(cè)電容電極的具體樣態(tài)，例如，當(dāng)設(shè)想矩陣狀地配列上述象素電極，并且使上述掃描線在該矩陣的行方向延伸，使上述數(shù)據(jù)線在列方向延伸的情形時(shí)，首先，將上述半導(dǎo)體層和上述“數(shù)據(jù)線”之間電連接起來的接觸孔位于列方向中的許多點(diǎn)上。另一方面，將象素電極和上述象素電位側(cè)電容電極之間電連接起來的接觸孔可以位于沿上述掃描線的許多點(diǎn)上。所以，在這種情形中，可以認(rèn)為平面地觀看島狀的固定電位側(cè)電容電極時(shí)的外形形狀是由位于列方向中的點(diǎn)上的兩個(gè)接觸孔和位于行方向中的點(diǎn)上的兩個(gè)接觸孔規(guī)定的。
而且，這時(shí)進(jìn)一步，因?yàn)槟軌蚩紤]固定電位側(cè)電容電極的一部分在掃描線方向上延伸，另一部分在數(shù)據(jù)線方向上延伸那樣的形狀，所以，作為該島狀的固定電位側(cè)電容電極的具體樣態(tài)，可以保持大致T字型或大致十字型的外形形狀。
本發(fā)明的電子機(jī)器具備上述的本發(fā)明的電光裝置(但是，包含它的各種樣態(tài))。
如果根據(jù)本發(fā)明的電子機(jī)器，則如上所述，固定電位側(cè)電容電極和下側(cè)遮光膜具有冗長關(guān)系，即便固定電位側(cè)電容電極上產(chǎn)生什么不合適的情況，因?yàn)榫邆淇梢允箾]有問題的裝置繼續(xù)工作的電光裝置，所以可以提高裝置全體的可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)例如，液晶投影儀，液晶電視，便攜式電話，電子記事本，文字處理機(jī)，尋象器型或監(jiān)視器直視型的視頻磁帶記錄器，工作臺(tái)，電視電話，POS終端，觸摸屏等各種電子機(jī)器。
本發(fā)明的這種作用及其好處可以從后述的實(shí)施形態(tài)中清楚地顯示出來。
附圖的簡單說明圖1是表示設(shè)置在構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的電光裝置中的圖象顯示區(qū)域的矩陣狀的多個(gè)象素上的各種元件，配線等的等效電路的電路圖。
圖2是形成本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的電光裝置中的數(shù)據(jù)線，掃描線，象素電極等的TFT陣列基板的相鄰連接的多個(gè)象素組的平面圖。
圖3是圖2的A-A′截面圖。
圖4是圖2的B-B′截面圖。
圖5是表示電容電極的形成圖案的一個(gè)樣態(tài)的平面圖。
圖6是表示電容電極的形成圖案的其它樣態(tài)的平面圖。
圖7是從對置基板一側(cè)觀看本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的電光裝置中的TFT陣列基板以及在它上面形成的各構(gòu)成要素的平面圖。
圖8是圖7的H-H′截面圖。
圖9是表示作為本發(fā)明的電子機(jī)器的實(shí)施形態(tài)的投射型彩色顯示裝置的一個(gè)例子的彩色液晶投影儀的圖式截面圖。
標(biāo)號(hào)說明1a......半導(dǎo)體層
1a′......溝道區(qū)域1b......低濃度源區(qū)1c......低濃度漏區(qū)1d......高濃度源區(qū)1e......高濃度漏區(qū)3a......掃描線6a......數(shù)據(jù)線9a......象素電極10......TFT陣列基板10a......圖象顯示區(qū)域11a......下側(cè)遮光膜30......TFT70......存儲(chǔ)電容71......中繼線75......電介質(zhì)膜81，83，85......接觸孔300......電容電極501......接觸孔發(fā)明的具體實(shí)施方式
下面，我們參照


本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。下面的實(shí)施形態(tài)將本發(fā)明的電光裝置應(yīng)用于液晶裝置。
首先，我們參照圖1到圖4說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中的電光裝置的象素部分的構(gòu)成。這里，圖1是在構(gòu)成電光裝置的圖象顯示區(qū)域的矩陣狀中形成的多個(gè)象素中的各種元件，配線等的等效電路。圖2是形成數(shù)據(jù)線，掃描線，象素電極等的TFT陣列基板的相鄰連接的多個(gè)象素組的平面圖。而且，圖3和圖4是圖2的A-A′截面圖和B-B′截面圖。此外，在圖3和圖4中，因?yàn)槭垢鲗印じ鞑考哂性趫D面上可以認(rèn)識(shí)那樣的大小，所以對于該各層·各部件中的每一個(gè)，比例尺都是不同的。
在圖1中，在構(gòu)成本實(shí)施形態(tài)中的電光裝置的圖象顯示區(qū)域的矩陣狀中形成的多個(gè)象素上，分別形成象素電極9a和用于開關(guān)控制該象素電極9a的TFT30，被供給圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a與該TFT30的源極電連接。也可以將寫入數(shù)據(jù)線6a的圖象信號(hào)S1，S2，......，Sn以這個(gè)順序供給線序列，也可以一個(gè)組一個(gè)組地供給相鄰接的多條數(shù)據(jù)線6a。
又，掃描線3a與TFT30的柵極電連接，在所定的定時(shí)，脈沖地將掃描信號(hào)G1，G2，......，Gm以這個(gè)順序以線序列加到掃描線3a上。象素電極9a與TFT30的漏極電連接，通過使作為開關(guān)元件的TFT30只接通一定的期間，在所定的定時(shí)寫入從數(shù)據(jù)線6a供給的圖象信號(hào)S1，S2，......，Sn。
使通過象素電極9a寫入作為電光物質(zhì)的一個(gè)例子的液晶的所定電平的圖象信號(hào)S1，S2，......，Sn在與對置基板上形成的對置電極之間保持一定期間。液晶，通過由所加電壓電平改變分子集合的取向和有序狀態(tài)，對光進(jìn)行調(diào)制，可以實(shí)施色調(diào)顯示。如果是正常的白色模式，則以各象素為單位與所加的電壓相對應(yīng)減少入射光的透過率，如果是正常的黑色模式，則以各象素為單位與所加的電壓相對應(yīng)增加入射光的透過率，從作為整體的電光裝置射出具有與圖象信號(hào)對應(yīng)的對比度的光。
這里為了防止保持的圖象信號(hào)泄漏，與在象素電極9a和對置電極之間形成的液晶電容并聯(lián)地附加存儲(chǔ)電容70。這個(gè)存儲(chǔ)電容70，在圖1中，備有以具有構(gòu)成該存儲(chǔ)電容70的一個(gè)電極的固定電位側(cè)電容電極300并且與它電連接的是下側(cè)遮光膜11a為特征的構(gòu)成，但是我們將在后面詳細(xì)述說這一點(diǎn)。
下面，我們參照圖2，圖3和圖4說明由上述數(shù)據(jù)線6a，掃描線3a，TFT30等實(shí)現(xiàn)上述那樣的電路工作的電光裝置的更具體的構(gòu)成。
首先，與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光裝置，如作為圖2的A-A′截面圖的圖3所示，備有構(gòu)成有源矩陣基板的TFT陣列基板10和與它相對配置的透明的對置基板20。TFT陣列基板10，例如，由石英基板，玻璃基板，硅基板構(gòu)成，對置基板20例如由玻璃基板和石英基板構(gòu)成。
如圖3所示，在TFT陣列基板10上設(shè)置象素電極9a，在它的上側(cè)設(shè)置實(shí)施了摩擦處理等的所定的取向處理的取向膜16。象素電極9a例如由ITO(Indium Tin Oxide(銦錫氧化物))膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。
另一方面，在對置基板20上設(shè)置到達(dá)它的整個(gè)面的對置電極，在它的下側(cè)設(shè)置實(shí)施了摩擦處理等的所定的取向處理的取向膜22。對置電極21例如由ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。此外，為了規(guī)定開孔區(qū)域(即，為了與矩陣狀配列的象素電極9a(請參照圖2)對應(yīng))，在對置基板20和對置電極21之間，設(shè)置具有格子狀圖案的對置基板側(cè)遮光膜23。
另一方面，在圖2中，在電光裝置的TFT陣列基板10上矩陣狀地設(shè)置多個(gè)象素電極9a(由虛線部分9a′表示其輪廓)，分別沿象素電極9a的縱橫邊界設(shè)置數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a。
掃描線3a與半導(dǎo)體1a中的圖2中右上方的斜線區(qū)域所示的溝道區(qū)域1a′相對地配置，掃描線3a具有作為柵極的功能。即，在掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a交叉的地方，分別設(shè)置使掃描線3a的主線部分作為柵極與溝道區(qū)域1a′相對配置的用于象素開關(guān)的TFT30。
TFT30，如圖3所示，具有LDD(Lightly Doped Drain(光摻雜漏極))構(gòu)造，作為它的構(gòu)成要素，備有如上所述具有作為柵極的功能的掃描線3a，例如通過來自由多晶硅膜構(gòu)成的掃描線3a的電場，形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)域1a′，包含使掃描線3a和半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2，在半導(dǎo)體層1a中的低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c以及高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。
此外，TFT30最好如圖3所示地具有LDD構(gòu)造，但是也可以具有在低濃度源區(qū)1b和低濃度漏區(qū)1c中不注入雜質(zhì)的補(bǔ)償構(gòu)造，也可以是將由掃描線3a的一部分構(gòu)成的柵極作為掩模注入高濃度的雜質(zhì)，自調(diào)節(jié)地形成高濃度源區(qū)和高濃度漏區(qū)的自調(diào)節(jié)型TFT。又，在本實(shí)施形態(tài)中，形成在高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e之間只配置1個(gè)用于象素開關(guān)的TFT30的柵極的單柵極構(gòu)造，但是也可以在它們之間配置2個(gè)以上的柵極。這樣，如果構(gòu)成雙柵極或三柵極以上的TFT，則能夠防止溝道與源極和漏極區(qū)域的接合部分的漏電流，能夠減少斷開時(shí)的電流。進(jìn)一步，構(gòu)成TFT30的半導(dǎo)體層1a既可以是非單晶層也可以是單晶層。為了形成單晶層能夠用粘合法等眾所周知的方法。通過使半導(dǎo)體層1a為單晶層，特別能夠達(dá)到使周圍電路高性能化的目的。
另一方面，圖3和圖4中，通過電介質(zhì)膜75使作為與TFT30的高濃度漏區(qū)1e和象素電極9a連接的象素電位側(cè)電容電極的中繼層71，和固定電位側(cè)電容電極300(以下，簡單地稱為“電容電極300”)相對配置，形成存儲(chǔ)電容70。如果用這個(gè)存儲(chǔ)電容70，則可以顯著地提高在象素電極9a中的電位保持特性。
中繼層71例如具有作為由導(dǎo)電性的多晶硅膜構(gòu)成的象素電位側(cè)電容電極的功能。但是，中繼層71也可以由含有金屬或合金的單層膜或多層膜構(gòu)成。又，中繼層71除了具有作為象素電位側(cè)電容電極的功能外，還具有通過接觸孔83和85，與象素電極9a和TFT30的高濃度漏區(qū)1e中繼連接的功能。如果從別的觀點(diǎn)來看這種構(gòu)造，則我們明白與高濃度漏區(qū)1e電連接的漏極兼而用作中繼層71或象素電位側(cè)電容電極(請參照圖3)。
從而，在本實(shí)施形態(tài)中，因?yàn)闉榱诵纬上笏仉娢粋?cè)電容電極，不需要設(shè)置特別的材料，所以可以與此相應(yīng)地降低制造成本。又，如果利用這種中繼層71，則層間距離例如即便長到約2000nm，也能夠一面避免兩者之間用1個(gè)接觸孔連接的技術(shù)上的困難性，一面用直徑比較小的2個(gè)以上的串聯(lián)的接觸孔在兩者之間實(shí)施良好的連接，可以提高象素孔徑率。又，也起著防止接觸孔開孔時(shí)發(fā)生刻蝕穿透的作用。
電介質(zhì)膜75例如膜厚約5～200nm比較薄，由至少包含TaOx(氧化鉭)，BST(鈦酸鍶鋇)，PZT(鈦酸鋯酸鹽)，TiO2(氧化鈦)，ZiO2(氧化鋯)，HfO2(氧化鉿)，SiO2(氧化硅)，SiON(氧氮化硅)和SiN(氮化硅)中的一個(gè)的絕緣膜構(gòu)成。特別是，如果使用TaOx，BST，PZT，TiO2，ZiO2和HfO2這種高介電常數(shù)的材料，則能夠在有限的基板上的區(qū)域中增大電容值。
或者，如果使用SiO2(氧化硅)，SiON(氧氮化硅)和SiN(氮化硅)這種含有硅的材料，則能夠減少在含有硅的半導(dǎo)體層1a與第1層間絕緣膜41等的層間絕緣膜之間發(fā)生的應(yīng)力。
此外，作為電介質(zhì)膜75，也可以由HTO(High Temperature Oxide(高溫氧化物))膜，LTO(Low Temperature Oxide(低溫氧化物))膜等的氧化硅膜，或氮化硅膜等構(gòu)成。不管用哪個(gè)膜，從增大存儲(chǔ)電容70的觀點(diǎn)出發(fā)，只要能夠得到足夠的膜的可靠性，電介質(zhì)膜75最好盡可能地薄。
而且在本實(shí)施形態(tài)中特別是，電容電極300的形態(tài)具有種種特征。我們順次地說明如下。
首先，這個(gè)電容電極300，如能夠從圖2的平面圖看到的那樣，與TFT30點(diǎn)分布所在的地方，即矩陣的交點(diǎn)相對應(yīng)地形成島狀，它們的一個(gè)一個(gè)的形狀分別具有大致的十字型。
現(xiàn)在，當(dāng)我們著眼于其中的一個(gè)電容電極300時(shí)，該電容電極300的圖2中的x方向與掃描線3a重合地形成，圖2中的y方向與數(shù)據(jù)線6a重合地形成。更詳細(xì)地說，與掃描線3a重合地形成的電容電極300的x方向部分以數(shù)據(jù)線6a為中心只延伸相同的長度，與數(shù)據(jù)線6a重合地形成的上述y方向部分以掃描線3a為中心，使圖2中的上方向部分比下方向部分長地形成。需要時(shí)，在本實(shí)施形態(tài)中的電容電極300具有對于數(shù)據(jù)線6a的線對稱的形狀。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，由于電容電極300具有上述那樣的形狀，附設(shè)在各個(gè)象素電極9a中的存儲(chǔ)電容70也具有對于數(shù)據(jù)線6a的線對稱的形狀。由于這種形狀，存儲(chǔ)電容70，盡管只利用非開孔區(qū)域形成，但是也可以具有比較大的電容量。即，這種存儲(chǔ)電容70具有卓越的電位保持特性，結(jié)果能夠提高圖象的質(zhì)量。
又，形成島狀的各電容電極300的邊緣部分，如能夠從圖2看到的那樣，與接觸孔81的形成位置對應(yīng)。即，與該接觸孔81在圖中稍稍上面部分形成相對應(yīng)，該島狀的邊緣部分的位置也在稍稍上面部分。順便地說，接觸孔81，如圖3所示，是為了電連接TFT30的高濃度源區(qū)1d和數(shù)據(jù)線6a而設(shè)置的，相當(dāng)于本發(fā)明中稱為“第2接觸孔”的一個(gè)例子。
又，在掃描線3a方向的上述邊緣部分中，如圖2所示，也形成接觸孔85。這個(gè)接觸孔85，如圖3所示，是為了電連接中繼層71和象素電極9a而設(shè)置的。而且，該接觸孔85相當(dāng)于本發(fā)明中稱為“第3接觸孔”的一個(gè)例子。
需要時(shí)，在本實(shí)施形態(tài)中，作為電容電極300的外形形狀的，該電容電極300的邊緣部分的位置處于各象素電極9a具有的寬度的大致中間，并且從該邊緣部分觀看時(shí)在包含該邊緣部分的電容電極300的外部位置上，設(shè)置連接TFT30與數(shù)據(jù)線6a的接觸孔81，和連接與TFT30電連接的中繼層71和象素電極9a的接觸孔85。這里，請注意當(dāng)提到“象素電極9a具有的寬度”時(shí)，我們意味著圖2中象素電極9a的x方向的長度，或者它的y方向的長度兩者。
另一方面，從截面觀看上述那樣的電容電極300的構(gòu)造，如圖3和圖4清楚顯示的那樣，使包含電容電極300的存儲(chǔ)電容70，如圖3所示，通過TFT30的第1層間絕緣膜41位于溝道區(qū)域1a′的上側(cè)，并且通過第2層間絕緣膜42位于數(shù)據(jù)線6a的下側(cè)那樣地進(jìn)行設(shè)置。即，存儲(chǔ)電容70位于溝道區(qū)域1a′和數(shù)據(jù)線6a之間，并且通過各個(gè)該溝道區(qū)域1a′和該數(shù)據(jù)線6a以及第1和第2層間絕緣膜41和42進(jìn)行配置。
通過這樣的構(gòu)成，在已有技術(shù)中，在數(shù)據(jù)線6a的里面反射的光成為雜散光，恐怕會(huì)入射到TFT30的溝道區(qū)域1a′，但是在本實(shí)施形態(tài)中，該雜散光由于存在存儲(chǔ)電容70它的行進(jìn)被遮擋。所以，如果根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，則可以有效地防止在TFT30中發(fā)生光漏電流。
此外，因?yàn)橛行У負(fù)?dān)負(fù)上述那樣的功能，所以電容電極300最好由具有光反射性，或光吸收性等其它一般的遮光性能的材料構(gòu)成。更具體地說，例如，當(dāng)由高溫過程進(jìn)行制造時(shí)，最好是用包含Ti，Cr，W，Ta，Mo，Pd等的高融點(diǎn)中的至少一個(gè)的金屬單體，合金，金屬硅化物，多晶硅化物，和它們的沉積層。另一方面，當(dāng)由在400℃附近的低溫過程進(jìn)行制造時(shí)，最好用Al等。但是，本發(fā)明不限定于由這種材料構(gòu)成電容電極300的形態(tài)，更一般地說，電容電極300可以是能夠作為存儲(chǔ)電容70的一個(gè)電極實(shí)施功能，例如具有包含金屬或合金的導(dǎo)電性的電極。
又，當(dāng)使存儲(chǔ)電容70具有上述那樣的遮光功能時(shí)特別是，可以使構(gòu)成沿?cái)?shù)據(jù)線6a方向的存儲(chǔ)電容70的電容電極300和作為象素電位側(cè)電容電極的中繼層71層的寬度與該數(shù)據(jù)線6a的寬度相同或較寬地形成。如果這樣做，則可以有效地防止在數(shù)據(jù)線6a的里面反射的雜散光照射在TFT30的溝道區(qū)域1a′上。
這樣，在本實(shí)施形態(tài)中特別是，上述那樣的電容電極300，如圖4所示，通過作為本發(fā)明中稱為“第1接觸孔”的一個(gè)例子的接觸孔501，與設(shè)置在TFT30下側(cè)的下側(cè)遮光膜11a電連接。
這里，接觸孔501，如圖4所示，貫通后述的第1層間絕緣膜41和基底絕緣膜12那樣地進(jìn)行設(shè)置。又，如圖2所示，當(dāng)平面地觀看時(shí)，在與上述電容電極300的數(shù)據(jù)線6a方向有關(guān)的邊緣部分中，在大致對應(yīng)的位置上形成接觸孔501。進(jìn)一步，如圖2和圖4所示，直接在數(shù)據(jù)線6 a的下面形成這個(gè)接觸孔501。因此，因?yàn)榻佑|孔501存在于由數(shù)據(jù)線6a規(guī)定的非開孔區(qū)域內(nèi)，所以能夠進(jìn)一步提高孔徑率。
此外，如圖2所示，這個(gè)接觸孔501，它的整體形狀為大致圓柱形狀，與整體形狀為大致四角柱形狀的接觸孔81，83和85等不同。如后面所述，當(dāng)電容電極300中內(nèi)在的應(yīng)力影響接觸孔501時(shí)，它發(fā)揮出降低這種影響程度的效果。即，如果假定接觸孔501具有與接觸孔81，83和85同樣的大致四角形狀，則要擔(dān)心在這個(gè)截面角部分會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力集中，但是在本實(shí)施形態(tài)中，這樣的擔(dān)心沒有必要的。
另一方面，上述下側(cè)遮光膜11a是設(shè)置在TFT30的下側(cè)，起著防止光入射到該TFT30的作用的部件。這個(gè)下側(cè)遮光膜11a至少沿掃描線3a的方向直到圖象顯示區(qū)域外側(cè)地延伸設(shè)置。這時(shí)，直接在數(shù)據(jù)線6a下面，為了通過接觸孔510與電容電極300電連接，最好沿?cái)?shù)據(jù)線6a的方向突出下側(cè)遮光膜11a。又，如圖2所示，通過沿掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a格子狀地配設(shè)下側(cè)遮光膜11a，容易實(shí)現(xiàn)起著作為電容線的功能的下側(cè)遮光膜11a的低電阻化和冗長構(gòu)造。
又，從配置了象素電極9a的圖象顯示區(qū)域10a向它的周圍延伸設(shè)置上述下側(cè)遮光膜11a，通過與定電位源連接使下側(cè)遮光膜11a具有固定電位。此外，因此，與該下側(cè)遮光膜11a電連接的電容電極300也具有固定電位。這樣，如果使下側(cè)遮光膜11a和電容電極300具有固定電位，則能夠防止由于它們的電位變動(dòng)對TFT30和存儲(chǔ)電容70給予惡劣影響于未然。
順便地說，作為用于供給固定電位的定電位源，既可以是向后述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路或掃描線驅(qū)動(dòng)電路供給正電源和負(fù)電源的定電位源，也可以是用于向?qū)χ没?0的對置電極21供給定電位而設(shè)置的定電位源等。這樣，通過共用定電位源，可以與此相應(yīng)地降低制造成本，又，也可以使裝置構(gòu)造簡略化。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，在TFT陣列基板10上，以從下而上的順序，順次地層積中繼層71，電介質(zhì)膜75和電容電極300，但是本發(fā)明不限定于這種形態(tài)。例如，與此相反，即便以電容電極300，電介質(zhì)膜75和中繼層71的順次進(jìn)行層積，也能夠不受到任何變更地發(fā)揮本發(fā)明的作用效果，這是不言而喻的。
在圖2，圖3和圖4中，除了上述的以外，在TFT30下面，還設(shè)置了基底絕緣膜12?；捉^緣膜12，除了起著使TFT30與下側(cè)遮光膜11a層間絕緣的功能外，通過在TFT陣列基板10的整個(gè)面上形成基底絕緣膜12，還具有防止由于對TFT陣列基板10的表面進(jìn)行研磨時(shí)的粗糙度和洗凈后殘留的污跡等改變用于象素開關(guān)的TFT30的特性的功能。
此外，在掃描線3a上形成分別開孔形成通向高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通向高濃度漏區(qū)1e的接觸孔83的第1層間絕緣膜41。
此外，如已經(jīng)述說的那樣，在這些基底絕緣膜12和第1層間絕緣膜41中也開孔形成用于電連接下側(cè)遮光膜11a和電容電極300的接觸孔501(請參照圖4)。
在第1層間絕緣膜41上形成中繼層71和電容電極300，在它們上面形成分別開孔形成通向高濃度源區(qū)1d的接觸孔81和通向中繼層71的接觸孔85的第2層間絕緣膜42。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，通過對第1層間絕緣膜41進(jìn)行約1000℃的燒結(jié)，也可以達(dá)到使注入構(gòu)成半導(dǎo)體層1a和掃描線3a的多晶硅膜中的離子活性化的目的。另一方面，通過對第2層間絕緣膜42進(jìn)行這樣的燒結(jié)，也可以達(dá)到緩和在電容電極300的界面附近產(chǎn)生的應(yīng)力的目的。
在第2層間絕緣膜42上形成數(shù)據(jù)線6a，在它們上面形成具有通向中繼層71的接觸孔85的第3層間絕緣膜43。通過CMP(ChemicalMechanical Polishing(化學(xué)機(jī)械拋光))處理等使第3層間絕緣膜43的表面平坦化，減少由在它下方存在的各種配線和元件等產(chǎn)生的段差引起的液晶層50的取向不良。但是，代替這樣地對第3層間絕緣膜43實(shí)施平坦化處理，又此外，也可以通過在TFT陣列基板10，基底絕緣膜12，第1層間絕緣膜41和第2層間絕緣膜42中的至少一個(gè)中挖出溝槽，埋入數(shù)據(jù)線6a等的配線和TFT30等，實(shí)施平坦化。
如果根據(jù)具有以上說明的那種構(gòu)成的本實(shí)施形態(tài)的電光裝置，則通過設(shè)置上述那樣的電容電極300，能夠?qū)崿F(xiàn)下面所述的作用效果。
即首先，通過接觸孔501使電容電極300和下側(cè)遮光膜11a電連接，即便在電容電極300上發(fā)生任何不合適的情況，通過下側(cè)遮光膜11a冗長地支持它的功能，也不會(huì)對電光裝置全體的工作給予惡劣的影響。又，電容電極300和下側(cè)遮光膜11a的電連接可以通過下側(cè)遮光膜11a向電容電極300供給固定電位。
進(jìn)一步，在本實(shí)施形態(tài)中，通過格子狀地配設(shè)下側(cè)遮光膜11a，能夠更確實(shí)地享受到這種效果。即，我們可以認(rèn)為能夠在該格子狀地配設(shè)的下側(cè)遮光膜11a中設(shè)想許多電傳導(dǎo)路徑，即便在它的一部分上發(fā)生任何不合適的情況，電流流動(dòng)也很少會(huì)被完全遮蔽。但是，本發(fā)明不限定于只是格子狀地配設(shè)下側(cè)遮光膜11a的形態(tài)。例如，為了與電容電極300的形狀一致，也可以將下側(cè)遮光膜分割成具有大致十字形狀的多個(gè)部分。即便在這種情形中，如果使構(gòu)成該下側(cè)遮光膜的各部分與定電位源連接，則可以使與該各部分電連接的電容電極300維持在定電位。
又，在本實(shí)施形態(tài)中，因?yàn)殡娙蓦姌O300如圖2所示形成島狀，所以可以分散在電容電極300內(nèi)發(fā)生的應(yīng)力。
因此，能夠防止電容電極300自身的破損和由該應(yīng)力作用于外部在第2層間絕緣膜42等中引起的破壞于未然。
進(jìn)一步，關(guān)于這一點(diǎn)，在本實(shí)施形態(tài)中，因?yàn)槭箥u狀的各電容電極300的邊緣部分的位置處于象素電極9a具有的寬度的中間，并且電容電極300的形狀具有夾著數(shù)據(jù)線6a的線對稱，所以即便上述應(yīng)力作用于外部，也可以認(rèn)為它在電光裝置內(nèi)部是均等的，進(jìn)一步因?yàn)橥ㄟ^上述電容電極300的邊緣部分的位置，換句話說該電容電極300的外形形狀從它的外側(cè)由接觸孔81和85規(guī)定，上述應(yīng)力的作用難以達(dá)到認(rèn)為容易產(chǎn)生上述應(yīng)力集中的該接觸孔81和85，所以由于這些作用相互結(jié)合，能夠更確實(shí)地享受與上述應(yīng)力分散有關(guān)的作用效果。加之，接觸孔501為大致圓柱形狀，如已經(jīng)述說的那樣，也使由應(yīng)力引起破損等的事態(tài)難以發(fā)生。
此外，因?yàn)槭褂上聜?cè)遮光膜11a進(jìn)行冗長配線的電容電極300形成島狀，所以與越過象素區(qū)域形成的固定電位的電容線比較，能夠?qū)崿F(xiàn)下列的作用效果。
當(dāng)為了使已有的固定電位的電容線能夠耐住約1000℃的高溫處理，用Cr和W等的高熔點(diǎn)金屬時(shí)，特別對于層積在上層的絕緣膜產(chǎn)生應(yīng)力。這是由于在熱處理過程中熱膨脹率的不同而產(chǎn)生的。而且，當(dāng)在固定電位的電容線或該電容線附近的其它配線等中形成接觸孔時(shí)，由于釋放應(yīng)力在電容線中產(chǎn)生裂紋。即，當(dāng)形成接觸孔時(shí)進(jìn)行濕刻蝕處理時(shí)，染上刻蝕液，絕緣膜不能夠忍耐電容線的應(yīng)力，在電容線中引起裂紋。這種裂紋有時(shí)會(huì)使電容線斷開，也會(huì)對電容線附近的例如柵極配線施加影響。
又，當(dāng)產(chǎn)生裂紋和絕緣膜結(jié)晶性崩潰時(shí)，在由NSG膜，BSG膜，BPSG膜構(gòu)成的絕緣膜等中，水分侵入各膜的界面，成為使晶體管可靠性下降的原因。
所以，因?yàn)槭构潭娢粋?cè)電容電極形成島狀，所以固定電位側(cè)電容電極引起的應(yīng)力降低，能夠抑制在電容線中產(chǎn)生裂紋，和由產(chǎn)生裂紋引起的不合適的情況。
此外，在本實(shí)施形態(tài)中，電容電極300的邊緣部分的位置如上所述處于象素電極9a的寬度的大致中間，并且電容電極300的形狀為十字形狀等，但是本發(fā)明不限定于這種實(shí)施形態(tài)。
作為這種電容電極的其它的具體形態(tài)，我們考慮所有的情況，但是只在圖5和圖6中表示它們的幾個(gè)例子。
首先，在圖5中，雖然在掃描線3a的方向設(shè)置了為了避開接觸孔85那樣的收縮部分，但是電容電極300′具有與圖2不同線狀連接的形態(tài)。又，在數(shù)據(jù)線6a的方向，與圖2相同，避開接觸孔81，形成島狀。即，在圖5中，形成在x方向延伸的線狀的電容電極300′具有在y方向平行地存在的許多形態(tài)。所以，在這種形態(tài)中，減少了釋放接觸孔81中的應(yīng)力的可能性。
此外，在圖5中，與這種電容電極300′相對地設(shè)置形成島狀的中繼層71。更詳細(xì)地，各個(gè)該島狀的中繼層71具有由以掃描線3a為中心沿?cái)?shù)據(jù)線6a的方向延伸的部分和從這個(gè)部分在掃描線3a的一個(gè)方向上延伸設(shè)置的部分構(gòu)成的形狀。即，可以說具有T字橫倒那樣的形狀。在圖5中，在電容電極300′中，作為存儲(chǔ)電容70實(shí)施功能的部分是與這種中繼層71對置的部分。
又，在圖6中，電容電極300″在掃描線3a和數(shù)據(jù)線6a中的任何方向上都是分離的，并形成島狀，但是并不是在圖2所示的所有的分離地方都實(shí)施該分離，即，可以說是進(jìn)行每個(gè)塊的分離。在這種形態(tài)中，與圖2相同，因?yàn)閷⒎蛛x位置很好平衡地配置在TFT陣列基板10上，所以可以使由電容電極300″引起的應(yīng)力對外部的作用均等。
此外，在圖6中也設(shè)置了形成與圖5同樣的島狀的中繼層71。
(電光裝置的全體構(gòu)成)下面我們參照圖7和圖8說明與以上那樣地構(gòu)成的本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光裝置的全體構(gòu)成。此外，圖7是從對置基板20一側(cè)觀看TFT陣列基板以及在它上面形成的各構(gòu)成要素的平面圖，圖8是圖7的H-H′截面圖。
在圖7和圖8中，在與本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電光裝置中，相對地配置TFT陣列基板10和對置基板20。在TFT陣列基板10和對置基板20之間，封入液晶層50，TFT陣列基板10和對置基板20通過設(shè)置在位于圖象顯示區(qū)域10a周圍的密封區(qū)域中的密封材料52相互粘合。
密封材料52，用于粘合兩塊基板，例如是由紫外線硬化樹脂，熱硬化樹脂等構(gòu)成的，通過紫外線，加熱等使它硬化。又，在密封材料52中，如果本實(shí)施形態(tài)中的液晶裝置是用于投影儀那樣的小型的進(jìn)行放大顯示的液晶裝置，則散布著用于使兩塊基板之間的距離(基板間的間隙)具有所定值的間隙材料(墊片)?；蛘?，如果該液晶裝置是進(jìn)行液晶顯示器和液晶電視那樣的大型的等倍數(shù)顯示的液晶裝置，則最好使這種間隙材料包含在液晶層50中。
在密封材料52的外側(cè)的區(qū)域中，沿TFT陣列基板10的一邊設(shè)置用于在所定的定時(shí)將圖象信號(hào)供給各數(shù)據(jù)線6a的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和外部電路連接端子102，沿與上述一邊鄰接的兩邊設(shè)置用于在所定的定時(shí)將掃描信號(hào)供給掃描線3a的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104。
此外，如果供給掃描線3a的掃描信號(hào)的延遲不成為問題，則掃描線驅(qū)動(dòng)電路104也可以只在單側(cè)，這是不言而喻。又，也可以將數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101配列在沿圖象顯示區(qū)域10a的邊的兩側(cè)。
在TFT陣列基板10的余下一邊上，設(shè)置用于將設(shè)置在圖象顯示區(qū)域10a兩側(cè)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間連接起來的多條配線105。
又，在對置基板20的角部分的至少一個(gè)地方，設(shè)置用于在TFT陣列基板10與對置基板20之間實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)通材料106。而且，如圖8所示，將具有與圖7所示的密封材料52大致相同輪廓的對置基板20，通過該密封材料52粘合在TFT陣列基板10上。
在圖8中，在TFT陣列基板10上，在形成用于象素開關(guān)的TFT和掃描線，數(shù)據(jù)線等的配線后的圖象電極9a上，形成取向膜。另一方面，在對置基板20上，除了對置電極21外，在最上層部分形成取向膜。又，液晶層50例如由混合了一種或數(shù)種向列的液晶的液晶構(gòu)成，在這些一對取向膜之間，具有所定的取向狀態(tài)。
此外，在TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101，掃描線驅(qū)動(dòng)電路104等外，也可以形成由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101控制的，在所定的定時(shí)將相展開的圖象信號(hào)加到多條數(shù)據(jù)線6a上的取樣電路，將所定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)在供給圖象信號(hào)前分別供給多條數(shù)據(jù)線6a的預(yù)充電電路，和用于檢查制造途中和裝運(yùn)時(shí)的該電光裝置的品質(zhì)，缺陷等的檢查電路等。
(電子機(jī)器的實(shí)施形態(tài))其次，我們說明作為將以上詳細(xì)說明的電光裝置用作光閥的電子機(jī)器的一個(gè)例子的投射型彩色顯示裝置的實(shí)施形態(tài)，它的全體構(gòu)成，特別是光學(xué)構(gòu)成。這里，圖9是投射型彩色顯示裝置的圖式截面圖。
在圖9中，作為本實(shí)施形態(tài)中的投射型彩色顯示裝置的一個(gè)例子的液晶投影儀1100準(zhǔn)備好3個(gè)將驅(qū)動(dòng)電路搭載在TFT陣列基板上的電光裝置，構(gòu)成用作各個(gè)GRB用的光閥100R，100G和100B的投影儀。在液晶投影儀1100中，當(dāng)從金屬鹵化物燈等的白色光源的燈泡裝置1102發(fā)出投射光時(shí)，由3面鏡子1106和2面二向色的鏡子1108，分成與RGB的三原色對應(yīng)的光成分R，G和B，將它們分別導(dǎo)入與各色對應(yīng)的光閥100R，100G和100B。這時(shí)特別是，為了防止由長的光路引起的光損失，通過由入射透鏡1122，中繼透鏡1123和射出透鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)1121引導(dǎo)B光。而且，與由光閥100R，100G和100B分別進(jìn)行調(diào)制的三原色對應(yīng)的光成分，在由二向色的棱鏡1112再次合成后，通過投射透鏡1114作為彩色圖象投射到屏幕1120上。
本發(fā)明不限定于上述實(shí)施形態(tài)，在不違反從權(quán)利要求書的范圍和說明書全體讀取的發(fā)明要旨或思想的范圍內(nèi)可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?，能夠?yīng)用于伴隨著這種變更的電光裝置，例如電泳裝置和電致發(fā)光顯示裝置等，包含這些電光裝置的電子機(jī)器也仍然包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線與上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該上述薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線。
2.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極通過設(shè)置在存在于該下側(cè)遮光膜和該固定電位側(cè)電容電極之間的層間絕緣膜中的第1接觸孔電連接。
3.權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于，上述第1接觸孔配置在上述數(shù)據(jù)線的下方。
4.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述固定電位側(cè)電容電極和上述下側(cè)遮光膜中的至少一方在上述基板上形成島狀。
5.權(quán)利要求4的電光裝置，其特征在于，當(dāng)矩陣狀地存在多個(gè)上述象素電極時(shí)，上述島狀的固定電位側(cè)電容電極或下側(cè)遮光膜的各個(gè)邊緣部分的位置處于各象素電極所具有的寬度的中間。
6.權(quán)利要求5的電光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線穿過鄰接的上述象素電極間的大致中間延伸，當(dāng)平面地觀看各個(gè)上述島狀的固定電位側(cè)電容電極或下側(cè)遮光膜時(shí)，它們具有夾著上述數(shù)據(jù)線的線對稱形狀。
7.權(quán)利要求4的電光裝置，其特征在于，當(dāng)從上述邊緣部分觀看時(shí)，在包含該邊緣部分的上述固定電位側(cè)電容電極或上述下側(cè)遮光膜的外部位置上，進(jìn)一步備有與上述薄膜晶體管和上述象素電極連接的第2接觸孔。
8.權(quán)利要求4的電光裝置，其特征在于，當(dāng)從上述島狀觀看時(shí)，在包含該邊緣部分的上述固定電位側(cè)電容電極或上述下側(cè)遮光膜的外部位置上，進(jìn)一步備有與上述薄膜晶體管和上述數(shù)據(jù)線連接的第3接觸孔。
9.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述存儲(chǔ)電容位于構(gòu)成上述薄膜晶體管的溝道區(qū)域和上述數(shù)據(jù)線之間，并且，通過與上述各個(gè)溝道區(qū)域和數(shù)據(jù)線有關(guān)的層間絕緣膜進(jìn)行配置。
10.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，通過層間絕緣膜將上述存儲(chǔ)電容配置在上述掃描線的上方。
11.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，將與構(gòu)成上述薄膜晶體管的漏區(qū)電連接的漏極兼而用作構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的上述象素電位側(cè)電容電極。
12.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述固定電位側(cè)電容電極是由具有遮光性的材料構(gòu)成的。
13.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述下側(cè)遮光膜位于上述掃描線的下方，并且，沿該掃描線的方向延伸設(shè)置，在上述數(shù)據(jù)線的方向上突出。
14.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述下側(cè)遮光膜位于上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的下方，并且，沿該掃描線和該數(shù)據(jù)線點(diǎn)陣狀地進(jìn)行配設(shè)。
15.權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，上述下側(cè)遮光膜位于圖象顯示區(qū)域的外側(cè)與定電位源連接。
16.權(quán)利要求15的電光裝置，其特征在于，上述定電位源是由向用于驅(qū)動(dòng)上述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路供給定電位的定電位源，向用于驅(qū)動(dòng)上述掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路供給定電位的定電位源，和向設(shè)置在與上述基板相對配置的對置基板上的對置電極供給定電位的定電位源中的任何一個(gè)構(gòu)成的。
17.一種電光裝置，其特征在于，在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該上述薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線，并且上述固定電位側(cè)電容電極形成島狀，該島狀的固定電位側(cè)電容電極的平面的外形形狀是由配置在它的外側(cè)的，將構(gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和上述數(shù)據(jù)線之間電連接起來的接觸孔，和將上述象素電極和上述象素電位側(cè)電容電極之間電連接起來的接觸孔規(guī)定的。
18.一種電光機(jī)器，其特征在于，包含電光裝置，上述電光裝置在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線。
19.一種電光機(jī)器，其特征在于，包含電光裝置，上述電光裝置在基板上，備有掃描線，數(shù)據(jù)線，對應(yīng)地配置在上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉部分的薄膜晶體管，對應(yīng)地配置在上述薄膜晶體管上的象素電極，與上述象素電極電連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容的象素電位側(cè)電容電極，通過電介質(zhì)膜與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極，和設(shè)置在上述薄膜晶體管下側(cè)，遮蔽對該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的光入射的下側(cè)遮光膜，其中上述下側(cè)遮光膜和上述固定電位側(cè)電容電極電連接，上述下側(cè)遮光膜構(gòu)成將上述固定電位側(cè)電容電極維持在固定電位的電容線的至少一部分或該電容線的冗長配線，并且上述固定電位側(cè)電容電極形成島狀，該島狀的固定電位側(cè)電容電極的平面的外形形狀是由配置在它的外側(cè)的，將構(gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層和上述數(shù)據(jù)線之間電連接起來的接觸孔，和將上述象素電極和上述象素電位側(cè)電容電極之間電連接起來的接觸孔規(guī)定的。
全文摘要
在基板(10)上，備有象素電極(9a)和與它連接的TFT(30)，與該TFT連接的掃描線(3a)和數(shù)據(jù)線(6a)，與上述象素電極連接，構(gòu)成存儲(chǔ)電容(70)的象素電位側(cè)電容電極(71)，通過電介質(zhì)膜(75)與該象素電位側(cè)電容電極相對配置，構(gòu)成上述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極(300)，以及將設(shè)置在上述TFT下側(cè)，遮蔽對該TFT的光入射的下側(cè)遮光膜(11a)與上述固定電位側(cè)電容電極電連接的接觸孔(501)。因此，能夠防止在具有TFT的電光裝置中，發(fā)生由存儲(chǔ)電容窄小化引起的串?dāng)_和燒蝕等，并且也能夠防止在TFT中發(fā)生光漏電流。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1438523SQ03104408
公開日2003年8月27日 申請日期2003年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月12日
發(fā)明者村出正夫 申請人:精工愛普生株式會(huì)社