專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投射裝置，包括用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)理想的圖案對(duì)投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；用于保持基底的基底臺(tái)；用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)；內(nèi)裝有對(duì)污染物敏感的元件的第一隔室；以及用第一吹掃用氣體清除第一隔室內(nèi)部的第一供氣部件。
■程控反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個(gè)例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的理論基礎(chǔ)是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而非可尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔狻Ｓ靡粋€(gè)適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中過(guò)濾所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案而產(chǎn)生圖案。程控反射鏡陣列的另一實(shí)施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過(guò)使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?chǎng)，或者通過(guò)使用壓電致動(dòng)器裝置，使得每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已定址的反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞綗o(wú)地址的反射鏡上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對(duì)反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖部件可包括一個(gè)或者多個(gè)程控反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國(guó)專利US5,296,891、美國(guó)專利US5,523,193、PCT專利申請(qǐng)WO98/38597和WO 98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在程控反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
■程控LCD陣列，例如由美國(guó)專利US5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。
為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺(tái)為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC每一層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)電路小片(die))。一般的，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在目前采用掩模臺(tái)上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影裝置是，通過(guò)一次曝光靶部上的全部掩模圖案而輻射每一靶部；這種裝置通常稱作晶片分檔器。另一種裝置(通常稱作分步掃描裝置)通過(guò)在投射光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來(lái)輻射每一靶部；因?yàn)橐话銇?lái)說(shuō)，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對(duì)基底臺(tái)的掃描速度V是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。如這里描述的關(guān)于光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國(guó)專利US6,046,729中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底可進(jìn)行各種處理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，硬烘烤和測(cè)量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)—機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對(duì)每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開(kāi)，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一書(shū)(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語(yǔ)應(yīng)廣意地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于操縱、整形或者控制輻射的投射光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個(gè)或者多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)式”器件中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。例如在美國(guó)專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級(jí)光刻裝置，這里作為參考引入。
上述裝置的主要光學(xué)元件，例如投影鏡頭必須保持不被例如氧氣、濕氣和烴污染。污染源包括裝置、裝置內(nèi)類似致動(dòng)器的部件、抗蝕劑、輻射源和掩模的周圍環(huán)境。這些污染物會(huì)吸收輻射，導(dǎo)致不可接受的光束強(qiáng)度損耗和/或局部改變。因此需要保證外部污染物對(duì)含有對(duì)污染物敏感部件的多個(gè)分割室的侵入被減至最小的，而且需要保證在靠近這些分割室或者在這些分割室內(nèi)產(chǎn)生的污染物對(duì)這些對(duì)污染物敏感部件的穿透也要被減至最小的。
依據(jù)本發(fā)明，本文開(kāi)始段落中描述的光刻裝置可以實(shí)現(xiàn)該目的和其它目的，其特征在于所述裝置進(jìn)一步包括用于向限定隔室的包殼外表面提供第二凈化氣流的第二供氣部件。
這種裝置的優(yōu)點(diǎn)在于凈化隔室外表面的操作可以除去隔室周圍產(chǎn)生的大部分污染物，并且降低外部污染物向位于隔室內(nèi)部的組件的入侵。向隔室內(nèi)部任何滲透的將主要是干凈的凈化氣體。用第二氣流凈化隔室的外表面保證了隔室內(nèi)部的污染程度甚至低于緊鄰隔室的區(qū)域，從而使污染程度非常的低。
在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施方案中，在第一隔室的周圍提供了第二隔室，且第二氣體凈化部件對(duì)第一和第二隔室之間的位置進(jìn)行凈化。第二隔室的外殼對(duì)外部污染物的入侵提供了一附加的屏障，進(jìn)一步降低了第一隔室內(nèi)的污染物量。此外，通過(guò)提供一需要凈化的限定區(qū)域，所需的凈化氣體的量大大降低，而且阻止了凈化氣體與第二隔室外部的其它組件互相干擾。
優(yōu)選被第二氣流覆蓋的開(kāi)口設(shè)置在第二隔室的外殼中，并且一個(gè)連桿穿過(guò)該開(kāi)口。其優(yōu)點(diǎn)在于它允許機(jī)械連接，并且允許向第一隔室設(shè)置其它輔助設(shè)備和控制器，而基本上不會(huì)增加隔室的污染物量。
優(yōu)選地，第二隔室可具有位于第二隔室外部、圍繞著開(kāi)口并伸到裝置第二部分中的對(duì)接護(hù)罩。由于其增加了污染物穿過(guò)開(kāi)口所必須擴(kuò)散的距離，由此降低了第二隔室內(nèi)的污染物量。因此第一隔室內(nèi)的污染物量也下降。
在本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方面，在安裝在第二隔室上的對(duì)接護(hù)罩和穿過(guò)開(kāi)口的連桿之間設(shè)置了一封口。這是有利的，因?yàn)樗M(jìn)一步降低了污染物從裝置第二部分向第二隔室內(nèi)部的入侵。
依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案，第一隔室的外表面由凈化氣體屏幕，或者由指向隔室外表面的多個(gè)凈化氣體射流所凈化。這就避免了對(duì)第二隔室的需求。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，第一隔室包含在凈化第一隔室內(nèi)部之后排出第一凈化氣體用的一個(gè)出口，所述出口向限定第一隔室的包殼的外表面產(chǎn)生一附加的凈化氣流。該出口可以與氣體混合部件相連或不相連，該氣體混合部件用于將從第一隔室排出的第一凈化氣體和第二凈化氣體進(jìn)行混合，并用于向限定第一隔室的包殼的外表面提供該混合氣體。通過(guò)重復(fù)使用第一凈化氣體，所需的凈化氣體的量進(jìn)一步下降。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供一種器件制造方法，包括以下步驟提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；利用構(gòu)圖部件來(lái)使投射光束的橫截面具有圖案；
在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束；提供一凈化隔室內(nèi)部的第一凈化氣流，該隔室含制造器件用裝置的污染敏感組件；其特征在于，向限定所述隔室的包殼的外表面提供一第二凈化氣流，以凈化所述表面。
在本申請(qǐng)中，本發(fā)明的裝置具體用于制造IC，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說(shuō)明書(shū)中任何術(shù)語(yǔ)“劃線板”，“晶片”或者“電路小片(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語(yǔ)“掩?！?，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長(zhǎng))和EUV(遠(yuǎn)紫外輻射，例如具有5-20nm的波長(zhǎng)范圍)，和粒子束，如離子束或者電子束。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如具有透射掩模)。可是，一般來(lái)說(shuō)，它還可以是例如反射型(例如具有反射掩模)。另外，該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖部件，如上述涉及的程控反射鏡陣列型。
輻射源LA(例如準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或橫穿如擴(kuò)束器Ex的調(diào)節(jié)裝置后，再照射到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它組件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，

圖1中的輻射源LA可以置于光刻投射裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA是汞燈時(shí)經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投射裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過(guò)合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器時(shí)通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
光束PB然后與保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。橫向穿過(guò)掩模MA后，光束PB通過(guò)鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置(和干射測(cè)量裝置IF)的輔助下，基底臺(tái)WT可以精確地移動(dòng)，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似的，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置將掩模MA相對(duì)光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長(zhǎng)沖程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)MT、WT的移動(dòng)?？墒?，在晶片分檔器中(與分步掃描裝置相對(duì))，掩模臺(tái)MT可與短沖程致動(dòng)裝置連接，或者固定。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖像被一次投射(即單“閃”)到靶部C上。然后基底臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的靶部C能夠由光束PB照射。
2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是所給的靶部C沒(méi)有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺(tái)MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動(dòng)，以使投射光束PB掃描整個(gè)掩模圖像；同時(shí)，基底臺(tái)WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而沒(méi)有犧牲分辨率。
圖2表示裝置的一個(gè)隔室10，其含有對(duì)污染物敏感的組件。這種組件可以是例如投射系統(tǒng)，照明系統(tǒng)或者投射系統(tǒng)或者照明系統(tǒng)內(nèi)的一個(gè)組件(例如光學(xué)元件)。在該實(shí)施方案中，第一隔室10位于第二隔室9中，第二隔室9由隔板15限定。限定第一隔室10的包殼14和第二隔室9的隔板15之間的空間限定了該裝置在在第一隔室外的第一部分6。隔板15將裝置的第一部分6和裝置的第二部分5隔開(kāi)。依據(jù)將與污染物要屏蔽的組件，第一和第二部分6，5可以例如均置于投射系統(tǒng)中，或者例如第一隔室為投射系統(tǒng)或者為一些其它的組件。類似地，任一隔室可以為安放投射系統(tǒng)的投射光盒(POB)。
第一隔室10的內(nèi)部由通過(guò)入口11提供的氣流凈化，該氣流由出口12排出。與此分離地，第一隔室10的外表面由通過(guò)入口16提供的氣流凈化，該氣流由出口17排出。隔板15以及通過(guò)裝置第一部分6的氣流的組合，保證了裝置第一部分6(即第二隔室的內(nèi)部)中的污染物量大大低于裝置5第二部分中的污染物量。裝置第一部分6外部的污染物(例如來(lái)自裝置的外部環(huán)境以及來(lái)自裝置第二部分5中組件的污染物)受到限制，不能通過(guò)隔板15。而滲漏過(guò)隔板15的污染物以及產(chǎn)生于裝置第一部分6中的污染物被凈化氣體通過(guò)開(kāi)口17吹出。但是，在光學(xué)組件中所需的最大污染物量可能低于在裝置第一部分6中可獲得的量。因此該組件包含在限定第一隔室10的包殼14的內(nèi)部。該包殼阻止了或大大降低污染物從裝置第一部分6向隔室10的內(nèi)部，以及由此向光學(xué)組件入侵。此外任何滲漏過(guò)包殼14的污染物以及產(chǎn)生于第一隔室10內(nèi)部的污染物被凈化氣體通過(guò)開(kāi)口12吹出。
用于吹凈第一隔室10和第二隔室9的凈化氣體優(yōu)選對(duì)所用輻射是透明的?？捎玫暮线m氣體的實(shí)例選自N2，He，Ar，Kr，Ne，Xe或者這些氣體中兩種或更多種的混合物。在本發(fā)明的一示例性實(shí)施方案中，第一隔室10的內(nèi)部用He氣凈化，第一隔室10的外部，即裝置的第一部分6用N2氣凈化。在任一情況下，用于凈化的氣體中的氧氣和水蒸氣的含量應(yīng)當(dāng)最小化，且優(yōu)選基本上為0。水蒸氣含量的合適限度為小于0.5ppm，氧氣含量的合適限度為小于1ppm。
用于凈化第一隔室內(nèi)部的凈化氣體中的污染物比例(氣體中的污染物的比例)應(yīng)當(dāng)?shù)陀谟糜趦艋谝桓羰彝獠康膬艋瘹怏w中的污染物比例。但是凈化氣體中所需的污染物比例越低，其制造成本越高。因此理想的是盡可能少地使用最干凈的凈化氣體，即適于凈化第一隔室內(nèi)部的凈化氣體。因此優(yōu)選用于凈化第一隔室10內(nèi)部和外部的多個(gè)凈化氣體供給源是分開(kāi)的。但是在某些情況下，可能優(yōu)選使裝置的復(fù)雜性最小化。在這種情況下，用于凈化第一隔室10內(nèi)部和外部的凈化氣體供給源可以組合在一起。在任一情況下，兩種凈化氣體的污染物比例應(yīng)當(dāng)?shù)陀趪@第二隔室的周圍環(huán)境的空氣中的污染物比例。
由于對(duì)凈化第一隔室10外部的要求不象對(duì)凈化內(nèi)部的要求那么嚴(yán)格，可以想到在凈化所述隔室外部時(shí)重新使用從出口12排出的第一凈化氣體。為此目的，出口12可以與氣體混合部件(未示出)相連，該氣體混合部件用于將從第一隔室10排出的第一凈化氣體和第二凈化氣體進(jìn)行，并將該氣體混合物供給第一隔室10的外部，或者將所述第一凈化氣體直接提供給第一隔室10的外部。
第一隔室10一般需要一處于其本身和位于裝置第二部分中的一部分裝置之間的連桿。圖3顯示了提供這種連桿的一種方式，同時(shí)使得污染物對(duì)裝置第一部分6的侵入最小化。第一隔室10位于裝置的第一部分6中，并由隔板22將其與裝置的第二部分5分隔開(kāi)。如上所述，第一隔室10和裝置的第一部分6均由一股氣流凈化干凈。
隔室22具有一開(kāi)口23，一連桿21穿過(guò)該開(kāi)口，將第一隔室10與裝置第二部分5中的一裝置組件(未示出)相連。該連桿可提供一機(jī)械連接，例如提供一部件，其利用位于裝置第二部分5中的致動(dòng)器對(duì)第一隔室10進(jìn)行定位，還可提供一實(shí)用連接，例如向第一隔室10提供電能或者凈化氣體，或者提供一控制連接。
優(yōu)選地，如圖3所示，隔板22具有一圍繞著開(kāi)口23并延伸至裝置第二部分5中的對(duì)接護(hù)罩24。該對(duì)接護(hù)罩24增加了任何污染物從裝置第二部分5穿過(guò)至裝置第一部分6所必須擴(kuò)散的距離，由此降低了第一隔室內(nèi)的污染物量。該護(hù)罩可以基本上為圓柱形的。
圖4顯示了與圖3相關(guān)的上述裝置的一種變型。位于裝置第一部分6中的第一隔室10通過(guò)連桿31與裝置第二部分5相連，其中連桿31穿過(guò)隔板32中的開(kāi)口33，而隔板32將裝置的第一和第二部分隔開(kāi)。在該情形下，在連桿31和對(duì)接護(hù)罩34之間設(shè)置封口35。該封口進(jìn)一步降低了污染物從裝置第二部分5對(duì)裝置第一部分6中的泄漏。重要的是封口35是由具有低硬度的、例如塞璐珞(Celrubber)橡膠的軟橡膠或者具有類似硬度的橡膠制成的，以降低裝置組件之間振動(dòng)的傳送。
除了降低污染物向裝置第一部分6的入侵，使用封口還將減少凈化氣體從裝置第一部分6外流到裝置的第二部分。例如如果用于裝置第一部分6的凈化氣體是氮?dú)?，這可能是重要的，因?yàn)榈獨(dú)鈺?huì)干擾位于裝置第二部分5中干涉儀的性能。
圖5顯示了與圖3和4相關(guān)的上述裝置的另一種變型。如果連桿垂直于隔板所必需的位移較大，則該裝置尤其有用。位于裝置第一部分6中的第一隔室10與位于裝置第二部分5中的組件48相連。將裝置的第一和第二部分分隔開(kāi)的隔板42具有一開(kāi)口43，且一連桿41穿過(guò)該開(kāi)口。該開(kāi)口43被凈化氣體屏幕所覆蓋。該凈化氣體屏幕是從開(kāi)口43一側(cè)上的出口46提供，并通過(guò)該開(kāi)口相對(duì)側(cè)上出口47抽出。該凈化氣體屏幕大大減小了擴(kuò)散穿過(guò)該開(kāi)口的污染物。該氣體屏幕可以是除了用于凈化裝置第一部分6的氣體之外附加提供的，也可以作為凈化裝置第一部分6的一部分氣體。
應(yīng)當(dāng)理解，上述類型的裝置應(yīng)在干凈的室內(nèi)環(huán)境中操作。這種凈室不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是如上所述的第二隔室，也不能將該室內(nèi)的任何氣流當(dāng)作第二凈化氣體的供應(yīng)源。這種凈室中的空氣含有氧氣和水蒸氣，因此不適于作為本申請(qǐng)中的凈化氣體。
實(shí)施例2在另一實(shí)施例中，如圖6所示，第一隔室10的外表面是用凈化氣體屏幕55(只示出了兩個(gè))凈化的。在該情況下，不需要限定該裝置被吹的部分的第二隔室。如前所述，第一隔室10的內(nèi)部被凈化。在本發(fā)明該實(shí)施例的一替代方案中，第一隔室的外表面是由導(dǎo)向到其外表面的多個(gè)凈化氣體射流凈化的。
以上已描述本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以理解本發(fā)明除上述之外，可以采用其他方式進(jìn)行實(shí)施，本說(shuō)明不作為本發(fā)明的限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻投射裝置，包括用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)要求的圖案對(duì)投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；用于保持基底的基底臺(tái)；用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)；內(nèi)裝有對(duì)污染物敏感的組件的第一隔室；以及用第一凈化氣體凈化第一隔室內(nèi)部的第一供氣部件；其特征在于所述裝置進(jìn)一步包括用于向限定第一隔室的包殼外表面提供第二凈化氣流的第二供氣部件。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻投射裝置，其中第二凈化氣體的污染物比例比圍繞著第一隔室的空氣中的污染物比例低。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光刻投射裝置，其中所述第一隔室至少部分地圍繞著投射系統(tǒng)。
4.如權(quán)利要求1，2或3所述的光刻投射裝置，其進(jìn)一步包括圍繞著第一隔室的第二隔室，其中所述第二供氣部件凈化第一和第二隔室之間的空間。
5.如權(quán)利要求4所述的光刻投射裝置，其進(jìn)一步包括在所述第二隔室中的開(kāi)口；以及穿過(guò)該開(kāi)口連桿；其中所述連桿在第一隔室和位于第二隔室之外的組件之間提供連接。
6.如權(quán)利要求5所述的光刻投射裝置，其中所述第二隔室進(jìn)一步含有圍繞著所述開(kāi)口并從第二隔室向外延伸的對(duì)接護(hù)罩。
7.如權(quán)利要求6所述的光刻投射裝置，其進(jìn)一步包含位于連桿和對(duì)接護(hù)罩之間的封口。
8.如權(quán)利要求5，6或7所述的光刻投射裝置，其中第二隔室包含位于所述開(kāi)口其中一側(cè)的氣體出口和位于該開(kāi)口相對(duì)側(cè)的氣體抽取器，由此用氣屏幕覆蓋該開(kāi)口。
9.如前任一權(quán)利要求所述的光刻投射裝置，其中所述第二供氣部件提供經(jīng)過(guò)第一隔室的至少一個(gè)表面的凈化氣體屏幕。
10.如前任一權(quán)利要求所述的光刻投射裝置，其中所述第二供氣部件提供靠近第一隔室的至少一個(gè)表面的多個(gè)凈化氣體出口。
11.如前任一權(quán)利要求所述的光刻投射裝置，其中所述第一隔室包含排出在凈化第一隔室內(nèi)部之后的第一凈化氣體用的一個(gè)出口，所述出口向限定第一隔室的包殼的外表面產(chǎn)生一附加的凈化氣流。
12.如權(quán)利要求11所述的光刻投射裝置，其中該出口與氣體混合部件相連，該氣體混合部件用于將從第一隔室排出的第一凈化氣體和第二凈化氣體進(jìn)行混合，并用于向限定第一隔室的包殼的外表面提供混合氣體。
13.如前任一權(quán)利要求所述的光刻投射裝置，其中第一和第二供氣部件所提供的氣體選自N2，He，Ar，Kr，Ne，Xe或者這些氣體中兩種或更多種的混合物。
14.一種器件制造方法，包括以下步驟提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；利用構(gòu)圖部件來(lái)使投射光束的橫截面具有圖案；在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束；提供一凈化隔室內(nèi)部的第一凈化氣流，該隔室包含器件制造裝置的污染敏感組件；其特征在于向限定所述隔室的包殼的外表面提供一第二凈化氣流，以凈化所述表面。
全文摘要
本發(fā)明通過(guò)向包封著組件的第一隔室10的內(nèi)部提供第一凈化氣流11，12，和向隔室10的外表面提供第二凈化氣流16，17，提供一種阻止污染物侵入到組件中的裝置。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1441317SQ0311053
公開(kāi)日2003年9月10日 申請(qǐng)日期2003年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月1日
發(fā)明者J·J·S·M·梅爾藤斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司