專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投射裝置，包括-用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)要求的圖案對投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)。
■程控反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的理論基礎(chǔ)是(例如)反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而非可尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中過濾所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案而產(chǎn)生圖案。程控反射鏡陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地繞一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已定址的反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞綗o地址的反射鏡上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖?？梢杂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖部件可包括一個或者多個程控反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在程控反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
■程控LCD陣列，例如由美國專利US5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
為簡單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對應(yīng)于IC每一層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括一個或者多個電路小片(die))。一般地，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機器。一類光刻投影裝置是，通過一次曝光靶部上的全部掩模圖案而輻射每一靶部；這種裝置通常稱作晶片分檔器。另一種裝置(通常稱作分步掃描裝置)通過在投射光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一靶部；因為一般來說，投影系統(tǒng)有一個放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。如這里描述的關(guān)于光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,729中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底可進(jìn)行各種處理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后，可以對基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，硬烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)—機械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開，單個器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)體加工實踐入門(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一書(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣意地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一設(shè)計的操作部件，該操作部件用于操縱、整形或者控制輻射的投射光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置，這里作為參考引入。
對準(zhǔn)是將掩模上一特定的點圖像定位在將要曝光的晶片上的一特定點的步驟。為了達(dá)到該目的，需要建立晶片的位置和方向，為此，一般在基底(晶片)上提供一個或多個對準(zhǔn)標(biāo)記，例如小圖案。一個器件可能由多層組成，其中這些層是通過帶有中間處理步驟的連續(xù)曝光建立的。在每次曝光之前都要進(jìn)行對準(zhǔn)，以使新的曝光和上一次曝光之間的任何位置誤差最小化，這種誤差術(shù)語上稱為重疊誤差。但是，一些中間處理步驟可能在對準(zhǔn)標(biāo)記上沉積物質(zhì)，并且這些物質(zhì)將至少掩埋在一能量敏感材料(抗蝕劑)層之下，這會導(dǎo)致對準(zhǔn)標(biāo)記模糊，從而導(dǎo)致重疊誤差。上述和其它處理步驟還可能會導(dǎo)致測量好的對準(zhǔn)位置發(fā)生不要求的位移。
一些光刻投射裝置使用電子束輻射進(jìn)行曝光，而且為了對準(zhǔn)，利用投射電子束。但由此會產(chǎn)生這樣的問題，即投射電子束的能量不是針對對準(zhǔn)標(biāo)記和置于該標(biāo)記之上的特定層設(shè)計的，因為電子束能量一般為100keV左右。這會導(dǎo)致一些問題，即在對準(zhǔn)步驟中損害一些特征和/或?qū)刮g劑進(jìn)行不必要的曝光，以及在觀察對準(zhǔn)標(biāo)記時發(fā)現(xiàn)對比度較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是至少部分地減輕上述問題。
依據(jù)本發(fā)明，本文開始段落中描述的光刻裝置可以實現(xiàn)該目的和其它目的，其特征在于所述裝置進(jìn)一步包括一對準(zhǔn)傳感器，該傳感器包括電子束源，用于提供一入射到基底臺上的基底上的對準(zhǔn)標(biāo)記上的電子束；背散射電子檢測器，用于檢測從對準(zhǔn)標(biāo)記背散射出來的電子，其中對準(zhǔn)傳感器獨立于光刻投射對準(zhǔn)的輻射系統(tǒng)，但設(shè)置在光刻投射裝置之中，以確保在光刻投射裝置內(nèi)部進(jìn)行原位對準(zhǔn)。
本發(fā)明的優(yōu)點在于，即使當(dāng)對準(zhǔn)標(biāo)記因為沉積在基板上的抗蝕劑層和/或進(jìn)一步的處理層而變得模糊或橫向位移，也可以利用對準(zhǔn)傳感器進(jìn)行對準(zhǔn)。另一優(yōu)點是可以針對特定的晶片、處理層和對準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)計在對準(zhǔn)傳感器中所用的電子束能量，而與投射輻射以及輻射系統(tǒng)和投射系統(tǒng)無關(guān)。
優(yōu)選投影輻射束為EUV輻射。其優(yōu)點在于對準(zhǔn)傳感器的電子束和投影輻射的電子束互不相關(guān)。此外，還有一優(yōu)點是投射和對準(zhǔn)系統(tǒng)都可在真空中操作。
優(yōu)選電子束和基底臺能夠相對于彼此進(jìn)行掃描。這就提供了一檢測信號，作為指示對準(zhǔn)標(biāo)記位置的掃描位置的函數(shù)。電子束可以相對于基底臺被掃描，或者基底臺相對于電子束被掃描。
電子束可以控制成以單一的點入射到基底上。或者，電子束可以控制成以具有一圖案的預(yù)定強度分布入射到基底上，該圖案例如可以對應(yīng)于基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的至少一部分。此時，可以用掩模對電子束進(jìn)行構(gòu)圖，該掩模優(yōu)選設(shè)有一基本上為基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的負(fù)像的圖案。
優(yōu)選電子束源提供的電子能量范圍是10-100keV，更優(yōu)選的范圍是20-50keV。其優(yōu)點在于在被背散射之前，它具有足夠的能量穿透對準(zhǔn)標(biāo)記上的任何層，同時可在基底(例如硅)和更高原子數(shù)材料(例如鎢)的標(biāo)記之間在背散射系數(shù)上提供良好的反差。如果電子束能量太高，則背散射反差下降。此外，對于更高的電子束能量，對準(zhǔn)單元的光柱必須更長，因此難以將其加入到光刻裝置中。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供一種器件制造方法，包括以下步驟-提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；
-利用構(gòu)圖部件來使投射光束的橫截面具有圖案；-在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束，其特征在于為了將基底相對于帶圖案的輻射光束對準(zhǔn)，通過以下步驟在所述投射步驟之前確定基底的位置提供一獨立于所述投射束的電子束；使電子束入射到基底上的對準(zhǔn)標(biāo)記上；檢測從對準(zhǔn)標(biāo)記背散射出來的電子。
本發(fā)明的另一方面是可以加入上述的一個或多個優(yōu)選特征。
在本申請中，本發(fā)明的裝置具體用于制造IC，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說明書中任何術(shù)語“劃線板”，“晶片”或者“電路小片(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和EUV(遠(yuǎn)紫外輻射，例如具有5-20nm的波長范圍)，和粒子束，如離子束或者電子束。
輻射系統(tǒng)包括產(chǎn)生輻射束(例如，在存儲環(huán)或者同步加速器中繞電子束的路徑設(shè)置的波紋機或者擺動器，等離子源，電子或者離子束源，汞燈或者激光器)的源LA。輻射束優(yōu)選為EUV束。所述射束穿過照射系統(tǒng)IL包括的各種光學(xué)部件，從而所得到的射束PB在其橫截面具有要求的形狀和強度分布。
射束PB然后入射到保持在掩模臺MT上的掩模MA上。由掩模MA選擇性反射(或透射)的射束PB通過“鏡頭”PL，該鏡頭將射束PB聚焦在基底W2，W3的靶部上。在定位裝置P2W，P3W和干涉位移測量裝置IF的輔助下，基底臺W2T，W3T可以精確地移動，例如在射束PB的光路中定位不同的靶部C。類似的，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA或在掃描期間，可以使用定位裝置PM和干涉位移測量裝置IF將掩模MA相對射束PB的光路進(jìn)行精確定位。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常用

圖1中未明確顯示的長沖程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)目標(biāo)臺MT、W2T的移動。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用●在步進(jìn)模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投射(即單“閃”)到靶部C上。然后基底臺WT沿X和/或Y方向移動，以使不同的靶部C能夠由光束PB照射。
●在掃描模式中，基本為相同的情況，但是所給的靶部C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動，以使投射光束PB掃描整個掩模圖像；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而沒有犧牲分辨率。
圖2顯示了體現(xiàn)本發(fā)明對準(zhǔn)系統(tǒng)的原理。該系統(tǒng)包括電子束源10，提供指向支撐在晶片臺WT上的晶片W的電子束12。當(dāng)電子束入射到晶片W上的一合適的對準(zhǔn)標(biāo)記14上時，產(chǎn)生背散射電子，這些電子由檢測器16進(jìn)行檢測?？梢詮睦珉娮语@微領(lǐng)域了解合適的電子束源10和背散射電子檢測器16的細(xì)節(jié)。
對準(zhǔn)標(biāo)記14的背散射效率取決于形成標(biāo)記的元素的原子數(shù)。優(yōu)選使用原子數(shù)較高的材料，例如鎢，鉭，鈷或鈦，但也可以使用其它材料制作標(biāo)記，例如銅(也可以使用這些金屬的硅化物或氮化物)。標(biāo)記可以由多層結(jié)構(gòu)組成。背散射效率以及它對電子束位置的依賴性，也取決于標(biāo)記的橫向和截面幾何圖形。具體來說，重要的是形成標(biāo)記線條的深度、厚度、寬度和空間距離，以及用較高原子數(shù)材料制作。
背散射電子檢測器16的精確位置不重要，因為背散射過程沒有具體的方向性。
電子束12相對于鏡片W進(jìn)行掃描。可通過在固定的電子束12下移動晶片臺WT，或者用電和/或磁場使電子束12偏轉(zhuǎn)，或者將二者組合實施掃描。
對準(zhǔn)系統(tǒng)可以確定晶片W上標(biāo)記14的位置和方向，由此可以相對于晶片臺WT精確地確定晶片W自身。參考圖1，對準(zhǔn)系統(tǒng)用于確定晶片臺W3T上晶片W3的位置和方向。然后通過將定位部件P3W平移到投射鏡頭PL之下的一位置處，來轉(zhuǎn)移該晶片臺W3T。該位置就是由圖1中P2W占據(jù)的位置(P2W基本上同時被平移到圖1中P3W占據(jù)的位置處)。定位部件P3W相對于投射光束對準(zhǔn)。由于已知標(biāo)記(和晶片3)相對于定位部件P3W的位置，因此可以校正晶片相對于投射光束的對準(zhǔn)，以實施曝光。
在本發(fā)明一可替代的實施例(未顯示)中，對準(zhǔn)系統(tǒng)的位置可臨近投射鏡頭，因此可以無需將晶片和定位部件移動到一替代的偏離位置就可獲得對準(zhǔn)。
在某些情況下，優(yōu)選提供兩套對準(zhǔn)系統(tǒng)，第一系統(tǒng)位于圖1所示的位置，第二系統(tǒng)(未顯示)的位置臨近投射鏡頭PL。
在本文以下的實施例中將討論掩模位置/方向的確定。
依據(jù)本發(fā)明該實施例的上述電子束對準(zhǔn)傳感器是所謂的離軸對準(zhǔn)傳感器，因為電子束輻射不穿過投射鏡頭的光學(xué)中心位置。實際上，在本發(fā)明的該實施例中，投射光束是EUV輻射，因此其在光學(xué)上完全獨立于電子束對準(zhǔn)輻射。由電子束源10產(chǎn)生的電子束12中的電子能量被設(shè)定在10-100keV的范圍中，一般為20-50keV，典型地約為30keV。
可以按照圖3所示方法實施圖2所示的本發(fā)明實施例。參照圖3，控制電子束12，使其以單一的點入射到晶片W上。在該例子中，晶片W包括基底20，且在基底20上有一對準(zhǔn)標(biāo)記14。對準(zhǔn)標(biāo)記14是由鎢條制成的周期性光柵。在圖3所示的截面圖中僅端線排列地示出了三條條紋14.1，14.2和14.3。在基底20和標(biāo)記14的上部是層22，該層表示抗蝕劑層和任何已經(jīng)沉積在晶片W上的處理層。電子束沿箭頭24指示的方向相對于晶片W掃描(但是如上所述，也可在相反的方向掃描晶片W，或者實際上晶片和電子束12均被移動)。
所得的信號顯示在圖4中，其作為掃描位置的函數(shù)與檢測器16檢測出的背散射電子的強度相關(guān)?？梢钥闯龅氖窃跇?biāo)記14的圖案和圖4的信號之間有一相關(guān)性。雖然圖3中的標(biāo)記14是由長方形輪廓的金屬條14.1，14.2和14.3組成的，但是由檢測器16檢測到的實際信號是標(biāo)記圖案和電子束外形的卷積，因此在圖4的檢測信號中有一定程度的平滑。平滑程度取決于例如電子束12的寬度和輪廓。由于疊層中電子散射，使得該信號，即作為電子束位置函數(shù)的所測得的背散射電子強度進(jìn)一步擴大。從所測得的信號可以確定標(biāo)記14的位置和方向。對于光學(xué)對準(zhǔn)標(biāo)記，可以提供數(shù)個光柵，例如具有不同周期和例如在不同方向上的光柵，以唯一地確定標(biāo)記標(biāo)記的位置和方向，以及由此確定晶片的位置和方向。
在另一可替代的實施方式中，如圖5所示，使用圖3的晶片結(jié)構(gòu)，但是電子束12是由多個波束泄出(beamlet)12.1，12.2，12.3等等組成的，由此以類似于至少部分標(biāo)記14的方式對電子束12進(jìn)行構(gòu)圖。電子束12和晶片如上所述相對地掃描，從檢測器16測出的信號顯示在圖6中。在檢測信號中，在一些掃描位置處存在檢測信號的峰值，這些掃描位置是電子束12的圖案和標(biāo)記14之間有相關(guān)性的位置。實際測出的信號仍是標(biāo)記14的圖案和電子束12強度分布的卷積。在標(biāo)記14中使用數(shù)個光柵方面，同對以上提供的實施例所作的評論一樣，也是為了唯一地確定晶片W的位置和方向的。
依據(jù)該實施例，獲得具有圖案的電子束12的一種方式是使初始的電子束通過一掩模(未示出)，該掩模實質(zhì)上為標(biāo)記14所需部分的負(fù)像。例如可以相應(yīng)于標(biāo)記14的特征之間間隙，使用鎢或者其它合適材料阻擋圖案中一些特定部分中的電子，由此限定掩模的特征。
使用電子束提供對準(zhǔn)的一個優(yōu)點是與用光束對準(zhǔn)相比，電子束可相對于通過光束是看不見的對準(zhǔn)標(biāo)記提供對準(zhǔn)。參考圖3，如果層22是光學(xué)不透明的，則利用光束是看不見對準(zhǔn)標(biāo)記的。電子束直接透過光學(xué)不透明的層22，由此可以進(jìn)行對準(zhǔn)。
使用電子束的另一個優(yōu)點是電子束由對準(zhǔn)標(biāo)記造成的散射是對準(zhǔn)標(biāo)記體積(volume)的函數(shù)，而不僅僅是對準(zhǔn)標(biāo)記上表面的函數(shù)(如同光學(xué)對準(zhǔn)的情況)。因此與光學(xué)對準(zhǔn)相比，這使得對準(zhǔn)對于對準(zhǔn)標(biāo)記的不對稱性不那么敏感。
本發(fā)明尤其適用于利用EUV的光刻裝置，因為本發(fā)明在真空條件下操作良好(為避免EUV被氣體分子吸收，真空條件對EUV是必需的)。
以上已描述本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明除上述之外，可以采用其他方式進(jìn)行實施。本說明不作為本發(fā)明的限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻投射裝置，包括用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)要求的圖案對投射光束進(jìn)行構(gòu)圖；用于保持基底的基底臺；用于將帶圖案的光束投射到基底的靶部上的投射系統(tǒng)；其特征在于所述裝置進(jìn)一步包括一對準(zhǔn)傳感器，該傳感器包括電子束源，用于提供一入射到基底臺上的基底的對準(zhǔn)標(biāo)記上的電子束；背散射電子檢測器，用于檢測從對準(zhǔn)標(biāo)記背散射出來的電子，其中對準(zhǔn)傳感器獨立于光刻投射裝置的輻射系統(tǒng)，但設(shè)置在光刻投射裝置之中，以在光刻投射裝置內(nèi)部原位進(jìn)行對準(zhǔn)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述所述輻射的投射光束為EUV輻射。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中電子束和基底臺可以彼此相對地掃描。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中基底臺是固定的，電子束可以相對于基底臺進(jìn)行掃描。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中電子束是固定的，基底臺可以相對于電子束被掃描。
6.如前任一權(quán)利要求所述的裝置，其中電子束可被控制成以單一點入射到基底上。
7.如權(quán)利要求1-5之一所述的裝置，其中電子束可形成圖案，以預(yù)定的強度分布入射到基底上。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其中該強度是預(yù)定的，以與基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的至少一部分相對應(yīng)。
9.如權(quán)利要求7或8所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于對電子束進(jìn)行構(gòu)圖的掩模。
10.如權(quán)利要求8或9所述的裝置，其中掩模上設(shè)置的圖案基本上為基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的負(fù)像。
11.如前任一權(quán)利要求所述的裝置，其中電子束源提供的電子能量范圍為10-100keV，更優(yōu)選為20-50keV。
12.如前任一權(quán)利要求所述的裝置，其中支撐結(jié)構(gòu)包括保持掩模用的掩模臺。
13.如前任一權(quán)利要求所述的裝置，其中輻射系統(tǒng)包括輻射源。
14.一種器件制造方法，包括以下步驟提供一至少部分覆蓋一層輻射敏感材料的基底；利用輻射系統(tǒng)提供輻射投射光束；利用構(gòu)圖部件使投射光束的橫截面具有圖案；在具有該層輻射敏感材料的靶部上投射帶圖案的輻射光束，其特征在于為了將基底相對于帶圖案的輻射光束對準(zhǔn)，通過以下步驟在所述投射步驟之前確定基底的位置提供一獨立于所述投射束的電子束；使電子束入射到基底上的對準(zhǔn)標(biāo)記上；檢測從對準(zhǔn)標(biāo)記背散射出來的電子。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述輻射的投射束為EUV輻射。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其中電子束和基底臺可以彼此相對地掃描。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中基底臺是固定的，電子束可以相對于基底臺進(jìn)行掃描。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中電子束是固定的，基底臺可以相對于電子束被掃描。
19.如權(quán)利要求14-18之一所述的方法，其中電子束可被控制成以單一點入射到基底上。
20.如權(quán)利要求14-18之一所述的方法，其中電子束可形成圖案，以預(yù)定的強度分布入射到基底上。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中其中該強度是預(yù)定的，以與基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的至少一部分相對應(yīng)。
22.如權(quán)利要求20或21所述的方法，其中掩模用于對電子束進(jìn)行構(gòu)圖。
23.如權(quán)利要求21或22所述的方法，其中掩模上設(shè)置的圖案基本上為基底上對準(zhǔn)標(biāo)記圖案的負(fù)像。
24.如權(quán)利要求14-23之一所述的方法，其中電子束源提供的電子能量范圍為10-100keV，更優(yōu)選為20-50keV。
全文摘要
一種光刻裝置投射，其設(shè)有對準(zhǔn)傳感器，該傳感器包括電子束源10，用于提供一入射到基底W的對準(zhǔn)標(biāo)記14上的電子束12；背散射電子檢測器16，用于檢測從對準(zhǔn)標(biāo)記14背散射出來的電子。對準(zhǔn)傳感器獨立于投射系統(tǒng)和投射輻射，并且為一種離軸對準(zhǔn)傳感器。
文檔編號G03F7/20GK1441318SQ0311053
公開日2003年9月10日 申請日期2003年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月6日
發(fā)明者J·G·吉斯伯特森, P·W·H·德亞格, M·D·尼克爾克 申請人:Asml荷蘭有限公司