專利名稱：內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖制造領(lǐng)域中的一種光纖預(yù)制棒及制造方法，特別是一種內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒及制造方法。
背景技術(shù)：
光纖預(yù)制棒的制造技術(shù)主要分為管內(nèi)法和管外法。管外法有OVD(外部氣相沉積)和VAD(氣相軸向沉積)工藝，管內(nèi)法主要有PCVD(等離子體化學(xué)氣相沉積)和MCVD(改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積)。而PCVD工藝具有流量控制精度高、每一層沉積厚度薄，預(yù)制棒折射率可以精確設(shè)計(jì)和制造，預(yù)制棒折射率剖面連續(xù)而光滑，可以對(duì)各種復(fù)雜的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)進(jìn)行制造，代表著多模光纖的最先進(jìn)水平。多模光纖由于具有較大的芯徑和數(shù)值孔徑，有多個(gè)穩(wěn)定的傳導(dǎo)模式，大的光傳輸能量和較為寬松的技術(shù)要求，在光通信領(lǐng)域中一直被使用。但是對(duì)于多模光纖而言，由于多個(gè)模式的存在，其模間色散將導(dǎo)致光脈沖的展寬，極大地限制了多模光纖的帶寬特性。衰減和帶寬是多模光纖的兩大關(guān)鍵指標(biāo)，降低衰減、提高帶寬、減少色散是多模光纖制造中主要解決的技術(shù)問(wèn)題。光纖預(yù)制棒波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是光纖制造的最核心的技術(shù)、是決定光纖性能的關(guān)鍵所在，因此光纖制造商都非常重視光纖波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。朗迅科技公司專利00117977.2“改進(jìn)的多模光纖的制造方法和由該方法制造的光纖”，將預(yù)制棒波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為非圓形，改進(jìn)拉絲工藝獲得高帶寬具有手性結(jié)構(gòu)的硅基多模光纖；朗迅科技公司專利00117977.2“改進(jìn)了折射率分布圖的多模光纖和包括該光纖的設(shè)備”至少用下面的一種方法對(duì)普通的折射率分布圖進(jìn)行修改(i)在纖芯和包層區(qū)域邊界的折射率分布圖中，形成與線性修正組合的一個(gè)階躍(ii)鄰近纖芯—包層邊界的與線性修正組合的一種波紋，附有或不附有折射率階躍；和(iii)在帶有中心凹陷缺陷的α-分布圖的折射率分布圖中，形成一環(huán)狀脊；通過(guò)對(duì)預(yù)制棒折射率分布圖進(jìn)行完善，提高多模光纖的帶寬。上述兩種專利主要是提高多模光纖的帶寬，其波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)復(fù)雜。多模光纖的衰減則經(jīng)歷了更為復(fù)雜而漫長(zhǎng)的研究歷程，從提高原材料的純度到調(diào)整原材料的種類，從提高系統(tǒng)的密封性能到從粉末狀預(yù)制棒的脫水，從沉積工藝到拉絲工藝對(duì)多模光纖衰減的影響的各種探索經(jīng)歷了漫長(zhǎng)而曲折的過(guò)程。減少原材料中過(guò)渡金屬等雜質(zhì)造成的吸收，降低GeCl4的摻雜用量，改善摻雜均勻性，完善光纖中濃度和密度的波紋度，降低瑞利散射，850nm窗口的衰減得到顯著降低。1ppm OH-在1385nm波長(zhǎng)處引起39dB/km的吸收，微量的OH-將引起1385nm附近的1300nm傳輸窗口的衰減的急劇增大，通過(guò)提高原材料的純度，降低原材料的含水量，提高系統(tǒng)的密封性能，以及通過(guò)各種途徑消除或脫去光纖預(yù)制棒工藝過(guò)程中導(dǎo)入的羥基，從而降低1300nm窗口的衰減。優(yōu)化波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，改善光纖包層和芯層界面的過(guò)渡情況，波導(dǎo)結(jié)構(gòu)引起光信號(hào)的衰減主要是指芯子和包層界面的狀態(tài)，包括形狀的畸變、界面殘余應(yīng)力，波導(dǎo)結(jié)構(gòu)引起的衰減一般不會(huì)超過(guò)0.1dB/km。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)對(duì)多模光纖凹陷深度和凹陷寬度進(jìn)行設(shè)計(jì)及工藝過(guò)程進(jìn)行優(yōu)化，提供一種內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒，它可以減少預(yù)制棒中GeCl4的摻雜量，減小體系的瑞利散射，降低多模光纖的衰減；通過(guò)下凹型內(nèi)包層的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，找到了最佳的摻雜量，降低了瑞利散射，850nm窗口的衰減大幅度降低，消除了羥基峰對(duì)整個(gè)基底尤其1385nm損耗的影響，1300nm窗口的衰減也得到降低，優(yōu)化波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中芯層與包層界面的過(guò)渡性能，降低界面應(yīng)力，減小波導(dǎo)損耗，以達(dá)到整體降低多模光纖衰減的目的，光纖的帶寬性能得到了優(yōu)化，提高光纖產(chǎn)品的整體性能。
本發(fā)明人經(jīng)過(guò)大量理論分析和反復(fù)試驗(yàn)，設(shè)計(jì)出的內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為(如圖1)凹陷深度d范圍-1.00％≤d≤-0.001％；d的計(jì)算方法為d=nclad2-nclad1nSiO2×100%]]>(nclad1為外包層的絕對(duì)折射率，nclad2為內(nèi)包層的絕對(duì)折射率，nSiO2為石英玻璃的絕對(duì)折射率)；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例范圍0.10％≤w/2a≤5.00％；芯子起點(diǎn)高度h范圍-1.00％≤h≤1.00％；h的計(jì)算方法h=ncore1-nclad1nSiO2×100%]]>(ncore為芯子的絕對(duì)折射率)本發(fā)明優(yōu)選波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.80％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為2％；芯子起點(diǎn)高度h為-0.02％；以下對(duì)本發(fā)明的原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明降低多模光纖的衰減首先要降低光纖中的摻雜量，而降低摻雜量必將導(dǎo)致多模光纖預(yù)制棒折射率的降低，進(jìn)而導(dǎo)致光纖的數(shù)值孔徑NA偏小乃至不合格。因此，就要尋求既能夠降低光纖的摻雜量，達(dá)到降低光纖瑞利散射衰減的目的，又能夠滿足光纖數(shù)值孔徑合格的標(biāo)準(zhǔn)，這就讓我們想到如何在降低摻雜量的情況下，提高光纖的有效數(shù)值孔徑。本發(fā)明通過(guò)采用增加預(yù)制棒內(nèi)包層下凹寬度和深度的方法，來(lái)增加數(shù)值孔徑。通過(guò)大量理論分析和試驗(yàn)驗(yàn)證，發(fā)明人設(shè)計(jì)了上述下凹型內(nèi)包層多模光纖波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，該波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以有效地減少多模光纖的摻雜量，降低瑞利散射，同時(shí)光纖的數(shù)值孔徑也符合標(biāo)準(zhǔn)。
光波在光纖中傳輸滿足弱導(dǎo)波條件，光電磁波在光纖中傳輸過(guò)程中同時(shí)存在軸向的導(dǎo)行電磁場(chǎng)和徑向的消逝場(chǎng)，光波電磁場(chǎng)在不同的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)其場(chǎng)的分布各不相同，不同的場(chǎng)分布將攜帶不同的光功率，因此，光功率在芯層與包層界面?zhèn)鬏斶^(guò)程中，如果從折射率較大的芯層進(jìn)入折射率較小的包層而成為消逝場(chǎng)時(shí)，光功率急劇降低，結(jié)果光纖的衰減增大。采用下凹型內(nèi)包層的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以對(duì)光波電磁場(chǎng)在弱導(dǎo)波光纖中的傳輸行為進(jìn)行引導(dǎo)。
多模光纖預(yù)制棒內(nèi)包層下凹寬度不同，光纖的數(shù)值孔徑也有所不同。而且，考慮到拉絲過(guò)程中，還存在著芯包界面的擴(kuò)散問(wèn)題，因此，內(nèi)包層下凹寬度對(duì)光纖數(shù)值孔徑的影響就顯得較困難。試驗(yàn)數(shù)據(jù)(如表-1所示)說(shuō)明內(nèi)包層下凹寬度越寬，對(duì)光纖的數(shù)值孔徑貢獻(xiàn)系數(shù)就越大。表-1 在不同凹陷寬度情況下對(duì)數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)系數(shù)ξ值

我們通過(guò)理論分析和試驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析，找出了內(nèi)包層下凹寬度對(duì)數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)系數(shù)。
我們定義φ=w2a]]>式中w-預(yù)制棒內(nèi)包層下凹寬度(mm)；2a-預(yù)制棒芯子直徑(mm)。
將不同的φ情況下，內(nèi)包層下凹寬度對(duì)光纖數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)系數(shù)定義為ξ，采用Boltzmann公式進(jìn)行曲線擬合分析，得到如下經(jīng)驗(yàn)公式ξ=1.47-1.161+e(83.81×(φ-0.07))]]>通過(guò)上面的經(jīng)驗(yàn)公式，可以計(jì)算出內(nèi)包層下凹寬度對(duì)光纖數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)。
內(nèi)包層下凹深度對(duì)數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)，從定性的角度去理解，凹陷包層的深度是越深對(duì)光纖數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)就越大。實(shí)際工藝過(guò)程中，通過(guò)不同的氟利昂/SF6摻雜量實(shí)現(xiàn)凹陷深度。但摻雜的同時(shí)，又伴隨著SiF4的揮發(fā)，因此深度有一個(gè)理論極限值。這就需要尋求一個(gè)最佳下凹深度，既滿足數(shù)值孔徑貢獻(xiàn)的需求，又有利于生產(chǎn)工藝的控制。內(nèi)包層下凹深度對(duì)數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)可以從“內(nèi)包層下凹型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光纖數(shù)值孔徑NA計(jì)算公式”得出。加大內(nèi)包層下凹深度，光纖的有效數(shù)值孔徑增大，可以減少GeO2的摻雜量，瑞利散射得到降低。
匹配包層，也就是PCVD法沉積的內(nèi)包層(clad2)的相對(duì)折射率與外包層(clad1)的相對(duì)折射率基本一致。該種剖面的NA的計(jì)算式為NA＝((ncore+1.4571)2-(nclad1+1.4571)2)1/2式中，1.4571是玻璃態(tài)的SiO2在波長(zhǎng)633μm下的折射率；ncore--芯層最大的折射率差；nclad1外包層的折射率差。
內(nèi)包層下凹型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光纖數(shù)值孔徑NA計(jì)算可以根據(jù)前面的分析，綜合下凹寬度和深度對(duì)光纖數(shù)值孔徑的影響，得出如下經(jīng)驗(yàn)公式。
NA＝((ncore+1.4571)2-(ξ×nclad2+1.4571)2)1/2式中，nclad2下凹內(nèi)包層的折射率差；ξ內(nèi)包層下凹寬度對(duì)數(shù)值孔徑的貢獻(xiàn)系數(shù)。
降低多模光纖的衰減的技術(shù)手段是降低光纖的吸收衰減、散射衰減和輻射衰減。通過(guò)本發(fā)明的光纖波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和PCVD工藝優(yōu)化可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。
玻璃是一種過(guò)冷卻液體，同時(shí)也是多成分的物質(zhì)，因此存在密度起伏造成的散射和因濃度的波動(dòng)造成的散射。要降低光纖的散射衰減，必須減少光纖預(yù)制棒內(nèi)部的密度和濃度波動(dòng)。而且多模光纖存在多個(gè)模式傳輸，不同的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)會(huì)極大地影響多模光纖的模式耦合與輻射，從而影響多模光纖的彎曲損耗。本發(fā)明的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，可以減少多模光纖摻雜劑GeO2的濃度和提高摻雜劑的摻雜均勻性，還可以降低多模光纖的彎曲損耗來(lái)減少多模光纖的輻射損耗。
在PCVD工藝中，摻雜劑GeO2是由GeCl4與O2反應(yīng)生成，要降低GeO2的量，可以通過(guò)降低GeCl4的量和另外一種摻雜劑氟利昂/SF6的用量匹配來(lái)實(shí)現(xiàn)，這樣可以降低整個(gè)基底的吸收衰減。
光纖的整體品質(zhì)指標(biāo)很多，影響光纖傳輸性能的主要是衰減、帶寬、幾何尺寸和數(shù)值孔徑。本發(fā)明涉及的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，對(duì)帶寬、幾何尺寸和數(shù)值孔徑等指標(biāo)沒(méi)有任何不利影響，這是因?yàn)?1)光纖的拉制過(guò)程是一個(gè)仿射變形，因此，光纖的幾何尺寸由光纖預(yù)制棒的幾何尺寸決定，在PCVD工藝中，可以非常精確地控制光纖預(yù)制棒的幾何尺寸，因此，本發(fā)明涉及的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì)光纖的幾何尺寸沒(méi)有影響。根據(jù)本發(fā)明所生產(chǎn)的多模光纖(50/125、62.5/125、100/140)的幾何尺寸經(jīng)測(cè)試符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或ITU-T標(biāo)準(zhǔn)、IEC標(biāo)準(zhǔn)。
(2)光纖的數(shù)值孔徑由摻雜形成的相對(duì)折射率差決定，本發(fā)明涉及的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以提高多模光纖的有效數(shù)值孔徑，根據(jù)本發(fā)明所生產(chǎn)的多模光纖(50/125、62.5/125、100/140)的數(shù)值孔徑經(jīng)測(cè)試符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或ITU-T標(biāo)準(zhǔn)、IEC標(biāo)準(zhǔn)。
(3)為了降低GeO2的摻雜量，而使NA不變，采用了凹陷剖面的結(jié)構(gòu)，那么凹陷的深度與寬度對(duì)帶寬有沒(méi)有影響呢？帶寬實(shí)際上是多模光纖色散的一種描述方法，就漸變型多模光纖而言，多模光纖的帶寬理論上由模式帶寬和色度帶寬共同決定，BW(帶寬)∝1/Δ2，內(nèi)包層下凹型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，降低了多模光纖的Δ(光纖預(yù)制棒的相對(duì)折射率差)值，理論帶寬得到提高。實(shí)際制造過(guò)程中，帶寬由多模光纖的折射率剖面(RIP)決定，本發(fā)明涉及的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì)多模光纖的RIP沒(méi)有影響，所制造的多模光纖的帶寬與常規(guī)匹配型包層多模光纖的帶寬相比大大地提高了。多模光纖帶寬的提高和多模光纖衰減的降低，大大地提升了多模光纖的應(yīng)用前景。
在采用PCVD工藝制造多模光纖預(yù)制棒中，原材料GeCl4、氟利昂/SF6的價(jià)格較其它原材料而言要高很多，本發(fā)明涉及的內(nèi)包層下凹波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以減少原材料GeCl4、氟利昂/SF6的用量，降低了原材料成本。
本發(fā)明的制備方法是將氧氣和氟里昂、四氯化硅蒸汽混合氣、四氯化鍺蒸汽混合氣三路氣體混合后一起進(jìn)入沉積床進(jìn)行沉積反應(yīng)制備成，其中四氯化硅蒸汽混合氣是將氧氣通入裝有四氯化硅原料液罐中鼓泡制得，控制鼓泡溫度為300K-350K；四氯化鍺蒸汽混合氣是將氧氣通入裝有四氯化鍺原料液罐中鼓泡制得，控制鼓泡溫度為300K-350K；三路氣體混合時(shí)，四氯化硅蒸汽混合氣流量控制為200-1000立方厘米/分鐘；四氯化鍺蒸汽混合氣流量控制為10-500立方厘米/分鐘；混合區(qū)的壓力控制為1030-2000毫巴。
本發(fā)明下凹型內(nèi)包層預(yù)制棒能夠提高光纖的有效數(shù)值孔徑NA，實(shí)現(xiàn)了降低多模光纖衰減的最佳途徑。采用該技術(shù)可以大幅度地減少預(yù)制棒中GeCl4的摻雜量，降低體系的瑞利散射，減小波導(dǎo)損耗系數(shù)，同時(shí)優(yōu)化工藝過(guò)程，降低多模光纖在1300nm窗口的衰減，提高多模光纖的衰減性能。優(yōu)化波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，改善多模光纖的帶寬性能，使多模光纖的整體性能得到提升。


圖1為本發(fā)明的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)剖面示意2為本發(fā)明的生產(chǎn)工藝流程圖1—氧氣入口；2—四氯化硅蒸汽混合氣出氣管；3—氧氣和氟里昂/SF6氣體入口；4—氧氣入口；5—四氯化鍺蒸汽混合氣出氣管；6—四氯化硅原料罐；7—四氯化硅原料液；8—四氯化鍺原料罐；9—四氯化鍺原料液。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖列舉部分實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述實(shí)施例一 本發(fā)明的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.60％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為0.10％；芯子起點(diǎn)高度h為-0.60％；實(shí)施例二 本發(fā)明波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.80％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為2％；芯子起點(diǎn)高度h為-0.02％實(shí)施例三 本發(fā)明波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.01％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為5.00％；芯子起點(diǎn)高度h為0.3％實(shí)施例四 本發(fā)明波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.05％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為1.00％；
芯子起點(diǎn)高度h為0.05％本發(fā)明的生產(chǎn)方法如下如圖-2所示，原料柜內(nèi)的反應(yīng)原料混合氣體通過(guò)沉積反應(yīng)的床子的入口端進(jìn)入反應(yīng)管的。反應(yīng)柜中包含三路氣體一路是反應(yīng)的氧氣和氟里昂氣體從入口3進(jìn)入；另一路是氧氣從入口1進(jìn)入四氯化硅原料罐6，通過(guò)插入管直接進(jìn)入四氯化硅原料液7中，在四氯化硅原料液內(nèi)發(fā)生鼓泡。精確控制四氯化硅原料罐6中的溫度為310K，使四氯化硅蒸汽混合氣從四氯化硅蒸汽混合氣出氣管2出來(lái)，經(jīng)過(guò)流量控制器精確控制四氯化硅蒸汽體積流量從500立方厘米/分鐘逐漸變化到390立方厘米/分鐘，達(dá)到精確控制四氯化硅蒸汽在混合氣中的濃度；再一路是氧氣從入口4進(jìn)入四氯化鍺原料罐8，通過(guò)插入管直接進(jìn)入四氯化鍺原料液9中，在四氯化鍺原料液內(nèi)發(fā)生鼓泡。精確控制四氯化鍺原料罐8的溫度為310K，使四氯化鍺蒸汽混合氣從四氯化鍺蒸汽混合氣出氣管5出來(lái)，再經(jīng)過(guò)流量控制器精確控制四氯化鍺蒸汽體積流量從20立方厘米/分鐘逐漸變化到180立方厘米/分鐘，達(dá)到精確控制四氯化鍺蒸汽在混合氣中的濃度。這三路氣體混合，并精確控制混合區(qū)的壓力為1330毫巴，最后管道3來(lái)的氣體與管道2來(lái)的氣體以及管道5來(lái)的氣體匯合一起進(jìn)入沉積床的反應(yīng)區(qū)。
在反應(yīng)區(qū)，在高能微波功率與高溫?zé)嵩吹淖饔孟掳l(fā)生沉積反應(yīng)，反應(yīng)原料氣體便不斷地在反應(yīng)管的內(nèi)表面上形成以二氧化硅為主要成分的反應(yīng)產(chǎn)物，當(dāng)沉積結(jié)束后，將沉積完畢的反應(yīng)管進(jìn)行成棒過(guò)程，使之成為實(shí)心的預(yù)制棒。
本發(fā)明的制備方法實(shí)施例還有很多，它可以在所公開(kāi)的工藝參數(shù)范圍內(nèi)，任意選擇組合。四氯化鍺原料液罐和四氯化硅原料液罐中的鼓泡溫度可以為300K、320K、330K、350K；根據(jù)原料不同，四氯化硅蒸汽混合氣流量控制為0-1000立方厘米/分鐘；四氯化鍺蒸汽混合氣流量控制為0-500立方厘米/分鐘；混合區(qū)的壓力控制為1030毫巴、1300毫巴、1500毫巴、1900毫巴，2000毫巴。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒，其波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d范圍為-1.00％≤d≤-0.001％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例范圍為0.10％≤w/2a≤5.00％；芯子起點(diǎn)高度h范圍為-1.00％≤h≤1.00％；
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒，其波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d為-0.80％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例為2％；芯子起點(diǎn)高度h為-0.02％
3.一種內(nèi)包層下凹型多模光纖預(yù)制棒的制備方法，它是將氧氣和氟里昂/SF6、四氯化硅蒸汽混合氣、四氯化鍺蒸汽混合氣三路氣體混合后一起進(jìn)入沉積床進(jìn)行沉積反應(yīng)制備成，其中四氯化硅蒸汽混合氣是將氧氣通入裝有四氯化硅原料液罐中鼓泡制得，控制鼓泡溫度為300K-350K；四氯化鍺蒸汽混合氣是將氧氣通入裝有四氯化鍺原料液罐中鼓泡制得，控制鼓泡溫度為300K-350K；三路氣體混合時(shí)，四氯化硅蒸汽混合氣流量控制為0-1000立方厘米/分鐘；四氯化鍺蒸汽混合氣流量控制為0-500立方厘米/分鐘；混合區(qū)的壓力控制為1030-2000毫巴。
全文摘要
本發(fā)明涉及光纖制造領(lǐng)域中的一種光纖預(yù)制棒及制造方法。本發(fā)明光纖預(yù)制棒的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為凹陷深度d范圍為－1.00％≤d≤－0.001％；凹陷寬度w與預(yù)制棒芯子直徑2a比例范圍為0.10％≤w/2a≤5.00％；芯子起點(diǎn)高度h范圍為－1.00％≤h≤1.00％；它通過(guò)增大多模光纖凹陷深度、凹陷寬度以及減少預(yù)制棒中GeCl
文檔編號(hào)G02B6/00GK1433982SQ0311871
公開(kāi)日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2003年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月28日
發(fā)明者李詩(shī)愈, 朱明華, 陳偉, 成煜, 陸大方, 胡鵬, 殷江明, 王冬香 申請(qǐng)人:烽火通信科技股份有限公司