專利名稱：全芯片無鉻相光刻技術(shù)生產(chǎn)中實現(xiàn)關(guān)鍵尺寸線性控制的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在采用無鉻相光刻技術(shù)(CPL)中產(chǎn)生掩膜圖案，更具體地講，涉及使用CPL時在成像的關(guān)鍵尺寸(CD)的范圍控制和保持線性化的方法和技術(shù)。
背景技術(shù)：
如在集成電路(IC)的生產(chǎn)中，可使用光刻投影設(shè)備(工具)。在此情況，掩膜包含有與IC的各層所相應(yīng)的電路圖案，這一圖案在涂有射線敏感材料(保護(hù)層)的基體(硅晶片)的目標(biāo)部分(如包括一個或多個芯片)成像。通常，每次單個晶片包含通過投影系統(tǒng)照射形成的相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)路。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，每一目標(biāo)部分是通過一次將整個掩膜圖案曝光到目標(biāo)部分進(jìn)行照射的；此類設(shè)備通常稱作晶片步進(jìn)機。另一種可采用的設(shè)備通常稱為步進(jìn)-掃描設(shè)備，每一目標(biāo)部分的照射是通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)對掩膜圖案逐步掃描完成的，同時對基體平臺進(jìn)行與此方向平行或逆平行方向的同步掃描；通常，由于投影系統(tǒng)具有放大因數(shù)M(通常小于1)，對基體平臺的掃描速度V將以M倍掃描掩膜臺的速度進(jìn)行。例如，可從US 6,046,792收集到關(guān)于上述光刻設(shè)備的更詳細(xì)的信息，該文件在此引用作為參考。
在使用光刻投影設(shè)備的生產(chǎn)工藝中，掩膜圖案在基體上成像，基體至少部分地被射線敏感材料(保護(hù)層)覆蓋。在此成像之前，對基體進(jìn)行各種工序處理，如涂底漆、涂保護(hù)層和軟烘焙。曝光后，對基體進(jìn)行其它工序處理，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙和對成像特征的測量/檢查。這一系列的工藝過程用作形成如IC器件各層圖案的基礎(chǔ)。然后對這一帶圖案的層執(zhí)行各種工藝處理，如蝕刻、離子移植(摻雜)、金屬處理、氧化、化學(xué)-機械拋光等，以完成每層的制作。如果需要多層結(jié)構(gòu)，要對每一新層重復(fù)進(jìn)行整個工藝過程或其變化過程。最終，在基體(晶片)形成器件的陣列。然后通過分割或切割技術(shù)將這些器件相互分離。此后，將獨立器件安裝在載體上，并連接引腳等?？梢詮腗cGraw Hill出版公司的書號是1997年ISBN 0-07-067250-4由Peter van Zant所著名為“微芯片加工半導(dǎo)體加工指南”一書第三版中得到進(jìn)一步信息，該書在此引用作為參考。
光刻工具可以是具有兩個或多個基體平臺(兩個或兩個以上的掩膜平臺)的類型。在這樣的“多階段”設(shè)備中可以并行使用附加的平臺，或是在一個或多個平臺執(zhí)行預(yù)處理工序，而在一個或多個平臺用來曝光處理。例如，在US5,969,441和WO 98/40791中有對雙階段光刻工具的描述，可作為參考。
上述光刻掩膜包括與將要集成到硅晶片上的電路元件相應(yīng)的幾何圖案。應(yīng)用CAD(計算機輔助設(shè)計)程序產(chǎn)生生成這種掩膜的圖案，這種工藝通常稱為EDA(電子設(shè)計自動化)。為了生成各種功能掩膜，多數(shù)CAD程序遵循一套預(yù)定設(shè)計規(guī)則。這些規(guī)則由加工和設(shè)計的制約進(jìn)行設(shè)定。例如，為了保證電路器件或線路相互間不發(fā)生所不希望的作用，設(shè)計規(guī)則定義了電路器件(如柵極、電容器等)或連接線之間的間隙公差。
當(dāng)然，在集成電路加工中遵循的一個目標(biāo)是在晶片上如實地再現(xiàn)的原電路設(shè)計(通過掩膜)。另一目標(biāo)是盡可能充分地利用半導(dǎo)體晶片的資源。然而，由于集成電路尺寸減小密度增加，使相應(yīng)的掩膜圖案的CD(關(guān)鍵尺寸)達(dá)到光學(xué)曝光裝置的分辨率極限。曝光裝置的分辨率定義為曝光裝置可在晶片重復(fù)曝光的最小特征。本曝光裝置的分辨率數(shù)值常常制約了先進(jìn)的IC電路設(shè)計中的CD。
更進(jìn)一步，在微處理器速度、封裝存儲器的密度和微電子元件低功耗等方面的不斷改進(jìn)，都直接涉及光刻技術(shù)在半導(dǎo)體器件的各層上傳輸和形成掩膜圖案的能力。在現(xiàn)技術(shù)階段需要使圖案的CD明顯小于可用光源的波長。例如當(dāng)前產(chǎn)生的248nm的波長為使圖案的CD小于100nm而繼續(xù)發(fā)展。如“半導(dǎo)體技術(shù)的國際發(fā)展方向”(ITRS 2000)中所描述的，這一工業(yè)發(fā)展在今后5-10年還將繼續(xù)，并可能加速發(fā)展。
近來受到光刻技術(shù)界格外關(guān)注的一項技術(shù)，該技術(shù)用于進(jìn)一步改進(jìn)光刻設(shè)備的分辨率及印刷能力，稱作無鉻相光刻“CPL”。如所了解的，當(dāng)應(yīng)用CPL技術(shù)時，產(chǎn)生掩膜圖案包括典型的結(jié)構(gòu)(符合在晶片上印刷的特征)，即，不需要使用鉻(即通過相移技術(shù)印刷特征)的結(jié)構(gòu)以及使用鉻的結(jié)構(gòu)。在USP第6,312,854號和第6,335,130中有對相移掩膜的描述，在此引用作為參考。
對于掩膜設(shè)計者，需要檢驗使用各種技術(shù)的掩膜結(jié)構(gòu)都以允許的方式相互作用做可，以便將所希望的圖案印刷到晶片上。此外，由于要印刷的特征的CD各不相同，需精確地復(fù)制CD。換句話說，為了有利于生產(chǎn)過程，使需要的具有不同設(shè)置的多種照度最少化，以獲得滿意的結(jié)果，當(dāng)印刷不同寬度的CD時，十分希望具有“線性”特點(即CD的直線彎曲應(yīng)是線性的)。
當(dāng)前所知的幾個實現(xiàn)CD線性化的方法有CPL網(wǎng)膜版和為OPC使用散射條的方法。
散射條(SB)OPC通常包括通過在主要特征邊緣放置SB來改變“局部發(fā)射”。SB可調(diào)整空間圖像的傾斜。圖1-3表示使用普通DUV/ArF(193nm)/4x和NA＝0.75，類星射電源quasar(0.87，0.57)時，SB對空間成像調(diào)整的效果，以及SB尺寸的效果和SB所在位置的效果。圖1表示沒有SB、50nm中心SB和50nm雙SB三種情況的劑量曲線。圖2表示具有相隔80nm鉻散射條(CrSB)的25mJ-24臨界值的無鉻掩膜(CLM)，在沒有SB(點)、20nm SB(圓形)、30nm SB(“+”形符號)、40nm SB(“x”形符號)和50nm SB(矩形)的情況下CD對間距的曲線。從圖2可看出，較大的SB尺寸可得到高特征CD。例如，在20nm SB的情況，對于550nm的間距(X-軸)，主特征CD是95nm，而在50nm SB的情況，對于550nm的間距(X-軸)，主特征CD是125nm。
圖3表示另一個具有不同距離的鉻散射條(CrSB)的25mJ-24臨界值的無鉻掩膜(CLM)，在沒有SB(點)、SB的距離70nm(圓形)、SB的距離80nm(“+”形符號)、SB的距離90nm(“x”形符號)、SB的距離100nm(矩形)、SB的距離110nm(實心矩形)、SB的距離120nm(三角形)、SB的距離130nm(白色圓形)、SB的距離140nm(條形)、SB的距離150nm(黑色“x”符號)和SB的距離160nm(矩形)的情況下CD對間距的曲線。圖3描述了SB所在位置(SB與主特征邊緣的距離)的影響，SB的距離較小可得到高特征CD。例如，SB的距離為70nm，對于550nm的間距(X-軸)，主特征CD是110nm，而SB的距離為160nm，對于550nm的間距，主特征CD是～77nm。
在某些情況下可以使用這些方法，而有許多情況，很難實施這些方法。例如，在某些掩膜設(shè)計中難以在需要的位置插入具有理想尺寸的SB。
因此，當(dāng)在給定的掩膜圖案中的特征的CD不同，需要一種可提供簡單和系統(tǒng)的用于定義和保持有關(guān)CD印刷“線性”化的方法和技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
在為滿足上述需要的努力中，當(dāng)在給定的掩膜圖案中的特征的CD和間距不同時，本發(fā)明的一個目的是提出一種可提供簡單和系統(tǒng)的用于定義和保持有關(guān)CD印刷“線性”化的方法和技術(shù)。
更確切地講，在一個典型的實施例中，本發(fā)明涉及為印刷圖案而產(chǎn)生掩膜的方法，該圖案包括多個具有關(guān)鍵尺寸不同的特征。方法包括以下步驟(1)獲得描繪圖案的數(shù)據(jù)；(2)根據(jù)多個特征的關(guān)鍵尺寸定義多個不同的區(qū)域；(3)對每一特征進(jìn)行分類劃分到多個不同區(qū)域中的一個區(qū)域；和(4)對每一分類劃分到多個不同區(qū)域的預(yù)定區(qū)域的特征，修改掩膜圖案。
雖然在本文中對發(fā)明在IC生產(chǎn)中的應(yīng)用作了明確描述，但應(yīng)清楚地理解發(fā)明還具有其它的應(yīng)用。例如，發(fā)明可在集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器圖案的導(dǎo)向及檢測、液晶顯示板、薄膜磁頭等的生產(chǎn)中得到應(yīng)用。熟練的技工應(yīng)理解，在這些應(yīng)用的情況下，本文中所用的術(shù)語“標(biāo)線片”、“晶片”或“芯片”應(yīng)考慮分別用更通常的術(shù)語“掩膜”、“基體”和“目標(biāo)部分”來代替。
在本文件中，所使用的術(shù)語“射線”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外線(如具有365、248、193、157或126nm的波長)和EUV(遠(yuǎn)紫外線，如波長在5-20nm)。
在本文中使用的掩膜一詞可廣義地解釋為表示用于形成與在基體的目標(biāo)部分產(chǎn)生的圖案相一致的圖案的裝置，該裝置可使射線光束在具有圖案的截面通過；在本文中還可使用“光閥”一詞。除了典型的掩膜(透射或反射、二元化(binary)、相移、摻雜等)外，其它這樣形成圖案的裝置的實例包括a)可編程鏡像陣列。這樣的設(shè)備的實例是具有粘彈性控制層和反射表面的可設(shè)定地址的矩陣面。此設(shè)備的基本原理是(例如)反射面的被尋址的區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔猓磳ぶ返膮^(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。使用適當(dāng)?shù)倪^濾器可濾掉反射光束中的非衍射光，僅留下衍射光；以此方式，根據(jù)可設(shè)定地址的矩陣面的尋址圖案形成具有圖案的光束。使用合適的電子裝置可執(zhí)行所需要的矩陣尋址。例如在作為參考的美國專利US 5,296,891和US 5,523,193中可收集到更多有關(guān)鏡像陣列的信息。
b)可編程LCD陣列。此結(jié)構(gòu)的實例可查閱作為參考的美國專利US5,229,872。
本發(fā)明的方法顯著優(yōu)于原有技術(shù)，例如本發(fā)明提供簡單和系統(tǒng)的用于定義和保持有關(guān)CD印刷“線性”化的方法和技術(shù)，以解決在給定的掩膜圖案中的特征的CD和間距變化。另外，本發(fā)明是一種使與CPL技術(shù)相關(guān)的分辨率增強的簡單方法。
熟知本技術(shù)領(lǐng)域的人員從以下參照本發(fā)明典型實施例的詳細(xì)描述中可看出本發(fā)明的更多優(yōu)點。
通過參照附圖的詳細(xì)描述有利于理解發(fā)明本身及其進(jìn)一步的目的和優(yōu)點。


圖1-3是表示散射條在常規(guī)掩膜中的效果的典型曲線圖。
圖4a-4c表示當(dāng)成像特征的CD寬度變化時，無鉻相光刻(CPL)的典型空間圖像的特性。
圖5表示將CPL特征的空間圖像特性區(qū)分為三個不同的區(qū)域。
圖6表示根據(jù)本發(fā)明的不同的區(qū)域1、2和3的實例。
圖7a-7c表示根據(jù)本發(fā)明的Skunk、Rim和Zebra掩膜布局的實例，以及相應(yīng)的掩膜基體布局。
圖8表示Zebra CD線性特性的典型曲線。
圖9a-9c表示Zebra掩膜布局圖案的典型實施例，及相應(yīng)的圖像特性。
圖10表示使Zebra傾斜偏差對晶片CD的影響最小化。
圖11表示Skunk、Rim和Zebra掩膜布局之間典型的性能比較。
圖12是說明本發(fā)明的方法的典型流程圖。
圖13表示根據(jù)本發(fā)明的用于區(qū)域2分類的典型CPL布局的設(shè)計規(guī)則；圖14表示應(yīng)用本發(fā)明改進(jìn)成像操作的實例。
圖15是應(yīng)用本發(fā)明幫助設(shè)計掩膜時適合使用的光刻投影設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式
在分析CPL掩膜的CD線性彎曲時，考慮到“掩膜偏差增強因數(shù)”(MEEF)是十分有用的。根據(jù)本發(fā)明，對無鉻相移掩膜(如CPL掩膜)的CD線性彎曲可以基本分為三個區(qū)域第1是具有正的MEEF的成像區(qū)域；第2是MEEF近似于零的成像區(qū)域；第3是具有負(fù)的MEEF的成像區(qū)域。普遍認(rèn)為在MEEF近似于零和是負(fù)值時根本無法實現(xiàn)CD線性化。
圖4a-4c示出典型CPL掩膜特征的空間圖像特性，它是0.3強度臨界值的成像CD對特征寬度的曲線。如圖4a所示，例如在圖4b所示的石英掩膜基體16上，成像特征10具有的寬度(即CD)是通過形成的兩個鄰近的相邊12和14進(jìn)行定義。在圖4a實例中使用的特征的間距是300nm。進(jìn)一步，在典型的例子中，類星射電源照度設(shè)置是85外部/55內(nèi)部/30度。
參考圖5，圖中表示空間圖像斜度的三個基本不同“區(qū)域”第1區(qū)域具有正的空間圖像斜度；第2區(qū)域具有近似于零的空間圖像斜度；第3區(qū)域具有負(fù)的空間圖像斜度。第一區(qū)域是具有寬度小的CPL特征的特性，其中兩個相邊相互接近。如圖5所示，在第一區(qū)域，當(dāng)特征的CD增加時，使在晶片上成像的特征的CD也以基本線性方式增加。在第一區(qū)域內(nèi)，兩個接近的相邊互相作用而形成單線條圖案。
第二區(qū)域指定可用兩個相鄰無鉻相邊實現(xiàn)的最大特征尺寸。如圖5所示，在第二區(qū)域，空間圖像的斜度近似于零。這樣，當(dāng)特征寬度連續(xù)增加時，在晶片上成像的特征的寬度不再以線性的方式增加(也就是，盡管特征的寬度變化，而成像特征的寬度基本保持不變)。這是由于在第二區(qū)域內(nèi)，兩個相邊開始失去正確成像所需的相互作用。
在第三區(qū)域中，兩個相邊相互距離太大而使在成像期間不能具有充分的相互作用。因此，如圖5所示，成像特征的寬度不再響應(yīng)所希望的特征的寬度。需注意，當(dāng)圖5中的空間圖像特性響應(yīng)具有固定間距的CPL特征時，由于間距的實際變化將同樣影響產(chǎn)生的CD。因而，當(dāng)如下詳述確定三個“區(qū)域”時，本發(fā)明還考慮到對產(chǎn)生CD在間距上的變化結(jié)果。
如上所述，掩膜偏差增強因數(shù)(MEEF)是印刷保護(hù)層特征CD的變化與相應(yīng)的掩膜特征CD的變化之間的比值。MEEF＝1表示保護(hù)層CD的變化與掩膜CD的變化具有1∶1的比值(即線性響應(yīng))。MEEF＜1表示保護(hù)層CD的改變小于在掩膜CD中的改變量。MEEF＞1表示保護(hù)層CD的改變大于在掩膜CD中的改變量。MEEF＝0表示保護(hù)層CD不響應(yīng)在掩膜特征的CD的變化。通常，為在晶片上進(jìn)行最佳的CD控制，希望MEEF等于或小于1。然而當(dāng)MEEF接近零時，由于不能改變掩膜特征CD以將相應(yīng)的CD印刷到晶片上，這意味著無法實現(xiàn)所希望的晶片CD目標(biāo)。當(dāng)MEEF是負(fù)數(shù)時，這表示印刷的晶片CD將小于掩膜CD。
如前所述，在第一區(qū)域的CD可應(yīng)用CPL技術(shù)在晶片上正確地進(jìn)行復(fù)制，而在第二和第三區(qū)域的CD則不能。更確切地講，對于在第二區(qū)域內(nèi)的特征寬度(即CD)，印刷的特征寬度傾向保持不變，而與掩膜上的特征的CD無關(guān)。其主要原因是空間圖像的斜度近似等于零。在第二區(qū)域的目標(biāo)CD通常小于可用鉻進(jìn)行特征成像的尺寸。此外，零空間圖像斜度使得幾乎無法使用掩膜數(shù)據(jù)偏移對CD進(jìn)行調(diào)整，因此，不可能進(jìn)行光學(xué)近似修正(OPC)。在第三區(qū)域，正掩膜偏移促使負(fù)圖像偏移、因此，很難進(jìn)行OPC。第三區(qū)域還具有工藝窗口非常差的特點。由于第三區(qū)域內(nèi)的掩膜特征尺寸大于某一特定尺寸，而無法形成圖像。
考慮到上述與在較大的特征寬度和間距的范圍保持CD線性化相關(guān)問題，本發(fā)明提供了一種用于在第一、第二和第三區(qū)域保持CD線性化的方法和技術(shù)，以便可在相同的處理條件下，將具有較寬范圍的CD正確地復(fù)制到基體上。
過程的第一個步驟是確定CD應(yīng)屬于第一、第二和第三區(qū)域中的某一區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，定義區(qū)域1包括可使用無鉻相邊(即無鉻)進(jìn)行成像的特征寬度(CD)；區(qū)域2包括的特征寬度太大無法應(yīng)用無鉻技術(shù)(即相鄰相邊)成像和包括特征寬度太小無法應(yīng)用鉻圖案(對于區(qū)域2的這些特征沒有足夠的空間圖像對照)成像；定義區(qū)域3包括的特征寬度足夠大可用鉻進(jìn)行圖案成像。應(yīng)注意，此處對區(qū)的定義無需與圖4c和圖5所示的表現(xiàn)CPL圖像特性的區(qū)域相同。應(yīng)進(jìn)一步注意，區(qū)的定義與成像參數(shù)密切相關(guān)，如曝光波長、數(shù)值孔徑(NA)和照度設(shè)置等。如下所述，可通過模擬、實驗或根據(jù)技術(shù)規(guī)則對不同區(qū)進(jìn)行確定。
一旦根據(jù)CD尺寸定義了三個“區(qū)”，包含在每一“區(qū)”內(nèi)的用于形成圖案特征的掩膜圖案類型被劃分到三個區(qū)中的一個區(qū)域。根據(jù)當(dāng)前實施例，對于區(qū)域1(即最小掩膜CD)，可將區(qū)內(nèi)每個特征用無鉻PSM(或CPL掩膜)進(jìn)行印刷。對于區(qū)域2(即中等CD)，至少可以使用以下經(jīng)過鑒定的四種掩膜圖案方法中的一種方法，四種方法是Zebra、Skunk、Rim或中間色調(diào)邊偏移。對于區(qū)域3(即大CD)，可使用鉻或無相移掩膜圖案。圖6表示根據(jù)本發(fā)明的基于CD尺寸劃分區(qū)域1、2和3的實例。
應(yīng)注意到控制區(qū)域2中CD的線性化是最關(guān)鍵的。對于區(qū)域2包括的特征使用掩膜制作技術(shù)起到調(diào)整局部發(fā)射作用，并在雙光束成像系統(tǒng)(采用無鉻PSM)引入0衍射級。0衍射級可使MEEF“增加”，從近似等于零變?yōu)檎龜?shù)值。
如所述，根據(jù)本發(fā)明，對于劃分到區(qū)域2內(nèi)的CD特征可使用以下四種掩膜圖案的一種成像，它們各稱為Zebra、Skunk、Rim和Halftone Edge Bias。在作為參考的美國專利6,114,071號中有關(guān)于中間色調(diào)邊偏移掩膜類型的討論。
圖7a-7c分別表示Skunk、Rim和Zebra掩膜的典型掩膜布局，和它們相關(guān)的基體布局。如圖7a-7c所示，區(qū)域2內(nèi)的特征70分別使用Skunk、Rim和Zebra掩膜圖案印刷。參考圖7a，Skunk掩膜圖案使用的。策略是開口71位于兩個平行的鉻部分72之間，鉻部分72可以在石英基體的無相移部分75上形成。換句話說，可以在區(qū)域1使用的無鉻特征圖案(如雙相邊)經(jīng)修改以進(jìn)一步包括設(shè)置其上的兩個鉻部分72。可看出，鉻部分72布置在特征的邊緣，并被開口71隔開。如下所述，這些附加的鉻部分72有效地控制了發(fā)射的百分比，從而改進(jìn)了成像操作。參考圖7b，Rim掩膜圖案與Skunk掩膜圖案基本相同，而只是在特征的中心布置了單獨的附加鉻部分72。在Skunk和Rim掩膜圖案中，附加鉻部分72沿與特征70成像相同的軸延伸?，F(xiàn)轉(zhuǎn)到Zebra圖案，如圖7c所示，Zebra的布局使用了多個鉻部分72(即鉻片)，該部分在要成像的無鉻特征圖案上形成。如以下進(jìn)一步的詳細(xì)描述，上述每個掩膜圖案的操作結(jié)果基本相同，而在掩膜生產(chǎn)中Zebra圖案具有顯著的優(yōu)點。要注意到，在Zebra圖案中使用的鉻部分72的形狀是矩形或方形，只是為了舉例說明。很明顯，鉻部分72也可采用其它的形狀。
在上述每一掩膜圖案(如Skunk、Rim和Zebra)中，每個布置在要印刷的無鉻特征頂部的鉻部分72所具有的尺寸可使鉻部分低于分辨率，以便防止鉻部分72作為單獨特征在晶片上成像。
圖8表示Zebra布局的晶片CD與間距之比的CD線性特性的曲線82，條件如下普通DUV/ArF(193nm)/4x和NA＝0.75、環(huán)紋(0.92，0.72)。如曲線82所示，本發(fā)明使用無鉻相技術(shù)顯著改善了透過與掩膜有關(guān)的間距的CD線性操作。圖8還描述了鉻(二元掩膜)的曲線84。這樣，通過使用印刷區(qū)域2內(nèi)CD的經(jīng)修改的掩膜圖案(如Zebra)，明顯地改善了CD的線性化。
圖9a表示用于印刷區(qū)域2內(nèi)CD特征的典型Zebra圖案，圖9b表示標(biāo)線片的模擬圖像操作，圖9c表示在晶片上的模擬圖像操作。如圖9a所示，方形鉻片91布置在無鉻線條圖案93的上方。在晶片上產(chǎn)生的圖像表現(xiàn)出Zebra類型掩膜圖案可產(chǎn)生輪廓清晰沒有齒狀及其它不連續(xù)的缺陷的性能良好的空間圖案。應(yīng)注意，在給出實例的模擬操作中使用ASML/800KrF，0.80NA，QUASAR，具有90nm目標(biāo)CD和260nm間距。
圖10表示在晶片CD上Zebra掩膜布局中使用的鉻片中對偏差測量的結(jié)果。確切地，曲線表示測量的保護(hù)層晶片CD(沿Y軸)與鉻片尺寸(從左側(cè)-120nm到右側(cè)+120nm)(沿X軸)的關(guān)系。如圖10所示，當(dāng)鉻片在-40nm與+120nm之間變化時，產(chǎn)生的保護(hù)層CD沒有較大改變。這說明鉻片在要成像的無鉻特征上的具體位置不是關(guān)鍵因素。在所給實例中，160nm的偏移變化導(dǎo)致在保護(hù)層晶片上產(chǎn)生2nm的CD偏差。因此，Zebra掩膜布局明顯地有利于掩膜生產(chǎn)及成像工藝。應(yīng)注意獲得圖10的曲線使用了具有0.80NA，87/.57，30度QUASAR的ASML PAS 5500/800。
用于區(qū)域2內(nèi)的特征成像的這三種技術(shù)(即Zebra、Skunk、Rim)均使用兩個掩膜寫入步驟。第一個步驟是關(guān)鍵的掩膜寫入步驟，作用是根據(jù)將成像的特征形成無鉻相移圖案(也就是，第一掩膜寫入步驟定義相邊)。第二掩膜寫入步驟定義所希望的鉻片以分別形成Zebra、Skunk或Pim圖案。當(dāng)執(zhí)行第二掩膜寫入步驟時，Skunk和Rim技術(shù)均需要與第一寫入步驟精確覆蓋。這是因為鉻的位置偏移將導(dǎo)致空間圖像形心的偏移，從而產(chǎn)生線條位置錯誤。因此，在第二掩膜寫入步驟中，未對準(zhǔn)問題會顯著地降低Skunk和Rim技術(shù)的有效性(例如如果鉻部分不能正確地放置在無鉻特征上)。然而與此相反，Zebra技術(shù)對于覆蓋錯誤(即未對準(zhǔn))提供較大的允差。其原因是鉻片在Zebra中可“自對準(zhǔn)”。因而，Zebra技術(shù)的對準(zhǔn)問題最小。
在Zebra的一個實施例中，最初形成鉻片以便相對于將印刷的無鉻特征垂直方向延伸，并且最好為“超大尺寸”。除了上述簡化生產(chǎn)過程之外，還可很好地控制發(fā)射百分比以及對發(fā)射進(jìn)行調(diào)整，以便優(yōu)化成像操作。甚至，通過在將印刷的特征上改變鉻片之間的間距，方便地進(jìn)行發(fā)射控制。這是因為鉻特征相對于將要印刷的無鉻特征的垂直方向延伸而實現(xiàn)的。因而，通過隨著在基體上沉淀鉻增加鉻片的寬度，可以在給定的CPL特征上減小鉻片之間的間距。還可選擇，通過減小沉淀鉻的寬度(即與特征縱軸垂直延伸的方向)，增加在給定特征上鉻片之間的間距。這樣，可方便地對Zebra處理的圖案進(jìn)行調(diào)整，以便控制發(fā)射百分比，而不產(chǎn)生任何對準(zhǔn)問題。
另外，應(yīng)考慮到與掩膜布局的數(shù)據(jù)量有關(guān)的問題。對這四種類型的掩膜方法進(jìn)行比較，Skunk和Rim均具有數(shù)據(jù)量小的特點，而Zebra和中間色邊偏移由于其圖像形成的特性具有掩膜數(shù)據(jù)量大的特點。然而，由于對區(qū)域2解決方案中僅需要使用全芯片圖案的很小部分，所以Zebra和中間色邊偏移所使用的數(shù)據(jù)量一般是可以接受的。
圖11a和11b以示圖比較的方式表示對Skunk、Rim和Zebra布局的性能進(jìn)行比較，以及每一布局的Dose Profile曲線。如圖11a和11b所示，對于Skunk、Rim和Zebra布局在圖像上區(qū)別不大。
圖12是表示本發(fā)明的一般方法的典型流程圖。在第一步驟(步驟120)是為獲取在晶片上成像的所希望的掩膜圖像。這些掩膜數(shù)據(jù)可以是GDS格式或其它適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)格式。在下一個步驟(步驟122)是為了確定區(qū)域1、2和3的分割點。在本實施例中，區(qū)域是根據(jù)將要印刷的特征的CD進(jìn)行定義的。如上所述，區(qū)域1、2和3可以根據(jù)在晶片成像所使用的給定處理條件和工具有所改變。一種定義區(qū)域的方法是使用所希望的條件進(jìn)行模擬，以便確定空間圖像的特性和與特征寬度有關(guān)的給定工藝的MEEF。之后，“區(qū)域”可容易地進(jìn)行區(qū)分，例如，根據(jù)如參照圖5所述的CPL特征的空間圖像的斜度?！皡^(qū)域”一經(jīng)定義，根據(jù)其CD(步驟124)每個特征(即幾何特征)便被指定到給定的區(qū)域(即區(qū)域1、2或3)。隨后，(步驟126)對每個確定為區(qū)域2的幾何特征用上述區(qū)域2的圖案處理方法之一進(jìn)行處理。在最佳實施例中，采用了Zebra圖案處理。下一個步驟負(fù)責(zé)產(chǎn)生第一掩膜圖案，該圖案包括每個在區(qū)域1和2中的特征的無鉻相元件(步驟128)，再產(chǎn)生第二掩膜圖案，該圖案包括每個在區(qū)域2和3中的特征的鉻元件(步驟130)。而后，為了在晶片上形成所希望的圖像，第一掩膜圖案和第二掩膜圖案在不同的成像步驟進(jìn)行成像。
應(yīng)注意，上述流程圖僅是本發(fā)明方法的概述。讀者需理解，在上述方法中可包括另外的步驟。例如，還可在掩膜設(shè)計中應(yīng)用其它OPC技術(shù)(如散射條OPC)。在散射條的情況下，這些應(yīng)包含在具有鉻特征的第二掩膜圖案中。當(dāng)然，附加OPC技術(shù)還可與本發(fā)明的上述方法相結(jié)合。另外，可使用各種照明如偏軸照明，進(jìn)一步改進(jìn)成像工藝。
應(yīng)進(jìn)一步注意，應(yīng)使用基于用于識別和劃分區(qū)域2的方法的模型以及區(qū)域2內(nèi)的特征來實現(xiàn)上述方法。此方法應(yīng)遵循圖12所闡明的過程。
例如，根據(jù)本發(fā)明，可根據(jù)尺寸劃分區(qū)域2的模型。這一模型的實現(xiàn)可以是在分離區(qū)域3特征后，通過使用一個模型以便根據(jù)特征尺寸對區(qū)域1或區(qū)域2的特征進(jìn)行識別，來預(yù)測掩膜特征CD。大于預(yù)定值X的特征屬于區(qū)域2的特征，而小于或等于X的特征屬于區(qū)域1的特征。“X”表示某一掩膜尺寸。數(shù)值X可通過數(shù)值孔徑(NA)和用于曝光的曝光波長(WL)加以確定。例如，這一關(guān)系可以描述為X～(WL/NA)。WL較小而NA較大使X變小。然而，X的精確值主要由經(jīng)驗確定。
進(jìn)一步，區(qū)域2的模型劃分可根據(jù)偏移方向進(jìn)行。這一過程的實現(xiàn)可以是在分離區(qū)域3特征后，通過使用一個模型以便根據(jù)特征偏移對區(qū)域1或區(qū)域2的特征進(jìn)行識別，來預(yù)測掩膜特征。偏移是正數(shù)的特征屬于區(qū)域2特征，而偏移等于零或是負(fù)數(shù)的特征屬于區(qū)域1特征。
另外，區(qū)域2的模型劃分可根據(jù)MEEF進(jìn)行。這一過程的實現(xiàn)可以是在分離區(qū)域3特征后，通過使用一個模型以便根據(jù)模擬MEEF對區(qū)域1或區(qū)域2的特征進(jìn)行識別，來預(yù)測掩膜特征CD。MEEF大于1.5或小于0.8的特征屬于區(qū)域2特征，而MEEF在1.5與0.8之間的特征屬于區(qū)域1特征。
還可使用基于規(guī)則的方法識別和劃分區(qū)域2。概括來講，基于規(guī)則的方法包括的步驟有(1)根據(jù)線條和空間尺寸對每一區(qū)域(區(qū)域1、2和3)進(jìn)行定義，可根據(jù)模擬或?qū)嶒灲Y(jié)果確定；(2)根據(jù)特征寬度提取屬于區(qū)域1的特征(這些特征可無鉻形成)；(3)根據(jù)特征寬度提取屬于區(qū)域2的特征，并對這些特征進(jìn)行修改以包括區(qū)域2圖案處理(最好采用Zebra)；(4)提取屬于區(qū)域3的特征，并使用鉻形成這些特征的圖案；和(5)將相圖案(區(qū)域1和2特征)與鉻圖案(區(qū)域2和3特征)分為兩個分離的掩膜圖案。如使用上述通常的方法，可對基于規(guī)則的方法作出修改以包括各種其它OPC技術(shù)。
圖13以圖表方式表示劃分區(qū)域2的CPL布局設(shè)計規(guī)則。如圖13所示，超過預(yù)定寬度的使用二元圖案，特征之間超過預(yù)定間隙的增加SB。此外，具有預(yù)定線條寬度帶的，設(shè)計規(guī)則要求Att-PSM或鉻中間色(HT)，低于此帶寬的，設(shè)計規(guī)則要求CPL線OPC。設(shè)計規(guī)則還要求CPL1∶1負(fù)荷比圖案在水平區(qū)域向上到Att-PSM或鉻HT帶中，CPL溝槽圖案在低于Att-PSM或鉻HT帶的三角形區(qū)域內(nèi)，Cr HT圖案在低于CPL溝槽圖案區(qū)域的臺階狀三角形區(qū)域，SB的ISO圖案在超過預(yù)定間隙的垂直矩形區(qū)域。
圖14表示通過使用本發(fā)明使成像操作改進(jìn)的實例。參考圖14，寬度等于或小于90nm的特征被認(rèn)為屬于區(qū)域1。如圖所示，區(qū)域1內(nèi)的特征使用相鄰相邊印刷(即無鉻特征)。寬度在90到130nm的特征屬于區(qū)域2。區(qū)域2內(nèi)的特征經(jīng)過修改以包括Zebra圖案處理。如所示，使用鉻片改進(jìn)了成像操作。寬度大于130nm的特征屬于區(qū)域3，并采用鉻印刷。如所示，如不采用鉻，區(qū)域3的特征將不能在晶片上成像。因而，圖14表示了根據(jù)本發(fā)明如何在區(qū)域2和3中使用鉻，當(dāng)設(shè)計中特征的寬度變化時提供對保持CD線性化的控制。
要注意，如以上的討論，用于產(chǎn)生第一和第二掩膜的本發(fā)明的上述過程是一個應(yīng)用掩膜生成軟件的CAD系統(tǒng)的典型工作。如ASML Mask Tools發(fā)售的Mask WeaverTM軟件。這一CAD系統(tǒng)和掩膜設(shè)計軟件可以方便地編程以包括本發(fā)明的過程。
圖15是應(yīng)用本發(fā)明幫助設(shè)計掩膜時適合使用的光刻投影設(shè)備的示意圖。設(shè)備包括-射線系統(tǒng)Ex、IL，用于提供射線的投影光束PB。在此具體實例中，射線系統(tǒng)還包括了射線源LA；-第一目標(biāo)平臺(掩膜平臺)MT具有用于固定掩膜MA的固定裝置(如標(biāo)線片)，并與第一定位裝置連接以使掩膜與PL正確定位；-第二目標(biāo)平臺(基體平臺)WT具有用于固定基體W(如保護(hù)涂層硅晶片)的基體固定裝置，并與第二定位裝置連接以使基體與PL正確定位；-投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(如折射、反射或折射及反射光學(xué)系統(tǒng))，用于將掩膜MA的被照射部分在基體W的目標(biāo)部分(如包括一個或更多的芯片)成像。
如在此所述，設(shè)備是可透射型(即具有可透射掩膜)。然而，通常還可以是反射型，例如(用反射掩膜)。還可選擇的是，設(shè)備使用另外類型的圖像生成裝置以代替使用掩膜；這樣的實例包括可編程鏡像陣列或LCD矩陣。
射線源LA(如汞燈、受激準(zhǔn)分子激光器或等離子放電源)產(chǎn)生射線光束。此光束饋入照明系統(tǒng)(照明器)IL，光束可直接饋入或經(jīng)過調(diào)節(jié)裝置后饋入，例如光束擴展器Ex。照明器IL可包括用于設(shè)置光束中外部和/或內(nèi)部射線強度(通常分別稱作σ-外部和σ-內(nèi)部)的分布。另外通常還包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。這樣，照射到掩膜MA上的光束PB在其橫斷面上具有希望的均勻性和強度分布。
關(guān)于圖15應(yīng)注意，射線源LA可位于光刻投影設(shè)備的機殼內(nèi)(例如通常當(dāng)射線源LA是汞燈的情況)，但也可遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備，所產(chǎn)生的射線光束導(dǎo)入該設(shè)備(如在適當(dāng)?shù)膶?dǎo)向鏡輔助下)；后者方案通常是在當(dāng)射線源LA是受激準(zhǔn)分子激光器(如基于KrF、ArF或F2的激光發(fā)射)。本發(fā)明包括這兩種方案。
光束PB隨后截取固定在掩膜平臺MT上的掩膜MA。當(dāng)光束PB透過掩膜MA后通過鏡頭PL，PL將光束聚焦到基體W的目標(biāo)部分。在第二定位裝置(和干涉儀測量裝置IF)的輔助下，基體平臺WT可精確移動，例如以便在光束PB的光路中為不同的目標(biāo)部分C定位。相似地，可使用第一定位裝置使掩膜MA與光束PB的光路精確地定位，例如在從掩膜庫中自動獲取掩膜MA后，或掃描期間。通常，當(dāng)基體平臺MT移動，在長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精細(xì)定位)的輔助下實現(xiàn)WT，圖15中沒有明確表示上述模塊。然而，在晶片步進(jìn)機(作為與步進(jìn)-掃描設(shè)備的對照)的實例中，掩膜平臺MT只是與短行程致動器連接或是被固定。
所描述的設(shè)備可在兩種不同模式下使用-在步進(jìn)模式，基體平臺MT基本保持靜止，整個掩膜圖像在目標(biāo)部分C上進(jìn)行一次投影(即一次“閃光”)。然后基體平臺WT沿x和/或y方向移位，以便可以使光束PB照射不同的目標(biāo)部分C。
-在掃描模式，情況基本相同，除了給定的目標(biāo)部分C不進(jìn)行一次“閃光”曝光，作為替代，掩膜平臺MT可以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方法”，如y方向)移動，以便使投影光束PB對掩膜圖像進(jìn)行掃描；同時，基體平臺WT沿相同或相反方向以速度V＝Mv移動，其中M是鏡頭PL的放大倍數(shù)(有代表性的，M＝1/4或1/5)。以此方式，可以對相對較大的目標(biāo)部分C進(jìn)行曝光，而無需在分辨率上作出調(diào)整。
如上所述，本發(fā)明的方法顯著優(yōu)于原有技術(shù)。例如，當(dāng)給定的掩膜圖案中的特征的CD和間距不同時，本發(fā)明為定義和保持有關(guān)CD印刷的“線性”性能，提供了簡單和系統(tǒng)的方法。
雖然對本發(fā)明的某些實施例進(jìn)行了明確地描述，但應(yīng)理解其它的實施方式均沒有脫離本發(fā)明的精神和特征。因此所有實施例應(yīng)認(rèn)為是說明性的，而決非是對發(fā)明作出限制，發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書定義，因而與權(quán)利要求書等效的意義及范圍內(nèi)的所有改變均沒有脫離其范圍。
權(quán)利要求
1.一種產(chǎn)生用于印刷圖案的掩膜的方法，該圖案包括多個具有不同關(guān)鍵尺寸的特征，所述方法包括的步驟有獲得描繪所述圖案的數(shù)據(jù)；根據(jù)所述多個特征的關(guān)鍵尺寸，定義多個不同區(qū)域；對每一所述特征分類，并劃分到所述多個不同區(qū)域中的一個區(qū)域；和對每一分類劃分到所述多個不同區(qū)域的預(yù)定不同區(qū)域的特征，進(jìn)行對所述掩膜圖案的修改。
2.如權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生掩膜的方法，其中所述多個不同區(qū)域包括第一區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸小于或等于第一預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)成像；第二區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第一預(yù)定值并小于第二預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)與鉻相結(jié)合的方法成像；和第三區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第二預(yù)定值，可以對其特征使用鉻成像。
3.如權(quán)利要求2所述的產(chǎn)生掩膜的方法，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征用蝕刻到所述晶片上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
4.如權(quán)利要求2所述的產(chǎn)生掩膜的方法，其中在所述第二區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征采用在基體上表面的鄰近相邊之間布置鉻片，用作為蝕刻到所述基體上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
5.如權(quán)利要求4所述的產(chǎn)生掩膜的方法，其中所述鉻片起到控制入射到所述掩膜的光源發(fā)射百分比的作用。
6.如權(quán)利要求2所述的產(chǎn)生掩膜的方法，進(jìn)一步包括以下步驟對所述第一區(qū)域內(nèi)特征和所述第二區(qū)域內(nèi)特征的無鉻相元件進(jìn)行編譯，產(chǎn)生用于使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)的無鉻相元件成像的第一掩膜，對所述第二區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件和所述第三區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件進(jìn)行編譯，產(chǎn)生用于使所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域內(nèi)的鉻元件成像的第二掩膜。
7.一種產(chǎn)生用于印刷圖案的掩膜的設(shè)備，該圖案包括多個具有不同關(guān)鍵尺寸的特征，所述設(shè)備包括用于獲得描繪所述圖案的數(shù)據(jù)的裝置；用于根據(jù)所述多個特征的關(guān)鍵尺寸定義多個不同區(qū)域的裝置；用于對每一所述特征分類，并劃分到所述多個不同區(qū)域的一個區(qū)域中的裝置；和用于對每一分類劃分到所述多個不同區(qū)域的預(yù)定不同區(qū)域的特征，進(jìn)行對所述掩膜圖案的修改的裝置。
8.如權(quán)利要求7所述的用于產(chǎn)生掩膜的設(shè)備，其中所述多個不同區(qū)域包括第一區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸小于或等于第一預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)成像；第二區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第一預(yù)定值并小于第二預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)與鉻相結(jié)合的方法成像；和第三區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第二預(yù)定值，可以對其特征使用鉻成像。
9.如權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生掩膜的設(shè)備，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征用蝕刻到所述晶片上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
10.如權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生掩膜的設(shè)備，其中在所述第二區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征采用在基體上表面的鄰近相邊之間布置鉻片，用作為蝕刻到所述基體上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
11.如權(quán)利要求10所述的產(chǎn)生掩膜的設(shè)備，其中所述鉻片起到控制入射到所述掩膜的光源發(fā)射百分比的作用。
12.如權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生掩膜的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于對所述第一區(qū)域內(nèi)特征和所述第二區(qū)域內(nèi)特征的無鉻相元件進(jìn)行編譯的裝置，用于產(chǎn)生用于使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)的無鉻相元件成像的第一掩膜的裝置，用于對所述第二區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件和所述第三區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件進(jìn)行編譯的裝置，用于產(chǎn)生用于使所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域內(nèi)的鉻元件成像的第二掩膜的裝置。
13.一種用于控制計算機的計算機程序產(chǎn)品，該程序產(chǎn)品包括計算機可讀的記錄介質(zhì)和在記錄介質(zhì)上寫入記錄的裝置，該裝置用于使計算機根據(jù)掩膜的將要印刷的具有不同關(guān)鍵尺寸的多個特征的圖案產(chǎn)生文件，所述產(chǎn)生所述文件的步驟有獲得描繪所述圖案的數(shù)據(jù)；根據(jù)所述多個特征的關(guān)鍵尺寸，定義多個不同區(qū)域；對每一所述特征分類，并劃分到所述多個不同區(qū)域的一個區(qū)域中；和對每一分類劃分到所述多個不同區(qū)域的預(yù)定不同區(qū)域的特征，進(jìn)行對所述掩膜圖案的修改。
14.如權(quán)利要求13所述的計算機程序產(chǎn)品，其中所述多個不同區(qū)域包括第一區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸小于或等于第一預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)成像；第二區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第一預(yù)定值并小于第二預(yù)定值，可以對其特征使用無鉻相光刻技術(shù)與鉻相結(jié)合的方法成像；和第三區(qū)域，其內(nèi)的特征的關(guān)鍵尺寸大于所述第二預(yù)定值，可以對其使用鉻成像。
15.如權(quán)利要求14所述的計算機程序產(chǎn)品，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征用蝕刻到所述晶片上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
16.如權(quán)利要求14所述的計算機程序產(chǎn)品，其中在所述第二區(qū)域內(nèi)的至少一個所述特征采用在基體上表面的鄰近相邊之間布置鉻片，用作為蝕刻到所述基體上的所述鄰近相邊的掩膜來實現(xiàn)。
17.如權(quán)利要求16所述的計算機程序產(chǎn)品，其中所述鉻片起到控制入射到所述掩膜的光源發(fā)射百分比的作用。
18.如權(quán)利要求14所述的計算機程序產(chǎn)品，所述產(chǎn)生文件進(jìn)一步包括以下步驟對所述第一區(qū)域內(nèi)特征和所述第二區(qū)域內(nèi)特征的無鉻相元件進(jìn)行編譯，產(chǎn)生用于使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)的無鉻相元件成像的第一掩膜，對所述第二區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件和所述第三區(qū)域內(nèi)特征的鉻元件進(jìn)行編譯，產(chǎn)生用于使所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域內(nèi)的鉻元件成像的第二掩膜。
全文摘要
一種產(chǎn)生用于印刷圖案的掩膜的方法，該圖案包括多個具有不同關(guān)鍵尺寸的特征。該方法包括的步驟有(1)獲得描繪圖案的數(shù)據(jù)；(2)根據(jù)多個特征的關(guān)鍵尺寸，定義多個不同區(qū)域；(3)對每一特征分類，并劃分到多個不同區(qū)域中的一個區(qū)域；和(4)對每一分類劃分到多個不同區(qū)域的預(yù)定不同區(qū)域的特征，進(jìn)行對掩膜圖案的修改。
文檔編號G03F1/00GK1495521SQ0316484
公開日2004年5月12日 申請日期2003年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月11日
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