專利名稱：帶電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)印機(jī)、打印機(jī)以及傳真機(jī)等電子照相方式的圖像形成裝置中的帶電裝置。
背景技術(shù)：
在復(fù)印機(jī)、打印機(jī)以及傳真機(jī)等電子照相方式的圖像形成裝置之中，作為靜電潛像形成方法，通常在感光體上配置電暈帶電器等，使整個(gè)感光體全表面均勻帶電之后，采用激光曝光裝置等對(duì)應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)照射光，形成靜電潛像。
由于上述現(xiàn)有的圖像形成裝置需要在感光體附近配置各自獨(dú)立的用于帶電工序的部件和用于曝光工序的部件，因而很難使裝置小型化。因而，提出使帶電工序與曝光工序一體化的嘗試。例如，在“第3回NIP(′86)5-4NTT”中即公開出一種離子流記錄方式。這是一種通過控制電極對(duì)每一像素單位控制由電暈放電產(chǎn)生的離子流，在潛像載體上直接寫入靜電潛像的方式。
然而，由于電暈放電利用的是高電場(chǎng)下的電場(chǎng)雪崩現(xiàn)象，是在所謂放電區(qū)域內(nèi)使用的，因而作為放電生成物產(chǎn)生臭氧。例如，通常用線電極放電的情況下，由于放電電流(Id)無法得到穩(wěn)定的持續(xù)放電，因而在線電極附近設(shè)置屏蔽罩，通過在屏蔽罩流過大電流來謀求其穩(wěn)定化。這種情況下，會(huì)產(chǎn)生大量的上述臭氧。因而，在利用此種電暈放電的方式之中，雖然可實(shí)現(xiàn)裝置的小型化，但無法去除因臭氧造成的環(huán)境污染問題，難以實(shí)用化。
本發(fā)明正是鑒于上述問題而提出來的，其目的在于，提供一種不存在因臭氧引起環(huán)境污染問題的帶電裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的帶電裝置，用于在潛像載體上形成靜電潛像后用顯影劑把圖像顯影的顯影裝置；其特征在于具備照射光的光照射裝置，和通過接受從上述光照射裝置照射的光，以光電效應(yīng)釋放出電子，使上述潛像載體帶電的電子釋放部。
若采用上述構(gòu)成，電子釋放部利用光電效應(yīng)使上述潛像載體帶電。因此，可不必為了使?jié)撓褫d體帶電而使用電暈放電。因此不會(huì)產(chǎn)生臭氧引起的環(huán)境污染問題即可很好進(jìn)行帶電處理。
本發(fā)明的其它目的，特征以及優(yōu)點(diǎn)通過下文介紹定會(huì)十分清楚。此外，本發(fā)明的好處，通過參照附圖的下文中的說明定會(huì)明白。


圖1是表示本發(fā)明涉及的帶電裝置之一構(gòu)成例的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明涉及的帶電裝置的另一構(gòu)成例的剖視圖。
圖3是表示與金屬膜的透光率對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)膜的帶電特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面進(jìn)一步詳細(xì)介紹本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些說明的限制。
首先，介紹本實(shí)施方式中的概念。本構(gòu)成可提供一種使帶電工序與曝光工序一體化的，不產(chǎn)生臭氧的小型結(jié)構(gòu)體，還可有效降低生產(chǎn)成本。其基本原理如下所述。
(1)利用可把光能轉(zhuǎn)換為電能的所謂光電效應(yīng)，釋放出電子使?jié)撓褫d體帶電。
(2)為了以像素單位控制電子軸射，以像素單位開關(guān)控制照射光。
(3)利用電場(chǎng)雪崩現(xiàn)象，使由光電效應(yīng)釋放出的電子加速。
帶電裝置由光源和液晶快門、非線性光學(xué)元件、光電元件的層迭結(jié)構(gòu)體構(gòu)成。下面介紹在潛像載體上形成靜電潛像的過程。
(1)由光源射出波長(zhǎng)λ(nm)的光，該光從帶電裝置的液晶快門一側(cè)平均照射。
(2)照射的波長(zhǎng)λ的光按照待轉(zhuǎn)印到記錄材料上的輸入的圖像數(shù)據(jù)，通過分割為像素單位的液晶快門的開關(guān)動(dòng)作，選擇性地透過。
(3)透過液晶快門的波長(zhǎng)λ的光，通過非線性光學(xué)元件將其波長(zhǎng)變換為λ/n。
(4)用經(jīng)過上述變換的波長(zhǎng)為λ/n(nm)的光照射功函數(shù)W的光電元件后，則利用光電效應(yīng)從光電元件中釋放出電子。
(5)為了增加從光電元件釋放出的電子的釋放量，利用電場(chǎng)雪崩現(xiàn)象(電場(chǎng)雪崩效應(yīng))放大釋放出的電子，獲得具有所需表面電荷密度的靜電潛像。電場(chǎng)雪崩現(xiàn)象是通過由施加電偏壓等而加速的電子與空氣中的各種分子碰撞，其分子離子化的現(xiàn)象。其結(jié)果是，由該分子產(chǎn)生的離子及電子可與由光電元件釋放出的電子一樣，起到使?jié)撓褫d體帶電的作用。
尤其是，作為用于高速印字的構(gòu)成，可舉出下述實(shí)例?？扉T部若使用液晶快門，其應(yīng)答速度可高速化到數(shù)μ秒，可望實(shí)現(xiàn)寫入速度的高速化，從而實(shí)現(xiàn)高速印字。作為液晶快門，可采用公知的構(gòu)成。
此外，為了通過形成均勻的電場(chǎng)使電子增加，在波長(zhǎng)變換部和電子釋放部之間形成透過λ/n的波長(zhǎng)的光的透明導(dǎo)電膜，把該透明導(dǎo)電膜用作施加電場(chǎng)時(shí)的電極。
尤其是，作為用來進(jìn)行波長(zhǎng)無變化的穩(wěn)定的波長(zhǎng)變換的構(gòu)成，可采用下述構(gòu)成。由于波長(zhǎng)變換部可通過使用非線性光學(xué)元件獲得波長(zhǎng)無變化的高次諧波，因而可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化。
尤其是，在帶電裝置的層迭結(jié)構(gòu)之中，作為電子釋放部的最佳材料，可列舉下述構(gòu)成。構(gòu)成電子釋放部的薄膜金屬采用當(dāng)設(shè)其功函數(shù)為W(ev)，設(shè)照射裝置的波長(zhǎng)為λ(nm)，設(shè)波長(zhǎng)變換器的變換率為1/n時(shí)，可滿足W＜n×1254/λ的材料。
下面介紹更為具體的構(gòu)成實(shí)例。圖1示出本帶電裝置10的構(gòu)成。如該圖所示，在寫入靜電潛像的潛像載體表面上形成電介質(zhì)膜8。電介質(zhì)膜8在潛像載體的表面上層迭鋁基材料82，在其上面，作為可從光源1一側(cè)觀察到的層，通過壓延制膜形成聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜81。該電介質(zhì)膜8以V＝50mm/s的移動(dòng)速度，相對(duì)于作為電子釋放部的金屬膜6平行移動(dòng)。
在該電介質(zhì)膜8的上方附近，相鄰配置了用來在該電介質(zhì)膜8上寫入靜電潛像的帶電裝置10。
帶電裝置10包括作為光照射裝置的光源1、用來會(huì)聚光源1的光線的反射器2、以及帶電裝置。此處的光源1的波長(zhǎng)λ定為508nm，照射強(qiáng)度定為10mW/cm2。帶電裝置由靠近光源1一側(cè)，依次層迭了作為快門部的液晶快門3，作為光波長(zhǎng)變換裝置(波長(zhǎng)變換部)的非線性光學(xué)元件4、作為電子釋放部的金屬膜6。
液晶快門3由基板31和液晶元件32構(gòu)成，在該例中具有400dpi的像素解像度。
配置在液晶快門件3上的非線性光學(xué)元件4使用了可產(chǎn)生第2高次諧波的元件。因而可把通過了液晶快門件3的波長(zhǎng)λ的光波長(zhǎng)變換為1/2，即λ/2。例如，上述λ＝508nm的情況下，可變換為508/2＝254nm。而當(dāng)作為光源1的波長(zhǎng)能夠利用短波長(zhǎng)的情況下，也可以不使用非線性光學(xué)元件4。
配置在非線性光學(xué)元件4上的金屬膜6(此處使用的是金)，其功函數(shù)W＝4.6eV，形成透射率為60％的膜。在此處，當(dāng)W＜n×1254/λ的關(guān)系成立時(shí)，即可產(chǎn)生光電效應(yīng)，釋放出電子。n為1以上的整數(shù)。在本例中為W＜2×1254/508，上述關(guān)系成立。
此外，作為用來使電子釋放部釋放出的電子加速，以及利用電場(chǎng)雪崩現(xiàn)象增加的電偏置裝置，此設(shè)作為電子釋放部的金屬膜6和電介質(zhì)膜8的間隙g為100μm，在金屬膜6和電介質(zhì)膜8的鋁基材料82之間施加-600v作為直流電流E的電壓。圖中的e為釋放出的電子。這時(shí)，正如后述的圖3所示，電介質(zhì)膜8產(chǎn)生-500V作為帶電電位。
也可把上述圖1的構(gòu)成變形，使之成為圖2所示構(gòu)成。也就是說，在上述構(gòu)成之中，使透明導(dǎo)電膜5層迭在非線性光學(xué)元件4與金屬膜6之間。在此處，作為透明導(dǎo)電膜5，例如可使用Ga2O3。在圖1的構(gòu)成之中，作為電子釋放部的金屬膜6示出透射率為60％的電子釋放量的最大值，但如果透射率超過此值，電子釋放量反而會(huì)極端地低下。圖3示出通過試驗(yàn)調(diào)查該情況的結(jié)果。圖3示出帶電特性，也就是與金屬膜6的光透射率相對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)膜8的帶電電位。圖中的黑點(diǎn)A為采用圖1構(gòu)成的結(jié)果，白圈B表示采用圖2構(gòu)成的結(jié)果。
如上所示，透射率一超出規(guī)定值(這里為60％)，電子釋放量極端地低下的原因可能是下述各點(diǎn)。也就是說，作為用于使電子釋放部射出的電子增加的電偏置裝置，在圖1的例中，把金屬膜6和電介質(zhì)膜8的間隙g設(shè)定為100μm，在金屬膜6和電介質(zhì)膜8的鋁基材料82間施加了E＝-600V的直流電壓。但是，當(dāng)金屬膜6的透射率一超出某個(gè)值(此處為60％)，即金屬膜6變?yōu)槌薅鹊谋?，其結(jié)果是使金屬膜6的導(dǎo)通變得不均勻。因而無法形成均勻的電場(chǎng)，正因如此，電介質(zhì)膜8的帶電電位無法上升到所需要的值。而在此處圖3的曲線圖中，則是把朝下前進(jìn)表現(xiàn)為“電位上升”。
與之相對(duì)應(yīng)，在圖2的構(gòu)成例中，作為電偏置裝置的電極，并非只使用金屬膜6，而是在此處層迭了透明導(dǎo)電膜5，并將此作為電極使用。這樣一來，即使使用透射率極高的金屬膜6，例如透射率為90％的金屬膜6，也可很好地提高電介質(zhì)膜8的帶電電位。結(jié)果是，可獲得更大的電子釋放量，可進(jìn)行更高速度的印字。
如上所述，在該構(gòu)成之中，通過與圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)，由對(duì)像素單位可以進(jìn)行開關(guān)控制的快門部選擇性透過從光照射裝置全面照射的光的同時(shí)，通過波長(zhǎng)變換部把選擇透過的光變換為特定的波長(zhǎng)后，照射電子釋放部，使自身的電子感應(yīng)后，釋放出該電子，直接在潛像載體上形成靜電潛像。這樣一來，即可使帶電工序與曝光工序一體化，提供一種由不發(fā)生臭氧的小型結(jié)構(gòu)件構(gòu)成的靜電潛像生成裝置，進(jìn)而提供顯影裝置，還可降低其生產(chǎn)成本。
下面作為上述圖1或圖2所示構(gòu)成的變形例，還可在帶電裝置10或11的旁邊，電介質(zhì)膜8的移動(dòng)路徑的中下游一側(cè)，設(shè)置照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光的未圖示的光源(數(shù)據(jù)光照射裝置)。此種情況下，液晶快門件3與圖像數(shù)據(jù)無關(guān)地處于常開狀態(tài)，來自作為帶電裝置10或11中的光照射裝置的光源1的光均勻地照射到金屬膜6上，因而與之對(duì)應(yīng)的電介質(zhì)膜8也可均勻地帶電。然后，移動(dòng)電介質(zhì)膜8，通過上述數(shù)據(jù)光照射裝置，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行曝光，能夠形成與圖像數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的靜電潛像。這樣也可提供不發(fā)生臭氧的帶電裝置。這種情況下，還可省去液晶快門件3。但在上述情況下，電介質(zhì)膜8需具有感光性。要想采用上述數(shù)據(jù)光照射裝置，按圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行曝光，例如可設(shè)定為用數(shù)據(jù)光照射用的未圖示的光源均勻地照射光，在該光源與電介質(zhì)膜8的曝光部位之間配置具有與圖1及圖2的例中所用的功能相同的液晶快門件。并且只要用該液晶快門件，按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)，控制光的透過即可。
本發(fā)明是用于電子照相裝置，直接在潛像載體上形成靜電潛像的帶電裝置，也可采用下述構(gòu)成具有光照射裝置；用來開關(guān)控制由光照射裝置全面照射的光的透過的快門部；用來改變透過上述快門部的光波長(zhǎng)的波長(zhǎng)變換部；通過接受由上述波長(zhǎng)變換部變換了波長(zhǎng)的光的照射，使自身電子感應(yīng)并釋放該電子的電子釋放部，具備依次層迭了快門部、波長(zhǎng)變換部、電子釋放部的帶電裝置；以及用來使上述電子釋放部釋放出的電子增加的電偏置裝置。
此外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的帶電裝置之中，也可采用下述構(gòu)成上述快門部是以像素單位構(gòu)成的液晶快門元件。
此外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的帶電裝置之中，也可采用下述構(gòu)成波長(zhǎng)變換部是非線性光學(xué)元件。
此外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的帶電裝置之中，也可采用下述構(gòu)成電子釋放部為金屬膜，當(dāng)設(shè)其功函數(shù)為W(eV)，設(shè)照射裝置的波長(zhǎng)為λ(nm)，設(shè)波長(zhǎng)變換部的變換信率為1/n時(shí)，為可滿足W＜n×1254/λ的材料。
此外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的帶電裝置之中，也可采用下述構(gòu)成在上述波長(zhǎng)變換部和電子釋放部之間形成透過λ/n的波長(zhǎng)的光的透明導(dǎo)電膜。
此外，本發(fā)明在上述構(gòu)成的帶電裝置之中，也可采用下述構(gòu)成用于電子照相裝置，是一種直接在潛像載體上寫入靜電潛像的帶電方法，通過可按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)以像素單位可開關(guān)控制的快門部，使光照射裝置全面照射的光選擇性透過的同時(shí)，通過波長(zhǎng)變換部把選擇性透過的光變換為特定的波長(zhǎng)后照射電子釋放部，釋放出自身的電子后，直接在潛像載體上形成靜電潛像。
若采用此種構(gòu)成，則可通過按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)以像素單位可開關(guān)控制的快門部使光照射裝置全面照射的光選擇性透過的同時(shí)，通過波長(zhǎng)變換部把選擇性透過的光變換為特定的波長(zhǎng)后照射電子釋放部，使自身電子感應(yīng)后釋放出該電子，即可直接在潛像載體上形成靜電潛像。因此可提供帶電工序與曝光工序一體化了的不發(fā)生臭氧的小型結(jié)構(gòu)件的同時(shí)，還可望降低其生產(chǎn)成本。
此外，本發(fā)明的帶電裝置除上述構(gòu)成外，還可采用下述構(gòu)成通過對(duì)電子釋放面照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，在上述電子釋放部上形成光潛像，然后用從上述電子釋放部釋放出的電子，使上述潛像載體按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)帶電。
利用上述構(gòu)成，通過對(duì)光電子釋放面照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，在上述電子釋放部上形成潛像，然后用從上述電子釋放部釋放出的電子，使上述潛像載體按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)帶電的電子釋放部即可利用光電效應(yīng)使上述潛像載體帶電。
因而可用一套裝置實(shí)現(xiàn)均勻帶電的裝置與按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)控制光的裝置兩種功能。正因如此，除具有上述構(gòu)成的效果之外，還可不產(chǎn)生臭氧引起的環(huán)境污染問題，而實(shí)現(xiàn)裝置的小型化。
潛像載體不必是感光體，只要具有帶電特性，也就是說只要是電介質(zhì)(絕緣物)就行。例如舉出有玻璃、氧化鋁、硅、聚酯等等，但也不受此限制。
在上述構(gòu)成中，可采用由光照射裝置向上述電子釋放部均勻照射光。此種情況下，可采用下述構(gòu)成通過在光照射裝置和上述電子釋放部之間配置快門裝置，利用該快門裝置控制光對(duì)上述電子釋放部的光照射。此種情況下，可采用液晶快門裝置控制光的照射。
此外，還可采用下述構(gòu)成不是靠快門適當(dāng)阻擋均勻照射的光，而是按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)增加與減少光照射裝置朝上述電子釋放部照射的光量。
此外，本發(fā)明的帶電裝置除上述構(gòu)成外，還可采用下述構(gòu)成具備對(duì)潛像載體照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光的數(shù)據(jù)光照射裝置，上述潛像載體為感光體，上述電子釋放部利用光電效應(yīng)使?jié)撓褫d體均勻帶電，上述數(shù)據(jù)光照射裝置對(duì)潛像載體照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，形成靜電潛像。
采用上述構(gòu)成，首先，靠來自照射裝置的均勻的光，借助光電效應(yīng)，使?jié)撓褫d體均勻帶電。接著，通過控制數(shù)據(jù)光照射裝置的光的照射，形成靜電潛像。也就是說，由數(shù)據(jù)光照射裝置對(duì)潛像載體照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，通過僅去除光照射到潛像載體上的電子，在潛像載體上形成靜電潛像。正因如此，除具有上述構(gòu)成的效果之外，還可利用引起光電效應(yīng)的元件使?jié)撓褫d體均勻帶電。
在上述構(gòu)成之中，可采用由數(shù)據(jù)光照射裝置朝上述潛像載體均勻照射光的構(gòu)成。此種情況下，可采用下述構(gòu)成在數(shù)據(jù)光照射裝置和潛像載體之間配置快門裝置，利用該快門裝置控制光對(duì)潛像載體的照射。此種情況下，可用液晶快門裝置控制光的照射。
此外，還可采用下述構(gòu)成不是靠開關(guān)適當(dāng)阻擋均勻照射的光，而是按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)增加與減少?gòu)臄?shù)據(jù)光照射裝置朝上述潛像載體照射的光量。
此外，本發(fā)明的帶電裝置，除上述構(gòu)成之外，還可采用下述構(gòu)成具有改變來自上述光照射裝置的光的波長(zhǎng)的光波長(zhǎng)變換裝置。
利用上述構(gòu)成，改變來自上述光照射裝置的光的波長(zhǎng)。因而無論來自光照射裝置光的波長(zhǎng)如何，均可獲得所需波長(zhǎng)的光。正因如此，除具有上述效果之外，還可拓寬作為光照射裝置所用光源的范圍。
而用來實(shí)施發(fā)明的最佳實(shí)施方式中的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├冀K不過是為了說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，不應(yīng)僅局限于此種具體示例來狹意解釋本發(fā)明，在本發(fā)明的精神與上述權(quán)利要求范圍內(nèi)可做種種變更后實(shí)施。
(產(chǎn)業(yè)化前景)本發(fā)明涉及電子照相方式的圖像形成裝置中的帶電裝置，尤其可用于復(fù)印機(jī)、打印機(jī)以及傳真機(jī)等方面。
權(quán)利要求
1.一種帶電裝置，用于在潛像載體上形成靜電潛像后用顯影劑把圖像顯影的顯影裝置，其特征在于，具備照射光的光照射裝置；和通過接受從上述光照射裝置照射的光，以光電效應(yīng)釋放出電子，使上述潛像載體帶電的電子釋放部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電裝置，其特征在于通過對(duì)光電子釋放面照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，在上述電子釋放部上形成光潛像，然后用上述電子釋放部釋放出的電子，使上述潛像載體按照?qǐng)D像數(shù)據(jù)帶電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電裝置，其特征在于具備對(duì)潛像載體照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光的數(shù)據(jù)光照射裝置；上述潛像載體是感光體；上述電子釋放部利用光電效應(yīng)使?jié)撓褫d體均勻帶電；上述數(shù)據(jù)光照射裝置通過對(duì)潛像載體照射與圖像數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的光，形成靜電潛像。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的帶電裝置，其特征在于具有改變來自上述光照射裝置的光的波長(zhǎng)的光波長(zhǎng)變換裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶電裝置，其特征在于上述光波長(zhǎng)變換裝置是非線性光學(xué)元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的帶電裝置，其特征在于上述電子釋放部為金屬膜，當(dāng)設(shè)其功函數(shù)為W(ev)，設(shè)上述光照射裝置的波長(zhǎng)為λ(nm)，設(shè)上述光波長(zhǎng)變換裝置的變換倍率為1/n時(shí)，是可滿足W＜n×1254/λ的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的帶電裝置，其特征在于在上述光波長(zhǎng)變換裝置和電子釋放部之間形成可透過λ/n波長(zhǎng)的光的透明導(dǎo)電膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的帶電裝置，其特征在于，具備用來開關(guān)控制由上述光照射裝置全面照射的光的透過的快門。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電裝置，其特征在于上述快門部是在像素單位上構(gòu)成的液晶快門元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的帶電裝置，其特征在于，具備用來使由上述電子釋放部釋放出的電子增加的電偏置裝置。
全文摘要
由對(duì)應(yīng)圖像數(shù)據(jù)可以對(duì)像素單位開關(guān)控制的液晶快門(3)使從光源(1)全面照射的光選擇性透過的同時(shí)，通過非線性光學(xué)元件(4)把選擇透過的光變換為特定的波長(zhǎng)后照射金屬膜(6)。金屬膜(6)使自身電子感應(yīng)后釋放出該電子，直接在電介質(zhì)膜(8)上形成靜電潛像。因此，可不必為了使電介質(zhì)膜(8)帶電而使用電暈放電。因此不會(huì)產(chǎn)生臭氧引起的環(huán)境污染問題即可很好進(jìn)行帶電處理。
文檔編號(hào)G03G15/05GK1623124SQ0380278
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2003年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月25日
發(fā)明者上村太介, 戶泉潔, 后藤利充 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社