專利名稱：：顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有至少兩個穩(wěn)定狀態(tài)的顯示設(shè)備，并特別涉及矩陣尋址設(shè)備和這種設(shè)備的尋址方法。存在不施加電場時展示穩(wěn)定的兩個或多個狀態(tài)的各種顯示設(shè)備。這種類型最普通的設(shè)備使用液晶材料。但是，也已知其它設(shè)備，比如電泳、電致變色、微機電系統(tǒng)(MEMS)、微粒顯示器。雙穩(wěn)態(tài)液晶顯示器的粒子包括由NAClark和STlagerwall在Appl.Phys.Lett.，36，11，899(1980)中描述的表面穩(wěn)定的鐵電液晶(SSFLC)設(shè)備。在Appl.Phys.Lett.，Vol37，pg109，1980和專利申請WO91/11747(“Bistableelectrochirallycontrolledliquidcrystalopticaldevice”)和WO92/00546(“Nematicliquidcrystaldisplaywithsurfacebistabilitycontrolledbyaflexoelectriceffect”)中Berreman和Heffner已經(jīng)示出通過使用手征離子和彎電(flexoelectric)耦合，向列液晶材料能夠在兩個穩(wěn)定態(tài)之間轉(zhuǎn)換。Dozov在(2003)Proc.SID，pp946-948也描述了一種雙穩(wěn)向列顯示器。Liang，R.C在(2003)Proc.SID，pp838-841描述了電泳顯示器，并且電致變色顯示器也是已知的。也已知由Hattori等在(2003)Proc.SID，pp846-849中描述的該類型的基于粉末的顯示器。WO97/14990示出了一個頂雙穩(wěn)設(shè)備(zenithallybistabledeviceZBD)如何可以用給定設(shè)計的一個表面準直光柵構(gòu)成，才能使向列液晶分子能夠在相同方位角平面中采用兩個穩(wěn)定預(yù)傾斜。這些狀態(tài)之一是高預(yù)傾斜狀態(tài)，而另一個是低預(yù)傾斜狀態(tài)，并且描述可能夠采用這兩個穩(wěn)定液晶結(jié)構(gòu)中任一個并能夠容易的在它們之間轉(zhuǎn)變的設(shè)備。WO97/14990的這兩個頂穩(wěn)定液晶結(jié)構(gòu)在驅(qū)動電信號撤去后保持，并且該設(shè)備已經(jīng)顯示出對機械振動有強抵抗力，提供在低驅(qū)動電壓(＜20V)下的微秒閉鎖時間(latchingtime)并允許高度多路傳輸能力；見E.L.Wood等的ProceedingsofSID，2000，v31，11.2，p124-127(2000)中“Zenithalbistabledevice(ZBD)suitableforportableapplications”。近來也已經(jīng)由Jones等在(1003)Proc.SID，pp954-959中示出用于這種ZBD設(shè)備的閉鎖域值(latchingthreshold)能夠響應(yīng)于先前施加的電壓脈沖而改變(例如，d.c.平衡或消隱脈沖)。WO99/34251示范了另一種具有扭曲向列結(jié)構(gòu)中負介電各向異性材料的ZBD設(shè)備。在WO01/40853、EP1139151A1、EP1139152A1和EP1139150A1中也描述了可供選擇的雙穩(wěn)設(shè)備。專利申請WO02/08825描述可一種展示具有多于兩個穩(wěn)態(tài)的多穩(wěn)定性的頂穩(wěn)定設(shè)備。以上描述的鐵電和ZBD類型的設(shè)備使用極性閉鎖來操作。換句話說，第一極性的脈沖(比如正脈沖)引起閉鎖到第一穩(wěn)定態(tài)，而第二極性的脈沖(例如一個負脈沖)引起閉鎖到第二穩(wěn)定狀態(tài)。雙穩(wěn)膽甾型和雙穩(wěn)扭曲向列顯示器用流動效果操作；在這樣的設(shè)備中，能夠選擇脈沖形狀，而不是極性來轉(zhuǎn)變到任一種穩(wěn)定態(tài)。為了提供具有許多分離可尋址元件的顯示器，一般構(gòu)成一個液晶設(shè)備，在其一個單元壁上有一系列行電極，在另一個單元壁上由一系列列電極。以這種方式，形成分離的可尋址元件矩陣，并且能夠通過將特定電壓施加到給定行和列而將給定電壓施加到設(shè)備的每個單獨元件。施加適當?shù)牧泻托须妷翰ㄐ我砸来螁为氶]鎖顯示器的每個元件的技術(shù)通常用術(shù)語多路傳輸表示。應(yīng)當注意到這里術(shù)語行和列不意圖限制波形為對特定組電極應(yīng)用。相反，該術(shù)語只是簡單地用來區(qū)分兩組電極并可以貫穿全文相互交換。而且，其它電極有可能的，從文字和數(shù)字字符到軸向和輻射狀圓形電極。也存在對于在平面內(nèi)電極本身上或和面外電場一起使用的平面內(nèi)電極的結(jié)構(gòu)。雙穩(wěn)液晶設(shè)備傳統(tǒng)上使用所謂“逐行(line-at-a-time)”多路傳輸方案。寫一個完整幀所用時間期間，數(shù)據(jù)連續(xù)應(yīng)用到一組電極(例如，列)，并且其它組電極(例如行)用選通電壓連續(xù)尋址。在一個像素處產(chǎn)生的波形(即，選通和數(shù)據(jù)波形的合成)引起該像素閉鎖到正狀態(tài)(即，當施加選擇數(shù)據(jù)脈沖時)，或保持不變(即，當施加一個非選擇數(shù)據(jù)脈沖時)。已知在一個時間尋址方案中兩種通常行(line)類型；兩個域的尋址和消隱。使用兩域操作，幀分為兩域分別用于尋址黑像素和白像素；用于實現(xiàn)這種方案的已知波形在圖1中示出。使用消隱操作，在尋址脈沖之前一段時間有消隱脈沖，消隱脈沖任意選擇一個狀態(tài)，而不管施加的數(shù)據(jù)。已知的實現(xiàn)消隱方案的波形在圖2中說明。消隱可以在一行或多行之前施加，或者可以在整個幀或給定數(shù)目行施加。如上所述，選擇數(shù)據(jù)脈沖和選通電壓脈沖的組合引起閉鎖，而選通電壓脈沖和非選擇數(shù)據(jù)脈沖的組合不引起閉鎖。選擇和非選擇數(shù)據(jù)波形的電壓和持續(xù)時間持續(xù)時間按照慣例進行選擇以確保當與選通脈沖結(jié)合時，像素按照需要被閉鎖或不閉鎖；即每個像素選擇性閉鎖。從而數(shù)據(jù)和選通脈沖按照被尋址的特定顯示器的閉鎖響應(yīng)進行選擇。典型現(xiàn)有技術(shù)的雙穩(wěn)液晶設(shè)備的閉鎖響應(yīng)在圖3中說明。在該例子中，正確極性的電脈沖和足夠的能量開始使引起(比方說)反射率變化的一個狀態(tài)的域成核。這些小域在反射率沒有進一步改變的脈沖之后保持。施加具有更大能量的脈沖引起建立另外更多的域，以及新狀態(tài)的面積增加。反射率從(比方說)0％增加到(τV)10的10％和在(τV)90的90％，并且最后像素全部閉鎖到新狀態(tài)。閉鎖轉(zhuǎn)換的寬度稱為局部閉鎖。根據(jù)慣例，這被認為是在不能由肉眼分辨的顯示區(qū)域上測量的轉(zhuǎn)換寬度。此外，如圖4示意示出的，顯示板2的兩個或多個區(qū)域可以具有不同的閉鎖特性。例如，第一區(qū)域4可以具有與第二區(qū)域6不同的閉鎖域值。穿過單元的閉鎖曲線差可以由有害的變化引起，比如排列對齊方式和表面能量中的、或單元間隙的長程變化中的、電壓(例如，沿電極的整個電阻損失或驅(qū)動器電路之間的電勢差)和溫度的隨機變化。第一區(qū)域4和第二區(qū)域6的響應(yīng)在圖5中分別用曲線8和10示出。同樣，虛線表示10％閉鎖點，實現(xiàn)表示90％閉鎖點。在圖5中用虛線12表示了在這種情況下，通常如何選擇選通電壓(Vs)和數(shù)據(jù)電壓(Vd)。這里，選擇Vs和Vd的大小以便合成的Vs+Vd引起第一和第二區(qū)域兩者的狀態(tài)的理想改變，而Vs-Vd不足以閉鎖任一個區(qū)域。很明顯，這表示Vd需要高，以計數(shù)整個單元的變化。如果沒有變化，Vd能夠達到設(shè)備的局部閉鎖寬度。需要的Vd的幅度由下式給出這通常在4V和8V之間(依賴于顯示器的尺寸)。使用相對高的數(shù)據(jù)電壓(例如4V到8V)的結(jié)果是顯示板的功率損耗高。例如，假定上述類型的極性響應(yīng)，數(shù)據(jù)波形通常是雙極性脈沖(+/-和-/+)以確保dc平衡。使用大量行，由板單元間隙為f、電容為C的板消耗的能量(E)由數(shù)據(jù)波形電壓(Vd)控制并且根據(jù)顯示的圖像位于以下范圍內(nèi)f.CVd2≤E≤f.CVd2(2)因此能夠看出數(shù)據(jù)電壓對板的功耗有相當大的影響。而且，對每一列施加高數(shù)據(jù)電壓也可能對在任意一個特定時刻各行的光學(xué)性質(zhì)而不是對被尋址的行有有害的影響。如上所述，雙穩(wěn)膽甾型和雙穩(wěn)扭曲向列顯示器由流動效果引起閉鎖，而鐵電和頂雙穩(wěn)設(shè)備用轉(zhuǎn)變極性轉(zhuǎn)換引起閉鎖。但是，大多數(shù)雙穩(wěn)液晶設(shè)備除了任意極性閉鎖響應(yīng)之外也將響應(yīng)于所施加的場的RMS信號。對于一個正介電各向異性材料，指向矢(director)取向平行于施加場，而對于負材料，液晶取向垂直于該場。液晶對RMS信號再定位的量直接與液晶的彈性常數(shù)有關(guān)并與介電各向異性逆向相關(guān)。在這種設(shè)備中，由RMS效應(yīng)引起的指向矢的再定位在尋址顯示器時能夠引起取向的不想要的改變(并因此引起光學(xué)瞬時現(xiàn)象)。例如，在尋址信號之前和之后暗的顯示區(qū)域可以變亮，引起圖像的分散“閃光”。為了減小這種效應(yīng)，選擇材料以便在高電壓下發(fā)生Fréederichsz轉(zhuǎn)換并且轉(zhuǎn)換的梯度低。但是，這嚴重限制了設(shè)備材料的選擇。與高數(shù)據(jù)電壓的使用相關(guān)的出現(xiàn)在頂雙穩(wěn)設(shè)備中的另一個的問題是任何RMS電壓的影響引起一個(對于ZBD設(shè)備中的正介電各向異性混合物，是連續(xù)的)狀態(tài)的有害鎖閉。該影響稱為“退回(growback)”。類似的影響也出現(xiàn)在其它設(shè)備中，例如雙穩(wěn)扭曲向列設(shè)備。盡管雙穩(wěn)顯示器只具有兩個穩(wěn)態(tài)，但是能夠以多種方式提供灰度等級。例如，能夠使用時間和/或空間抖動實現(xiàn)灰度等級，其中通過以比觀眾能感知的更快的速率轉(zhuǎn)變“開”或“關(guān)每個像素”或通過把每個像素分為兩個或多個加權(quán)的并可分開尋址的子像素區(qū)提供灰度值的感知。在雙穩(wěn)顯示設(shè)備中使用空間和/或時間抖動技術(shù)是以增加復(fù)雜性并因此增加單元成本為代價的。例如，空間抖動增加行和列驅(qū)動器數(shù)，需要更薄的，從而增加軌道阻抗和板內(nèi)的阻抗功率損耗，也需要更精確蝕刻以確?；叶鹊燃夗憫?yīng)的線性。增加可分開尋址的區(qū)域的數(shù)量也增加其內(nèi)存在像素間間隙的顯示器的面積；這降低了設(shè)備的孔徑比。由于這些原因，本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的無源尋址雙穩(wěn)設(shè)備至少現(xiàn)在產(chǎn)生大量灰度級和運動視頻圖像的能力在一定程度上是有限的。也已知模擬(或域)灰度等級。這是使用在可分開尋址的像素區(qū)域內(nèi)的域的部分(即不完全)轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)變，使得能夠通過改變像素中域的數(shù)量和/或尺寸形成不同的灰度級的情況。以前這已經(jīng)用于鐵電液晶和雙穩(wěn)膽甾型中。例如，見GB2315876，其中描述了另外球以提供用于模擬灰度級的成核位置。與域灰度等級的使用相關(guān)的首要缺點是沒有用于尋址波形的操作窗口；即，每個灰度級用特定尋址波形實現(xiàn)。確保理想波形施加到特定像素是有問題的，因為由于沿著帶電阻的電極的損耗，由驅(qū)動電路的溫度引起的變化(這將依賴于使用并因此將在板整個板上變化)或驅(qū)動電路的批量差異可能引起施加到行和/或列的波形的改變。也可能由單元間隙的改變、排列對準層的厚度、單元溫度、液晶的排列排列和可能的圖像歷史引起整個設(shè)備中液晶對相同域的響應(yīng)發(fā)生改變。任意這種偏離都引起電光響應(yīng)的改變，并因此在觀察到的模擬灰度級中產(chǎn)生誤差。也已知提供具有多個域值以便獲得模擬灰度等級的設(shè)備。在這樣的設(shè)備中，每個像素再分為為對施加的電場有不同響應(yīng)的區(qū)域；例如，通過在電極中形成孔、包括無源電介質(zhì)層或引入對準排列變化等。一個引入多個域值的例子由Bryan-Brown等在(1998)ProceedingsofAsiaDisplay，p1051-1052中提出，其中證明了灰度等級可以在使用允許像素的一個區(qū)域局部轉(zhuǎn)換的具有不同間距和形狀的格柵的頂點雙穩(wěn)設(shè)備中實現(xiàn)。一個類似的SSFLC中的模擬灰度等級技術(shù)在下文中描述，Bonnett，Towler，Kishimoto，Tagawa和Uchida(1997)“LimitationsandperformanceofMTMGreyscaleforFLCs”，Proceedingsofthe18thInternationalDisplaysResearchConference，L46-47。諸如上述的那些多域值雙穩(wěn)LCD的模擬尋址仍然依賴于如上述的用于兩態(tài)雙穩(wěn)設(shè)備的一次一行尋址選通信號施加到第一電極(例如行)并且適當?shù)臄?shù)據(jù)信號施加到在顯示器的相對的內(nèi)表面上的電極組(稱為列)。不同狀態(tài)之間的選擇通過調(diào)制數(shù)據(jù)信號使它與選通合并以閉鎖一個或多個子像素區(qū)域、產(chǎn)生理想的中間狀態(tài)實現(xiàn)。尋址多個域值加劇了上述與高數(shù)據(jù)電壓的使用相關(guān)的問題。例如，假定由于隨機變化引起的確保整個板的兩個數(shù)據(jù)信號(即，±Vd＝閉鎖或不閉鎖)之間有區(qū)別所需要的最低數(shù)據(jù)電壓用|Vdmin|給出。對于將被區(qū)分的m個灰度(即，無重疊的尋址窗口)，數(shù)據(jù)電壓必須是(m-1)Vdmin。例如，需要4V數(shù)據(jù)板在整個板上顯示黑白圖像的情況。如果每個像素細分為三個區(qū)域來提供四個可區(qū)分開的和可尋址的模擬電平，則確保每個灰度在板的所有部分被尋址所需的電壓峰峰值增加到12V。這增加了所需要的驅(qū)動器的成本的花費，更新期間浪費的功率高，并且板的對比度由于尋址的同時產(chǎn)生的有害“閃光”大幅度降低。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，一種設(shè)備包括在第一和第二單元壁之間放置的材料層，能夠采用至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并能夠在其間電閉鎖，所述材料層包括一個或多個分離電可尋址區(qū)域并且所述設(shè)備進一步包括尋址裝置，用電壓脈沖寫入每個所述電可尋址區(qū)域以按照需要有選擇閉鎖所述材料層，其中該尋址裝置使用至少第一和第二閉鎖掃描寫入到所述一個或多個分離的電可尋址區(qū)域的每一個中，所述第一閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖閉鎖域值在第一范圍內(nèi)的材料，所述第二閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖閉鎖域值在第二范圍內(nèi)的材料，其中所述第一閉鎖掃描在所述第二閉鎖掃描施加之前施加并且所述第二閉鎖掃描不足以閉鎖閉鎖域值在所述第一范圍內(nèi)的材料。以這種方式，第一閉鎖掃描將有選擇地閉鎖在閾值在第一范圍內(nèi)每個電可尋址區(qū)域內(nèi)的材料。換句話說，閾值在第一范圍內(nèi)的材料的需要的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)將由尋址裝置在第一掃描期間選擇；根據(jù)材料的最初結(jié)構(gòu)和最終想要的結(jié)構(gòu)，這可能需要施加足以提供閉鎖(即，將材料從一個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)改變到另一個穩(wěn)定結(jié)構(gòu))的電壓脈沖或不足以閉鎖該材料的電壓脈沖。因而一個特定需要的圖案(例如，將被顯示的一幅圖像)在整個設(shè)備上寫入到閉鎖閾值在第一范圍內(nèi)的任意區(qū)域。優(yōu)選第一閉鎖掃描也將無差別的閉鎖(即，空白)閉鎖閾值在所述第二范圍內(nèi)的材料。施加第一閉鎖掃描之后，施加第二閉鎖掃描。該第二閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖閾值在第二范圍內(nèi)的材料到要求的狀態(tài)。換句話說，要求的閾值在第二范圍內(nèi)的材料的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)將在第二掃描期間由尋址裝置選擇；根據(jù)材料的初始結(jié)構(gòu)，這可能需要施加足以提供閉鎖或防止閉鎖的電壓脈沖。對第二閉鎖掃描的安排使其不閉鎖閾值在第一范圍內(nèi)的材料。從而，一個特定圖案(例如，一幅將被顯示的圖像)在整個設(shè)備上寫入到閾值在第二范圍內(nèi)的任意區(qū)域。如下所述，也可以施加另外另外的掃描。但每個掃描遵循基礎(chǔ)規(guī)則，即閉鎖在一個選定范圍內(nèi)的材料，而對在先前掃描的域值范圍內(nèi)的材料沒有閉鎖效果。以這種方式，顯示器上整個材料層由一系列兩個或多個(閉鎖具有減小的閉鎖域值的區(qū)域)的閉鎖掃描連續(xù)尋址(例如，通過施加持續(xù)時間持續(xù)時間或電壓減小的電壓脈沖)。應(yīng)當注意，當使用一個極性雙穩(wěn)設(shè)備(例如，一個ZBD設(shè)備)時，第一和第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的每個將包括定義連續(xù)到故障和故障到連續(xù)轉(zhuǎn)變的子范圍(例如，見圖12)。一種這樣的轉(zhuǎn)換(比如故障到連續(xù))將覆蓋第一(比如，正)極性的一個子范圍，而第二子范圍(比如，連續(xù)到故障)將覆蓋第二(比如，負)極性的一個子范圍。但是，對于特定設(shè)備，定義一個這種轉(zhuǎn)換(例如，連續(xù)到故障)固有地定義了第二轉(zhuǎn)換(例如，故障到連續(xù))。在第二閉鎖掃描期間選擇性的閉鎖可能與第一閉鎖掃描的選擇性閉鎖有一些重疊。重疊能夠有利地用于克服與以下參照圖12到14所述的閉鎖響應(yīng)的不對稱相關(guān)的問題。因此，這里使用的術(shù)語“第一范圍”表示具有一個閉鎖域值的任意材料，該閉鎖閾值在有選擇地由所述第一掃描閉鎖但不由所述第二掃描閉鎖的范圍內(nèi)。該設(shè)備可能具有定義的區(qū)域，其中材料在第一和第二(和任意接下來的)范圍內(nèi)閉鎖，或者這種域值變化可能由制造或其它隨機的變化引起。該技術(shù)也可以用于允許設(shè)備在較大溫度范圍內(nèi)被尋址。例如，在第一溫度，整個顯示器可以具有在所述第一范圍內(nèi)的域值，而在第二溫度，整個顯示器可一具有在第二范圍內(nèi)的域值。當設(shè)備的溫度從第一溫度向第二溫度變化，由第一閉鎖掃描選擇性閉鎖的設(shè)備的比例將從百分之百到零逐漸降低。因此，按照本發(fā)明使用多掃描對具有兩個或多個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的設(shè)備尋址具有許多優(yōu)點。首先，在設(shè)備具有許多閉鎖域值不同的區(qū)域時，不同的閉鎖區(qū)域能夠使用兩個或更多的掃描連續(xù)尋址。這允許能夠分離尋址的區(qū)域數(shù)量大于分離電可尋址區(qū)域的數(shù)量，從而降低像素間的間隙和/或提供較高分辨率的設(shè)備。能夠故意構(gòu)成或可以從隨機變化種產(chǎn)生兩個不同的閉鎖區(qū)域。如果故意構(gòu)成這些區(qū)域，每個分離電可尋址區(qū)域內(nèi)的不同閉鎖區(qū)域能夠被控制或“加權(quán)”以提供灰度等級，如以下更詳細的說明。在多路復(fù)用的設(shè)備的情況下，按照本發(fā)明的兩個或更多的掃描的使用將降低每個掃描所需的數(shù)據(jù)電壓。如由上述等式(2)所述的，即使掃描數(shù)增加，降低數(shù)據(jù)電壓也將大大降低設(shè)備的功耗。實際上，本發(fā)明允許尋址整個設(shè)備所需要的最小數(shù)據(jù)電壓減小到接近掃描數(shù)分之一(1/接近掃描數(shù))倍。因此，第一閉鎖掃描和第二閉鎖掃描的使用相對于現(xiàn)有技術(shù)的單掃描幾乎把設(shè)備功耗減半。與降低數(shù)據(jù)電壓相關(guān)的許多進一步的優(yōu)點包括光瞬變現(xiàn)象或所謂的“閃光”減少以及較少的從另一種狀態(tài)“退回(growback)”到一種狀態(tài)。而且，本發(fā)明能夠用于增加設(shè)備能夠操作的閉鎖域值的范圍。這表示，例如一幅圖像能夠跨越更寬的溫度范圍寫入到設(shè)備(允許例如將被操作的顯示器沒有溫度傳感器)，或能夠與制造工藝相結(jié)合，該制造工藝允許的批次與批次之間/板與板之間的變化比使用現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備可接受的板更寬。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說很顯然，降低功耗和增加設(shè)備能夠操作的域值范圍是互補的。增加設(shè)備操作的范圍是以增加掃描數(shù)或增加每個閉鎖掃描的數(shù)據(jù)電壓為代價的。有利的是，所述第一閉鎖掃描包括一個初始消隱波形，以閉鎖所有所述材料為所述至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之一。換句話說，可以使用消隱尋址方案。消隱掃描可以包括單極性、雙極性脈沖或任意需要形狀的脈沖。優(yōu)選是dc平衡的各種這樣的消隱脈沖已知并用在現(xiàn)有技術(shù)的消隱尋址方案中。也可以在第一和第二閉鎖掃描之間施加另外的消隱波形。該另外的消隱用于無區(qū)別地閉鎖具有第二范圍內(nèi)的域值的材料，但對第一掃描期間選擇性閉鎖的材料(即具有第一范圍內(nèi)的域值的材料)沒有影響?；蛘?，第一閉鎖掃描對具有第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料的消隱影響可以消除對另外的消隱脈沖的需要。方便的是，尋址裝置在施加所述第二閉鎖掃描之后施加一個或多個另外的閉鎖掃描，其中每個另外的閉鎖掃描用于選擇性閉鎖具有一個給定范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，但不足以閉鎖具有任意先前掃描的域值范圍內(nèi)的一個域值的材料。優(yōu)選，每個掃描也無差別的閉鎖(即，消隱)具有所有隨后的閉鎖掃描的給定范圍內(nèi)的閉鎖域值的任意材料。優(yōu)選所述材料的閉鎖依賴于極性。依賴極性材料的理想狀態(tài)能夠用適當?shù)姆?、持續(xù)時間和極性的電壓脈沖選擇。這種設(shè)備的例子包括上述的ZBD和SSFLC設(shè)備，其中(比方說)正極性的脈沖閉鎖到第一狀態(tài)，同時負極性的脈沖閉鎖到第二狀態(tài)。也應(yīng)當意識到本發(fā)明同樣可應(yīng)用于非極性依賴設(shè)備，比如雙穩(wěn)膽甾型和雙穩(wěn)扭曲向列設(shè)備，其中狀態(tài)之間的閉鎖由脈沖形狀控制。當使用極性依賴材料時，對于所述第一閉鎖掃描來說使用第一極性的閉鎖脈沖閉鎖材料，且對所述的第二掃描來說使用與第一極性閉鎖脈沖相反極性的閉鎖脈沖閉鎖材料是有利的。應(yīng)當注意到每個閉鎖脈沖可以與相反極性的一個或多個另外的脈沖合并以確保維持dc平衡。例如，可以在每個閉鎖脈沖(即，引起選擇性閉鎖的脈沖)之前或之后有一個形狀不能引起閉鎖的相反極性的脈沖?；蛘?，第一閉鎖掃描和第二閉鎖掃描可以包括相同極性(例如，正)的閉鎖脈沖，并且相反極性(例如，負)的消隱脈沖施加到所述第一和第二掃描之間以(只)消隱具有第二范圍內(nèi)的域值的材料。DC平衡也可以在幾個掃描上進行。方便的是，所述材料層包括具有所述第一范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的第一區(qū)域和具有所述第二范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的第二區(qū)域。如上所述，許多技術(shù)可以用于在一個設(shè)備中提供不同的域值。除了例如通過控制材料在表面上的排列來改變材料的性質(zhì)之外，排列，也可以改變電極屬性。分開閉鎖具有不同且已知的域值的區(qū)域使能夠從相同(掃描行)驅(qū)動電路驅(qū)動，從而能夠降低所需電子驅(qū)動器的數(shù)量，并因此降低板的成本。有利的是，當施加另外(例如，第三和接下來的)閉鎖掃描時，所述材料層包括一個或多個另外的區(qū)域，每個所述另外的區(qū)域具有另外的閉鎖掃描的給定范圍內(nèi)的閉鎖域值。方便的是，該材料層包括多個分離電可尋址區(qū)域。有利的是，該多個分離電可尋址區(qū)域中每一個包括兩個或更多的有不同閉鎖域值的區(qū)域。具有不同閉鎖域值區(qū)域的所述材料的層的比例可以有利地在每個分離電可尋址區(qū)域內(nèi)加權(quán)。這允許空間抖動的實現(xiàn)。應(yīng)當很顯然在一個設(shè)備內(nèi)提供具有不同閉鎖域值的區(qū)域是公知的。但是，現(xiàn)有技術(shù)使用模擬灰度等級技術(shù)利用這種域值差。模擬灰度等級在一個單個掃描中施加一個預(yù)定范圍內(nèi)的一個閉鎖電壓；分離電可尋址區(qū)域的被閉鎖的比例依賴于施加的電壓。因此，現(xiàn)有技術(shù)的模擬灰度等級不能提供選擇性閉鎖具有不同域值且在單個分離電可尋址區(qū)域內(nèi)的材料到不同狀態(tài)的能力。應(yīng)當注意到本發(fā)明因此可以與模擬灰度等級技術(shù)結(jié)合。例如，第一閉鎖掃描能夠用于引起具有第一范圍內(nèi)的一個域值的材料的部分閉鎖。同樣，第二和任意另外的閉鎖掃描能夠用于引起部分閉鎖。優(yōu)選行電極提供在所述第一單元壁上，列電極提供在所述第二單元壁上，從而提供分離可尋址區(qū)域的矩陣。在這種排列中，所述至少第一和第二閉鎖掃描有利地由尋址裝置通過施加選通電壓脈沖到所述行電極和施加所述數(shù)據(jù)電壓脈沖到所述列電極而施加到每個分離電可尋址區(qū)域，所述選通和數(shù)據(jù)電壓脈沖用于產(chǎn)生在每個分離可尋址區(qū)域所需的合成電壓脈沖。這允許執(zhí)行所謂的逐行尋址。方便的是，第一閉鎖掃描的電壓脈沖的能量或時間電壓乘積大于第二閉鎖掃描的電壓脈沖的能量。能量可以通過降低脈沖電壓、脈沖寬度或電壓和脈沖寬度都降低，在掃描與掃描之間改變。不同的屬性也可以在連續(xù)的掃描之間改變；例如，選通脈沖的電壓能夠從第一掃描到第二掃描降低，同時脈沖持續(xù)時間從第二掃描到第三掃描降低(或脈沖形狀改變等)。很明顯，對于特定的設(shè)備，脈沖能量可以不變并且脈沖形狀或定時(例如，延遲)改變以改變脈沖的閉鎖效果。方便的是，尋址裝置用于提供選擇或非選擇數(shù)據(jù)脈沖來分別進行閉鎖或不閉鎖。換句話說，可以使用選通脈沖與選擇和非選擇數(shù)據(jù)脈沖結(jié)合以提供選擇和非選擇合成脈沖來實現(xiàn)逐行尋址。有利的是，每個行按順序用所述第一閉鎖掃描和所述第二閉鎖掃描尋址(即，順序?qū)ぶ??；蛘撸梢宰C明在特定環(huán)境有利的是，使用所述第一閉鎖掃描和接下來用所述第二閉鎖掃描對每一行尋址(即，連續(xù)尋址)。而且，可以使用連續(xù)尋址和順序?qū)ぶ返慕M合，以便顯示器的一部分由第一和第二閉鎖掃描閉鎖，并且隨后顯示器的第二部分由第一和第二閉鎖掃描閉鎖。例如，顯示器的上半部分可以用第一和第二閉鎖掃描閉鎖，隨后由第一和第二閉鎖掃描閉鎖顯示器的下半部分。為了防止電荷隨著時間增加，優(yōu)選施加的數(shù)據(jù)和選通波形基本dc平衡。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到本發(fā)明能夠用多種不同的尋址方案中任意一個來執(zhí)行。實際上，按照本發(fā)明將能采用現(xiàn)有技術(shù)的消隱和兩域方案中的大多數(shù)。有利的是，配置該設(shè)備以便對每個分離電可尋址區(qū)域，尋址裝置用于將閉鎖閾值在第二范圍內(nèi)的材料結(jié)構(gòu)閉鎖為與閉鎖閾值在第一范圍內(nèi)的材料同樣的結(jié)構(gòu)。以這種方式，需要的圖案能夠?qū)懭氲皆O(shè)備的每個分離電可尋址區(qū)域，不管整個設(shè)備上的閉鎖域值的任何改變。在復(fù)用設(shè)備的情況下，這降低需要的數(shù)據(jù)電壓，并且因此能夠降低設(shè)備的功耗，如下所述?；蛘?，該設(shè)備可以有利地配置，使得對每個分離電可尋址區(qū)域，配置尋址裝置以便能夠有選擇地將閉鎖閾值在第二范圍內(nèi)的材料的結(jié)構(gòu)閉鎖為與閉鎖閾值在第一范圍內(nèi)的材料不同的結(jié)構(gòu)。因此，在分離電可尋址區(qū)域內(nèi)且閾值在第一范圍內(nèi)的任何材料可以被選擇性地閉鎖到一種穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，該穩(wěn)定結(jié)構(gòu)不同于具有第二閾值的區(qū)域內(nèi)的材料所采用的結(jié)構(gòu)。這具有很多優(yōu)點，尤其是當分離可尋址區(qū)域用具有不同閉鎖閾值的界限分明的區(qū)域制成時。特別是，這種配置允許掃描電子和電極的量在設(shè)備中減少，同時保持能夠閉鎖到所需狀態(tài)的單元的數(shù)量不變。方便的是，安排在所述第一和/或第二掃描期間的選擇性閉鎖分別用于閉鎖具有在所述第一范圍或所述第二范圍內(nèi)的域值的材料。換句話說，已知的模擬灰度等級技術(shù)能夠與本發(fā)明結(jié)合使用。該設(shè)備可以有利的包括一個感光層，以便所述材料層的閉鎖域值可響應(yīng)于光學(xué)照明改變。例如，一個光電導(dǎo)性層可以包括在設(shè)備中，以使材料層的閉鎖域值改變。這將允許域值在不同幀之間改變，并且能夠用于控制形成具有在所述第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的第一區(qū)域的所述材料層的數(shù)量和/或形成具有在所述第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的第二區(qū)域的所述材料層的數(shù)量。也可以有利地提供彩色濾波元件。有利的是，材料層包括液晶，比如向列液晶材料。這里，術(shù)語向列應(yīng)當包括長間距膽甾型材料。手征摻雜劑也可以包含在向列液晶中以給予任意需要的扭曲。有利的是，所述兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換由在所述第一單元壁的排列轉(zhuǎn)換作為媒介。方便的是，與所述向列液晶材料層接觸的第一單元壁的表面畫出輪廓以便在所述第一單元壁附近提供液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)。許多已知的技術(shù)可以用于提供該輪廓化表面，比如照相平版印刷術(shù)或可變形材料的模壓。單穩(wěn)定表面處理可以應(yīng)用到第二單元壁的內(nèi)表面。例如，垂直(homeotropic)表面活性劑或平坦的同質(zhì)層，諸如被打磨的聚合物。方便的是，所述第一單元壁的輪廓化表面包括一個雙穩(wěn)表面排列格柵結(jié)構(gòu)?；蛘?，可以使用任意適當輪廓化的雙穩(wěn)表面，例如在WO01/40853、EP1139151A1、EP1139152A1或EP1139150A1中公開的類型。有利的是，與所述向列液晶材料層接觸的第二單元壁的表面被畫出輪廓，以便在所述第二單元壁附近提供液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)。而且，所述第二單元壁的輪廓表面有利的包括雙穩(wěn)表面排列格柵結(jié)構(gòu)。有利的是，該設(shè)備可以用于提供一個π單元結(jié)構(gòu)。在這種π單元結(jié)構(gòu)中，液晶材料層至少可在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，所述第一狀態(tài)和所述第二狀態(tài)足夠低的斜展使得它們之間能夠快速電轉(zhuǎn)變，其中所述第一單元壁的內(nèi)表面用于提供具有不同預(yù)傾斜的兩個或更多的表面排列結(jié)構(gòu)到所述液晶材料的層。換句話說，第一和第二狀態(tài)是能在兩者之間快速轉(zhuǎn)變的不斜展狀態(tài)。第一單元壁的內(nèi)表面可以包括一個提供兩個或更多的排列結(jié)構(gòu)的表面輪廓，以給出兩個穩(wěn)定的表面排列結(jié)構(gòu)。例如，該內(nèi)表面可以包括模壓在第一單元壁的內(nèi)表面上的材料層中的一個表面排列格柵。該π單元設(shè)備可以有利地進行安排以便第一狀態(tài)和/或第二狀態(tài)在缺少施加電場時持續(xù)。因此，本發(fā)明的π單元提供比已知的π單元有優(yōu)勢的液晶設(shè)備。例如，在沒有施加電場時基本上沒有斜展的狀態(tài)的穩(wěn)定性意味著當除去尋址電壓時，寫入到設(shè)備中的圖像將持續(xù)。這使得π單元結(jié)構(gòu)的快速轉(zhuǎn)變速度與缺少施加電場時存儲圖像的能力結(jié)合。這樣，設(shè)備的固有穩(wěn)定性只允許當需要更新圖像時設(shè)備的區(qū)域被尋址，從而使顯示靜態(tài)或緩慢更新的圖像時能降低設(shè)備的功耗。例如，這允許電子書和膝上型電腦能夠在需要時顯示高清晰度電視視頻速率圖像，而當更新或部分更新的頻率較低時，可以使用降低的更新率來保存電池能量。該π單元設(shè)備不需要要初始(慢)尋址步驟來轉(zhuǎn)變材料從斜展狀態(tài)到不斜展狀態(tài)，或使用聚合體穩(wěn)定基質(zhì)來穩(wěn)定一個特定不斜展狀態(tài)。如下所述，即使形成了開斜展狀態(tài)，表面轉(zhuǎn)換增加了能夠選擇非斜展狀態(tài)的速度。術(shù)語彎曲、斜展和扭曲考慮到向列液晶材料的彈性形變而產(chǎn)生并在“液晶物理學(xué)(Physicsofliquidcrystal)”的第3章中詳細描述，該書作者為DeGennes和Prost，于1993年(第二版)在OxfordUniversityPress(ISBN0198520247)出版。簡單的說，向列液晶材料的任意變形可以用斜展、彎曲和扭曲形變分量來描述。在一個設(shè)備中，由液晶材料采用的任何結(jié)構(gòu)都能夠用這三種形變分量描述(即，斜展，彎曲和扭曲)。大多數(shù)排列狀態(tài)將包括兩個或更多的彈性形變。這對于平行壁單元尤為正確，其中在從一個表面到另一個表面的傾斜中的均勻變化包括斜展和彎曲形變。而且，在格柵排列表面附近，指向矢可以基本經(jīng)歷彈性形變，并且也包括斜展和彎曲。在這種情況下，在距離表面輪廓一定距離(通常單元體內(nèi)距重復(fù)輪廓的一個間隔距離內(nèi))，指向矢的二維變化將減小，并且認為表面提供均勻的預(yù)傾斜。進而進入單元的體內(nèi)，在特定狀態(tài)的指向矢變化是一維的，通常根據(jù)施加的電場和與兩個表面的相互作用相關(guān)的彈性變形在平行設(shè)備平面的方向上變化。注意，采用術(shù)語預(yù)傾斜表示指向矢的這種均勻排列排列很接近于該表面，并由所述表面的結(jié)構(gòu)引起。指向矢的傾斜表示可以在排列排列或電場的作用下改變的指向矢場的局部取向。用在這里的術(shù)語無斜展狀態(tài)表示斜展分量小的液晶結(jié)構(gòu)；例如，其中主要形變分量是彎曲的狀態(tài)。應(yīng)當注意一個垂直(homeotropic)狀態(tài)具有零斜展，因此落入基本上無斜展狀態(tài)的定義中。無斜展狀態(tài)的一個特別重要的例子是彎曲狀態(tài)。在彎曲狀態(tài)中，單元體內(nèi)的指向矢的傾斜等于或大于兩個排列壁的預(yù)傾斜。尤其是，該彎曲狀態(tài)通常在單元體內(nèi)有一點，在該點處指向矢垂直于單元平面排列。由于這種原因，如US6512569的第1欄第56行所述，這樣的一種無斜展彎曲狀態(tài)有時可以稱為垂直或“V-狀態(tài)”。而且，在這種彎曲狀態(tài)中，垂直排列指向矢的兩側(cè)彎曲形變方向相反。如以下更詳細說明的，扭曲分量由液晶指向矢在整個單元厚度方向(例如，從第一單元壁到第二單元壁)上的任意平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)確定，并可以按照需要選擇以適合光學(xué)響應(yīng)。換句話說，斜展和基本無斜展的狀態(tài)都能夠以扭曲或非扭曲形式提供。有利的是，π單元的第一狀態(tài)是彎曲狀態(tài)，其中在單元體中的一個點的液晶材料的傾斜大于液晶材料在所述第一單元壁和所述第二單元壁的預(yù)傾斜。這可能是ZBD故障狀態(tài)。如上所述，頂雙穩(wěn)或多穩(wěn)設(shè)備表現(xiàn)一個或多個故障狀態(tài)(即，一個液晶缺陷一個表面上提供表面排列結(jié)構(gòu)的狀態(tài))和一個連續(xù)(非故障)狀態(tài)。應(yīng)當注意現(xiàn)有技術(shù)的ZBD設(shè)備表現(xiàn)混合排列的向列故障狀態(tài)、平面的均勻故障狀態(tài)或扭曲均勻故障狀態(tài)，而不是其中單元體中的液晶指向矢(即，長分子軸的平均方向)指向基本上垂至于單元壁的方向的故障狀態(tài)。提供這種類型的基本上無斜展(例如，彎曲)故障狀態(tài)的優(yōu)點在于能夠快速轉(zhuǎn)變到上述的第二基本無斜展狀態(tài)。這里，把單元中點作為位于平行于所述第一和第二單元壁并基本上位于平面定義的第一單元壁和平面定義的第二單元壁之間的中途的液晶材料內(nèi)的一個平面。對于具有一個或多個格柵表面的設(shè)備，在從一個表面到另一個表面的平均距離的一個格柵間距內(nèi)取中途點，其中平均在設(shè)備內(nèi)的至少一個像素區(qū)域上取。基本上在中途的點可以是從壁之間距離的1/4到該距離的3/4的任意位置。方便的是，當π單元轉(zhuǎn)變到所述第一狀態(tài)時，單元中點附近的液晶分子取向在基本上垂直于第一和第二單元壁的方向上。換句話說，單元體內(nèi)的所述點處的液晶材料的傾斜基本上是90°。這可以是所謂的ZBD連續(xù)狀態(tài)。電尋址信號施加到π單元設(shè)備以閉鎖到兩個狀態(tài)之一，它們都是無斜展狀態(tài)并且優(yōu)選其中一個是彎曲狀態(tài)。安排電尋址裝置以便確保在至少一個像素區(qū)域內(nèi)的頂雙穩(wěn)表面在該尋址信號的至少一部分期間閉鎖到連續(xù)狀態(tài)。方便的是，該尋址裝置在每個像素轉(zhuǎn)變事件的開端提供，因為它確保指向矢在無斜展狀態(tài)而不在不想要的斜展狀態(tài)。該初始無斜展最好是一個HAN狀態(tài)，因為這確保指向矢場到隨后的狀態(tài)的變換是快速的。優(yōu)選所述第二單元壁的內(nèi)表面被構(gòu)造成對所述液晶材料層提供具有不同表面預(yù)傾斜的兩個或更多的表面排列結(jié)構(gòu)。換句話說，提供一個“雙ZBD”π單元設(shè)備，其中兩個表面能夠向液晶材料給予兩個或更多的不同表面預(yù)傾斜角。方便的是，第二狀態(tài)基本上是垂直(連續(xù))狀態(tài)。換句話說，在第二基本上無斜展狀態(tài)中，在整個單元厚度內(nèi)液晶分子位于垂直于單元壁的方向。有利的是，在本發(fā)明的雙ZBDπ單元設(shè)備中，由所述第一單元壁的內(nèi)表面提供的兩個或更多表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值大于由所述第二單元壁的內(nèi)表面提供的兩個或更多穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值。在這種情況下，也優(yōu)選在所述第二單元壁的最低預(yù)傾斜的表面排列結(jié)構(gòu)的預(yù)傾斜小于在所述第二單元壁提供的所述兩個或更多穩(wěn)定排列結(jié)構(gòu)中任一個的預(yù)傾斜；即，在較高域值表面上的ZBD故障狀態(tài)的預(yù)傾斜大于較低域值表面上的ZBD故障狀態(tài)的預(yù)傾斜。優(yōu)選所述第二單元壁的內(nèi)表面是單穩(wěn)并且安排提供給予所述液晶材料小于90°的預(yù)傾斜的單一排列結(jié)構(gòu)。有利的是，在所述第一單元壁的兩個或更多表面排列結(jié)構(gòu)的每一個的預(yù)傾斜大于在所述第二單元壁提供的預(yù)傾斜。方便的是，在單元中點的傾斜大于5°。有利的是，所述至少第一狀態(tài)和第二狀態(tài)的任意一個或多個是扭曲的。換句話說，可以形成一個扭曲的π單元結(jié)構(gòu)。扭曲可以有利的提高到180°。第一單元壁和第二單元壁最好載有電極以定義多個分離電可尋址區(qū)域。例如，行電極提供在所示第一單元壁，并且列電極提供在所述第二單元壁，從而提供分離可尋址區(qū)域矩陣。一些或全部像素可以包括非線性元件，比如背對背二極管、薄膜晶體管或硅邏輯電路?；蛘?，設(shè)備可以是單像素快速光學(xué)快門。為了所述第二狀態(tài)成為液晶材料能夠采用的最積極有利的狀態(tài)。例如所述第二狀態(tài)可以是連續(xù)高傾斜狀態(tài)，其中安排設(shè)備以便所述第二基本無斜展狀態(tài)是液晶材料能夠采用的最能量有利的狀態(tài)。以這種方式，該設(shè)備構(gòu)造時將傾向于形成第二基本無斜展狀態(tài)(即，連續(xù)狀態(tài))。因此，像素間間隙中的液晶材料將形成連續(xù)狀態(tài)，這將確保第一基本無斜展狀態(tài)(而不是斜展狀態(tài))總是在每個像素內(nèi)形成。例如，如果安排頂雙穩(wěn)表面在第一冷卻自然形成高傾斜連續(xù)狀態(tài)，則轉(zhuǎn)變后至少一部分像素間間隙將保持在無斜展狀態(tài)。例如，格柵可以做得相對淺，以便它仍然是雙穩(wěn)的(即，在高傾斜和低傾斜狀態(tài)之間有一個能障)，但高傾斜狀態(tài)是比低傾斜故障狀態(tài)更低的能量。因此，像素間間隙不用于成核斜展狀態(tài)，但可以有利地成核一個無斜展狀態(tài)。與以前用于引入無斜展狀態(tài)成核位置到像素間間隙(最好在每個像素周圍)的方法不同，該方法能夠在沒有額外制造成本下完成，其對于表面設(shè)計是固有的。有關(guān)設(shè)計表面以控制預(yù)傾斜的更多信息能夠在以上描述的現(xiàn)有技術(shù)中找到。有利的是，液晶材料層是向列液晶材料。這里向列液晶材料包括長間距膽甾型。也可以混合一個手征摻雜劑以提供任意需要的扭曲。優(yōu)選液晶材料具有正介電各向異性。方便的是，安排第一單元壁以提供具有不同預(yù)傾斜的兩個表面排列結(jié)構(gòu)。換句話說，第一單元壁具有雙穩(wěn)表面結(jié)構(gòu)；例如，表面排列格柵?；蛘?，可以提供多于兩個表面排列結(jié)構(gòu)，如WO99/34251中所述。π單元設(shè)備也可以包括一個沉積在一對單元壁之間的液晶材料層，所述單元壁的一個或兩個安排來提供兩個或更多穩(wěn)定排列結(jié)構(gòu)給所述液晶材料層，所述兩個或更多個穩(wěn)定排列結(jié)構(gòu)包括一個連續(xù)狀態(tài)和一個或多個故障狀態(tài)，所述設(shè)備可在所述連續(xù)狀態(tài)和所述一個或多個故障狀態(tài)的任意一個之間轉(zhuǎn)變，其中所述的一個或多個故障狀態(tài)中的一個是一個彎曲狀態(tài)，該彎曲狀態(tài)中在單元體內(nèi)的一個點上的液晶材料的傾斜大于在兩個單元壁上的液晶材料的預(yù)傾斜。優(yōu)選當所述設(shè)備在所述彎曲狀態(tài)時，在單元中點的液晶材料分子垂直于所述單元壁。也可以提供一個π單元液晶設(shè)備，其中每個轉(zhuǎn)變狀態(tài)在沒有施加電場時持續(xù)。而且，一個π單元設(shè)備可以包括一個位于一對單元壁之間的液晶材料層，并且包括多個被像素間間隙分離的像素，其中至少所述單元壁對的內(nèi)表面在兩個所述像素和像素間間隙中被安排，以提供兩個或更多不同預(yù)傾斜的表面排列結(jié)構(gòu)，其中安排該材料以采用沒有電場時的基本上無斜展狀態(tài)，使得所述基本上無斜展狀態(tài)在所述像素間間隙中持續(xù)。另外，π單元設(shè)備可以包括一個放置在一對單元壁之間的液晶材料層，所述液晶材料層可在至少兩個基本上無斜展狀態(tài)之間快速電轉(zhuǎn)變，所述設(shè)備也可以在使用之前從斜展狀態(tài)轉(zhuǎn)變到任一個所述無斜展狀態(tài)，其中安排所述單元壁的至少一個的內(nèi)表面以在相同的方位角平面中給予兩個或更多不同的預(yù)傾斜角。有利的是，斜展狀態(tài)能夠在小于1秒內(nèi)轉(zhuǎn)變到一個無斜展狀態(tài)。方便的是，在所述第一單元壁上的液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值大于在所述第二單元壁上的液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值。而且，優(yōu)選在所述第一范圍內(nèi)的所述第一單元壁上液晶材料的閉鎖域值落入在所述第一范圍內(nèi)，并且在所述第二單元壁上的液晶材料的閉鎖域值落入在所述第二范圍內(nèi)。應(yīng)當理解，在所述至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)中的兩個或更多最好光學(xué)上可區(qū)分。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到如何使起偏振器、阻滯膜等的使用能夠在各種結(jié)構(gòu)之間提供光學(xué)對比度。優(yōu)選使用的材料層是雙穩(wěn)的。或者，材料可以有利的包括三個或更多穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。電泳粒子(例如，帶電粒子或帶電液滴)也可以包括在該材料層中。該材料層可以有利的包括載體矩陣中的雙穩(wěn)材料的小滴。這些小滴可以是有色的，并且可以包括膽甾型液晶材料。該材料或者可以包括顆粒。一個具有上述第一材料層的設(shè)備可以另外包括一個或多個另外的材料層，每個所述另外的材料層放置在一對單元壁之間并且包括一個或多個分離電可尋址區(qū)域，其中，每個所述另外的材料層的一個或多個分離電可尋址區(qū)域的每一個與所述材料層的一個電可尋址區(qū)域并行電連接到所述尋址裝置。第一材料層和所述一個或多個另外的材料層可以有利的安排在一個光學(xué)棧中。這樣，提供了如下詳述的類型的光學(xué)棧器件。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供尋址顯示設(shè)備的方法，該顯示設(shè)備包括一個能夠采用并在至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之間電閉鎖的材料抑制層，所述材料層具有一個或多個分離電可尋址區(qū)域。該方法包括步驟(a)用第一閉鎖掃描尋址所述顯示設(shè)備的每個分離電可尋址區(qū)域，以有選擇的閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料，和(b)接著用第二閉鎖掃描尋址所述顯示設(shè)備的每個分離電可尋址區(qū)域，以有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料，其中所述第二閉鎖掃描不足以閉鎖具有在所述第一范圍內(nèi)的一個域值的材料。方便的是，所述第一閉鎖掃描可以不區(qū)分地閉鎖(即，消隱)具有在所述第二范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料到所述至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之一。有利的是，該方法在用所述第一和第二閉鎖掃描尋址所述設(shè)備的步驟后，還包括用一個或多個另外的閉鎖掃描尋址所述顯示器的步驟，每個另外的閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在給定能量范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料，其中所述給定能量范圍的高能量低于先前閉鎖掃描的能量范圍的高能量。方便的是，該設(shè)備包括多個分離電可尋址區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種方法，用于把信息幀寫入到具有兩個或更多穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并包括一個分離電可尋址區(qū)域矩陣的顯示設(shè)備中，其中所述方法包括使用三個或更多尋址域復(fù)用所述設(shè)備的步驟。第一域有利地消隱所述顯示設(shè)備，并且第二域可以有選擇的閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料，同時第三域有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的材料。現(xiàn)在將參照附圖僅通過示例的方式描述本發(fā)明，其中圖1示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的兩域?qū)ぶ贩桨?，圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的消隱尋址方案，圖3描述了一種現(xiàn)有技術(shù)的雙穩(wěn)液晶設(shè)備的部分閉鎖區(qū)域，圖4示出了能夠提供具有兩個不同閉鎖范圍的區(qū)域現(xiàn)有技術(shù)的整個板上的隨機變化，圖5示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)電壓選擇的原理，圖6說明了根據(jù)本發(fā)明的多掃描技術(shù)，圖7示出了一種按照本發(fā)明構(gòu)成的板，圖8示出了圖7的板沿著線II-II的橫截面圖，圖9說明了使用多個掃描尋址具有連續(xù)轉(zhuǎn)換的設(shè)備，圖10示出了一個五級多掃描技術(shù)，圖11說明了選通脈沖寬度的變化可以怎樣用在多掃描技術(shù)中，圖12示出了不對稱性無變化的典型ZBD閉鎖曲線，圖13示出了不對稱性不保持的ZBD閉鎖曲線，圖14提供一個ZBD設(shè)備的四個轉(zhuǎn)變區(qū)域的擴展圖，圖15給出了當按照本發(fā)明尋址時圖7的顯示器的展開圖，圖16提供了能夠用于執(zhí)行本發(fā)明的行和數(shù)據(jù)信號的例子，圖17示出了能夠按照本發(fā)明提供三個閉鎖掃描的選通和數(shù)據(jù)信號，圖18示出了圖17的每個掃描如何能夠按順序施加到整個顯示器，圖19示出了圖17的三個閉鎖掃描中每一個如何能夠按順序施加到每一行，圖20示出了測得的一個ZBD單元的閉鎖響應(yīng)，圖21示出了對于一個包括不同格柵間距的區(qū)域的單元的測得的故障到連續(xù)和連續(xù)到故障轉(zhuǎn)換，圖22是表示使用多個掃描閉鎖包括不同格柵間距的區(qū)域的一個單元的一系列顯微照片，圖23描繪了一個ZBD單元的0.6μm和0.8μm間距的兩個區(qū)域的故障到連續(xù)和連續(xù)到故障轉(zhuǎn)換的實驗數(shù)據(jù)，圖24示出了使用本發(fā)明尋址的兩個0.6μm和0.8μm間距的ZBD單元區(qū)域的顯微照片，圖25示出了一個雙ZBD設(shè)備的電光響應(yīng)，圖26示出了一個雙ZBD設(shè)備如何能夠用來自第一消隱狀態(tài)的多個掃描尋址，圖27示出了一個雙ZBD設(shè)備如何能夠用來自第二消隱狀態(tài)的多個掃描尋址，圖28示出了按照本發(fā)明制造的一個雙ZBD設(shè)備的分解圖，圖29示出了一個現(xiàn)有技術(shù)的π單元設(shè)備的操作，圖30說明了本發(fā)明的ZBD表面π單元的操作，圖31說明了本發(fā)明的另一個ZBD表面π單元的操作，圖32更詳細的示出了現(xiàn)有技術(shù)的從斜展狀態(tài)向彎曲狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，圖33示出了現(xiàn)有技術(shù)ZBD設(shè)備的一個反例，其中當形成一個彎曲狀態(tài)時表面轉(zhuǎn)變不出現(xiàn)，圖34說明了按照本發(fā)明的一個π單元雙ZBD設(shè)備，圖35示出了基本上不斜展狀態(tài)的例子，圖36示出了各種斜展狀態(tài)，圖37示出了在ZBD設(shè)備中的故障和連續(xù)狀態(tài)的能量，圖38示出了本發(fā)明的一個設(shè)備的rms操作，圖39示出了可按照本發(fā)明操作的膽甾型設(shè)備，和圖40示出了可按照本發(fā)明操作的多層棧器件。參照圖6，說明了本發(fā)明的原理。圖6的脈沖持續(xù)時間相對于電壓的圖示出了一個雙穩(wěn)設(shè)備的第一區(qū)域60和第二區(qū)域62的閉鎖性質(zhì)。該第一和第二區(qū)域具有不同的閉鎖能量。對于每個區(qū)域，實線表示90％閉鎖的點(即，τV90％)，虛線表示10％閉鎖點(即，τV10％)。該命名法是本領(lǐng)域公知的并參照圖3在以上進行了說明。按照本發(fā)明，第一區(qū)域60和第二區(qū)域62在分開的掃描中尋址。對于兩個行為截然不同的區(qū)域數(shù)據(jù)電壓的選擇如圖6所示。使用Vs1的選通電壓脈沖的第一掃描與選擇(+Vd)或非選擇(-Vd)數(shù)據(jù)電壓脈沖合并，以提供第一區(qū)域60的選擇性轉(zhuǎn)變。使用選通電壓Vs2的第二掃描與選擇(+Vd)或非選擇(-Vd)數(shù)據(jù)電壓脈沖合并使用，以提供第二區(qū)域62的選擇性轉(zhuǎn)變。兩個掃描的使用(即，第一掃描和第二掃描)使尋址整個板所需的電子驅(qū)動器數(shù)量降低，和/或允許使用較低的數(shù)據(jù)電壓(雖然使用較長的行尋址時間)。因此本發(fā)明允許，使用低數(shù)據(jù)電壓可能和/或數(shù)量減小的掃描電極和/或驅(qū)動器將一個雙穩(wěn)板閉鎖到需要的狀態(tài)。該方法可以用于用顯示器的多個掃描補償閉鎖響應(yīng)的變化。其中第一掃描包括一個初始消隱脈沖的兩個掃描(即，第一掃描和第二掃描)的使用也可以描述為三域復(fù)用的方案。換句話說，域一是消隱脈沖，域二施加脈沖以尋址具有第一范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的區(qū)域，并且域三施加脈沖以尋址具有在第二范圍內(nèi)的一個閉鎖域值的區(qū)域。這樣一幀(即，寫入到顯示器中的圖案信息)通過三個域?qū)懭搿Ｒ虼?，能夠看出本發(fā)明允許使用稍微大于部分閉鎖寬度的數(shù)據(jù)電壓區(qū)別兩個區(qū)域，即Vd≥(|V100%|-|V0%|2)Area1≈(|V100%|-|V0%|2)Area2---(3)]]>這具有將數(shù)據(jù)電壓向部分閉鎖寬度的最小值大幅度降低的潛力。該低數(shù)據(jù)電壓降低更新期間的功耗并減小光瞬時現(xiàn)象和倒退效果。如果在相同的掃描電極上發(fā)生該變化(不管通過設(shè)計還是因為變化是隨機的)，需要相同的數(shù)據(jù)來尋址區(qū)域1和2。這通過確保高電壓區(qū)域(區(qū)域1)首先尋址來完成。用于尋址區(qū)域為理想狀態(tài)的信號(比如說，對黑為Vs1-Vd和對白為Vs1+Vd)也施加到相同行上的區(qū)域2。具有低域值(區(qū)域2)被尋址的行的部分用任一合成閉鎖來閉鎖，因此不管數(shù)據(jù)是什么都出現(xiàn)白(在本例中)。但是，在接下來的行掃描中，選通電壓降低到Vs2，從而允許這些區(qū)域被尋址。在該接下來的掃描中，任一個合成(Vs2-Vd或Vs2+Vd)都沒有足夠的能量閉鎖區(qū)域1，所以整個行用想要的圖像尋址。圖7示出了設(shè)計以在每個行電極上表現(xiàn)三個分離域值的板。板具有四個行電極70a-70d(統(tǒng)一稱為行電極70)和八個列電極72a-72h(統(tǒng)一稱為列電極72)。也提供行電子驅(qū)動器74和列電子驅(qū)動器76。行和列電極重疊以提供三十二個區(qū)域，這些區(qū)域能夠通過施加電壓到適當?shù)男泻土衼矸謩e尋址。每個行電極70包括具有不同閉鎖域值的三個區(qū)域；第一區(qū)域80、第二區(qū)域82和第三區(qū)域84。沿著圖7所示的板的線II-II的橫截面圖在圖8中給出。參照圖8，示出了形成第一區(qū)域80、第二區(qū)域82和第三區(qū)域84的排列格柵。也示出了列電極72h，行電極70a和70b，一個下(垂直，單穩(wěn))排列層86和光學(xué)部件88。光學(xué)部件88可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的很多結(jié)構(gòu)中的任意一個使用的起偏振器、補償盤、散射器和/或反射器。應(yīng)當注意所示出的光學(xué)部件88中的一個或兩個在實現(xiàn)一個特定設(shè)備結(jié)構(gòu)時不是必須的。應(yīng)當注意區(qū)域80、82和84可以由其它方法形成以改變域值。這些方法包括在電極中提供洞、提供排列改變(例如，光-排列)，預(yù)傾斜差，格柵形狀或錨定性質(zhì)的變化。該變化可以在雙穩(wěn)表面上，或者在相對的單位表面上。選擇形成第一、第二和第三區(qū)域80、82和84的排列格柵的電介質(zhì)材料從而在這三個區(qū)域的每一個中有不同的厚度。這改變了單元間隙和在整個調(diào)制媒體上施加的電壓(由于在整個電介質(zhì)層的電壓降)，造成在第一、第二和第三區(qū)域80、82和84中有不同的閉鎖域值。假定第三區(qū)域84具有最高的閉鎖域值，因為排列層的介電不匹配比單元間隙的變化更顯著。但是，很明顯也可能設(shè)計單元以便第一區(qū)域80具有最高域值。在操作中，四個行70中的每一個順序消隱，接著用同步施加到列72的適當數(shù)據(jù)掃描三次?；蛘撸行锌梢宰畛跸[，同時并接下來按順序或以某種特定順序順序?qū)γ恳粋€掃描。對于特定行的第一掃描，電壓(Vs1)足夠高以無區(qū)別地閉鎖兩個低域值區(qū)域(即，第一和第二區(qū)域80和82)為一個狀態(tài)，不管施加到列的數(shù)據(jù)。但是，數(shù)據(jù)信號與Vs1合并以閉鎖第三區(qū)域84為需要的狀態(tài)或保持其不改變。在行的第二掃描中，施加的電壓降低到Vs2，Vs2被選擇以便它無區(qū)分地的閉鎖第一區(qū)域80而不對數(shù)據(jù)加以區(qū)別，同時保持第三區(qū)域84不改變；根據(jù)數(shù)據(jù)±Vd有區(qū)別地閉鎖第二區(qū)域82。行的尋址在第三掃描完成，其中Vs3保持第二和第三區(qū)域82和84不改變，但根據(jù)數(shù)據(jù)有區(qū)別地閉鎖第一區(qū)域。以這種方式，有可能降低尋址整個板所需電子驅(qū)動器的數(shù)量。因此能夠看出，不需要與另外電子驅(qū)動器相關(guān)的費用，能夠被尋址的像素數(shù)成為三倍。在參照圖7和8描述的板中，圖像是12乘8(即96)像素，盡管只使用了四個行電極70。其它的優(yōu)點包括降低像素之間的間隙(即，電極間間隙更小)并因此改善對比度和反射系數(shù)(即，增加像素的孔徑比)。應(yīng)當再次強調(diào)，本發(fā)明與獲得模擬灰度等級所使用的各種現(xiàn)有技術(shù)是有很大區(qū)別的。本發(fā)明通過多個尋址掃描允許設(shè)備的電光響應(yīng)在單個電可尋址區(qū)域(例如，行和列電極重疊的區(qū)域)內(nèi)改變。相反，使用模擬灰度等級調(diào)制每個數(shù)據(jù)信號以閉鎖像素區(qū)域的需要的部分。本發(fā)明因此提供一個在連續(xù)掃描中調(diào)制的選通電壓(它通常是一個比數(shù)據(jù)電壓高很多的電壓)。該選通脈沖調(diào)制與多個掃描結(jié)合保持相對低的數(shù)據(jù)電壓，如上所述，這提供很多好處。當然，本發(fā)明可以與模擬灰度等級技術(shù)組合以提供具有更少的電子驅(qū)動器數(shù)量的灰度等級設(shè)備。該方法也用于通過空間抖動以減少產(chǎn)生灰度等級所需的驅(qū)動器數(shù)量。在這樣的一個配置中，可以安排所述區(qū)域(即，圖7的區(qū)域80、82和84)在每個像素內(nèi)有不同的面積。例如，第一區(qū)域80可以是第三區(qū)域84面積的四倍，同時第二區(qū)域82可以是第三區(qū)域84的一半大。這種數(shù)字加權(quán)用最少數(shù)量的分離可尋址區(qū)域產(chǎn)生線性灰度等級領(lǐng)域，這是本的技術(shù)人員所公知的。如果也包括模擬灰度等級電平，則可以使用不同的面積加權(quán)。例如，如果三個模擬電平是可能的，則能夠用1∶3∶9加權(quán)面積實現(xiàn)總共27個灰度。這對使用本發(fā)明的單個行和列發(fā)生(即，分離電可尋址區(qū)域)。除了對設(shè)計以表現(xiàn)多個域值的板使用本發(fā)明，也可以使用多調(diào)制掃描來補償整個板上的隨機變化。這與前面的例子方式相同，除了對多個掃描的每一個使用相同的數(shù)據(jù)之外。換句話說，每個掃描寫相同的數(shù)據(jù)圖案，但每個掃描只選擇性閉鎖具有確定域值范圍的材料。以這種方式，數(shù)據(jù)寫入到顯示器所有的閉鎖閾值在掃描范圍內(nèi)的材料的所有區(qū)域中。實際上，整個板上的隨機變化的閉鎖曲線可能以連續(xù)方式改變，而不是形成兩個不同的操作區(qū)域。但是，即使在這種情況下，顯示器仍然能夠有利地在兩個掃描中被完全尋址。圖9說明了適用于尋址有連續(xù)的閉鎖轉(zhuǎn)換的板的數(shù)據(jù)和選通電壓。該設(shè)備能夠看作具有最低域值區(qū)域(曲線90)和最高域值區(qū)域(曲線92)。選擇數(shù)據(jù)脈沖(+Vd和-Vd)和選通脈沖(Vs1和Vs2)使得整個顯示器能夠用兩個掃描尋址；第一個用Vs1與需要的數(shù)據(jù)合并，第二個用Vs2與需要的數(shù)據(jù)合并，其中Vs1＞Vs2。使用兩個這樣的掃描的結(jié)果是數(shù)據(jù)電壓(幾乎)減半，雖然以雙倍更新速率為代價。如下所述，優(yōu)選有合成電壓有一些交疊(例如近似(δV)/2)，以確保具有接近于橫渡(crossover)的轉(zhuǎn)變能量的單元的區(qū)域閉鎖到理想的狀態(tài)。在具有圖9所示的特性的設(shè)備的情況下，保證所有板的區(qū)域正確尋址所需的數(shù)據(jù)電壓由下式給出Vd≥|V100%(Max)|-|V0%(Min)|4---(4)]]>這是用等式(2)給出的典型現(xiàn)有技術(shù)方案所需功率的一半。實際上，最好使用稍微高于式(4)的等式的Vd，以確保整個顯示器在理想狀態(tài)。通過增加具有連續(xù)降低的選通電壓的掃描數(shù)量，有可能進一步降低Vd。通常，對于n掃描，數(shù)據(jù)電壓由減小為1/nVd≥|V100%(Max)|-|V0%(Min)|2n---(5)]]>認為值得的最大掃描數(shù)量是n=|V100%(Max)|-|V0%(Min)|2(|V100%|-|V0%|)---(6)]]>其中，V100％-V0％是顯微區(qū)域的固有部分閉鎖寬度。使用n行掃描每次更新的能量在以下范圍內(nèi)1/2nf.C(Vdn)2≤E≤nf.C(Vdn)2---(7)]]>其中f是幀更新次數(shù)(例如，固定更新的設(shè)備的頻率)，C是電容。使用n倍多掃描方法產(chǎn)生與傳統(tǒng)的更新技術(shù)相比更新顯示器所需能量降低n倍。圖10示出對于圖9所示的連續(xù)轉(zhuǎn)換，每個行如何能夠通過被掃描5次(即，用電壓Vs1，Vs2，Vs3，Vs4，Vs5)使數(shù)據(jù)電壓幾乎減小到1/5。應(yīng)當注意最高剩余電壓必須在每個連續(xù)掃描使用。參照圖11，說明了選通脈沖的時隙寬度能夠如何改變，以替代調(diào)制連續(xù)掃描之間的選通電壓Vs。在這種情況下，首先使用最長的持續(xù)時間時隙，接下來的掃描連續(xù)縮短。為了確保寬操作范圍，優(yōu)選脈沖寬度(τ)和脈沖電壓(V)調(diào)制的組合。除了改變脈沖寬度和持續(xù)時間，對合成脈沖形狀的改變和/或改變脈沖之間的延遲可以用于提供需要的區(qū)別。參照圖12，示出了ZBD設(shè)備的轉(zhuǎn)變曲線，它包括具有不同閉鎖特性的第一、第二和第三區(qū)域。第一曲線121、第二曲線122和第三曲線123分別說明了在第一、第二和第三區(qū)域中將設(shè)備從故障狀態(tài)閉鎖設(shè)備到連續(xù)狀態(tài)所需的電壓和時間間隙，第一曲線121’、第二曲線122’和第三曲線123’說明了給定時隙的負電壓脈沖能夠從故障狀態(tài)閉鎖設(shè)備帶連續(xù)狀態(tài)。三個不同的閉鎖區(qū)域可以是工程造成的或可以源于設(shè)備上的非均勻性。當相同幅度(即，|τV|)的電壓脈沖閉鎖連續(xù)到故障和故障到連續(xù)，或者從一個轉(zhuǎn)換到另一個轉(zhuǎn)換域值差保持不變時稱為對稱設(shè)備。一個具有圖12所示的特性的三區(qū)域?qū)ΨQZBD設(shè)備可以通過以下步驟閉鎖到故障狀態(tài)(i)通過施加負極性的消隱脈沖124消隱整個設(shè)備到故障狀態(tài)。(ii)使用非選擇數(shù)據(jù)施加正極性的第1掃描(即從故障狀態(tài)轉(zhuǎn)變到連續(xù)狀態(tài))。這提供保留第一區(qū)域(即，具有第一曲線121的區(qū)域)不改變，的第一合成脈沖126。第二區(qū)域(即，具有第二曲線122)部分消隱到連續(xù)狀態(tài)，并且第三區(qū)域(即具有第三曲線123的區(qū)域)全部消隱到連續(xù)狀態(tài)。(iii)使用選擇數(shù)據(jù)施加負極性(即從連續(xù)狀態(tài)轉(zhuǎn)變到故障狀態(tài))的第2掃描。這提供了保留第一區(qū)域未改變，仍在故障狀態(tài)的一個第二合成脈沖128。第二和第三區(qū)域現(xiàn)在全部選擇到故障狀態(tài)。因此，即使在第一掃描期間區(qū)域二只是部分閉鎖到故障狀態(tài)，該設(shè)備也給出理想的最終狀態(tài)。此外作為題外話，如果數(shù)據(jù)波形相反，一個消隱脈沖124’將用于轉(zhuǎn)變這三個區(qū)域到連續(xù)狀態(tài)。然后第一掃描將包含選擇數(shù)據(jù)以提供轉(zhuǎn)變所有區(qū)域到故障狀態(tài)的合成脈沖130，第二掃描將具有非選擇數(shù)據(jù)，提供不轉(zhuǎn)變?nèi)齻€區(qū)域中任一個的合成脈沖132。但是，以上尋址方法假定兩個轉(zhuǎn)換(即，連續(xù)到故障和故障到連續(xù))之間的任何不對稱保持不變。偏移量、單元間隙或格柵間距的改變將對設(shè)備響應(yīng)的不對稱量產(chǎn)生很小的變化或沒有變化。但是，特定的變化(例如，格柵的形狀或標記與間隔比)可能產(chǎn)生觀察到的不對稱量的變化。閉鎖響應(yīng)中的不對稱對本發(fā)明的多掃描技術(shù)產(chǎn)生的效果在圖13中說明。第一曲線131、第二曲線132和第三曲線133分別說明了將設(shè)備從在第一、第二和第三區(qū)域中的故障狀態(tài)閉鎖到連續(xù)狀態(tài)所需的電壓和時隙。第一曲線131’、第二曲線132’和第三曲線133’說明了一個給定時隙的負電壓脈沖如何能夠?qū)⒃O(shè)備從連續(xù)狀態(tài)閉鎖到故障狀態(tài)。這樣圖13的設(shè)備具有表現(xiàn)出具有固定的不對稱和轉(zhuǎn)變電壓等距分離的閉鎖特性的三個取樣區(qū)域。如果選擇選通和數(shù)據(jù)電壓，使得兩個掃描都與第二區(qū)域(即，曲線132和132’)的部分閉鎖寬度重疊，在兩個掃描上觀察到清楚轉(zhuǎn)變。圖14示出了第一、第二和第三曲線131，131’，132，132’，133和133’的展開圖?，F(xiàn)在也示出第四區(qū)域的轉(zhuǎn)變曲線132A和132A’。第四區(qū)域(即，曲線132A和132A’)具有與第二區(qū)域(即，曲線132和132’)類似的閉鎖特性，但在轉(zhuǎn)變的不對稱上有變化。能夠看出如果設(shè)備由消隱脈沖134消隱到故障狀態(tài)，則在第一掃描期間施加的無選擇脈沖(即合成脈沖136)將部分閉鎖第四區(qū)域到連續(xù)狀態(tài)。此外，在第二掃描期間(即合成脈沖138)施加的選擇脈沖將只部分閉鎖第四區(qū)域回到故障狀態(tài)。如果在施加第二掃描之前第二區(qū)域已經(jīng)部分閉鎖，低于完全轉(zhuǎn)變電壓的電壓將足夠轉(zhuǎn)變該部分狀態(tài)到故障狀態(tài)；但是這將不對不對稱有很大變化的地方施加，這將是不可能的。但是，能夠看出加寬相鄰掃描的重疊將消除這一結(jié)果。本發(fā)明的基礎(chǔ)在上面進行了描述，但是，在實際的設(shè)備中，本發(fā)明實現(xiàn)可以是使用一系列尋址脈沖，以使得設(shè)備的多個像素能達到理想狀態(tài)。也如以上所述，現(xiàn)有技術(shù)方案包括兩域和消隱尋址。這兩種尋址類型都可能由本發(fā)明使用。接下來的例子示出了對于設(shè)備中的給定點能夠在狀態(tài)A或狀態(tài)B的雙穩(wěn)設(shè)備施加的尋址方案。考慮單元上的兩個點或區(qū)域(即，AA，AB，BA或BB)，第一個要求比第二個更高的閉鎖域值(即，高，低)。假定正電壓(+Vs和+Vd)傾向于閉鎖像素到狀態(tài)A，而一個負電壓(-Vs，-Vd)閉鎖像素到狀態(tài)B。在一個顯示設(shè)備中，對一個狀態(tài)出現(xiàn)反射或白(比如說，狀態(tài)A)，另一個狀態(tài)為暗(比如說，狀態(tài)B)將是很普通的。像素與理想狀態(tài)不同時(即，誤差)，該狀態(tài)用粗體表示。尋址方案的目的是確保在尋址序列完成后沒有誤差并且在最短時間內(nèi)達到理想狀態(tài)(即，最少步驟數(shù))。為了突出本發(fā)明的優(yōu)點，將首先考慮幾個相反例子的尋址序列。首先，采用以下表1中所示的情況。這使用一個消隱脈沖來閉鎖高和低區(qū)域到狀態(tài)B(BB)。在行尋址周期，第一脈沖幅度為V2并且具有正極性以閉鎖到狀態(tài)A。根據(jù)數(shù)據(jù)是否是正的發(fā)生選擇性地低(第二)域值區(qū)域閉鎖；高(第一)域值區(qū)域都不接收能量足夠引起閉鎖的脈沖。在第二周期，施加+V1，它與數(shù)據(jù)相結(jié)合以閉鎖高區(qū)域到狀態(tài)A或保留它們不改變，這依賴于數(shù)據(jù)。但是，不管數(shù)據(jù)怎樣，所有低區(qū)域閉鎖到狀態(tài)A。如果電壓在該持續(xù)時間是-V1，低區(qū)域?qū)⒎炊鵁o區(qū)別地閉鎖到狀態(tài)B。兩種情況不管開始結(jié)構(gòu)如何，都不產(chǎn)生理想圖像。表1-消隱低接著高/沒有數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)在表2中，對后的周期在-V2，該信號的任何部分都不足以閉鎖高域值區(qū)域到A狀態(tài)。當與相同數(shù)據(jù)合并時，這表示整個第二持續(xù)時間沒有影響并是冗余的。如果數(shù)據(jù)將在第二周期反轉(zhuǎn)，像素將閉鎖到BB，不管初始條件如何。表2-消隱都低/沒有數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)表3和4示出了兩域?qū)ぶ返睦?，它沒有給出理想結(jié)果。在表3中，正電壓都施加到第一域，負電壓施加到第二域。每域中的第二周期是冗余。在第二域(如表4的方案中)中的數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)不減少誤差。表3-兩域高接著低/沒有交替/沒有數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)表4-兩域高接著低/沒有交替/沒有數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)表5示出了使用+V1和-V2選通序列的方案，但在高域值區(qū)域需要從初始狀態(tài)A閉鎖到理想狀態(tài)B時，仍然產(chǎn)生誤差。表5-單域高接著低/交替極性/沒有數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)表6-9提供根據(jù)本發(fā)明如何用不同域值尋址兩個區(qū)域的例子。這些例子都使用降低尋址板所需數(shù)據(jù)電壓的方案并且理想狀態(tài)是AA或BB(不是AB或BA)。同樣的原則應(yīng)用到域值故意改變以給出單獨可尋址區(qū)域，但接著數(shù)據(jù)可以在相鄰的周期之間變化的情況。表6示出了一個簡單的尋址方案，其中每個區(qū)域在施加適當?shù)膶ぶ沸盘栔跋[。最初，對消隱沒有限制，不管初始狀態(tài)怎樣，對消隱進行選擇以便整個板在狀態(tài)B。該消隱可能同時施加到所有行，或者可能限制到尋址序列前的一個或幾個行。它可能是DC平衡本身，或者可以包括補償整個幀的凈DC的部分。數(shù)據(jù)能夠施加到列以確保在該周期消隱，但消隱脈沖將通常同時施加到在顯示器的其它行上的掃描信號。在這種情況下，不管施加到列的數(shù)據(jù)如何，設(shè)計脈沖以閉鎖到一個特定狀態(tài)(即，在其它行上與掃描信號相關(guān)的數(shù)據(jù))。消隱后跟隨著與列上的適當數(shù)據(jù)在一起的高閉鎖脈沖(在該例子中是+V1)，從而有選擇的閉鎖高域值區(qū)域，并且不可區(qū)分地閉鎖低域值區(qū)域到相反狀態(tài)。一旦尋址高域值區(qū)域，低域值區(qū)域只有必須消隱返回到第一狀態(tài)以為了在接下來的周期尋址低域值狀態(tài)來準備它們。理想地，消隱脈沖進行選擇使其閉鎖低域值區(qū)域，而完全不影響已經(jīng)尋址的高域值區(qū)域。表6-對高接著低分離消隱在表7中示出了一個可供選擇的并且潛在更有利的方案。該方案采用了第一轉(zhuǎn)變電壓(+V1)有效消隱低域值區(qū)域同時有選擇的尋址高域值區(qū)域的這一事實的優(yōu)點。因此，如果隨后的信號極性反轉(zhuǎn)(以及設(shè)到適當?shù)姆?，則它與數(shù)據(jù)合并以給出理想狀態(tài)。以這種方式，需要兩個時隙來保證低數(shù)據(jù)尋址兩個區(qū)域。表7-消隱高接著低/交替極性表8和9說明了與表7所示的類似的方案，但不使用消隱脈沖，代替使用三個時隙實現(xiàn)理想的最終狀態(tài)。表8-一個半域高接著低/交替極性表9-一個半域高接著低/改變極性如上所述，以上表7所述的尋址序列能夠用于以高掃描數(shù)量尋址每一行，從而允許數(shù)據(jù)電壓進一步大幅度降低。例10通過把隨機域值的范圍分為三個(即，三個不同域值的區(qū)域)引伸了例7的方案。這說明了本發(fā)明補償隨機變化的使用。表10-用多個掃描尋址三個區(qū)域圖15示出了例10的方案如何用于尋址分為具有三個不同域值的區(qū)域的2行(掃描)和8列(數(shù)據(jù))，如參照圖7和8所述的。圖15a示出了圖7和8所示的顯示器的一個兩行(即行70a和70b)乘四列(即，列72a，72b，72c，72d)段。行70a由施加適當信號到行70a和列72a-72b產(chǎn)生的合成消隱脈沖消隱為黑。行70b保持不由施加到列72a-72d用灰度狀態(tài)表示的數(shù)據(jù)信號改變。圖15b示出了被尋址的上行的高域值區(qū)域(即，第一區(qū)域80)。選擇數(shù)據(jù)波形施加到列72b，同時無選擇數(shù)據(jù)波形施加到列72a，72c和72d。這樣想要的圖案寫入到行電極70a的第一區(qū)域80的像素中。結(jié)果足以使低域值區(qū)域(即第二區(qū)域82和第三區(qū)域84)無區(qū)別地消隱為白。在圖15c中，選通電壓降低到Vs2并且極性反轉(zhuǎn)。這消隱最低域值區(qū)域(即，第三區(qū)域84)回到黑，同時保留最高域值區(qū)域(即，區(qū)域80)不改變。只有中間區(qū)域(即，第二區(qū)域82)與施加到列72a-72d的選擇和非選擇數(shù)據(jù)合并以給出區(qū)別。圖15d示出了電壓降低到Vs3并且極性反轉(zhuǎn)的第三掃描。這只尋址最低域值區(qū)域(即，第三區(qū)域84)到理想狀態(tài)，同時保留高域值區(qū)域(即第一區(qū)域80和第二區(qū)域82)不改變?，F(xiàn)在行70a被完全尋址。圖15e和15f示出參照圖15a和15b的上述過程如何對行70b重復(fù)。以這種方式，數(shù)據(jù)能夠?qū)懭氲斤@示器的每個像素。這樣能夠看出盡管只需要驅(qū)動器尋址兩行，尋址了總共6乘8像素，而不是2乘8像素。為了簡化，示出了單極選通和數(shù)據(jù)信號。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，實際上，可以最好是雙極數(shù)據(jù)。例如，ZBD設(shè)備在幀掃描、行掃描或部分掃描安排中使用這種雙極脈沖更好的操作。當執(zhí)行本發(fā)明時，通常也應(yīng)當遵循與現(xiàn)有技術(shù)的尋址技術(shù)相關(guān)的標準規(guī)則。例如，施加到行的全部信號必須在特定周期DC平衡，通常取完整幀。對每個行數(shù)據(jù)信號也應(yīng)當是DC平衡的，以防止對于特定像素圖案的不想要的閉鎖。而且，選通(有時也稱為掃描)脈沖可以采用雙極或單極，只要整個時間內(nèi)凈合成DC是零。該DC平滑防止液晶材料的擊穿。實際上，近來已經(jīng)發(fā)現(xiàn)使用雙極脈沖的ZBD設(shè)備操作地更好。這時由于主導(dǎo)(不閉鎖，dc平衡)脈沖降低對拖動(閉鎖)脈沖的閉鎖域值的還原效果?，F(xiàn)在將給出掃描序列采用對每一行連續(xù)的例子，每個跟隨著另一個，直到行完成并且尋址下一個行(按照任何順序)。這合并了用雙極尋址和本發(fā)明的尋址方案兩者的優(yōu)點。應(yīng)當注意到顯示器可以不依次尋址每行，而可以在第一選通脈沖從頂部到底部掃描，接著以減小的選通電壓對整個顯示器掃描。該安排同樣是有利的，因為這允許在來自驅(qū)動器的總電壓電平在隨后的掃描降低之前，所有行(電極)連接到單個驅(qū)動器芯片并在一個電壓首先掃描，依此類推。這使得能夠使用低成本四電平(STN)驅(qū)動器。在這種情況下，優(yōu)選保證消隱和掃描信號都是雙極的。圖16示出了一個用于使用表7所述的方法尋址單個行的方案的例子。這示出了四時隙方案(-1，-1，+1，-2)Vs_(±1，±1，1，1)Vd，其中前兩個時隙提供消隱，后兩個時隙給出區(qū)別閉鎖(1＞2)。需要四個時隙來允許數(shù)據(jù)信號DC平衡。盡管選擇性閉鎖只出現(xiàn)在后兩個時隙中，使用前兩個時隙達到良好效果，直接在選擇之前提供消隱。這時的行波形在行內(nèi)不是DC平衡的。這能夠在信號之前或之后用額外的脈沖完成。如果如圖所示在掃描信號之前立即計時，DC平衡脈沖用于改善消隱。或者(例如，由于可能來自驅(qū)動器電路的波形的限制)整個波形可能引入到一個六時隙行(+2，+1，-1，-1，+1，-2)Vs_(+1，-1，±1，±1，1，1)Vd。參照圖17，示出了本發(fā)明的三掃描復(fù)用方案。消隱脈沖之后是與適當?shù)倪x擇或非選擇數(shù)據(jù)同步的第一、第二和第三選通脈沖。每個選通脈沖的持續(xù)時間從一個掃描到另一個掃描降低并且與前一個選通脈沖極性相反。圖18示出了第一掃描(即，第一選通脈沖的使用)如何能夠施加到每個行，在第一掃描后跟隨著施加第二掃描到每個行，施加第三掃描到每個行。因此，整個顯示器接收第一掃描，接著是第二掃描，最后是第三掃描。圖19示出了一個可供選擇的安排，其中在三個掃描施加到接下來的行之前用三個掃描閉鎖每個行。應(yīng)當注意到，圖18和19所示的方案的組合也是有可能的。例如，考略一個十行顯示器。行一到五(比方說)能夠依次由第一、第二和第三掃描尋址。接著，行六到十(比方說)能夠接著由第一、第二和第三掃描依次尋址。各種其它的組合能夠按照需要使用，只要每個幀中每個分離電可尋址區(qū)域以正確的順序接收第一掃描、第二掃描和第三掃描。圖20示出了用雙極脈沖測量的在25℃一個3.5μm的ZBD單元的雙極脈沖閉鎖響應(yīng)。這示出了不對稱閉鎖域值，這可能需要如上所述重疊尋址區(qū)域。關(guān)于格柵，為負的場以比閉鎖到故障狀態(tài)A的正場更低的電壓閉鎖到連續(xù)狀態(tài)B。也示出了由液晶的離子污染物引起的反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換域值。電壓也可以改變，以便補償全局變化，比如溫度的變化。也可以考慮任何的板與板之間的變化來選擇電壓。為了證明本發(fā)明已經(jīng)建立了一個測試單元。用于該調(diào)查的單元表示為單元Z641，它是一個具有許多區(qū)域的ZBD灰度級單元用，所述區(qū)域由具有不同間距和標記與間隔比的排列格柵制造。但是，為了說明本發(fā)明，將考慮具有固定的標記與間隔比和變化的間距的區(qū)域，因為這些區(qū)域表現(xiàn)出的兩個轉(zhuǎn)變閾值基本有不變的不對稱轉(zhuǎn)變。單元中離散區(qū)域的間距以0.1μm的增量在0.6μm和1.0μm之間改變，并且在圖21中示出了在25℃的溫度從所有這些區(qū)域產(chǎn)生的閉鎖轉(zhuǎn)換。圖中的虛線和實線分別示出了10％和90％的轉(zhuǎn)變水平。特別是，圖21a中示出了各種連續(xù)到故障閉鎖轉(zhuǎn)換，同時圖21示出了各種故障到連續(xù)轉(zhuǎn)換。能夠注意到雙穩(wěn)窗口的寬度對整個格柵間距范圍是不夠的。這造成的對0.6μm間距的區(qū)域的厚度不均性，增加間距從0.9μm到1.0μm，轉(zhuǎn)換有很小偏移或沒有偏移。圖21示出了典型的部分轉(zhuǎn)變寬度對C到D轉(zhuǎn)換是從0.4V變到1.1V，對D到C轉(zhuǎn)換是從0.7V變到2.1V。該單元首先用于證明如何使用根據(jù)本發(fā)明的多掃描來降低數(shù)據(jù)電壓同時校正設(shè)備轉(zhuǎn)變中的不均勻性。注意接下來在燈箱(lightbox)上執(zhí)行以下步驟，從而在任意時刻觀察整個設(shè)備。這意味著溫度不能被控制，并將比25℃更大，因此，產(chǎn)生在所有區(qū)域上導(dǎo)致較低轉(zhuǎn)變電壓。但是，每個格柵間距區(qū)域的轉(zhuǎn)換將仍然有電壓移動。如果選擇100μs的時隙，則發(fā)現(xiàn)C到D轉(zhuǎn)換需要2.25V的數(shù)據(jù)電壓對從C到D的轉(zhuǎn)換和2.75V的數(shù)據(jù)電壓對從D到C的轉(zhuǎn)換，以便在施加單個雙極脈沖下完全轉(zhuǎn)變所有區(qū)域。如果施加兩個掃描，選擇它們之間有1.0V的重疊(注意部分轉(zhuǎn)變寬度的效果在以上論述)，第一掃描用電壓Vs＝19.6V，Vd＝1.6V轉(zhuǎn)變D到C，第二掃描用電壓Vs＝19.9V，Vd＝1.4V轉(zhuǎn)變C到D，則具有固定的標記與間隔比的單元Z641的所有區(qū)域完全尋址到連續(xù)狀態(tài)或故障狀態(tài)?，F(xiàn)在參照圖22，示出了多掃描技術(shù)在測試單元上的效果。圖22d示出了測試單元的不同區(qū)域中的格柵的間距(以μm為單位)。為了說明多掃描技術(shù)，設(shè)備最初消隱到故障狀態(tài)，并且接著施加兩個掃描，第一掃描具有轉(zhuǎn)變到連續(xù)狀態(tài)的極性，第二掃描具有轉(zhuǎn)變到故障狀態(tài)的極性。當轉(zhuǎn)變設(shè)備到故障狀態(tài)時，第一掃描包含物非選擇數(shù)據(jù)，并且因為非選擇合成不足以轉(zhuǎn)變到連續(xù)狀態(tài)，所以具有較高域值電壓的區(qū)域在第一掃描后保持在故障狀態(tài)。然而其它區(qū)域轉(zhuǎn)變到連續(xù)狀態(tài)，因為它們的域值電壓較低。這在圖22a中示出，間距較短(因而域值電壓較低)的區(qū)域轉(zhuǎn)變到連續(xù)(黑)狀態(tài)。能夠看出，例如在0.8μm和0.9μm間距區(qū)域之間沒有一個明顯的區(qū)別，很多不均勻性出現(xiàn)在測試單元中。另外，在0.6μm區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)大量的退回故障區(qū)域，因此導(dǎo)致在該區(qū)域比實際應(yīng)有的情況有更大的比例處于故障狀態(tài)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解出現(xiàn)在測試單元中的故障數(shù)和不均勻性水平將在任何成品顯示器中大大降低。圖22(b)示出了在第二掃描轉(zhuǎn)變掃描之后設(shè)備完全轉(zhuǎn)變到故障狀態(tài)，該第二掃描除了極性選通外還結(jié)合選擇數(shù)據(jù)以轉(zhuǎn)變故障。該電壓足以把在第一掃描中轉(zhuǎn)變到連續(xù)的區(qū)域轉(zhuǎn)變到故障狀態(tài)，并且不足以將沒有轉(zhuǎn)變到連續(xù)的區(qū)域轉(zhuǎn)變到故障。在轉(zhuǎn)變設(shè)備到連續(xù)狀態(tài)時，現(xiàn)在第一掃描結(jié)合選擇數(shù)據(jù)，它轉(zhuǎn)變所有區(qū)域到連續(xù)狀態(tài)，并且第二掃描結(jié)合一個非選擇數(shù)據(jù)，它使所有區(qū)域保持在連續(xù)狀態(tài)不變。在圖22(c)中示出了最終狀態(tài)，盡管該設(shè)備沒有被第二掃描改變。因此，已經(jīng)證明固定標記與間隔比的灰度等級單元Z641的所有區(qū)域能夠用相反極性的兩個掃描尋址，其中分別在第一和第二掃描中使用1.6V和1.4V的數(shù)據(jù)電壓。這與一個2.25V的數(shù)據(jù)電壓相比較，使用2.25V的數(shù)據(jù)電壓需要使用單個掃描轉(zhuǎn)變相同區(qū)域。因此已經(jīng)論證了數(shù)據(jù)電壓有33％的下降。注意將需要所施加的數(shù)據(jù)電壓進一步減小，以便將數(shù)據(jù)電壓降低到低于Fredericksz轉(zhuǎn)換的電平，對于該設(shè)備Fredericksz轉(zhuǎn)換電平在1V的范圍內(nèi)。但是，在通常的單元中(即，格柵用固定間距和標記與間隔比形成)，局部部分轉(zhuǎn)變寬度通常是0.5V，它比此處使用的灰度級單元在很多情況下的1-2V窄很多?？紤]到這樣的一個窄的局部部分轉(zhuǎn)變區(qū)域，可以使用小于1V的數(shù)據(jù)電壓，該數(shù)據(jù)電壓比Fredericksz轉(zhuǎn)換更低。如上所述，將數(shù)據(jù)電壓減小到Fredericksz轉(zhuǎn)換之下防止顯示器在尋址期間“閃光“。具有格柵間距0.6μm和0.8μm的區(qū)域在灰度等級設(shè)備上的位置彼此相鄰，因此允許使用本發(fā)明的第二應(yīng)用的研究，本發(fā)明的第二應(yīng)用通過制造不同域值電壓的區(qū)域降低驅(qū)動器數(shù)量?，F(xiàn)在單元放在溫度臺中，并設(shè)在25℃的溫度。被考慮的兩個區(qū)域的轉(zhuǎn)變曲線在圖23中示出。圖23a示出了具有0.6μm和0.8μm格柵間距的灰度等級單元Z641的兩個區(qū)域的故障到連續(xù)轉(zhuǎn)換，同時圖23b示出了相同區(qū)域的連續(xù)到故障轉(zhuǎn)換。虛線和實現(xiàn)分別表示10％和90％的轉(zhuǎn)變水平。第一掃描由第一箭頭200(圖23a)定義，第二掃描由第二箭頭202(圖23b)定義。從圖23能夠看出對這兩個區(qū)域轉(zhuǎn)變電壓的最大差別在50μs到100μs的時隙之間出現(xiàn)(100μs選為該證明中的時隙)。如果我們因此使用D到C轉(zhuǎn)換作為具有24.5V選通電壓的第一掃描，并且C到D轉(zhuǎn)換作為具有24V選通電壓的第二掃描，則依賴于對兩個掃描的選擇或非選擇數(shù)據(jù)波形的組合，對兩個掃描都使用1V的數(shù)據(jù)電壓，我們能夠選擇4個分離狀態(tài)。圖24a-24d是參照以上圖23描述的0.6μm和0.8μm區(qū)域的顯微照片。圖24e說明了兩個不同區(qū)域在顯微照片中的位置。單元消隱為故障狀態(tài)以閉鎖兩個區(qū)域都為白。故障到連續(xù)轉(zhuǎn)換用作第一掃描，其中選通電壓為-24.5V。連續(xù)到故障裝還是具有24V選通電壓的第二掃描。第一和第二掃描使用1V的數(shù)據(jù)電壓。依賴于對于兩個掃描的選擇和非選擇數(shù)據(jù)波形的組合，能夠選擇4個分離狀態(tài)。圖24a示出了0.6μm/關(guān)，0.8μm/開；圖24b示出了0.6μm/開，0.8μm/開；圖24c示出了0.6μm/關(guān)，0.8μm關(guān)和圖24d示出了0.6μm/開，0.8μm/關(guān)。圖24所示標簽的定義是在第一/第二掃描中的數(shù)據(jù)的極性，其中+數(shù)據(jù)具有與對應(yīng)的選通相同的極性，-數(shù)據(jù)具有與對應(yīng)的選通相反的極性。具有格柵間距0.6μm和0.8μm的兩個區(qū)域因此能夠使用兩個掃描和一個1V數(shù)據(jù)脈沖尋址。根據(jù)對于兩個掃描的選擇或非選擇波形的組合，能夠選擇四個分離狀態(tài)。這允許用在灰度等級或標準黑、白設(shè)備中的驅(qū)動器數(shù)減少。這通過制造不同格柵間距的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)。多掃描技術(shù)也能用于確?？缭揭粋€寬溫度范圍的操作，該操作需要溫度傳感器。第一掃描用于閉鎖域值高(例如低溫)的材料，接下來的掃描閉鎖具有減小的范圍(即，較高溫度)內(nèi)的域值的材料。這除去了對溫度傳感電路的需要，因此降低了成本。溫度變換可以是局部或整體的。因此，已經(jīng)證明了一個顯示器能夠在所有情況下用多掃描尋址，只要相鄰轉(zhuǎn)變掃描的重疊足夠。如果整個單元的兩個轉(zhuǎn)換的不對稱沒有改變，則該重疊對應(yīng)于局部部分轉(zhuǎn)變寬度。但是，如果這兩個轉(zhuǎn)換的不對稱改變，則需要更大的重疊，這可能降低該技術(shù)的數(shù)據(jù)電壓降低的好處。如以上所概述的，專利申請WO97/14990描述了在至少一個表面上具有一個排列格柵的頂雙穩(wěn)設(shè)備(ZBD)。而且，WO97/14990描述了在一個設(shè)備的兩個表面使用頂雙穩(wěn)排列格柵；這里這樣的一個設(shè)備應(yīng)當稱為雙ZBD設(shè)備。首先，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在雙ZBD單元上施加特定極性的電場產(chǎn)生取向到一個表面內(nèi)并且遠離另一個表面的電場。因此，該電場用于將一個表面從狀態(tài)A閉鎖到B(比如說從低傾斜、故障狀態(tài)到高傾斜、連續(xù)狀態(tài))，而相同場傾向于將相反表面從B閉鎖到A。如果雙ZBD設(shè)備的兩個表面相同，這兩個表面的A到B和B到A轉(zhuǎn)換將相同，并且因此施加場將總是傾向于閉鎖設(shè)備到混合狀態(tài)AB或BA中的任一個。換句話說，兩個表面將在相同的施加電壓(負或正)下轉(zhuǎn)變并因此只能選擇混合狀態(tài)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)第一改進的雙ZBD能夠通過構(gòu)造一個設(shè)備來產(chǎn)生，該設(shè)備在兩表面都具有相同格柵，但安排每個表面以便從低傾斜(例如，狀態(tài)A)到高傾斜狀態(tài)(例如狀態(tài)B)比相反轉(zhuǎn)換(B到A)具有更高的域值能量(τV)。換句話說，從A到B的轉(zhuǎn)換對兩個表面都發(fā)生在第一電壓幅度(但不同的電壓極性)，同時從B到A的轉(zhuǎn)換對兩個表面都發(fā)生在第二電壓幅度(但不同的電壓極性)。這些所謂的不對稱對每個表面轉(zhuǎn)變提供獨立控制程度。圖25示出了具有不對稱轉(zhuǎn)換的一個雙ZBD設(shè)備的測得的電光響應(yīng)。曲線221A表示在第一表面(S1)從高傾斜狀態(tài)(狀態(tài)B)到低傾斜狀態(tài)(狀態(tài)A)的轉(zhuǎn)換，同時曲線222B表示在第二表面(S2)從低傾斜狀態(tài)(狀態(tài)A)到高傾斜狀態(tài)(狀態(tài)B)的轉(zhuǎn)換。曲線221B表示在第一表面從低傾斜狀態(tài)(狀態(tài)A)到高傾斜狀態(tài)(狀態(tài)B)的轉(zhuǎn)換，同時曲線222A表示在第二表面從高傾斜狀態(tài)(狀態(tài)B)到低傾斜狀態(tài)(狀態(tài)A)的轉(zhuǎn)換。虛線代表轉(zhuǎn)換的開始且實線代表完全閉鎖。由于混合狀態(tài)AB和BA的等價，單元具有三個不同的光學(xué)透射狀態(tài)。對雙極脈沖測量了閉鎖脈沖，每種情況中定義的閉鎖使用拖尾脈沖(trailingpulse)。在圖25中用圖表示出的轉(zhuǎn)變結(jié)果在表11中總結(jié)，對于750μs脈沖使用施加到列的±3V的數(shù)據(jù)信號。表11-雙ZBD單元的結(jié)果作為一個例子，考慮使用用在現(xiàn)有技術(shù)中的尋址方案尋址參照圖22描述的雙ZBD設(shè)備。施加到被尋址行的+20V的第一脈沖確保S1閉鎖到狀態(tài)A，S2閉鎖到狀態(tài)B(即，狀態(tài)AB)。比如這樣的消隱脈沖通常比適當?shù)膶ぶ沸盘柼崆耙粋€或多個行施加。不管施加的數(shù)據(jù)如何，+20V幅度對于消隱到BA足夠高。這允許一些先前行的數(shù)據(jù)同時施加到消隱脈沖。消隱后，感興趣行準備被尋址。尋址序列的第一脈沖應(yīng)當是與消隱相反的極性并且在不對稱轉(zhuǎn)換能量之間的中心。在這個例子中，施加一個-14V的脈沖。當數(shù)據(jù)是+3V時，這閉鎖S1到A狀態(tài)并且閉鎖S2到狀態(tài)B，因為合成的-17V高于兩個轉(zhuǎn)換，但是對于負數(shù)據(jù)(-11V的合成)保留兩表面不改變。在尋址序列的最終脈沖極性反轉(zhuǎn)并且幅度降低，以便數(shù)據(jù)引起低域值表面閉鎖或不閉鎖，但保留高域值表面不受影響。在這個例子中，施加+11V。數(shù)據(jù)是+3V時，整個單元的電壓降只是+8V，并且像素不改變(來自第一脈沖的AB或BA)。如果數(shù)據(jù)是-3V，+14V合成閉鎖S2到狀態(tài)B并且像素是AB或BB。但是，如果像素在來自第一脈沖的狀態(tài)AB，即使在第二脈沖后它也將保持這樣。狀態(tài)AA還沒有實現(xiàn)。該尋址序列總結(jié)在表12中，其中第一個字母對應(yīng)于S1，第二個字母對應(yīng)于S2，并且粗體字母表示錯誤。能夠看出對于閉鎖S2到需要的A狀態(tài)的任意企圖將不可避免的閉鎖S1到狀態(tài)B。表12-施加到雙ZBD的現(xiàn)有技術(shù)尋址序列的例子當兩個表面具有不同的閉鎖域值時，不管在低預(yù)傾斜狀態(tài)產(chǎn)生的傾斜怎樣，上述多掃描技術(shù)都能夠應(yīng)用到雙ZBD。接著有可能尋址設(shè)備，以便具有高域值的表面在第一掃描有選擇地閉鎖，同時具有低域值的表面在第二掃描選擇性閉鎖。一個雙穩(wěn)格柵表面的閉鎖能量可以通過改變格柵形狀(例如，改變間距與深度比，標記與間隔比或不對稱度)或表面特性(例如，表面能量)來改變。提供不同的頂和底表面產(chǎn)生更寬的尋址窗口，其中理想狀態(tài)的選擇是可能的，不依賴于條件的變化或改變。在這樣的情況下，每個表面的雙穩(wěn)排列可以是不同形狀的格柵，但不同的格柵材料可能用于兩個表面。兩表面的介電常數(shù)的不同造成在表面上的不同的電場分布(即使對于相同的格柵形狀)，從而產(chǎn)生不同的域值?；蛘撸駯趴赡苡貌煌牟牧细采w，從而由于表面能的差改變轉(zhuǎn)換域值。因此能夠構(gòu)成一個雙ZBD設(shè)備，其中第一表面上的轉(zhuǎn)換的域值電壓與第二表面上的類似轉(zhuǎn)換的域值電壓不同。因為對于頂和底表面的場反向，這可能甚至用具有等小排列特性的頂和底表面實現(xiàn)。換句話說，當使用不對稱轉(zhuǎn)換時，產(chǎn)生改進的操作窗口，但是極性被相反(即，對于一個表面A到B低于B到A，對其它的轉(zhuǎn)換反之亦然)。作為一個例子，考慮條件AA和BB的選擇，這里第一個字母表示高域值表面狀態(tài)，第二個字母表示低域值表面狀態(tài)。如果需要，多掃描尋址的使用要求高域值表面首先閉鎖。施加以選擇性閉鎖高域值表面的第一脈沖將總是閉鎖低域值表面，從而導(dǎo)致瞬時混合狀態(tài)。該第一脈沖之后可以是第二脈沖，該第二脈沖可以選擇性(即，根據(jù)數(shù)據(jù))閉鎖低域值表面，而不影響高域值表面的狀態(tài)。分離尋址頂和底表面的兩個掃描的使用允許所有四個狀態(tài)(AA，AB，BA和BB)區(qū)分選擇，如表13所示。在該例子中，|V1|＞|V2|，+Vd數(shù)據(jù)脈沖向AB閉鎖，同時-Vd脈沖向BA閉鎖。在每種情況下，表13中的第一個字母表示高域值表面，第二字母表示低域值表面。有可能負域值和正域值顛倒，但將仍然應(yīng)用相同的基本原則。表13根據(jù)本發(fā)明的雙ZBD的尋址序列參照圖26，說明了按照本發(fā)明的一個雙ZBD的尋址序列。圖26a示出了一個ZBD單元，其包括一個向列液晶層230，該液晶層包含在第一和第二結(jié)合玻璃壁232和234之間。第一和第二電極236和238分別施加到第一和第二結(jié)合玻璃壁232和234的內(nèi)表面。圖26a中的液晶單元能夠是任意初始結(jié)構(gòu)；例如，示出的不同光學(xué)狀態(tài)的混合。第一排列表面應(yīng)用到第一電極236，第二排列表面242應(yīng)用到第二電極238。每個排列表面包括一個表面浮雕結(jié)構(gòu)(例如一個格柵)，它能夠給予其附近的向列液晶材料兩個穩(wěn)定排列條件。但是，第一排列表面用于以比第二表面高的電壓域值提供兩個雙穩(wěn)表面狀態(tài)之間的閉鎖。圖26b表示用高負脈沖消隱后ZBD單元的取向。這樣形成一個混合狀態(tài)(即，AB)。接著使用正選通脈沖施加第一掃描用。如果負(即，選擇)數(shù)據(jù)脈沖與正選通脈沖合并，合成脈沖足夠閉鎖高域值表面和低域值表面；從而形成圖26c所示的混合狀態(tài)BA。如果正(即，非選擇)數(shù)據(jù)脈沖與正選通脈沖合并，合成脈沖不足以閉鎖高域值表面，但將閉鎖低域值表面；這樣形成圖26d所示的狀態(tài)AA。因此第一掃描無選擇地閉鎖低域值表面，有選擇地閉鎖高域值表面。一旦第一掃描完成，第二掃描用比第一掃描的正選通脈沖幅度和持續(xù)時間低的一個負選通脈沖施加。第二掃描用于有選擇地閉鎖低域值表面，但不影響高域值表面。如果圖26c的BA狀態(tài)在第一掃描期間被選擇，如果施加正(選擇)數(shù)據(jù)電壓則，在第二掃描期間產(chǎn)生的合成脈沖將閉鎖低域值表面到圖26e所示的狀態(tài)。非選擇數(shù)據(jù)脈沖產(chǎn)生圖26c的BA狀態(tài)，該狀態(tài)在圖26f中保持。如果圖26d的AA狀態(tài)再第一掃描被選擇，如果施加正(選擇)數(shù)據(jù)電壓，在第二掃描期間產(chǎn)生的合成脈沖將閉鎖低閾值表面到圖26所示的狀態(tài)。施加非選擇數(shù)據(jù)脈沖產(chǎn)生圖26d所示的AA狀態(tài)，如圖所示該狀態(tài)在圖26g中保持。以這種方式，多掃描允許設(shè)備的兩表面的狀態(tài)容易地選擇。換句話說，狀態(tài)AA，BB，AB或BA可以按照需要選擇。應(yīng)當注意，盡管圖26示出了初始消隱到狀態(tài)AB，也可能在設(shè)備已經(jīng)消隱到BA之后使用該技術(shù)。這在圖27中描述。圖27a示出了混合結(jié)構(gòu)的液晶材料。施加正消隱脈沖后，圖27b的混合狀態(tài)BA形成。第一掃描能夠形成圖27c的BB狀態(tài)或圖27d的AB狀態(tài)。如果在第一掃描選擇BB狀態(tài)，這能夠保持(圖27e)或者能夠選擇圖27f的BA狀態(tài)。如果在第一掃描選擇AB狀態(tài)，這能夠保持(圖27h)或能夠選擇圖27g的AA狀態(tài)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到雙ZBD設(shè)備能夠用在本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的各種光學(xué)配置中。應(yīng)當注意，當兩個表面的狀態(tài)A有零傾斜并且狀態(tài)B具有90°傾斜(即，平行于表面材料)時，獲得好的光響應(yīng)。例如，能夠用兩個起偏振器或一個起偏振器產(chǎn)生透射設(shè)備，用一個反射器能夠提供一個反射設(shè)備。光學(xué)特性也能夠用補償薄膜、濾色器等改變。雙ZBD排列對于垂直和扭曲向列狀態(tài)給出良好的視角特性。參照圖28，示出了雙ZBD設(shè)備的四個部分。該設(shè)備包括第一單元壁250和第二單元壁252，它們約束向列液晶材料層254。第一行電極256和第二行電極258提供在第一單元壁250的內(nèi)表面上。第一列電極260和第二列電極262提供在第二單元壁252的內(nèi)表面上。提供第一表面排列格柵264以排列第一單元壁250處的液晶材料，并且提供第二排列格柵266以排列第二單元壁252處的液晶材料。第一和第二格柵的凹槽方向是正交的。也提供一對起偏振器268；一個起偏振器放在單元的一側(cè)并且排列以便它們的光軸正交，并且沿著各個表面格柵的凹槽方向。也提供一個背光270。因而，圖28的設(shè)備包含四個分離電可尋址區(qū)域。示出第一電可尋址區(qū)域270中的液晶(由第二行電極258和第二列電極262的重疊定義)閉鎖到BB狀態(tài)并提供黑狀態(tài)。示出第二電可尋址區(qū)域271中的液晶(由第一行電極256和第二列電極262的重疊定義)在BB狀態(tài)并提供白狀態(tài)。第二排列格柵的A狀態(tài)用于給出比第一排列格柵的A狀態(tài)更高的預(yù)傾斜。因此，第三電可尋址區(qū)域274(由第二行電極258和第一列電極260的重疊定義)當在AB狀態(tài)時提供淺灰度級。這應(yīng)當與第四電可尋址區(qū)域274(由第一行電極256和第一列電極260的重疊定義)比較，該區(qū)域當在BA狀態(tài)時提供一個淺灰度狀態(tài)。因此，AB和BA之間的透射差表示四個透射電平是可能的，如上所述。如果仔細選擇光學(xué)系統(tǒng)，該排列可以提供一個滿意的視角；注意零傾斜，三狀態(tài)設(shè)備AA、AB＝BA、BB具有完美的LCD光學(xué)系統(tǒng)。因此已經(jīng)示出有可能在LCD的兩個內(nèi)表面上使用頂雙穩(wěn)排列表面。設(shè)計表面以給出兩個表面的不同轉(zhuǎn)變域值允許分別尋址三個或四個狀態(tài)。優(yōu)選該設(shè)備使用格柵軸互相基本上90°排列的頂點雙穩(wěn)格柵表面。其次優(yōu)選兩表面的低傾斜狀態(tài)基本上不同(盡管從平均表面平面的預(yù)傾斜都應(yīng)當?shù)陀?0°)并且高傾斜狀態(tài)都在預(yù)傾斜范圍88°到90°。而且，描述了電子信號如何能夠提供以允許(至少)設(shè)備獨立地閉鎖到兩表面都低傾斜或兩表面都高傾斜。盡管描述的雙ZBD設(shè)備被示出用周期性表面排列格柵，WO01/40853所述的類型的表面可以用作頂雙穩(wěn)排列層中的一個或兩個。在這樣的排列層中，低傾斜狀態(tài)的表面排列從表面上的一個點向另一個點改變很大。這種表面的例子包括垂直雙格柵，格柵網(wǎng)格或其它這種格柵或具有給出頂雙穩(wěn)性的尺寸、形狀和間隔在一個范圍內(nèi)變化的偽隨機表面特征(柱或盲孔)。也應(yīng)當注意，轉(zhuǎn)變兩個表面的兩個掃描能夠與多掃描組合以在整個顯示器上尋址不同的區(qū)域。換句話說，相鄰雙ZBD區(qū)域可以具有不同的域值。這能夠降低數(shù)據(jù)電壓或減少電極/驅(qū)動器的數(shù)量，如上所述。也能夠提供一個π單元設(shè)備。參照圖29，說明了現(xiàn)有技術(shù)的π單元的操作原理。π單元設(shè)備包括一個液晶材料層2，它包含在一對單元壁4之間。該壁包括電極結(jié)構(gòu)，并且預(yù)處理每個壁使得與壁接觸液晶在單個或特定方向上排列。在沒有施加電壓時，液晶材料2采用圖1a所示的一個斜展結(jié)構(gòu)，其中設(shè)備中心的液晶分子基本上平行于單元壁4。設(shè)備的中心表示平行于單元壁的一個平面，并且在它們之間近似等距離。施加比特定值更高的電壓以允許一定時間后液晶材料采用如圖1b所示的第一彎曲(或不斜展)狀態(tài)。在第一彎曲狀態(tài)，液晶層中心的液晶分子基本上垂直與單元壁4。除去施加場后第一彎曲狀態(tài)保持并且可以持續(xù)若干第二周期或更長時間。施加較高電壓引起形成圖1c所示的第二彎曲(或不斜展)狀態(tài)，這是由于電場與液晶材料的正介電各向異性耦合并且再定向指向矢與表面垂直。在第二彎曲狀態(tài)，液晶指向矢在單元中點保持基本上垂直于單元壁4，單元的所有剩余液晶材料(原理靠近每個表面的區(qū)域，這些區(qū)域被表面的錨定效應(yīng)控制)也被強制基本上與單元壁垂直。設(shè)計π單元的表面以給出液晶指向矢的預(yù)傾斜，該預(yù)傾斜通常在5°和30°之間。表面排列方向通常安排在基本上相反的方向。但是，有可能用平行或接近平行的表面方向，用具有適當?shù)淖园l(fā)扭曲(即，具有特定間距)的液晶混合物和設(shè)備單元間隙來產(chǎn)生理想的彎曲狀態(tài)。π單元設(shè)備在圖29b所示的第一彎曲(低電壓)狀態(tài)和圖29c所示的第二(高電壓)彎曲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變時提供光學(xué)對比度。而且，能夠?qū)崿F(xiàn)第一和第二彎曲狀態(tài)之間的很快速(在典型的大約4μm的單元間隙中，在25℃大約1-2毫秒)的轉(zhuǎn)變。但是，長時間周期地移除施加的電壓將造成液晶材料釋放回到圖29a的積極有利的斜展結(jié)構(gòu)。從斜展狀態(tài)向不斜展(彎曲)狀態(tài)的轉(zhuǎn)變比彎曲狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變慢很多，通常需要30秒或更長時間。已知的π單元結(jié)構(gòu)的特別缺點是在接下來的操作中成核并穩(wěn)定第一彎曲狀態(tài)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可能需要高壓來從斜展狀態(tài)初始轉(zhuǎn)變到彎曲(即，不斜展)狀態(tài)。在特定設(shè)備中，例如在每個像素由薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動的設(shè)備中，從斜展狀態(tài)向彎曲狀態(tài)轉(zhuǎn)變所需電壓可能很難產(chǎn)生并增加額外成本。Koma等在(1999)ProceedingsoftheSID，p28-31發(fā)現(xiàn)彎曲狀態(tài)在每個像素內(nèi)的特定“起始點”被成核，通常與隨機不規(guī)則性有關(guān)，比如表面或電極粗糙程度。沒有這種成核位置的設(shè)備不容易形成理想的彎曲狀態(tài)。也已經(jīng)試圖使用持續(xù)時間足夠長的高電壓來提供彎曲狀態(tài)，并且接著用聚合體穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定該彎曲狀態(tài)。這需要將UV可校正單體加入液晶并且所述單體在施加成核信號形成需要的彎曲狀態(tài)后交叉結(jié)合。但是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這造成液晶材料的離子污染物并顯著增加加工和生產(chǎn)成本。也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當使用像素化(pixellated)π單元設(shè)備時產(chǎn)生了一個特別的問題。在這種設(shè)備中，不可能向像素間間隙區(qū)域施加足夠的電壓，特別是對相鄰像素之間的中點。因此，像素間間隙中的液晶材料保持在斜展狀態(tài)。像素間間隙區(qū)域中的斜展狀態(tài)的出現(xiàn)傾向于在任何已經(jīng)轉(zhuǎn)變到彎曲狀態(tài)的像素中促進斜展狀態(tài)的成核。US6512569描述了圖案化的象素間間隙如何被使用，所述象素間間隙促進象素間間隙區(qū)域中的彎曲狀態(tài)的成核。就像當設(shè)備沒有成核位置時彎曲狀態(tài)不形成一樣，如果對低能量斜展狀態(tài)沒有成核位置，轉(zhuǎn)變到彎曲狀態(tài)的設(shè)備將保持在那個狀態(tài)。改變像素間間隙中的排列特性需要圖案化的排列區(qū)域與電極結(jié)構(gòu)的像素間間隙的精確對準。參照圖30，示出了一個根據(jù)本發(fā)明的雙穩(wěn)π單元設(shè)備。該設(shè)備包括一個夾在第一單元壁502和第二單元壁504之間的液晶材料層500。第一單元壁502的內(nèi)表面具有給予液晶材料具有不同預(yù)傾斜的兩個穩(wěn)定排列結(jié)構(gòu)的一個表面輪廓(未示出)。第二單元壁的內(nèi)表面執(zhí)行單穩(wěn)表面處理(例如，二氧化硅，一個適當設(shè)計的表面模壓結(jié)構(gòu)或適當?shù)闹苽涞木酆衔锉砻?，比如被摩擦過的聚合物或一個光排列聚合物)，它給予其附近的液晶材料小于45°的預(yù)傾斜。優(yōu)選單穩(wěn)表面的預(yù)傾斜大于5°并且更優(yōu)選大于10°。在操作中，第一單元壁附近的液晶閉鎖在圖30a所示的低預(yù)傾斜(故障)狀態(tài)和圖30b所示的高預(yù)傾斜(連續(xù))狀態(tài)之間閉鎖。能夠看出，該故障狀態(tài)是彎曲狀態(tài)，并且連續(xù)狀態(tài)是其中斜展分量小的混合狀態(tài)。因此，由于設(shè)備在彎曲狀態(tài)和第二基本不斜展狀態(tài)之間閉鎖，轉(zhuǎn)變速度高(通常低于5毫秒)。最好，頂雙穩(wěn)表面的低傾斜、故障狀態(tài)的預(yù)傾斜高于圖31所示的相對表面上的預(yù)傾斜。在這種情況下，如果形成一個不想要的斜展狀態(tài)，該斜展更接近頂雙穩(wěn)表面出現(xiàn)。施加一個脈沖以閉鎖鄰近雙穩(wěn)表面的材料到高傾斜連續(xù)狀態(tài)，造成該斜展移動到更接近于格柵表面。接著當表面閉鎖到高傾斜狀態(tài)時，該斜展快速消失。這應(yīng)當于圖22所示的現(xiàn)有技術(shù)的兩個表面都是單穩(wěn)的π單元設(shè)備和圖33所示的上表面和下表面的預(yù)傾斜相同并且在沒有表面轉(zhuǎn)換的情況下出現(xiàn)到彎曲狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的ZBD設(shè)備比較。在這些情況下，從斜展向彎曲轉(zhuǎn)換需要比按照本發(fā)明使用表面中介轉(zhuǎn)換時花費更多的時間。以這種方式，設(shè)計設(shè)備以提供到彎曲狀態(tài)表面閉鎖中介轉(zhuǎn)換。使用這種表面轉(zhuǎn)換使得從斜展到彎曲狀態(tài)的轉(zhuǎn)變在一個時間發(fā)生，該時間比使用傳統(tǒng)技術(shù)的π單元設(shè)備可能的時間快若干量級。對于光學(xué)對比度在長時間段內(nèi)保持而不需要尋址(即，圖像存儲)的應(yīng)用，設(shè)計該設(shè)備以消除斜展狀態(tài)的形成。這通過確保對于斜展狀態(tài)沒有成核點和/或彎曲狀態(tài)的能量相對低(例如，在兩表面都使用相對高的預(yù)傾斜)完成。其它應(yīng)用，比如那些需要快的更新速度和規(guī)則的更新的那些，設(shè)備可以設(shè)計以給出其它重要的特性，比如寬視角，高透射/反射系數(shù)，高對比度和良好的(飽和)白狀態(tài)。這意味著斜展狀態(tài)比彎曲狀態(tài)能量低很多，并且設(shè)備在一個時間段后釋放到該狀態(tài)，該時間段是與幀更新周期類似(但更成)的持續(xù)時間。例如，在兩表面的預(yù)傾斜都可以低到10°，并可以低到5°。參照圖34，示出了一個根據(jù)本發(fā)明的第二π單元設(shè)備。該π單元設(shè)備包括第二單元壁502和第二單元壁506，它們中間夾著一個向列液晶材料層500。第一單元壁502和第二單元壁506的表面輪廓能夠給予兩個具有不同預(yù)傾斜的排列狀態(tài)，并且能夠閉鎖在它們之間。換句話說，形成一個所謂的雙ZBD設(shè)備。但是，不象上述的雙ZBD設(shè)備，故障狀態(tài)(即圖34a所示的狀態(tài))被安排成形成一個基本不斜展(彎曲)狀態(tài)。為了使能閉鎖在兩個基本不斜展狀態(tài)之間，在第一和第二單元壁上的閉鎖域值安排得與上述的不同。這允許上述多掃描技術(shù)用于在兩個結(jié)構(gòu)之間閉鎖。因為在兩個基本不斜展狀態(tài)之間出現(xiàn)閉鎖，轉(zhuǎn)變速度與當閉鎖到斜展狀態(tài)/從斜展狀態(tài)閉鎖時獲得的速度相比有很大增加。理想的，安排設(shè)備以便圖34b的垂直(連續(xù))狀態(tài)比任意故障狀態(tài)更積極有利。這通過仔細選擇排列表面的表面輪廓實現(xiàn)。在像素化的設(shè)備中，這也表示像素間間隙區(qū)域?qū)A向于形成圖34b的連續(xù)狀態(tài)。這有助于確保從圖34b的垂直狀態(tài)閉鎖的任何液晶材料采用圖34a的基本上不斜展的狀態(tài)，而不是斜展狀態(tài)。這應(yīng)當與傳統(tǒng)的單穩(wěn)π單元設(shè)備對比，其中像素間間隙區(qū)域釋放到斜展狀態(tài)，并且從而在像素區(qū)域中的斜展狀態(tài)下成核增長。有很多頂雙穩(wěn)表面的特征可以改變以確保第一冷卻時自發(fā)形成高傾斜狀態(tài)。除了使用一個淺格柵(例如，低幅度和/或長間距)，這樣表面可以用圓形特征(例如一個閃耀正弦格柵)或一個相對低的錨定能量提供。也可能安排兩個表面為單穩(wěn)，單一個表面具有基本上更弱的頂錨定能量，同時當由施加的電場變形時保持低傾斜狀態(tài)。接著一個消隱脈沖用在每個尋址序列的開始，該序列造成錨定間斷，排列指向矢垂直在所述的弱錨定表面垂直。以這種方式，彎曲狀態(tài)再次以表面轉(zhuǎn)換作為媒介從低傾斜向高傾斜狀態(tài)轉(zhuǎn)變。但是，這種設(shè)備的一個缺點是單元的排列特性需要仔細安排以給出兩個需要的狀態(tài)(例如，具有不同扭曲的穩(wěn)定狀態(tài))。盡管以上說明了雙穩(wěn)表面，將意識到能夠使用包括三個或更多狀態(tài)(例如，WO99/34251中所述的類型的表面)表面。在這種情況下，將形成中間狀態(tài)，它能夠例如允許實現(xiàn)灰度等級。參照圖35，示出了很多基本上不斜展狀態(tài)。這些狀態(tài)包括垂直排列向列(VAN)，其中兩個表面都基本上豎直垂直排列(即，預(yù)傾斜大于70°，通常大于85°)。這是一種特殊情況，因為1D指向矢分布既不包含斜展也不包含彎曲。一個混合排列向列(HAN)是另一種不斜展狀態(tài)，其中一個表面高傾斜(通常大于70°)并且一個表面低傾斜(通常在0°和45°之間)。彎曲狀態(tài)也是不斜展狀態(tài)，B1、B2和BT是彎曲狀態(tài)。彎曲狀態(tài)能夠定義為一種狀態(tài)，該狀態(tài)種單元體內(nèi)(即兩表面之間)某些點的指向矢的傾斜大于兩表面處的預(yù)傾斜的狀態(tài)。通常在壁之間有一個點，其中指向矢垂至于單元平面并且在這種情況下彎曲方向在兩邊改變。在B1中，兩表面的預(yù)傾斜都相同，并且接近于設(shè)備中心的傾斜基本上是90°。在B1中，兩表面之間的預(yù)傾斜有很大不同，并且靠近更高與傾斜表面的單元體內(nèi)的傾斜基本上為90°。在扭曲的例子BT中，指向矢包括從一個表面向另一個表面的扭曲變形，在單元體內(nèi)(在這種情況下接近于單元中心)的某些點的指向矢垂至于單元壁。從HAN到B1轉(zhuǎn)變將通常用2ms。參照圖36，示出了許多斜展狀態(tài)。在這些情況的每一個中，單元體內(nèi)的指向矢包括傾斜等于或小于一個單元壁上的較高預(yù)傾斜的點。注意，S4是可以出現(xiàn)在對S1狀態(tài)應(yīng)用施加場時的瞬時狀態(tài)。盡管指向矢可以在單元體內(nèi)的一個點上為90°(即，指向矢平行于施加場排列)在該點的兩側(cè)指向矢具有相同的彎曲方向。而且，在單元體內(nèi)有一個點，在該點處指向矢基本上斜展(接近于底表面)并且指向矢有比兩個排列壁都低的傾斜。ST是一個斜展扭曲狀態(tài)的例子，其中單元體內(nèi)的指向矢等于或低于兩個排列表面預(yù)傾斜中較高的一個。參照圖37，閃耀正弦格柵表面的連續(xù)和故障狀態(tài)的理論能量來自US6249332。陰影區(qū)表示示例的格柵形狀范圍，它給出連續(xù)和故障表面狀態(tài)之間的一個能障并且表面保持雙穩(wěn)。設(shè)計格柵以給出第一冷卻的C狀態(tài)的自發(fā)形成是可能的，例如，通過使用凹槽深度與間距比到交叉點左側(cè)但在雙穩(wěn)的范圍內(nèi)。本發(fā)明的一個設(shè)備也作為一個單穩(wěn)設(shè)備操作，其中表面轉(zhuǎn)換用在幀序列的開始，以確保實現(xiàn)彎曲狀態(tài)。這改善了對高閉鎖電壓、彎曲狀態(tài)的成核點和/或從一個斜展到彎曲的長轉(zhuǎn)換周期的需要。該設(shè)備當轉(zhuǎn)變到恒定更新模式時，可以最初在斜展狀態(tài)。在每一幀尋址之前，可能使用RMS復(fù)用(Alt-Pleshko、MLA、4-行尋址等-標準TN或STN方法)或TFT尋址，施加一系列脈沖以閉鎖設(shè)備到要求的初始基本不斜展狀態(tài)。優(yōu)選該初始狀態(tài)是一個彎曲狀態(tài)。例如當在斜展狀態(tài)且初始DC脈沖閉鎖頂雙穩(wěn)表面到C狀態(tài)時引起HAN狀態(tài)。單元中間的指向矢快速轉(zhuǎn)變到垂直。接著回到故障狀態(tài)的閉鎖引起彎曲狀態(tài)。如果已經(jīng)在通常1毫秒或更快的周期內(nèi)達到彎曲狀態(tài)，則彎曲狀態(tài)可以以類似方式通過施加電場調(diào)制到標準π單元排列(即在圖29b和29c的狀態(tài)之間)。或者也可以使用對稱格柵，其具有有兩個高傾斜但是相反的預(yù)傾斜的故障狀態(tài)。這些對稱狀態(tài)之間的錨定轉(zhuǎn)變使得從斜展能向彎曲狀態(tài)直接轉(zhuǎn)換?；蛘?，一個弱錨定表面可以垂直轉(zhuǎn)變并且接著傾斜方向反轉(zhuǎn)(通過間距和預(yù)傾斜的適當平衡)到彎曲狀態(tài)。在這種情況下，尋址脈沖的拖尾部分的形狀改變以選擇性閉鎖到需要的彎曲狀態(tài)而不是斜展狀態(tài)。這示意性地在圖38中示出。盡管這里描述的例子主要是針對ZBD型設(shè)備，但應(yīng)當很明顯本發(fā)明也能夠應(yīng)用到許多不同顯示技術(shù)中任一種，包括以上描述的所有現(xiàn)有技術(shù)的顯示技術(shù)。也應(yīng)當注意術(shù)語“顯示”不一定表示能夠由用戶觀察到的圖像寫入。一個顯示器可以包括空間光調(diào)制器等，其中對光進行幅度和/或相位調(diào)制。例如，參照圖39，示出了一個基于小滴的顯示器800。該顯示器包括一對單元壁802，一個材料層804位于它們之間。材料層804包括一個基質(zhì)介質(zhì)806，其中包含第一小滴808和第二小滴810。單元壁802通常是玻璃板，載有ITO電極812并在下板上具有一個黑背景層814(或者下板可以由一些其它黑色導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)形成)。小滴可以由雙穩(wěn)材料形成，它在一個狀態(tài)反射一些波長并且在第二穩(wěn)定狀態(tài)透射那些波長。該設(shè)備可以用于給出兩個不同尺寸的小滴808和810，以便轉(zhuǎn)變一個小滴的域值將將不同于其它小滴的。可以使用多于兩種類型的小滴，并且如圖所示小滴尺寸可以相同或不同。一個這種設(shè)備的例子將使用膽甾型液晶制成，例如以Yang等在(2003)ProceedingsofSIDXXXIV，Book2，pp959-961中的方式。小滴將足夠大以給出兩個穩(wěn)定狀態(tài)，一個有選擇地反射的基本平面(Granjean)狀態(tài)，或一個前向散射多疇取樣(即，焦點圓錐型(focal-conic-like))，最好大于15μm。在平面狀態(tài)，較大的小滴808將反射比方說紅光，但透射藍和綠光。在其它狀態(tài)，較大的小滴808將透射所有波長。較小的小滴810將具有比較大的小滴808更低的域值并平面狀態(tài)下反射比方說綠波長。該設(shè)備可以包含另外的小滴C(未示出)，它在平面狀態(tài)具有反射較低的波長。小滴型容易單獨形成在乳劑中并接著混合在基質(zhì)材料中(與現(xiàn)有技術(shù)方法相反，比如Yang等的方法)。為了提供一個彩色設(shè)備，近似相等的混合三種類型的小滴，但彩色平衡和偏軸反射系數(shù)可以用其它混合比率增強。優(yōu)選，基質(zhì)由光聚合的或類似通過可交叉連接的(crosslinkable)材料制成，以使該層形成一個剛性塑料層。一種對不同小滴實現(xiàn)不同域值的方法是保證每個小滴內(nèi)的膽甾型化合物或混合物具有不同的介電各向異性。其它方法包括使用不同尺寸的小滴，使用具有不同離心率或排列的非球面滴，或者通過對每個小滴使用不同的表面活性劑或壁材料來改變液晶和小滴壁之間的相互作用。按照本發(fā)明，可以應(yīng)用三掃描以閉鎖不同域值的小滴類型A，B和C。在第一掃描上，最高的域值小滴A閉鎖到反射平面狀態(tài)或到分散焦點圓錐狀態(tài)。因為小滴B和C不反射紅光，則如果在散射狀態(tài)，則當小滴A處于散射結(jié)構(gòu)中時，紅光在后電極被黑色最終吸收。在第二掃描中，小滴B由數(shù)據(jù)選擇為反射綠光或散射綠光，不反射(并最好幾乎沒有散射)紅和藍光。第三掃描將選擇小滴C為反射藍色或散射藍色。以這種方式，可以制成一個全彩色顯示器，而沒有與空間分割的彩色板相關(guān)的反射性差的問題，或與多棧相關(guān)的成本的條件問題?；蛘唠p穩(wěn)媒體可能包括帶電粒子，其中光學(xué)特性依賴于粒子方向(例如，見Hattori等(2003)Proc.SID，pp846-849)而不同。在這種系統(tǒng)中，小滴的電荷密度、小滴尺寸，形狀和界面特性可能受到控制以給出不同的域值。這種粒子將通常引起光吸收，但將允許不同顏色混合。參照圖40，本發(fā)明也可以應(yīng)用到一種設(shè)備，它包括具有兩個或更多板的棧。一個棧設(shè)備900包括第一板902，第二板904和第三板906。每個板用于調(diào)制特定波長范圍內(nèi)的光。每個板的行和列電極連接到一組驅(qū)動器。換句話說，每個列驅(qū)動器908電連接到每個板的列，并且每個行驅(qū)動器910電連接到每個板的行。安排這三個板具有不同的閉鎖域值。對于場效應(yīng)設(shè)備，一個改變閉鎖特性的簡單方法是改變不同板的單元間隙。按照上述的技術(shù)的三掃描的應(yīng)用因此使能夠用單組驅(qū)動器電路閉鎖每個板到理想狀態(tài)。以這種方式，可以用三個板的棧構(gòu)造彩色顯示器，其中驅(qū)動器的成本降低。權(quán)利要求1.一種設(shè)備，包括一個在第一和第二單元壁之間放置的材料層，該設(shè)備能夠采用至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并在其間電閉鎖，所述材料層包括一個或多個分離電可尋址區(qū)域并且所述設(shè)備進一步包括尋址裝置，以用電壓脈沖寫每個所述電可尋址區(qū)域以按照需要有選擇地閉鎖所述材料層，其中尋址裝置使用至少第一和第二閉鎖掃描寫入到所述一個或多個分離的電可尋址區(qū)域的每一個，所述第一閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，所述第二閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，其中所述第一閉鎖掃描在所述第二閉鎖掃描施加之前施加并且所述第二閉鎖掃描不足以閉鎖具有在所述第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料。2.按照權(quán)利要求1的設(shè)備，其中所述第一閉鎖掃描包括初始消隱波形，以閉鎖所有所述材料為所述至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之一。3.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中所述第一閉鎖掃描無差別地閉鎖(即，消隱)閉鎖域值在所述第二范圍內(nèi)的材料。4.按照任一前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中尋址裝置在施加所述第二閉鎖掃描之后施加一個或多個另外的閉鎖掃描，其中每個另外的閉鎖掃描用于選擇性閉鎖具有在給定范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，但不足以閉鎖具有任意先前掃描的域值范圍內(nèi)的域值的材料。5.按照權(quán)利要求4的設(shè)備，其中每個另外的閉鎖掃描無差別地閉鎖(即，消隱)具有任意隨后的閉鎖掃描的給定范圍內(nèi)的閉鎖域值的任何材料。6.按照任一前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中第一閉鎖掃描的電壓脈沖的時間-電壓積大于第二閉鎖掃描的電壓脈沖的時間-電壓積。7.按照任一前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中所述材料的閉鎖依賴于極性。8.按照權(quán)利要求7的設(shè)備，其中所述第一閉鎖掃描用具有第一極性的閉鎖脈沖閉鎖材料并且所述第二掃描用極性與第一極性的閉鎖脈沖相反的閉鎖脈沖閉鎖材料。9.按照任一前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中所述材料的層包括具有所述第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的第一區(qū)域和具有所述第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的第二區(qū)域。10.按照權(quán)利要求9的設(shè)備，當從屬于權(quán)利要求4時其中所述材料層包括一個或多個另外的區(qū)域，每個所述另外的區(qū)域具有在另外的閉鎖掃描的給定范圍內(nèi)的閉鎖域值。11.按照任一前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中材料的層包括多個分離電可尋址區(qū)域。12.按照權(quán)利要求11的設(shè)備，當從屬于權(quán)利要求9或10時，其中多個分離電可尋址區(qū)域中每一個包括具有不同閉鎖閾值的兩個或更多區(qū)域。13.按照權(quán)利要求12的設(shè)備，其中具有不同閉鎖域值的區(qū)域的所述材料的層的比例在每個分離電可尋址區(qū)域內(nèi)加權(quán)。14.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中行電極提供在所述第一單元壁上，列電極提供在所述第二單元壁上，從而提供分離可尋址區(qū)域的矩陣。15.按照權(quán)利要求14的設(shè)備，其中所述至少第一和第二閉鎖掃描由尋址裝置通過施加選通電壓脈沖到所述行電極和施加所述數(shù)據(jù)電壓脈沖到所述列電極而施加到每個分離電可尋址區(qū)域，所述選通和數(shù)據(jù)電壓脈沖用于在每個分離電可尋址區(qū)域產(chǎn)生所需的合成電壓脈沖。16.按照權(quán)利要求15的設(shè)備，其中尋址裝置提供選擇或非選擇數(shù)據(jù)脈沖來分別進行閉鎖或不閉鎖。17.按照權(quán)利要求15或16任一個的設(shè)備，其中每個行依次用所述第一閉鎖掃描和所述第二閉鎖掃描尋址。18.按照權(quán)利要求15或16任一個的設(shè)備，其中每一行依次用所述第一閉鎖掃描尋址并且隨后每一行依次用所述第二閉鎖掃描尋址。19.按照權(quán)利要求15到18任一個的設(shè)備，其中施加的數(shù)據(jù)和選通波形基本上dc平衡。20.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中對每個分離電可尋址區(qū)域，尋址裝置用于將具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料閉鎖到與具有在第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料同樣的結(jié)構(gòu)。21.按照權(quán)利要求1到19任一個的設(shè)備，其中對每個分離電可尋址區(qū)域，安排尋址裝置以便能夠有選擇地將具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料閉鎖為與具有第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料不同的結(jié)構(gòu)。22.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中在所述第一和/或第二掃描期間的選擇性閉鎖被安排以分別部分閉鎖具有在所述第一范圍或所述第二范圍內(nèi)的域值的材料。23.按照權(quán)利要求22的設(shè)備，當從屬于權(quán)利要求15時，其中多個數(shù)據(jù)脈沖用于提供所述部分閉鎖。24.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中該設(shè)備包括一個感光層，使得所述材料的層的閉鎖域值可響應(yīng)于光學(xué)照明改變。25.按照任一個權(quán)利要求的設(shè)備，并且另外包括一個或多個濾色元件。26.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，它能夠采用兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并電閉鎖在這兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之間。27.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中材料層包括液晶。28.按照權(quán)利要求27的設(shè)備，其中液晶包括向列液晶材料。29.按照權(quán)利要求27到28中任一個的設(shè)備，其中所述兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換由在所述第一單元壁的排列轉(zhuǎn)換作為媒介。30.按照權(quán)利要求29的設(shè)備，其中與所述液晶材料層接觸的第一單元壁的表面被畫出輪廓以便在所述第一單元壁附近提供液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)。31.按照權(quán)利要求30的設(shè)備，其中所述第一單元壁的輪廓化表面包括一個雙穩(wěn)表面排列格柵結(jié)構(gòu)。32.按照權(quán)利要求30到31中任一個的設(shè)備，其中與所述向列液晶材料層接觸的第二單元壁的表面被畫出輪廓，以便在所述第二單元壁附近提供液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)。33.按照權(quán)利要求32的設(shè)備，其中所述第二單元壁的輪廓化表面包括一個雙穩(wěn)表面排列格柵結(jié)構(gòu)。34.按照權(quán)利要求32到33中任一個的設(shè)備，其中在所述第一單元壁處的液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值大于在所述第二單元壁處的液晶材料的至少兩個穩(wěn)定表面排列結(jié)構(gòu)之間的閉鎖域值。35.按照權(quán)利要求34的設(shè)備，其中所述第一單元壁處的液晶材料的閉鎖域值落入所述第一范圍并且所述第二單元壁處的液晶材料的閉鎖域值落入所述第二范圍。36.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中所述材料層包括電泳成份。37.按照任一個前述權(quán)利要求的設(shè)備，其中所述材料層包括載體基質(zhì)中的雙穩(wěn)材料小滴。38.按照權(quán)利要求37設(shè)備，其中所述小滴是有色的。39.按照權(quán)利要求37到38任一個的設(shè)備，其中所述雙穩(wěn)材料包括膽甾型材料小滴。40.按照權(quán)利要求37到38中任一個的設(shè)備，其中所述雙穩(wěn)材料包括顆粒。41.一種具有根據(jù)前述任一個要求的第一材料層的設(shè)備，并另外包括一個或多個另外的材料層，每個所述另外的材料層放置在一對單元壁之間并且包括一個或多個分離電可尋址區(qū)域，其中，每個所述另外的材料層的一個或多個分離電可尋址區(qū)域的每一個與所述材料層的電可尋址區(qū)域之一并行電連接到所述尋址裝置。42.按照權(quán)利要求41的設(shè)備，其中第一材料層和所述一個或多個另外的材料層安排在一個光學(xué)棧中。43.一種尋址一個顯示設(shè)備的方法，該顯示設(shè)備包括一個能夠采用至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并在該至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之間電閉鎖的材料抑制層，所述材料層具有一個或多個分離電可尋址區(qū)域；所述方法包括步驟(a)用第一閉鎖掃描尋址所述顯示設(shè)備的每個分離電可尋址區(qū)域，以有選擇地閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，和(b)接著用第二閉鎖掃描尋址所述顯示設(shè)備的每個分離電可尋址區(qū)域，以有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，其中所述第二閉鎖掃描不足以閉鎖具有在所述第一范圍內(nèi)的域值的材料。44.按照權(quán)利要求43的方法，其中所述第一閉鎖掃描無區(qū)別地將具有在所述第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料閉鎖(即，消隱)到所述至少兩個穩(wěn)定結(jié)構(gòu)之一。45.按照權(quán)利要求43到44中任一個的方法，并另外在用所述第一和第二閉鎖掃描尋址所述設(shè)備的步驟后，還包括用一個或多個另外的閉鎖掃描尋址所述顯示器的步驟，每個另外的閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在給定能量范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，其中所述給定能量范圍的高能量低于先前閉鎖掃描的能量范圍的高能量。46.按照權(quán)利要求43到45中任一個的方法，其中該設(shè)備包括多個分離電可尋址區(qū)域。47.一種用于把信息幀寫入到具有兩個或更多穩(wěn)定結(jié)構(gòu)并包括分離電可尋址區(qū)域矩陣的顯示設(shè)備中的方法，其中所述方法包括使用三個或更多尋址域復(fù)用所述設(shè)備的步驟。48.按照權(quán)利要求47的方法，其中第一域消隱所述顯示設(shè)備。49.按照權(quán)利要求48的方法，其中所述第二域有選擇地閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料。50.按照權(quán)利要求49的方法，其中第三域有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料。全文摘要描述了一種設(shè)備，包括在第一和第二單元壁(250，252)之間放置的材料層(254)，該設(shè)備能夠采用至少兩種穩(wěn)定狀態(tài)并且在這兩種穩(wěn)定狀態(tài)之間電閉鎖。材料層(254)包括一個或多個分離電可尋址區(qū)域(270，272，274，276)并且提供一個尋址裝置，用電脈沖寫入每個所述電可尋址區(qū)域以按照需要有選擇地閉鎖所述材料層。該尋址裝置使用至少第一和第二閉鎖掃描寫入到所述一個或多個分離的電可尋址區(qū)域的每一個。第一閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，所述第二閉鎖掃描用于有選擇地閉鎖具有在第二范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料，其中所述第一閉鎖掃描在所述第二閉鎖掃描施加之前施加并且所述第二閉鎖掃描不足以閉鎖具有在所述第一范圍內(nèi)的閉鎖域值的材料。也公開了一種尋址一個設(shè)備的方法。文檔編號G02F1/141GK1656534SQ03812191公開日2005年8月17日申請日期2003年5月29日優(yōu)先權(quán)日2002年5月29日發(fā)明者J·C·瓊斯申請人:Zbd顯示器有限公司