專利名稱：圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體制程，特別是涉及一種圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導體產(chǎn)業(yè)中，集成電路(Integrated Circuits，IC)的生產(chǎn)，主要可以分為三個階段集成電路設(shè)計(IC design)、集成電路的制作(ICprocess)及集成電路的封裝(IC package)。其中，裸晶片(Die)是經(jīng)由晶圓(Wafer)制作、電路設(shè)計、多道光罩制作以及切割晶圓等步驟而完成。晶圓具有一主動表面(Active surface)，其是泛指晶圓上具有主動元件(Activedevice)的表面。當晶圓內(nèi)部的集成電路完成之后，晶圓的主動表面會由一保護層(Passivation layer)所覆蓋，且在保護層中更具有數(shù)個開口，以暴露出焊墊(Bonding pad)。形成焊墊的目的在于使最終由晶圓切割所形成的裸晶片，可經(jīng)由焊墊而向外電性連接于一承載器(Carrier)，其中承載器是為一封裝基板(Package plate base)或一印刷電路板(Printed circuitboard)，而晶片是以打線接合(Wire bonding)或覆晶接合(Flip-chipbonding)的方式而配置于承載器上，使晶片的焊墊藉由導線(Wire)或焊料塊(Solder bump)而電性連接于承載器的接點，以構(gòu)成一晶片封裝結(jié)構(gòu)。
一般來說，在晶圓上形成數(shù)個元件結(jié)構(gòu)以及將這些元件相互串接的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之后，需在金屬內(nèi)連線的最上層形成金屬焊墊，以將晶圓上的元件結(jié)構(gòu)與外界電性相接。在圖1A至圖1B中，是繪示出位于金屬內(nèi)連線上方的焊墊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參閱圖1A所示，金屬焊墊的制程是先在金屬內(nèi)連線(圖中未示)的最上層的介電層100上沉積一層金屬材料層106。其中，圖中的標號102是表示位于晶圓中心處，標號104是表示位于晶圓邊緣處。
然后，請參閱圖1B所示，以現(xiàn)有習知的電漿蝕刻制程來圖案化該金屬材料層106，以形成圖案化的金屬層106a，該圖案化的金屬層106a是作為焊墊之用。其中，該電漿蝕刻制程更包括過度蝕刻(over etching)制程，以確保能夠精確地定義出每一個焊墊，意即在蝕刻制程中，位于金屬材料層106a下方的介電層100會部分被移除。
然而，在上述的電漿蝕刻的過程中，因為在同一晶圓上的晶圓邊緣處與晶圓中心處會有一些差異，例如晶圓邊緣處可能獲得較少的反應(yīng)氣體，所以會造成晶圓中心處與邊緣處的金屬材料層的蝕刻速率不一致。除此之外，晶圓中心處與邊緣處的蝕刻速率不一致的問題同樣亦會發(fā)生于過度蝕刻制程，而使得被移除的介電層厚度也不盡相同(如圖1B所示)。值得注意的是，該晶圓中心與邊緣處的介電層移除厚度不同的問題可以說是相當?shù)娘@著，甚至可以直接以肉眼察覺出不同厚度的介電層所產(chǎn)生的色差。
由此可見，上述現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法的缺陷，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，能夠改進現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復試作及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法存在的缺陷，而提供一種新的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以解決現(xiàn)有技術(shù)因晶圓中心處與邊緣處所獲得的反應(yīng)氣體不同，而使得晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度不一致的問題，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種圖案化金屬層的方法，其包括以下步驟提供一基底，該基底上已形成有復數(shù)個元件結(jié)構(gòu)，以及與該些元件結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的復數(shù)個內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；在該基底上方形成一介電層，以覆蓋該些內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；在該介電層上形成一金屬材料層；以及對該金屬材料層進行一電漿蝕刻制程，以形成圖案化的一金屬層，其中該電漿蝕刻制程所使用的變壓偶合式電漿(TCP)電源是介于400至600瓦之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的圖案化金屬層的方法，其中所述的電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體是包括BCl3與Cl2。
前述的圖案化金屬層的方法，其中所述的BCl3與Cl2的混合比例是介于0.2至0.5之間。
前述的圖案化金屬層的方法，其中在進行該電漿蝕刻制程時，更包括同時通入一惰性氣體。
前述的圖案化金屬層的方法，其中所述的惰性氣體包括氦氣。
前述的圖案化金屬層的方法，其中所述的氦氣的壓力是介于10至12torr之間。
前述的圖案化金屬層的方法，其中進行該電漿蝕刻制程的反應(yīng)室的壓力是介于12至15mt之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種金屬內(nèi)連線的制造方法，其包括以下步驟提供一基底，該基底上已形成有復數(shù)個元件結(jié)構(gòu)；在該些元件結(jié)構(gòu)上形成一介電層，以覆蓋該些元件結(jié)構(gòu)，且該介電層中已形成有復數(shù)個插塞，而且該些插塞是與所對應(yīng)的該些元件結(jié)構(gòu)電性連接；在該介電層上形成一金屬材料層，以覆蓋該些插塞；以及對該金屬材料層進行一電漿蝕刻制程，以形成一導線結(jié)構(gòu)，其中該電漿蝕刻制程所使用的變壓偶合式電漿(TCP)電源是介于400至600瓦之間，且該導線結(jié)構(gòu)是與所對應(yīng)的該些插塞電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中所述的電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體是包括BCl3與Cl2。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中所述的BCl3與Cl2的混合比例是介于0.2至0.5之間。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中在進行該電漿蝕刻制程時，更包括同時通入一惰性氣體。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中所述的惰性氣體包括一氦氣。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中所述的氦氣的壓力是介于10至12torr之間。
前述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其中進行該電漿蝕刻制程的反應(yīng)室的壓力是介于12至15mt之間。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種圖案化金屬層的方法，該方法是首先提供基底，該基底上已形成有數(shù)個元件結(jié)構(gòu)，以及與這些元件結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的數(shù)個內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。之后，在基底上方形成介電層，以覆蓋內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。接著，在介電層上形成金屬材料層。然后，對金屬材料層進行電漿蝕刻制程，以形成圖案化的金屬層。其中，電漿蝕刻制程是以變壓偶合式電漿來進行，其電源功率例如是介于400至600瓦之間，且電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體例如是BCl3與Cl2，其BCl3與Cl2的比例例如是0.2至0.5之間。此外，反應(yīng)室的壓力例如是介于12至15mt之間。另外，在進行電漿蝕刻制程時，更包括同時通入惰性氣體，且該惰性氣體例如是氦氣，其壓力例如是介于10至12torr之間。其中該電漿蝕刻制程是以較低功率的變壓偶合式電漿進行，所以可以解決現(xiàn)有習知技術(shù)中晶圓中心與晶圓邊緣處的介電層，其過度蝕刻程度不一致的問題。
本發(fā)明提出一種金屬內(nèi)連線的制造方法，該方法是首先提供基底，該基底上已形成有數(shù)個元件結(jié)構(gòu)。之后，在這些元件結(jié)構(gòu)上形成介電層，以覆蓋這些元件結(jié)構(gòu)，且該介電層中已形成有數(shù)個插塞，這些插塞是與所對應(yīng)的元件結(jié)構(gòu)電性連接。然后，在介電層上形成金屬材料層，以覆蓋這些插塞。接著，對金屬材料層進行電漿蝕刻制程，以形成導線結(jié)構(gòu)。其中，導線結(jié)構(gòu)是與所對應(yīng)的插塞電性連接，且電漿蝕刻制程是以變壓偶合式電漿來進行之，其電源功率例如是介于400至600瓦之間，且電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體例如是BCl3與Cl2，其BCl3與Cl2的比例例如是0.2至0.5之間。此外，反應(yīng)室的壓力例如是介于12至15mt之間。另外，在進行電漿蝕刻制程時，更包括同時通入惰性氣體，且該惰性氣體例如是氦氣，其壓力例如是介于10至12torr之間。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點及積極效果由于上述的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，其蝕刻制程是以較低功率的變壓偶合式電漿進行之，因此可以增加金屬材料層對介電層的蝕刻選擇比，以降低晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度的差異性。
此外，由于本發(fā)明使用BCl3與Cl2的比例較現(xiàn)有習知技術(shù)為低，因此可以降低氣體離子對于介電層的轟擊(bombardment)能力，以減少晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度的差異，而使得晶圓中心處與邊緣處的介電層被移除的厚度一致。
另外，由于本發(fā)明在蝕刻制程中所通入的惰性氣體，其壓力較現(xiàn)有技術(shù)為高，因此可以使得反應(yīng)室的溫度保持一致，而可提高晶圓中心處與晶圓邊緣處的過度蝕刻速率的一致性。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，可解決現(xiàn)有技術(shù)因晶圓中心處與邊緣處所獲得的反應(yīng)氣體不同，而使得晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度不一致的問題，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類方法中未見有類似的設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法上或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1A至圖1B是現(xiàn)有習知的一種金屬焊墊的制造流程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2A至圖2C是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種金屬內(nèi)連線的制造流程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3A至圖3B是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種金屬焊墊的制造流程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
100、208、224介電層 102、201晶圓中心處104、203晶圓邊緣處 106、214、228金屬材料層106a、232金屬層 200基底202MOS晶體管204閘極206源極/汲極210、226插塞212、222接觸窗開口 216、230電漿蝕刻制程218導線結(jié)構(gòu) IMD、IMD1、IMD2內(nèi)金屬介電層具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法其具體方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
圖2A至圖2C是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種金屬內(nèi)連線的制造流程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
請參閱圖2A所示，本發(fā)明的金屬內(nèi)連線的制造方法，是首先提供基底200，該基底200上已形成設(shè)有數(shù)個元件結(jié)構(gòu)。其中，基底200例如是硅晶圓。此外，元件結(jié)構(gòu)例如是金屬氧化半導體晶體管(MOS)202，其中，MOS晶體管202中包括閘極204以及源極/汲極206，且關(guān)于MOS晶體管202的制造方法例如是進行現(xiàn)有習知的MOS制程。另外，圖中的標號201是表示晶圓中心處，標號203是表示晶圓邊緣處。
接著，請繼續(xù)參閱圖2A所示，在這些MOS晶體管202上形成介電層208，且該介電層208中具有數(shù)個接觸窗開口212，而且該些開口212例如是暴露出源極/汲極206。其中，介電層208的材質(zhì)例如是氧化硅，其形成方法例如是化學氣相沉積法。此外，由于介電層208是用來隔絕不同層的金屬內(nèi)連線，故又稱為內(nèi)金屬介電層(Inter-Metal Dielectric，IMD)。
然后，在這些接觸窗開口212中形成插塞210，且這些插塞210是與所對應(yīng)的源極/汲極206電性連接。其中，插塞210的材質(zhì)例如是鎢，其形成方法例如是現(xiàn)有習知的金屬鑲嵌制程(Damascene)。該金屬鑲嵌制程例如是先在介電層208上全面性地沉積一層導電材料(圖中未示)，以將介電層208中的接觸窗開口212填滿。然后，進行化學機械研磨法(chemicalmechanical polishing)，以去除接觸窗開口212以外的導電材料。
然后，請繼續(xù)參閱圖2A所示，在介電層208上形成金屬材料層214，以覆蓋這些插塞210。其中，該金屬材料層214的材質(zhì)例如是鋁或是鋁合金。此外，金屬材料層214的形成方法例如是物理氣相沉積法或是化學氣相沉積法。
接著，請參閱圖2B所示，對金屬材料層214進行電漿蝕刻制程216，以形成導線結(jié)構(gòu)218，該導線結(jié)構(gòu)218是與所對應(yīng)的插塞210電性連接，且導線結(jié)構(gòu)218是作為內(nèi)連線之用。此外，電漿蝕刻制程216是以變壓偶合式電漿進行，且其電源功率是小于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的功率(現(xiàn)有習知功率是為600-800瓦)，本發(fā)明所使用的電源功率例如是介于400至600瓦之間。
此外，其反應(yīng)氣體例如是BCl3與Cl2，其混合比率是小于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的混合比例(0.5-1)，該比例例如是介于0.2至0.5之間。
另外，在進行電漿蝕刻制程216時，更包括同時通入惰性氣體，且該惰性氣體的壓力是大于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的壓力(現(xiàn)有習知所通入的氦氣是為6-10torr)。在本發(fā)明中，惰性氣體例如是氦氣，且通入的氦氣的壓力例如是介于10至12torr之間。
此外，反應(yīng)室的壓力是大于現(xiàn)有習知的反應(yīng)室的壓力(現(xiàn)有習知的壓力是為8-12mt)，而本發(fā)明的壓力例如是介于12至15mt之間。
值得一提的是，由于在蝕刻制程中所使用功率比現(xiàn)有習知的變壓偶合式電漿電源功率低，所以可以增加金屬材料層214對介電層208的蝕刻選擇比，以減少晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的過度蝕刻程度的差異。其中，在一較佳實施例中，金屬材料層214對介電層208的蝕刻選擇比例如是從7.73提升至15.31。
此外，在進行蝕刻制程216中的過度蝕刻制程，由于所使用的BCl3與Cl2的其混合比例較現(xiàn)有習知技術(shù)為低，所以可以降低氣體離子對于介電層208的轟擊能力，以減少晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的介電層208其過度蝕刻程度的差異，而使得晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的介電層208其被移除的厚度一致。
另外，由于在蝕刻制程216中所通入的惰性氣體，其壓力較一般現(xiàn)有技術(shù)大，因此可以使得反應(yīng)室的溫度保持一致，以提高晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的過度蝕刻速率的一致性。
接著，請參閱圖2C所示，在第一層的金屬內(nèi)連線完成之后，更可重復圖2A至圖2B的制程，以繼續(xù)形成一層以上的金屬內(nèi)連線。其形成方法是在原本的內(nèi)金屬介電層(IMD)208上形成另一層IMD1，并采取前述的方法在IMD1中形成另一層金屬內(nèi)連線220(如圖2C所示)。其中，后續(xù)的多層的內(nèi)連線制程亦采用上述的相關(guān)制程參數(shù)來完成，這些多層內(nèi)連線是彼此電性連接。當然，在圖示中雖僅標示出二層的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明并不限定于此。
當金屬內(nèi)連線完成之后，為了使晶圓可與外部的承載器(Carrier)電性連接，所以必須制作出金屬焊墊使其與外部的承載器接合，以下對金屬焊墊的形成方法加以具體說明。
圖3A至圖3B是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種金屬焊墊的制造流程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
請參閱圖3A所示，該金屬焊墊制程是進行于金屬內(nèi)連線之后。該方法是先在基底200上方的最上層的內(nèi)金屬介電層(IMD2)上形成金屬材料層228。其中，在最上層的IMD2中已具有數(shù)個接觸窗開口222，且這些接觸窗開口222中已形成有插塞226，而且該插塞226是與下方的IMD1的金屬內(nèi)連線220電性連接。
此外，金屬材料層228的材質(zhì)例如是鋁或是鋁合金，且金屬材料層228的形成方法例如是物理氣相沉積法或是化學氣相沉積法。另外，金屬材料層228是與插塞226電性連接。
另外，圖中的標號201是表示晶圓中心處，標號203是表示晶圓邊緣處。
然后，請參閱圖3B所示，對金屬材料層228進行電漿蝕刻制程230，以形成圖案化的金屬層232，其中金屬層232是作為焊墊之用，且金屬層232是與插塞226電性連接。其中，反應(yīng)室的壓力是大于現(xiàn)有習知常使用的壓力，該壓力例如是介于12至15mt之間。
此外，電漿蝕刻制程230是以變壓偶合式電漿進行之，且其電源功率是小于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的功率，其電源功率例如是介于400至600瓦之間。如此一來，可以增加金屬材料層228對介電層224的蝕刻選擇比，以減少晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的過度蝕刻程度的差異。其中，在一較佳實施例中，金屬材料層228對IMD2的蝕刻選擇比例如是從7.73提升至15.31。
此外，其反應(yīng)氣體例如是BCl3與Cl2，其混合比例是小于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的混合比例，該比例例如是介于0.2至0.5之間。如此一來，可以降低氣體離子對于介電層224的轟擊能力，以減少晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的介電層224其過度蝕刻程度的差異，而使得晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的介電層224其被移除的厚度一致。
另外，在進行電漿蝕刻制程230時，更包括同時通入惰性氣體，且該惰性氣體的壓力是大于現(xiàn)有習知電漿蝕刻常使用的流量大小。其中，惰性氣體例如是氦氣，且氦氣的壓力例如是介于10至12torr之間。如此一來，可以使得反應(yīng)室的溫度保持一致，以提高晶圓中心處201與晶圓邊緣處203的過度蝕刻速率的一致性。
由于上述的圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，其蝕刻制程是以變壓偶合式電漿進行，且所使用的功率比現(xiàn)有習知所使用的功率低，因此可以增加金屬材料層對介電層的蝕刻選擇比，以降低晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度的差異性。
此外，由于本發(fā)明使用BCl3與Cl2的反應(yīng)氣體的比例較一般現(xiàn)有技術(shù)為低，因此可以降低對于介電層的轟擊(bombardment)能力，以減少晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度的差異，而使得晶圓中心處與邊緣處的介電層被移除的厚度一致。
另外，由于本發(fā)明的蝕刻制程所通入的惰性氣體，其壓力較一般現(xiàn)有技術(shù)為高，因此可以使得反應(yīng)室的溫度保持一致，而可提高晶圓中心處與邊緣處的過度蝕刻速率的一致性。
此外，在形成內(nèi)連線的金屬層時，由于晶圓上的各個區(qū)域的所欲形成的金屬圖案疏密程度不同，因此，在蝕刻制程時，會因微負載效應(yīng)(microloading effect)，而造成蝕刻速率的差異。然而，利用本發(fā)明除了解決現(xiàn)有習知晶圓中心處與邊緣處蝕刻速率不一致的問題，對于金屬內(nèi)連線制程而言，亦可解決因微負載效應(yīng)，所造成蝕刻速率不一致的問題。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種圖案化金屬層的方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基底，該基底上已形成有復數(shù)個元件結(jié)構(gòu)，以及與該些元件結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的復數(shù)個內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；在該基底上方形成一介電層，以覆蓋該些內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；在該介電層上形成一金屬材料層；以及對該金屬材料層進行一電漿蝕刻制程，以形成圖案化的一金屬層，其中該電漿蝕刻制程所使用的變壓偶合式電漿(TCP)電源是介于400至600瓦之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中所述的電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體是包括BC13與C12。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中所述的BC13與C12的混合比例是介于0.2至0.5之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中在進行該電漿蝕刻制程時，更包括同時通入一惰性氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中所述的惰性氣體包括氦氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中所述的氦氣的壓力是介于10至12torr之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化金屬層的方法，其特征在于其中進行該電漿蝕刻制程的反應(yīng)室的壓力是介于12至15mt之間。
8.一種金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其包括以下步驟提供一基底，該基底上已形成有復數(shù)個元件結(jié)構(gòu)；在該些元件結(jié)構(gòu)上形成一介電層，以覆蓋該些元件結(jié)構(gòu)，且該介電層中已形成有復數(shù)個插塞，而且該些插塞是與所對應(yīng)的該些元件結(jié)構(gòu)電性連接；在該介電層上形成一金屬材料層，以覆蓋該些插塞；以及對該金屬材料層進行一電漿蝕刻制程，以形成一導線結(jié)構(gòu)，其中該電漿蝕刻制程所使用的變壓偶合式電漿(TCP)電源是介于400至600瓦之間，且該導線結(jié)構(gòu)是與所對應(yīng)的該些插塞電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中所述的電漿蝕刻制程所使用的反應(yīng)氣體是包括BC13與C12。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中所述的BC13與C12的混合比例是介于0.2至0.5之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中在進行該電漿蝕刻制程時，更包括同時通入一惰性氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中所述的惰性氣體包括一氦氣。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中所述的氦氣的壓力是介于10至12torr之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬內(nèi)連線的制造方法，其特征在于其中進行該電漿蝕刻制程的反應(yīng)室的壓力是介于12至15mt之間。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種圖案化金屬層的方法與金屬內(nèi)連線的制造方法，該圖案化金屬層的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有數(shù)個元件結(jié)構(gòu)，以及與這些元件結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的數(shù)個內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；之后，在基底上方形成介電層；接著，在介電層上形成金屬材料層；然后對金屬材料層進行電漿蝕刻制程，形成圖案化的金屬層，其中電漿蝕刻制程是以較低功率變壓偶合式電漿進行，所以可解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓中心與晶圓邊緣處的介電層其過度蝕刻程度不一致的問題。本發(fā)明可降低晶圓中心處與邊緣處的介電層其過度蝕刻程度的差異性，另可使得晶圓中心處與邊緣處的介電層被移除的厚度一致，還可使反應(yīng)室的溫度保持一致，而可提高晶圓中心處與晶圓邊緣處的過度蝕刻速率的一致性。
文檔編號G03F7/00GK1609706SQ20031010232
公開日2005年4月27日 申請日期2003年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月24日
發(fā)明者黃政陽, 李士敬, 林佩筠, 吳敬斌, 連楠梓, 劉信成 申請人:旺宏電子股份有限公司