專利名稱：用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器(LCD)，更為特別地，涉及用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法。
背景技術：
通常，液晶顯示器(LCD)包括兩個被間隔開并彼此面對的基板、以及介于兩個基板之間的液晶層。每個基板包括電極，且各基板的電極也彼此面對。向各電極施加電壓，因此在電極之間產(chǎn)生電場。通過改變電場的強度或方向來改變液晶分子排列。LCD器件通過根據(jù)液晶分子的排列改變光透射率來顯示圖像。
下文中將參考附圖詳細描述現(xiàn)有技術的LCD器件。
圖1是示出現(xiàn)有技術LCD器件11的分解透視圖?，F(xiàn)有技術的LCD器件11具有被間隔開并彼此面對的上和下基板5和22，且還具有介于上基板5和下基板22之間的液晶15。
上基板5包括依序在其內(nèi)側(cè)(即面對下基板22的一側(cè))上形成的黑底6、濾色器層7和公共電極9。黑底6具有多個開口。濾色器層7對應于黑底6中的開口并包括紅(R)、綠(G)和藍(B)三個子濾色器。公共電極9形成在濾色器7上且為透明的。
在下基板22的內(nèi)表面(即面對上基板5的一側(cè))上形成至少一個選通線12和至少一個數(shù)據(jù)線34。選通線12和數(shù)據(jù)線34彼此交叉以限定像素區(qū)域P。在選通線12和數(shù)據(jù)線34的交叉處形成作為開關元件的薄膜晶體管T。該薄膜晶體管T包括柵電極、源電極和漏電極。多個這樣的薄膜晶體管以矩陣形式排布以對應于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉。連接于薄膜晶體管T的像素電極56形成在像素區(qū)域P中。該像素電極56對應于子濾色器并由透光較好的諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料制成。包括以矩陣形式排布的薄膜晶體管T和像素電極56的下基板22一般可以稱之為陣列基板。
在操作中，通過選通線12向薄膜晶體管T的柵電極施加掃描脈沖，并通過數(shù)據(jù)線34向薄膜晶體管T的源電極施加數(shù)據(jù)信號。
取決于液晶15的電和光效應來驅(qū)動LCD器件11。液晶15是具有自發(fā)極化特性的介電各向異性材料。當被施加電壓時，液晶15通過自發(fā)極化形成偶極子，并因此通過電場來排列液晶分子。由于根據(jù)液晶的排列而變化的液晶的光學特性而發(fā)生光學調(diào)制。通過根據(jù)光學調(diào)制控制光透射性來產(chǎn)生LCD器件的圖像。
由于通過復雜的工藝制造LCD器件，已經(jīng)嘗試通過簡化工藝來減少制造時間和成本。
對此，作為一種方法，根據(jù)利用五至七個掩模的工藝，已經(jīng)通過利用四個掩模的工藝(可以稱之為四掩模工藝)制造用于LCD器件的陣列基板。
圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術通過四掩模工藝制造的用于LCD器件的陣列基板。在圖2中，選通線12和數(shù)據(jù)線34彼此交叉并限定像素區(qū)域P。在選通線和數(shù)據(jù)線12和34的交叉處形成作為開關元件的薄膜晶體管T。在選通線12的一端形成選通焊盤10，且在數(shù)據(jù)線34的一端形成數(shù)據(jù)焊盤36。具有島狀并由透明導電材料制成的選通焊盤端子58和數(shù)據(jù)焊盤端子60分別疊置在選通焊盤10和數(shù)據(jù)焊盤36上。
薄膜晶體管T包括連接到選通線12并接收掃描信號的柵電極14、連接到數(shù)據(jù)線34并接收數(shù)據(jù)信號的源電極40和與源電極40隔離開的漏電極42。薄膜晶體管T進一步包括在柵電極14與源漏電極40和42之間的有源層32。島狀的金屬圖形38疊置在選通線12上。
像素電極56形成在像素區(qū)域P中并連接到漏電極42。像素電極56在選通線12上延伸，并因此還連接到金屬圖形38。選通線12和金屬圖形38分別充當?shù)谝缓偷诙鎯﹄娙萜麟姌O并與設置在選通線12和金屬圖形38之間的柵絕緣層(未示出)一起形成存儲電容器Cst。
雖然在圖中未示出，但是在有源層32與源漏電極40和42之間形成歐姆接觸層。有源層32由非晶硅構成，而歐姆接觸層由摻雜的非晶硅形成。包括非晶硅和摻雜非晶硅的第一圖形35和第二圖形29分別形成在數(shù)據(jù)線34和金屬圖形38的下面。
如上所述，利用四個掩模制造圖2的陣列基板，參考附圖在下文中描述制造該陣列基板的制造工藝。
圖3A至3G、圖4A至4G和圖5A至5G是分別沿圖2的III-III’、IV-IV’和V-V’展示出根據(jù)現(xiàn)有技術制造陣列基板的方法的橫截面圖。
如圖3A、4A和5A中所示，通過淀積第一金屬層并通過利用第一掩模的第一光刻工藝(即第一掩模工藝)對第一金屬層構圖，在透明絕緣基板22上形成選通線12、柵電極14和選通焊盤10。選通線12、柵電極14和選通焊盤10由諸如鋁(Al)、鋁合金、鉬(Mo)、鎢(W)和鉻(Cr)的金屬材料制成。由鋁或鋁合金制成的選通線12、柵電極14和選通焊盤10由包括鉬或鉻的雙層形成。
接著，依序在包括在其上的選通線12、柵電極14和選通焊盤10的基板22上淀積柵絕緣層16、非晶硅層18、摻雜非晶硅層20和第二金屬層24。柵絕緣層16充當?shù)谝唤^緣層，且其由諸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的無機絕緣材料制成。第二金屬材料24由鉻、鉬、鎢和鉭(Ta)中的一種形成。
如圖3B、4B和5B中所示，在第二金屬層24上通過涂敷光致抗蝕劑形成光致抗蝕劑層26。光致抗蝕劑層26可以是正性的，曝光的部分被顯影并除去。隨后，光致抗蝕劑層26曝光。將具有透射部分A、阻擋部分B和半透射部分C(可以稱之為狹縫部分)的第二掩模70間隔開設置在光致抗蝕劑層26上方。半透射部分C對應于柵電極14。對應于半透射部分C的光致抗蝕劑層26比對應于透射部分A的光致抗蝕劑層26曝光較少。
如圖3C、4C和5C中示出，顯影圖3B、4B和5B的被曝光的光致抗蝕劑層26，并形成光致抗蝕劑圖形26a。由于第二掩模70各部分的不同透射率，光致抗蝕劑圖形26a具有不同厚度。光致抗蝕劑26a的第一厚度對應于圖3B、4B和5B的阻擋部分B，而比第一厚度薄的光致抗蝕劑圖形26a的第二厚度對應于圖3B、4B和5B的半透射部分C。
如圖3D、4D和5D中所示，除去由光致抗蝕劑圖形26a暴露的圖3C、4C和5C的第二金屬層24、摻雜非晶硅層20和非晶硅層18。因此形成源漏圖形28、圖2的數(shù)據(jù)線34、數(shù)據(jù)焊盤36、摻雜的非晶硅圖形32a和有源層30。通過濕法蝕刻的方法蝕刻圖3C、4C和5C的第二金屬層24，且通過干法蝕刻的方法對圖3C、4C和5C的摻雜非晶硅層20和非晶硅層18構圖。源漏圖形28形成在柵電極14上方并連接于圖2的數(shù)據(jù)線34，數(shù)據(jù)線34在該圖中垂直延伸。摻雜非晶硅圖形32a和有源層30具有與源漏圖形28和數(shù)據(jù)線34相同的形狀。
此時，在選通線12上還形成島狀金屬圖形38。形成包括非晶硅層和摻雜非晶硅層的第一圖形35和第二圖形29。第一圖形35位于數(shù)據(jù)線34和數(shù)據(jù)焊盤36的下方，而第二圖形29位于金屬圖形38的下方。
接著，如圖3E、4E和5E中所示，通過灰化工藝除去光致抗蝕劑圖形26a的第二厚度，因此暴露源漏圖形28。這里，還部分地除去第一厚度的光致抗蝕劑圖形26a并減薄光致抗蝕劑圖形26a的第一厚度。另外，除去光致抗蝕劑圖形26a的邊緣，暴露金屬圖形28、36和38。
如圖3F、4F和5F中所示，蝕刻通過圖3E的光致抗蝕劑圖形26a暴露的圖3E的源漏圖形28和摻雜非晶硅圖形32a。因此形成源和漏電極40和42以及歐姆接觸層32。在源和漏電極40和42之間暴露的有源層30成為薄膜晶體管的溝道CH。源和漏電極40和42彼此間隔開。源和漏電極40和42之間的區(qū)域?qū)趫D3B的第二掩模70的半透射部分C。
如果圖3E的源漏圖形28由鉬(Mo)形成，可以利用干法蝕刻同時除去圖3E的源漏圖形28和摻雜非晶硅圖形32a。然而，如果源漏圖形28由鉻(Cr)形成，通過濕法蝕刻的方法蝕刻源漏圖形28，然后通過干法蝕刻的方法除去摻雜非晶硅圖形32a。
如上所述，利用圖3B、4B和5B的第二掩模70通過第二光刻工藝形成源和漏電極40和42、數(shù)據(jù)線34、數(shù)據(jù)焊盤36、金屬圖形38、歐姆接觸層32和有源層30。
接著，除去光致抗蝕劑圖形26a，通過涂敷諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和丙烯酸樹脂的透明有機材料或淀積諸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的無機材料，在數(shù)據(jù)線34、源和漏電極40和42、數(shù)據(jù)焊盤36、以及金屬圖形38上形成作為第二絕緣層的鈍化層46。通過利用第三掩模的第三光刻工藝對鈍化層46和柵絕緣層16構圖，形成漏接觸孔48、存儲接觸孔50、選通焊盤接觸孔52和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔54。漏接觸孔48、存儲接觸孔50、選通焊盤接觸孔52和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔54分別暴露漏電極42、金屬圖形38、選通焊盤10和數(shù)據(jù)焊盤36。
如圖3G、4G和5G中所示，通過淀積諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料并通過利用第四掩模的第四光刻工藝構圖該透明導電材料，在鈍化層46上形成像素電極56、選通焊盤端子58和數(shù)據(jù)焊盤端子60。像素電極56不僅通過漏接觸孔48連接到漏電極42還通過存儲接觸孔50連接到金屬圖形38。選通焊盤端子58通過選通焊盤接觸孔52連接到選通焊盤10，而數(shù)據(jù)焊盤端子60通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔54連接到數(shù)據(jù)焊盤36。
如上所述，通過利用掩模的光刻工藝(即掩模工藝)制造陣列基板。光刻工藝包括清洗、涂敷光致抗蝕劑層、通過掩模曝光、顯影光致抗蝕劑層和蝕刻的多個步驟。因此，可以通過減少光刻工藝的次數(shù)來降低制造時間、成本和故障。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及基本上克服了由于現(xiàn)有技術的限制和缺點引起的一個或多個問題的用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明的優(yōu)點是提供由于縮短了工藝和降低成本而增加生產(chǎn)率的用于液晶顯示器的陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明的其它特點和優(yōu)點會在隨后的說明書中闡述，其部分地會從說明書中了解或從本發(fā)明的實踐中獲得。通過在說明書和其權利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構可以認識到并獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點。
為獲得這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體并廣泛地描述的，用于液晶顯示器的陣列基板包括基板上的選通線和選通焊盤，基板上的數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定出像素區(qū)域；在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處的包括柵電極、有源層、源電極和漏電極的薄膜晶體管；設置在包括薄膜晶體管的基板的整個表面上的鈍化層，其中蝕刻鈍化層以暴露像素區(qū)域中的基板、部分漏電極、選通焊盤、和數(shù)據(jù)焊盤；以及在包括鈍化層的基板上的像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，像素電極直接接觸漏電極的暴露部分，選通焊盤端子接觸暴露的選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子接觸數(shù)據(jù)焊盤。
在本發(fā)明的另一方案中，一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法包括通過第一掩模工藝在基板上形成選通線、選通焊盤和柵電極；通過第二掩模工藝在包括選通線、選通焊盤和柵電極的基板上形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤、源電極、漏電極和有源層，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定出像素區(qū)域，源電極從數(shù)據(jù)線延伸，漏電極與源電極隔離開，有源層設置在柵電極與源和漏電極之間；通過第三掩模工藝在包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成鈍化層，鈍化層被蝕刻以暴露出像素區(qū)域中的基板、部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；和通過在包括鈍化層的基板的整個表面上淀積透明導電材料而形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，像素電極直接接觸漏電極的暴露部分，選通焊盤端子直接接觸選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子直接接觸數(shù)據(jù)焊盤。
可以理解前述總體描述和下面的詳細描述是示例性的和解釋性的，旨在對本發(fā)明權利要求提供進一步解釋。


為提供對本發(fā)明的進一步理解且并入該說明書并作為其組成部分的附圖示出本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是示出現(xiàn)有技術液晶顯示器(LCD)的分解透視圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術的用于LCD器件的陣列基板的平面圖；圖3A至3G、圖4A至4G、圖5A至5G是示出根據(jù)現(xiàn)有技術的制造陣列基板的方法的橫截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于液晶顯示器(LCD)的陣列基板的平面圖；圖7A至7H、圖8A至8H和圖9A至9H是示出制造根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的方法的圖6的橫截面圖；和圖10、圖11和圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的陣列基板的橫截面圖。
具體實施例方式
對在附圖中示出的本發(fā)明的實施例作以詳細描述。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于液晶顯示器(LCD)的陣列基板的平面圖。
如圖6中所示，在透明絕緣基板100上形成多個選通線102和多個數(shù)據(jù)線132。選通線102和數(shù)據(jù)線132彼此交叉并限定出像素區(qū)域P。在選通線和數(shù)據(jù)線102和132的每一交叉處形成作為開關元件的薄膜晶體管T。在選通線102的一端形成選通焊盤106，而在數(shù)據(jù)線132的一端形成數(shù)據(jù)焊盤142。具有島狀的并由透明導電材料制成的選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166分別疊置在選通焊盤106和數(shù)據(jù)焊盤142上。
薄膜晶體管T由連接到選通線102并用于接收掃描信號的柵電極104、連接到數(shù)據(jù)線132并用于接收數(shù)據(jù)信號的源電極136和與源電極136分隔開的漏電極138組成。薄膜晶體管T還包括在柵電極104與源和漏電極136和138之間的有源層126。島狀金屬圖形134疊置在選通線102上。金屬圖形134可以由與數(shù)據(jù)線132相同的材料制成。
在每一個像素區(qū)域P中形成像素電極162。像素電極162不用接觸孔而直接連接于漏電極138和金屬圖形134。選通線102和金屬圖形134分別充當?shù)谝缓偷诙鎯﹄娙萜麟姌O，并與設置在選通線102和金屬圖形134之間的柵絕緣層(未示出)一起形成存儲電容器Cst。
雖然未在圖中示出，在有源層126與源和漏電極136和138之間形成歐姆接觸層。有源層126由非晶硅制成，歐姆接觸層由摻雜非晶硅形成。形成包括非晶硅層和摻雜非晶硅層的第一圖形130和第二圖形131。第一圖形130位于數(shù)據(jù)線132和數(shù)據(jù)焊盤142的下方，而第二圖形131位于金屬圖形134的下方。暴露有源層126和第一及第二圖形130和131(即第一和第二圖形130和131的非晶硅層)的邊緣。
在基板100的整個表面上形成鈍化層160，暴露像素電極162、選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166。
圖7A至7H、圖8A至8H和圖9A至9H示出根據(jù)本發(fā)明的實施例制造陣列基板的方法，且分別為沿圖6的線VII-VII’、VIII-VIII’和線IX-IX’的橫截面。
首先如圖7A、8A和9A中所示，通過淀積第一金屬層并通過利用第一掩模的第一光刻工藝(即第一掩模工藝)對第一金屬層構圖來在透明絕緣基板100上形成選通線102、柵電極104和選通焊盤106。如上所述，柵電極104從選通線102延伸，選通焊盤106位于選通線102的一端。選通線102、柵電極104和選通焊盤106由諸如鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)和鉻(Cr)的金屬材料制成。為防止阻容(RC)延遲，廣泛使用具有相對較低的電阻率的鋁(Al)作為柵電極材料。然而，純鋁容易被酸腐蝕且可能引起由于高溫下在后續(xù)工藝中的凸起(hillock)造成的線缺陷。因此可以使用鋁合金或包括鋁和其它金屬材料(如鉬)的雙層。
如圖7B、8B和9B中所示，隨后在包括在其上的選通線102、柵電極104和選通焊盤106的基板100上淀積柵絕緣層108、非晶硅層110、摻雜非晶硅層112和第二金屬層114。柵絕緣層108由諸如氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的無機絕緣材料制成。柵絕緣層108可以由諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和丙烯酸樹脂的有機絕緣材料形成。第二金屬層114由鉻、鉬、鎢和鉭(Ta)中的一種制成。
接著，通過涂敷光致抗蝕劑在第二金屬層114上形成光致抗蝕劑層116。在光致抗蝕劑層116上方并與其間隔開設置具有透射部分E、阻擋部分F和半透射部分G的第二掩模170。半透射部分G可以包括多個狹縫且其對應于薄膜晶體管的溝道。光致抗蝕劑層116可以是正性的，因此顯影并除去被曝光的部分。隨后，曝光光致抗蝕劑層116，對應于半透射部分G的光致抗蝕劑層116的曝光小于對應于透射部分E的光致抗蝕劑層116。
如圖7C、8C和9C中所示，顯影圖7B、8B和9B的光致抗蝕劑層116，形成具有不同厚度的光致抗蝕劑圖形120a。光致抗蝕劑圖形120a的第一厚度對應于圖7B、8B和9B的阻擋部分F，薄于第一厚度的光致抗蝕劑圖形120a的第二厚度對應于圖7B的半透射部分G。
如圖7D、8D和9D中所示，除去通過光致抗蝕劑圖形120a暴露的圖7C、8C和9C的第二金屬層114、摻雜非晶硅層112和非晶硅層110。這樣，形成源漏圖形124、數(shù)據(jù)線132、數(shù)據(jù)焊盤142、摻雜非晶硅圖形128a和有源層126。此時，在選通線102上方還形成島狀金屬圖形134。接著通過灰化工藝除去光致抗蝕劑圖形120a的第二厚度，因此暴露源漏圖形124的中間部分。這里，還部分地除去光致抗蝕劑圖形120a的第一厚度并減薄光致抗蝕劑圖形120a的第一厚度。另外，除去光致抗蝕劑圖形120a的邊緣，暴露金屬圖形124、130、134和142。
此外，形成包括非晶硅層130a和131a以及摻雜非晶硅層130b和131b的第一圖形130和第二圖形131。第一圖形130位于數(shù)據(jù)線132和數(shù)據(jù)焊盤142的下方，而第二圖形131位于金屬圖形134的下方。
圖7C、8C和9C的第二金屬層114可以通過濕法蝕刻方法被蝕刻，而圖7C、8C和9C的摻雜非晶硅層112和非晶硅層110可以通過干法蝕刻方法被構圖。源漏圖形124形成在柵電極104上方并連接于在圖中垂直延伸的數(shù)據(jù)線132。數(shù)據(jù)焊盤142設置在數(shù)據(jù)線132的一端，如前面所提及的那樣。摻雜非晶硅圖形128a和有源層126具有與源漏圖形124和數(shù)據(jù)線132相同的形狀。
接著，如圖7E、8E和9E中所示，蝕刻由圖7D的光致抗蝕劑圖形120a暴露的圖7D的源漏圖形124和摻雜非晶硅圖形128a。因此，形成源和漏電極136和138以及歐姆接觸層128，并暴露有源層126。在源和漏電極136和138之間暴露的有源層126成為薄膜晶體管T的溝道且其對應于圖7B的第二掩模70的半透射部分G。柵電極104、有源層126、源電極136和漏電極138組成薄膜晶體管T。源和漏電極136和138彼此間隔開。有源層126具有與源和漏電極136和138相同的形狀且還包括在源和漏電極136和138之間的附加部分。此時，還暴露設置在源和漏電極136和138、數(shù)據(jù)線132、數(shù)據(jù)焊盤142和金屬圖形134下方的非晶硅層126、130a、131a的邊緣。
如果圖7D的源漏圖形124由鉬(Mo)形成，可以利用干法蝕刻方法同時除去圖7D的源漏圖形124和摻雜非晶硅圖形128a。然而，如果源漏圖形124由鉻(Cr)形成，可以通過濕法蝕刻的方法蝕刻源漏圖形124，然后通過干法蝕刻方法除去摻雜非晶硅圖形128a。
如上所述，通過利用圖7B、8B和9B的第二掩模170的第二掩模工藝形成源和漏電極136和138、數(shù)據(jù)線132、數(shù)據(jù)焊盤142、金屬圖形134、歐姆接觸層128和有源層126。
接著，除去圖7D、8D和9D的光致抗蝕劑圖形120a，在基板100的整個表面上通過涂敷諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和丙烯酸樹脂的光敏有機材料來形成鈍化層160，其中在該基板上形成有源和漏電極136和138、數(shù)據(jù)線132、數(shù)據(jù)焊盤電極142和金屬圖形134。
如圖7F、8F和9F中所示，通過利用第三掩模的第三光刻工藝曝光并顯影鈍化層160。然后，鈍化層160保留在數(shù)據(jù)線132、源和漏電極136和138、金屬圖形134和形成選通焊盤106和數(shù)據(jù)焊盤142的焊盤部分上，暴露出像素區(qū)域、選通焊盤106和數(shù)據(jù)焊盤142。這里，還暴露出漏電極138和金屬圖形134的多個部分。選通焊盤106上仍由柵絕緣層108覆蓋。
在固定溫度下固化(cure)剩余的鈍化層160，因此鈍化層160具有圓弧表面。此時，鈍化層160的側(cè)部應該相反地逐漸變細，具有小于90度的角。通過多次而非一次執(zhí)行固化鈍化層160的工藝可以獲得這種結(jié)果。
如圖7G、8G和9G中所示，除去由鈍化層160暴露的柵絕緣層108，由此暴露選通焊盤106。此時，還暴露像素區(qū)域中的基板100。
如圖7H、8H和9H中所示，通過淀積諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料，在包括鈍化層160的基板100上形成像素電極162、選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166。像素電極162設置在像素區(qū)域中并直接連接于漏電極138和金屬圖形134，而不用接觸孔。金屬圖形134與選通線102以及在選通線102與金屬圖形134之間的柵絕緣層一起形成存儲電容器。像素電極162接觸像素區(qū)域中的基板100。選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166分別覆蓋并接觸選通焊盤106和數(shù)據(jù)焊盤142。由于鈍化層160被構圖，像素電極162、選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166設置在鈍化層160的圖形之間。
像素電極162、選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166可以按各自的圖形形成，而不需要光刻工藝，因為鈍化層具有相反的逐漸變細的側(cè)部。這里，在鈍化層160上還形成透明導電圖形163。
在上述實施例中，有機材料的鈍化層160直接形成于薄膜晶體管T上，且該鈍化層160接觸薄膜晶體管T的有源層126。為改善有源層126與鈍化層160之間的接觸特性，可以在鈍化層160與薄膜晶體管T之間形成無機絕緣圖形。
下文中，參考所附的圖10、圖11和圖12描述本發(fā)明的另一實施例。
圖10、圖11和圖12示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的陣列基板，且分別是沿著圖6的線VII-VII’、線VIII-VIII’和線IX-IX’的橫截面圖。
如圖中所示，在薄膜晶體管T與有機鈍化層160之間形成無機絕緣圖形143。利用有機鈍化層160作為蝕刻掩模通過構圖工藝形成無機絕緣圖形143。
更為特別地，在薄膜晶體管T的源和漏電極136和138與數(shù)據(jù)線132形成之后，通過淀積一種選自包括氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)的無機絕緣材料組中的材料來形成無機絕緣層。
接著，通過前面實施例中講述的方法在無機絕緣層上形成構圖的有機鈍化層160。利用構圖的有機鈍化層160作為蝕刻掩模除去通過鈍化層160暴露的無機絕緣層和柵絕緣層，由此形成無機絕緣圖形143。因此，無機絕緣圖形143具有與構圖的有機鈍化層160相同的形狀。
隨后，通過在基板100的整個表面上淀積諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料，在包括鈍化層160的基板100上形成像素電極162、選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166。像素電極162設置在像素區(qū)域中并與漏電極138和金屬圖形134直接連接，而不用接觸孔。像素電極162接觸像素區(qū)域中的基板100。選通焊盤端子164和數(shù)據(jù)焊盤端子166分別覆蓋并接觸選通焊盤106和數(shù)據(jù)焊盤142。
在包括鈍化層160與薄膜晶體管T、數(shù)據(jù)線132和選通線102之間的無機絕緣圖形143的該實施例中，由于無機絕緣圖形143比有機鈍化層160具有與薄膜晶體管T的有源層126更好的接觸特性，可以改善薄膜晶體管T的操作特性。另外，無機絕緣圖形143防止有機鈍化層160脫離選通線和數(shù)據(jù)線102和132。
這里，由于有機鈍化層160的高度，當將驅(qū)動集成電路連接到陣列基板的焊盤上時，在相鄰的焊盤間會發(fā)生電短路。因此，除去有機鈍化層160是有益的?？梢酝ㄟ^剝離方法(liftoff method)除去有機鈍化層160，這里將陣列基板浸泡在用于有機鈍化層160的剝離劑中并剝離有機鈍化層160，由此由于剝離的有機鈍化層，透明導電圖形163也從陣列基板脫離。
如此，本發(fā)明的陣列基板通過三個掩模來制造。因此，根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制造方法減少了工藝和成本，并提高了生產(chǎn)量。
對本領域技術人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，在本發(fā)明的制造和應用中所做出各種修改和變化是顯而易見的。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入附屬的權利要求書和它們的等同物范圍內(nèi)的對本發(fā)明提出的修改和變化。
權利要求
1.一種用于液晶顯示器的陣列基板，包括基板上的選通線和選通焊盤；基板上的數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)域；薄膜晶體管，位于選通線和數(shù)據(jù)線交叉處，并包括柵電極、有源層、源電極和漏電極；鈍化層，設置在包括薄膜晶體管的基板的整個表面上，其中鈍化層被蝕刻以暴露像素區(qū)域中的基板、部分漏電極、選通焊盤、以及數(shù)據(jù)焊盤；和在包括鈍化層的基板上的像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，像素電極直接接觸漏電極的暴露部分，選通焊盤端子接觸暴露的選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子接觸數(shù)據(jù)焊盤。
2.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中鈍化層具有相反的逐漸變細的側(cè)部。
3.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中鈍化層具有圓弧表面。
4.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中鈍化層被構圖，且像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子設置在鈍化層的圖形之間。
5.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中像素電極接觸像素區(qū)域中暴露的基板。
6.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中非晶硅層和摻雜非晶硅層層疊在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤的下方。
7.根據(jù)權利要求6的陣列基板，其中非晶硅層的邊緣被暴露。
8.根據(jù)權利要求1的陣列基板，進一步包括選通線上方的島狀的金屬圖形。
9.根據(jù)權利要求8的陣列基板，其中鈍化層進一步暴露一部分金屬圖形。
10.根據(jù)權利要求9的陣列基板，其中像素電極直接接觸金屬圖形的暴露部分，由此金屬圖形與選通線一起形成存儲電容器。
11.根據(jù)權利要求1的陣列基板，進一步包括鈍化層上的導電圖形，其中該導電圖形由與像素電極相同的材料制成。
12.根據(jù)權利要求1的陣列基板，其中有源層具有與源和漏電極相同的形狀且還包括源和漏電極之間的附加部分。
13.根據(jù)權利要求1的陣列基板，進一步包括鈍化層與薄膜晶體管、選通線和數(shù)據(jù)線之間的無機絕緣圖形，其中該無機絕緣圖形具有與鈍化層相同的形狀。
14.一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括在基板上通過第一掩模工藝形成選通線、選通焊盤和柵電極；通過第二掩模工藝在包括選通線、選通焊盤和柵電極的基板上形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤、源電極、漏電極和有源層，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)域，源電極從數(shù)據(jù)線延伸，漏電極與源電極隔離開，且有源層設置在柵電極與源和漏電極之間；通過第三掩模工藝在包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成鈍化層，蝕刻鈍化層以暴露像素區(qū)域中的基板、部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；以及通過在包括鈍化層的基板的整個表面上淀積透明導電材料來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，像素電極直接接觸漏電極的暴露部分，選通焊盤端子直接接觸選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子直接接觸數(shù)據(jù)焊盤。
15.根據(jù)權利要求14的方法，其中第二掩模工藝包括在包括選通線和柵電極的基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上淀積非晶硅層、摻雜非晶硅層和金屬層；在金屬層上設置具有第一和第二厚度的光致抗蝕劑圖形；根據(jù)光致抗蝕劑圖形選擇性地除去金屬層的一些部分，并根據(jù)光致抗蝕劑圖形選擇性地除去非晶硅層的一些部分；除去具有第二厚度的光致抗蝕劑圖形的部分；選擇性蝕刻通過除去具有第二厚度的光致抗蝕劑圖形的部分而暴露的金屬層；選擇性蝕刻通過前一選擇性蝕刻而暴露的摻雜非晶硅層；以及除去剩余的光致抗蝕劑圖形。
16.根據(jù)權利要求15的方法，其中光致抗蝕劑圖形是正性型光致抗蝕劑圖形，使得曝光的部分被顯影并除去。
17.根據(jù)權利要求14的方法，進一步包括在形成像素電極之前固化鈍化層，由此鈍化層具有相反的具有小于90度的角的逐漸變細的側(cè)部。
18.根據(jù)權利要求17的方法，其中鈍化層具有圓弧表面。
19.根據(jù)權利要求14的方法，其中在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤下方形成非晶硅層和摻雜非晶硅層。
20.根據(jù)權利要求19的方法，其中暴露非晶硅層的邊緣。
21.根據(jù)權利要求14的方法，其中通過第二掩模工藝在選通線上方形成島狀的金屬圖形。
22.根據(jù)權利要求21的方法，其中鈍化層進一步暴露一部分該金屬圖形。
23.根據(jù)權利要求22的方法，其中像素電極直接接觸金屬圖形的暴露部分，由此金屬圖形與選通線和柵絕緣層一起形成存儲電容器。
24.根據(jù)權利要求14的方法，其中第二掩模工藝的掩模包括透射部分、阻擋部分和半透射部分。
25.根據(jù)權利要求24的方法，其中半透射部分包括多個狹縫。
26.根據(jù)權利要求14的方法，其中有源層具有與源和漏電極相同的形狀且還包括源和漏電極之間的附加部分。
27.根據(jù)權利要求14的方法，進一步包括在包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成無機絕緣層，其中通過利用鈍化層作為蝕刻掩模對無機絕緣層構圖，由此形成具有與鈍化層相同形狀的無機絕緣圖形。
28.根據(jù)權利要求27的方法，進一步包括在形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子之后除去鈍化層。
29.根據(jù)權利要求28的方法，其中利用剝離方法除去鈍化層。
全文摘要
一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，包括通過第一掩模工藝在基板上形成選通線、選通焊盤和柵電極；通過第二掩模工藝在包括選通線、選通焊盤和柵電極的基板上形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)焊盤、源電極、漏電極和有源層，其中數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)域，源電極從數(shù)據(jù)線延伸，漏電極與源電極隔離開，且有源層設置在柵電極與源和漏電極之間；通過第三掩模工藝在包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成鈍化層，蝕刻鈍化層以暴露像素區(qū)域中的基板、部分漏電極、選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；以及通過在包括鈍化層的基板的整個表面上淀積透明導電材料來形成像素電極、選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，像素電極直接接觸漏電極的暴露部分，選通焊盤端子直接接觸選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子直接接觸數(shù)據(jù)焊盤。
文檔編號G02F1/1362GK1499271SQ20031011347
公開日2004年5月26日 申請日期2003年11月11日 優(yōu)先權日2002年11月11日
發(fā)明者張允瓊, 趙興烈, 柳洵城 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司